一種像素單元及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素單元及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板及顯 示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的不斷進(jìn)步，目前，如圖1所示，薄膜晶體管液晶顯示裝置（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱 TFT-LCD)中的像素單元 100 通常是由一 個(gè)薄膜晶體管（TFT)、存儲(chǔ)電容（Cst)、以及用于向液晶分子施加電壓的像素電極構(gòu)成。
[0003] 上述像素單元的信號(hào)波形圖如圖2所示。其中，采用現(xiàn)有技術(shù)的像素單元結(jié)構(gòu)進(jìn) 行顯示時(shí)，首先在薄膜晶體管的柵線上施加一定的高電平電壓Vgh，使得薄膜晶體管的源極 和漏極導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線的信號(hào)會(huì)被傳送到液晶電容Clc和存儲(chǔ)電容Cst上。當(dāng)完成一個(gè)掃描 周期后，柵線上的電壓變?yōu)榈碗娖诫妷篤gl，低電平電壓通常為0,此時(shí)薄膜晶體管處于截 止?fàn)顟B(tài)，液晶電容Clc和存儲(chǔ)電容Cst維持工作負(fù)載，而液晶像素上的電壓在保證薄膜晶體 管關(guān)斷時(shí)發(fā)生了一個(gè)跳變，即在保證薄膜晶體管由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，液晶兩端 的電壓產(chǎn)生了跳變，通常稱之為跳變電壓（Vp)，通常，AVp通過(guò)下述公式進(jìn)行計(jì)算：
[0005] 其中，Vgh、Vgl分別為施加在柵線上用于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的高電平電壓和低電平 電壓，Cgs、Clc、以及Cst分別為薄膜晶體管的柵源電容、液晶電容以及存儲(chǔ)電容。
[0006] 由于跳變電壓的存在，導(dǎo)致TFT-IXD顯示畫面中出現(xiàn)閃爍現(xiàn)象（Flicker)，不僅降 低了顯示質(zhì)量，而且導(dǎo)致觀看者長(zhǎng)時(shí)間觀看后出現(xiàn)眼睛疲勞甚至頭暈等問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種像素單元及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板及顯示裝置，能夠減 小由于跳變電壓導(dǎo)致的TFT-LCD顯示畫面中出現(xiàn)的閃爍現(xiàn)象，提高顯示質(zhì)量。
[0008] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：
[0009] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素單元，包括：
[0010] 像素電極；
[0011] 第一開(kāi)關(guān)管，所述第一開(kāi)關(guān)管的柵極、源極、漏極分別與柵線、第一數(shù)據(jù)線、所述像 素電極電聯(lián)接；
[0012] 第二開(kāi)關(guān)管，所述第二開(kāi)關(guān)管的柵極、源極、漏極分別與所述柵線、第二數(shù)據(jù)線、所 述像素電極電聯(lián)接；
[0013] 其中，第一跳變電壓與第二跳變電壓的差值在-0. 5伏特至0. 5伏特的范圍內(nèi)，所 述第一跳變電壓為所述第一開(kāi)關(guān)管由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)產(chǎn)生的跳變電壓，所述第 二跳變電壓為所述第二開(kāi)關(guān)管由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)產(chǎn)生的跳變電壓。
[0014] 可選的，所述第一跳變電壓Λ Vl等于： CN 105185348 A 兄明 2/6 頁(yè)
[0016] 其中，Cgsl為所述第一開(kāi)關(guān)管的柵源電容，C :。為液晶電容，Cst為存儲(chǔ)電容，Vghl為 施加在柵線上用于驅(qū)動(dòng)所述第一開(kāi)關(guān)管的高電平電壓，Vgll為施加在柵線上用于驅(qū)動(dòng)所述 第一開(kāi)關(guān)管的低電平電壓；
[0017] 所述第二跳變電壓Λ V2等于：
[0019] 其中，Cgs2為所述第二開(kāi)關(guān)管的柵源電容，C :。為液晶電容，Cst為存儲(chǔ)電容，Vgh2為 施加在柵線上用于驅(qū)動(dòng)所述第二開(kāi)關(guān)管的高電平電壓，Vgl2為施加在柵線上用于驅(qū)動(dòng)所述 第二開(kāi)關(guān)管的低電平電壓。
[0020] 可選的，所述第一跳變電壓與所述第二跳變電壓的差值為0。
[0021] 可選的，所述存儲(chǔ)電容Cst的取值范圍在IOfF至400fF的范圍內(nèi)。
