本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地涉及一種基板劃傷檢測的方法和設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示裝置已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ钪械闹髁鳟a(chǎn)品。目前，液晶顯示產(chǎn)品(Liquid Crystal Display：簡稱LCD)在進行第二次切割后，基板的薄膜晶體管扇出TFT Fan Out區(qū)域會暴露出來(參見圖1所示)，基板在后續(xù)生產(chǎn)流通環(huán)節(jié)中，由于各種原因，很容易出現(xiàn)TFT Fan Out區(qū)域的信號線路上方絕緣層劃傷的情況，該劃傷會導(dǎo)致絕緣層破損，金屬暴露后線路腐蝕，使TFT Fan Out區(qū)域出現(xiàn)線缺陷導(dǎo)致顯示區(qū)域Line Defect，從而使問題產(chǎn)品進行出貨。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供一種基板劃傷檢測的方法和設(shè)備，以解決基板生產(chǎn)流通環(huán)節(jié)中TFT Fan Out區(qū)域的絕緣層表面劃傷的問題。

本發(fā)明提供的一種基板劃傷檢測的方法，包括：在基板扇出區(qū)域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路；

檢測所述分布式線路中每條線路的第一電容值；

將所述第一電容值與標準產(chǎn)品的第二電容值進行比較；

根據(jù)比較結(jié)果確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

可選的，所述在基板扇出區(qū)域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路的步驟包括：

根據(jù)基板扇出區(qū)域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路；

或者，根據(jù)集成電路的成本形成分布式線路。

可選的，所述根據(jù)基板扇出區(qū)域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路包括：

根據(jù)信號線的劃傷長度確定分布式線路的寬度，根據(jù)所述寬度生成分布式線路。

可選的，所述根據(jù)比較結(jié)果確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷的步驟包括：

若所述第一電容值不等于所述第二電容值，則確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

可選的，所述根據(jù)比較結(jié)果確定基板絕緣層表面劃傷的步驟包括：

若所述第一電容值與所述第二電容值的比值超過設(shè)定閾值，則確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷；

或者，若所述第二電容值與所述第一電容值的比值超過設(shè)定閾值，則確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

可選的，所述氧化物材料包括：氧化銦錫材料。

根據(jù)另一方面本發(fā)明還公開了一種基板劃傷檢測的設(shè)備，包括：

掩膜板和測試裝置，其中，所述測試裝置包括：測試夾具和集成電路；

所述掩膜板用于在基板扇出區(qū)域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路；

所述測試夾具用于檢測所述掩膜版形成的所述分布式線路中每條線路的第一電容值；

所述集成電路用于將測試夾具檢測的所述第一電容值與標準產(chǎn)品的第二電容值進行比較；

所述集成電路包括比較單元，所述比較單元用于根據(jù)比較結(jié)果確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

可選的，所述掩膜板用于根據(jù)基板扇出區(qū)域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路；

或者，根據(jù)集成電路的成本形成分布式線路。

可選的，所述掩膜板還用于

根據(jù)信號線的劃傷長度確定分布式線路的寬度，根據(jù)所述寬度生成分布式線路。

可選的，所述比較單元具體用于：

若所述第一電容值不等于所述第二電容值，則確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

可選的，所述比較單元具體用于：

若所述第一電容值與所述第二電容值的比值超過設(shè)定閾值，則確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷；

或者，若所述第二電容值與所述第一電容值的比值超過設(shè)定閾值，則確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明至少包括以下優(yōu)點：

本發(fā)明在基板TFT Fan Out區(qū)域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路，減輕絕緣表面劃傷，然后檢測每條線路的第一電容值，將所述第一電容值與標準產(chǎn)品的第二電容值進行比較，根據(jù)比較結(jié)果確定基板絕緣層表面劃傷，從而在生產(chǎn)流通階段可以及時發(fā)現(xiàn)TFT Fan Out區(qū)域的絕緣層表面劃傷，從而避免了問題產(chǎn)品出貨，進而降低了客戶端產(chǎn)品的不良率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對本發(fā)明實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明基板的薄膜晶體管扇出TFT Fan Out區(qū)域的示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例一所述一種基板劃傷檢測方法的流程圖；

