本發(fā)明涉及液晶面板領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶面板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

低溫多晶硅具有高遷移率的優(yōu)點(diǎn)，因此在進(jìn)行像素設(shè)計(jì)時(shí)，薄膜晶體管TFT開(kāi)關(guān)的W/L可以設(shè)計(jì)的很小，從而像素對(duì)應(yīng)的開(kāi)口率相對(duì)就比較高，因此低溫多晶硅液晶面板具有極大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

TFT-LCD可分為多晶硅(Poly-Si TFT)與非晶硅(a-Si TFT)，兩者的差異在于電晶體特性不同。多晶硅的分子結(jié)構(gòu)在一顆晶粒(Grain)中的排列狀態(tài)是整齊而有方向性的，因此電子移動(dòng)率比排列雜亂的非晶硅快了200-300倍；一般所稱(chēng)的TFT-LCD是指非晶硅，技術(shù)成熟，為L(zhǎng)CD的主流產(chǎn)品。而多晶硅品則主要包含高溫多晶硅(HTPS)與低溫多晶硅(LTPS)二種產(chǎn)品。

低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon；簡(jiǎn)稱(chēng)LTPS)薄膜晶體管液晶顯示器是在封裝過(guò)程中，利用準(zhǔn)分子鐳射作為熱源，鐳射光經(jīng)過(guò)投射系統(tǒng)后，會(huì)產(chǎn)生能量均勻分布的鐳射光束，投射于非晶硅結(jié)構(gòu)的玻璃基板上，當(dāng)非晶硅結(jié)構(gòu)玻璃基板吸收準(zhǔn)分子鐳射的能量后，會(huì)轉(zhuǎn)變成為多晶硅結(jié)構(gòu)，因整個(gè)處理過(guò)程都是在600℃以下完成，故一般玻璃基板皆可適用。

LTPS-TFT LCD具有高分辨率、反應(yīng)速度快、高亮度、高開(kāi)口率等優(yōu)點(diǎn)，加上由于LTPS-TFT LCD的硅結(jié)晶排列較a-Si有次序，使得電子移動(dòng)率相對(duì)高100倍以上，可以將外圍驅(qū)動(dòng)電路同時(shí)制作在玻璃基板上，達(dá)到系統(tǒng)整合的目標(biāo)、節(jié)省空間及驅(qū)動(dòng)IC的成本。

LTPS-TFT LCD液晶面板在設(shè)計(jì)過(guò)程中，陣列基板的四周會(huì)設(shè)置一圈GND金屬走線11，如圖1，GND金屬走線11，GOA驅(qū)動(dòng)區(qū)12，面板顯示區(qū)13，GND金屬走線11設(shè)置在面板的四周邊緣，設(shè)置GND金屬走線11的目的在于當(dāng)有靜電電壓產(chǎn)生時(shí)，可以通過(guò)GND金屬走線快速將靜電釋放掉，防止靜電累計(jì)而對(duì)面板內(nèi)部造成擊傷，影響顯示。但這種GND金屬走線釋放靜電的功能是有限的，當(dāng)靜電電壓過(guò)高時(shí)，會(huì)造成GND金屬走線的炸傷，甚至影響內(nèi)部線路，造成顯示不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了一定程度上增強(qiáng)靜電的釋放能力，本發(fā)明提出一種液晶面板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明提出的液晶面板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)，包括GND金屬走線、第二金屬走線、第五金屬走線、第六金屬走線，其中

所述GND金屬走線為閉合線路結(jié)構(gòu)，沿陣列基板的外邊緣設(shè)置，

所述第二金屬走線設(shè)置在所述GND金屬走線的外部，所述第二金屬走線與所述GND金屬走線的外邊緣之間具有間隙，

所述第二金屬走線與所述GND金屬走線通過(guò)第五金屬走線和/或第六金屬走線相連。

這種靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)，間接增大了GND金屬走線的的金屬寬度，減小了GND金屬走線的電阻，增強(qiáng)了GND金屬走線的靜電耐壓量，降低了靜電發(fā)生擊傷的風(fēng)險(xiǎn)。

作為對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，多個(gè)所述GND金屬走線以矩形陣列的方式排布，所述矩形陣列的列沿第一方向延伸，所述矩形陣列的行沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相互垂直，所述矩形陣列的相鄰兩列間設(shè)置有第一間隙，所述矩形陣列的相鄰兩行間設(shè)置有第二間隙。