[0022] 可選的，所述存儲(chǔ)電容Cst為10fF。
[0023] 可選的，所述第一開(kāi)關(guān)管的源極和第一開(kāi)關(guān)管的漏極之間的寄生電容與所述第一 開(kāi)關(guān)管的源極和所述第二開(kāi)關(guān)管的漏極之間的寄生電容相等，所述第二開(kāi)關(guān)管的源極和第 一開(kāi)關(guān)管的漏極之間的寄生電容與所述第二開(kāi)關(guān)管的源極和所述第二開(kāi)關(guān)管的漏極之間 的寄生電容相等。
[0024] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括：陣列排布的具有上述任一特征的所述多 個(gè)像素單元，以及多條交叉設(shè)置柵線和數(shù)據(jù)線；
[0025] 其中，每個(gè)所述像素單元與一條所述柵線連接，與兩條所述數(shù)據(jù)線連接。
[0026] 可選的，與同一像素單元連接的兩條數(shù)據(jù)線分別位于該像素單元的兩側(cè)。
[0027] 可選的，沿所述柵線排列的每相鄰兩個(gè)像素單元共用位于所述相鄰兩個(gè)像素單元 之間的一條數(shù)據(jù)線。
[0028] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括具有上述任一特征的陣列基板。
[0029] 本發(fā)明實(shí)施例還提供一種像素單元的驅(qū)動(dòng)方法，應(yīng)用于具有上述任一特征的所述 像素單元中，所述像素單元的驅(qū)動(dòng)方法包括：
[0030] 柵線輸入信號(hào)，用于逐行開(kāi)啟第一開(kāi)關(guān)管和第二開(kāi)關(guān)管；
[0031] 第一數(shù)據(jù)線輸入信號(hào)，用于當(dāng)所述第一開(kāi)關(guān)管開(kāi)啟時(shí)，通過(guò)所述第一開(kāi)關(guān)管的漏 極向像素電極供電；
[0032] 第二數(shù)據(jù)線輸入信號(hào)，用于當(dāng)所述第二開(kāi)關(guān)管開(kāi)啟時(shí)，通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)管的漏 極向像素電極供電；
[0033] 其中，像素單元是根據(jù)所述第一開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)電壓和所述第二開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)電壓 的差來(lái)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的。
[0034] 本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素單元及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板及顯示裝置，像素單 元包括：像素電極；第一開(kāi)關(guān)管，所述第一開(kāi)關(guān)管的柵極、源極、漏極分別與柵線、第一數(shù)據(jù) 線、所述像素電極電聯(lián)接；第二開(kāi)關(guān)管，所述第二開(kāi)關(guān)管的柵極、源極、漏極分別與所述柵 線、第二數(shù)據(jù)線、所述像素電極電聯(lián)接；其中，第一跳變電壓與第二跳變電壓的差值在-0. 5 伏特至0. 5伏特的范圍內(nèi)，所述第一跳變電壓為所述第一開(kāi)關(guān)管由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換到截止?fàn)?態(tài)時(shí)產(chǎn)生的跳變電壓，所述第二跳變電壓為所述第二開(kāi)關(guān)管由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換到截止?fàn)顟B(tài) 時(shí)產(chǎn)生的跳變電壓。基于上述實(shí)施例的描述，由于第一跳變電壓與第二跳變電壓的差值 在-0. 5伏特至0. 5伏特的范圍內(nèi)，降低第一跳變電壓與第二跳變電壓對(duì)顯示裝置中液晶的 影響，從而減弱了 TFT-LCD顯示畫面中出現(xiàn)的閃爍現(xiàn)象，提高顯示質(zhì)量。
【附圖說(shuō)明】
[0035] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0036] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種像素單元的等效電路圖；
[0037] 圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種像素單元的信號(hào)波形圖；
[0038] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素單元的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素單元的等效電路圖；
[0040] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種像素單元的等效電路圖；