圖3是本發(fā)明實施例二所述一種基板劃傷檢測方法的流程圖；

圖3-a是本發(fā)明標準的分布式線路的示意圖；

圖3-b是本發(fā)明劃傷的分布式線路的示意圖；

圖4是本發(fā)明基板扇出區(qū)域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路的示意圖；

圖5是本發(fā)明基板扇出區(qū)域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路的示意圖；

圖6-a是本發(fā)明在基板扇出區(qū)域的絕緣層表面形成的分布式線路示意圖；

圖6-b是本發(fā)明圖6-a的分布式線路的等價電路示意圖；

圖7是本發(fā)明在基板扇出區(qū)域的絕緣層表面形成的分布式線路示意圖；

圖8是本發(fā)明第一電容值與標準產(chǎn)品的第二電容值進行比較的示意圖；

圖9是根據(jù)實施例三所述一種基板劃傷檢測設(shè)備的示意圖。

具體實施方式

下面將參照附圖更詳細地描述本公開的優(yōu)選實施方式。雖然附圖中顯示了本公開的優(yōu)選實施方式，然而應(yīng)該理解，可以以各種形式實現(xiàn)本公開而不應(yīng)被這里闡述的實施方式所限制。相反，提供這些實施方式是為了使本公開更加透徹和完整，并且能夠?qū)⒈竟_的范圍完整地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。

實施例一

參照圖2，其示出了本發(fā)明實施例一所述一種基板劃傷檢測方法的流程圖，該方法具體包括：

步驟201：在基板扇出區(qū)域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路。

通過掩膜版在基板扇出區(qū)域的絕緣層表面通過對光阻劑曝光形成分布式線路圖形，然后使用酸進行刻蝕，將沒有光阻劑覆蓋部分的氧化物刻蝕，保留掩膜板圖形，形成分布式線路，從而防止基板扇出區(qū)域的絕緣層表面被劃傷。

氧化物材料可以為銦錫氧化物ITO，該銦錫氧化物透明且導(dǎo)電性好，也可以為其他金屬氧化物材料，對此本發(fā)明不做具體限制。

步驟202：檢測所述分布式線路中每條線路的第一電容值。

使用測試裝置中的測試夾具檢測分布式線路中每條線路的第一電容值。

步驟203：將所述第一電容值與標準產(chǎn)品的第二電容值進行比較。

步驟204：根據(jù)比較結(jié)果確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

參見圖3-a示出了標準的分布式線路的示意圖，參見圖3-b示出了劃傷的分布式線路的示意圖。

通過測試裝置獲得圖3-a中的獲得第二電容值C_1-1、C_4-1……C_n-1。

通過測試裝置獲得圖3-b中的第一電容值C_1-2、C_4-2.......C_n-2，將C_1-2與C_1-1比較，C_4-2與C_4-1比較.......C_n-2與C_n-1比較，獲得比較結(jié)果，若比較結(jié)果中任何一個不相等，則判定基本扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

本發(fā)明實施例，通過在基板TFT Fan Out區(qū)域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路，防止絕緣表面劃傷，然后檢測每條線路的第一電容值，將所述第一電容值與標準產(chǎn)品的第二電容值進行比較，根據(jù)比較結(jié)果確定基板絕緣層表面劃傷，從而在生產(chǎn)流通階段可以及時發(fā)現(xiàn)TFT Fan Out區(qū)域的絕緣層表面劃傷，從而避免了問題產(chǎn)品出貨，進而降低了產(chǎn)品的不良率。

實施例二

參照圖3，其示出了本申請實施例二所述一種基板劃傷檢測方法的流程圖，該方法具體包括：

步驟301：在基板扇出區(qū)域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路。

在實際應(yīng)用中可以根據(jù)基板扇出區(qū)域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路，并且形成的分布式線路需要覆蓋扇出區(qū)域的絕緣層表面的所有信號線，參見圖4所示。

圖4中，黑色加粗的區(qū)域，是通過掩膜版在基板扇出區(qū)域的絕緣層表面形成的分布式線路，通過測試夾具測量分布式線路中的每條線路的第一電容值，該第一電容值是指圖4中Tx與Rx之間的電容值。

優(yōu)選的，所述根據(jù)基板扇出區(qū)域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路包括：根據(jù)信號線的劃傷長度確定分布式線路的寬度，根據(jù)所述寬度生成分布式線路。

參見圖5中，假設(shè)信息線劃傷的長度為2條信號線，則確定分布式線路的寬度為覆蓋兩條信號線，則根據(jù)所述寬度生成的分布式線路圖。

分布式線路還可以根據(jù)集成電路(IC)的成本形成分布式線路，如果集成電路的成本較高，則可以形成比較復(fù)雜的分布式線路，如果集成電路的成本低，則可以形成比較簡單的分布式線路。

IC成本高，則說明分布式線路的接口多，而IC成本低，則說明分布式線路的接口少，圖6-a示出了IC成本低的分布式線路，將圖6-a的等價電路圖如圖6-b所示，從如圖6-b可以很直觀的看出，IC的接口很少，因而降低了IC的制作成本。

分布式線路圖還可以采用其他方式，例如圖7中所示的分布式線路，在后續(xù)實際使用中本領(lǐng)域技術(shù)人員可以采用不同圖案的分布式線路，只要形成的分布式線路覆蓋所有信號線即可，本發(fā)明對分布式線路的圖案不做具體限制。