進(jìn)一步，相鄰兩列的GND金屬走線的相鄰兩邊通過(guò)第三金屬走線相連，所述第三金屬走線沿第二方向延伸，所述第三金屬走線設(shè)置于所述第一間隙內(nèi)，所述第三金屬走線的長(zhǎng)度與所述第一間隙的寬度相等。在所述相鄰兩列的GND金屬走線的相鄰兩邊的兩個(gè)端部處均連接有所述第三金屬走線。

進(jìn)一步，相鄰兩行的GND金屬走線的相鄰兩邊通過(guò)第四金屬走線相連，所述第四金屬走線沿第一方向延伸，所述第四金屬走線設(shè)置于所述第二間隙內(nèi)，所述第四金屬走線的長(zhǎng)度與所述第二間隙的寬度相等。在所述相鄰兩行的GND金屬走線的相鄰兩邊的兩個(gè)端部處均連接有所述第四金屬走線。

這樣的結(jié)構(gòu)使得多個(gè)GND金屬走線連接成一個(gè)巨大的金屬網(wǎng)，增加了靜電的釋放路徑，加速了靜電的釋放。

作為對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第二金屬走線與所述多個(gè)GND金屬走線的矩形陣列的外邊緣之間設(shè)置有第三間隙和第四間隙，所述第三間隙沿所述第一方向延伸，所述第四間隙沿所述第二方向延伸，所述多個(gè)GND金屬走線的矩形陣列的四個(gè)邊角處的GND金屬走線分別通過(guò)第五金屬走線和/或第六金屬走線與第二金屬走線相連，第五金屬走線沿第一方向延伸，第六金屬走線沿第二方向延伸，所述第六金屬走線設(shè)置于所述第三間隙內(nèi)，所述第六金屬走線的長(zhǎng)度與所述第三間隙的寬度相等；所述第五金屬走線設(shè)置于第四間隙內(nèi)，所述第五金屬走線的長(zhǎng)度與所述第四間隙的寬度相等。

在呈陣列式排列的多個(gè)GND金屬走線的外部設(shè)置第二金屬走線，并使多個(gè)GND金屬走線與第二金屬走線相連，形成了一個(gè)巨大的GND金屬網(wǎng)，進(jìn)一步加快了靜電的釋放，提高了靜電電壓的耐受量。

作為對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述矩形陣列的首行和尾行中非端部的GND金屬走線分別通過(guò)所述第五金屬走線與所述第二金屬走線相連。所述矩形陣列的首列和尾列中非端部的GND金屬走線分別通過(guò)所述第六金屬走線與所述第二金屬走線相連。從而，使得中間的GND金屬走線上的靜電快速的通過(guò)第二金屬走線釋放。

所述的第三金屬走線、第四金屬走線、第五金屬走線、第六金屬走線中至少一種金屬走線由低溫多晶硅制成。低溫多晶硅的分子結(jié)構(gòu)在一顆晶粒中的排列狀態(tài)是整齊而有方向性的，因此其電子移動(dòng)率非常快，比非晶硅快了200～300倍，所以摻雜低溫多晶硅的使用進(jìn)一步增強(qiáng)了靜電的釋放速度，提高了靜電的釋放能力。

本發(fā)明提出的液晶面板的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)，同樣可以應(yīng)用在LCD制程過(guò)程中，預(yù)防發(fā)生靜電擊穿現(xiàn)象，通過(guò)在TFT外圍設(shè)置金屬布線，在TFT制程前半段就形成靜電釋放路徑，降低局部電流強(qiáng)度，降低靜電發(fā)生擊傷的風(fēng)險(xiǎn)。

附圖說(shuō)明

在下文中將基于實(shí)施例并參考附圖來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。其中：

圖1顯示現(xiàn)有技術(shù)中GND金屬走線結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2顯示實(shí)施例中含有兩個(gè)GND金屬走線的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3顯示實(shí)施例中含有三行三列GND金屬走線的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)示意圖；

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記。附圖并未按照實(shí)際的比例。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施方式。

實(shí)施例中的水平方向、豎直方向、端部等用語(yǔ)是相對(duì)于圖片的位置的方向，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

如圖2顯示了本發(fā)明中，兩個(gè)GND金屬走線11所構(gòu)成的靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)示意圖。兩個(gè)相鄰的GND金屬走線11排列為一行兩列，沿所述行的方向?yàn)榈诙较?，第一方向與所述第二方向垂直，相鄰兩列的GND金屬走線之間具有第一間隙27，相鄰兩列的GND金屬走線11的相鄰兩邊的兩個(gè)端部均通過(guò)第三金屬走線23相連接，從而將兩個(gè)GND金屬走線11連接為一體，同時(shí)，第三金屬走線23位于第一間隙27內(nèi)，第三金屬走線23的長(zhǎng)度與第一間隙27的寬度相等，保證了靜電在兩個(gè)GND金屬走線11間傳輸時(shí)路徑最短，縮短了靜電釋放的時(shí)間。