[0041] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0042] 圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0043] 圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0044] 圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素單元充電時(shí)的極性反轉(zhuǎn)示意圖；
【附圖說(shuō)明】 [0045] ：
[0046] 1-像素單元；10-像素電極；11-第一開(kāi)關(guān)管；12-柵線；13-第一數(shù)據(jù)線；14-第二 開(kāi)關(guān)管；15-第二數(shù)據(jù)線。
【具體實(shí)施方式】
[0047] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0048] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素單元1，該像素單元1的俯視圖如圖所示，包括：
[0049] 像素電極10。
[0050] 第一開(kāi)關(guān)管11 (如圖中虛線框所標(biāo)注的部分），所述第一開(kāi)關(guān)管11的柵極、源極、 漏極分別與柵線12、第一數(shù)據(jù)線13、所述像素電極10電聯(lián)接。
[0051] 第二開(kāi)關(guān)管14(如圖中虛線框所標(biāo)注的部分），所述第二開(kāi)關(guān)管14的柵極、源極、 漏極分別與所述柵線12、第二數(shù)據(jù)線15、所述像素電極10電聯(lián)接。
[0052] 其中，第一跳變電壓與第二跳變電壓的差值在-0. 5伏特至0. 5伏特的范圍內(nèi)，所 述第一跳變電壓為所述第一開(kāi)關(guān)管11由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)產(chǎn)生的跳變電壓，所 述第二跳變電壓為所述第二開(kāi)關(guān)管14由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)產(chǎn)生的跳變電壓。
[0053] 如圖4所示，為本實(shí)施例提供的一種像素單元的電路結(jié)構(gòu)示意圖，具體的，所述第 一跳變電壓Λ Vl可以通過(guò)公式（1)進(jìn)行計(jì)算：
[0055] 其中，Cgsl為所述第一開(kāi)關(guān)管11的柵源電容，C :。為液晶電容，C st為存儲(chǔ)電容，V ghl為施加在柵線12上用于驅(qū)動(dòng)所述第一開(kāi)關(guān)管11的高電平電壓，Vgll為施加在柵線12上用 于驅(qū)動(dòng)所述第一開(kāi)關(guān)管11的低電平電壓。
[0056] 具體的，所述第二跳變電壓Λ V2可以通過(guò)公式（2)進(jìn)行計(jì)算：
[0058] 其中，Cgs2為所述第二開(kāi)關(guān)管14的柵源電容，C :。為液晶電容，C st為存儲(chǔ)電容，V gh2為施加在柵線12上用于驅(qū)動(dòng)所述第二開(kāi)關(guān)管14的高電平電壓，Vgl2為施加在柵線12上用 于驅(qū)動(dòng)所述第二開(kāi)關(guān)管14的低電平電壓。
[0059] 需要說(shuō)明的是，考慮到實(shí)際生產(chǎn)應(yīng)用過(guò)程中應(yīng)盡可能地簡(jiǎn)化所述像素單元結(jié)構(gòu)的 復(fù)雜性，所述第一開(kāi)關(guān)管11與所述第二開(kāi)關(guān)管14具有相同的結(jié)構(gòu)類型，即二者可以均為N 型晶體管，或均為P型晶體管。
[0060] 同樣的，若所述第一開(kāi)關(guān)管11與所述第二開(kāi)關(guān)管14為晶體管，則所述第一開(kāi)關(guān)管 11與所述第二開(kāi)關(guān)管14具有相同的晶體管形態(tài)，即二者均為增強(qiáng)型（閥值電壓為正）薄膜 晶體管或均為耗盡型（閥值電壓為負(fù)）薄膜晶體管。
[0061] 優(yōu)選的，所述第一跳變電壓與所述第二跳變電壓的差值為0。
[0062] 需要說(shuō)明的是，所述第一跳變電壓與所述第二跳變電壓的差值為0是理想狀態(tài)。 當(dāng)?shù)谝惶冸妷号c第二跳變電壓的差值為〇時(shí)，說(shuō)明此時(shí)與第一開(kāi)關(guān)管11和第二開(kāi)關(guān)管14 均連接的像素電極10的電壓不會(huì)發(fā)生變化，因此，TFT-IXD顯示畫面中也不會(huì)發(fā)生閃爍現(xiàn) 象，提尚顯不質(zhì)量。
[0063] 進(jìn)一步地，所述存儲(chǔ)電容Cst的取值范圍在IOfF至400fF的范圍內(nèi)。其中，IfF = 10 15F (法拉）。
[0064] 優(yōu)選的，所述存儲(chǔ)電容Cst為10fF。
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