在兩個(gè)GND金屬走線11的外部設(shè)置有第二金屬走線22，第二金屬走線22與所述兩個(gè)GND金屬走線11的外邊緣分別有沿第一方向延伸的第三間隙29、沿第二方向延伸的第四間隙30，優(yōu)選為第三間隙29與第四間隙30的寬度相等，當(dāng)寬度相等時(shí)，更有利于布線和實(shí)施。第二金屬走線22的四個(gè)邊角處分別通過(guò)第五金屬走線25或第六金屬走線26與GND金屬走線11相連接，第六金屬走線26位于第三間隙29內(nèi)且沿第二方向延伸，第六金屬走線26的長(zhǎng)度與第三間隙29的寬度相等，第五金屬走線25位于第四間隙30內(nèi)且沿第一方向延伸，第五金屬走線25的長(zhǎng)度與第四間隙30的寬度相等，保證了靜電在GND金屬走線11和第二金屬走線22間傳輸時(shí)路徑最短，縮短了靜電釋放的時(shí)間。

圖3為9個(gè)GND金屬走線11排列成三行三列的矩形陣列，所述矩形陣列的列沿第一方向延伸，所述矩形陣列的行沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相互垂直，所述矩形陣列的相鄰兩列間設(shè)置有沿第一方向延伸的第一間隙27，所述矩形陣列的相鄰兩行間設(shè)置有沿第二方向延伸的第二間隙28。

相鄰兩列間的GND金屬走線的相鄰兩邊的兩個(gè)端部均通過(guò)第三金屬走線23相連，相鄰兩行間的GND金屬走線的相鄰兩邊的兩個(gè)端部均通過(guò)第四金屬走線24相連，從而將所有的GND金屬走線11連接為一個(gè)整體，同時(shí)，第三金屬走線23位于第一間隙27內(nèi)，第三金屬走線23的長(zhǎng)度與第一間隙27的寬度相等，第四金屬走線24位于第二間隙28內(nèi)，第四金屬走線27的長(zhǎng)度與第二間隙28的寬度相等，優(yōu)選為第一間隙27與第二間隙28的寬度相等，更節(jié)省空間，同時(shí)使得間隙間的金屬走線長(zhǎng)度與間隙寬度相等，保證了靜電在相鄰GND金屬走線11間傳輸時(shí)路徑最短，縮短了靜電釋放的時(shí)間。

在三行三列GND金屬走線11的外圍設(shè)置有第二金屬走線22，第二金屬走線22與所述GND金屬走線11陣列的外邊緣分別有沿第一方向延伸的第三間隙29、沿第二方向延伸的第四間隙30，優(yōu)選為第三間隙29與第四間隙30的寬度相等，當(dāng)寬度相等時(shí)，更有利于布線和實(shí)施。第二金屬走線22的四個(gè)邊角處分別通過(guò)第五金屬走線25或第六金屬走線26與GND金屬走線11相連接，第六金屬走線26位于第三間隙29內(nèi)且沿所述第二方向延伸，第六金屬走線26的長(zhǎng)度與第三間隙29的寬度相等，第五金屬走線25位于第四間隙30內(nèi)且沿所述第一方向延伸，第五金屬走線25的長(zhǎng)度與第四間隙30的寬度相等，保證了靜電在GND金屬走線11和第二金屬走線22間傳輸時(shí)路徑最短，縮短了靜電釋放的時(shí)間。

位于首行和尾行的非端部的GND金屬走線11同樣通過(guò)第五金屬走線25與第二金屬走線22相連，位于首列和尾列的非端部的GND金屬走線11同樣通過(guò)第六金屬走線26與第二金屬走線22相連，這樣就將GND金屬走線所形成的陣列與外圍的第二金屬走線22連接成一個(gè)大的GND金屬網(wǎng)，一定程度上增加了靜電的耐受電壓，更加有利于靜電的釋放。

優(yōu)選為第三金屬走線23、第四金屬走線24、第五金屬走線25、第六金屬走線26中至少一種由低溫多晶硅制成，由于低溫多晶硅的分子結(jié)構(gòu)在一顆晶粒中的排列狀態(tài)是整齊而有方向性的，因此其電子移動(dòng)率非?？?，比非晶硅快了200～300倍，所以摻雜低溫多晶硅的使用進(jìn)一步增強(qiáng)了靜電的釋放速度，提高了靜電的釋放能力。

最后說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的宗旨和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。