步驟302：檢測所述分布式線路中每條線路的第一電容值。

步驟303：將所述第一電容值與標準產(chǎn)品的第二電容值進行比較。

參見圖8示出了第一電容值與標準產(chǎn)品的第二電容值進行比較的示意圖，測試夾具檢測到分布式線路中每條線路的第一電容值C2，將第一電容值C2分別與標準產(chǎn)品的第二電容值C1進行比較，若出現(xiàn)第一電容值不等于第二電容值，則認為基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

步驟304：根據(jù)比較結(jié)果確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

可以通過以下方式，確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷：

一種方式：將分布式線路中的每條線路的第一電容值與標準產(chǎn)品的第二電容值進行比較，若第一電容值不等于所述第二電容值，則確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

另一種方式：若所述第一電容值與所述第二電容值的比值超過設(shè)定閾值，則確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

或者，若所述第二電容值與所述第一電容值的比值超過設(shè)定閾值，則確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

其中，閾值的設(shè)定可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員采用任意適當(dāng)方式進行設(shè)定，如可以采用人工經(jīng)驗設(shè)定閾值，或者針對歷史數(shù)據(jù)的差異值設(shè)定閾值，還可以采用其他方式，本發(fā)明對此不作限制。

本發(fā)明實施例，由于基板TFT Fan Out區(qū)域的絕緣層表面出現(xiàn)劃傷，則電容值會發(fā)生變化，因而當(dāng)?shù)谝浑娙葜挡坏扔诘诙娙葜禃r，則確定基板絕緣層表面劃傷，從而在基板生產(chǎn)流通階段就可以確定基板絕緣層的損壞，從而避免了問題產(chǎn)品的出貨。

實施例三

參照圖9，其示出了本申請實施例三所述一種基板劃傷檢測設(shè)備的示意圖，該設(shè)備具體包括：

掩膜板901和測試裝置902，其中，所述測試裝置包括：測試夾具9021和集成電路9022.

所述掩膜板用于在基板扇出區(qū)域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路。

其中，所述掩膜板使用的氧化物材料包括：氧化銦錫材料，也可以為其他金屬氧化物材料，對此本申請不做具體限制。

優(yōu)選的，所述掩膜板用于根據(jù)基板扇出區(qū)域的絕緣層表面的信號線形成分布式線路。

或者，根據(jù)集成電路的成本形成分布式線路。

優(yōu)選的，所述掩膜板還用于根據(jù)信號線的劃傷長度確定分布式線路的寬度，根據(jù)所述寬度生成分布式線路。

所述測試夾具用于檢測所述掩膜板形成的所述分布式線路中每條線路的第一電容值。

所述集成電路用于將測試夾具檢測的所述第一電容值與標準產(chǎn)品的第二電容值進行比較。

所述集成電路包括比較單元，所述比較單元用于根據(jù)比較結(jié)果確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

優(yōu)選的，所述比較單元具體用于：

若所述第一電容值不等于所述第二電容值，則確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

優(yōu)選的，所述比較單元具體用于：

若所述第一電容值與所述第二電容值的比值超過設(shè)定閾值，則確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

或者，若所述第二電容值與所述第一電容值的比值超過設(shè)定閾值，則確定基板扇出區(qū)域的絕緣層表面劃傷。

本發(fā)明實施例，通過在基板TFT Fan Out區(qū)域的絕緣層表面使用氧化物材料形成分布式線路，防止絕緣表面劃傷，然后檢測每條線路的第一電容值，將所述第一電容值與標準產(chǎn)品的第二電容值進行比較，根據(jù)比較結(jié)果確定基板絕緣層表面劃傷，從而在生產(chǎn)流通階段可以及時發(fā)現(xiàn)TFT Fan Out區(qū)域的絕緣層表面劃傷，從而避免了問題產(chǎn)品出貨，進而降低了產(chǎn)品的不良率。

綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，具體地，需要注意以下幾點：

首先，本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同或相似的部分互相參見即可。

其次，需要說明的是，在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，術(shù)語“第一”、“第二”、“內(nèi)”、“外”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示的順序、方位或者位置關(guān)系為人為定義的順序或基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明或使描述更加清晰、有條理，而不是指示或者暗示所指的結(jié)構(gòu)或部件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

第三，在此處所提供的說明書中，說明了大量具體細節(jié)。然而，能夠理解，本發(fā)明的實施例可以在沒有這些具體細節(jié)的情況下實踐。在一些實例中，并未詳細示出公知的方法、結(jié)構(gòu)和技術(shù)，以便不模糊對本說明書的理解。

第四，應(yīng)當(dāng)理解，為了精簡本公開并幫助理解各個發(fā)明方面中的一個或多個，在上面對本發(fā)明的示例性實施例的描述中，本發(fā)明的各個特征有時被一起分組到單個實施例、圖、或者對其的描述中。然而，并不應(yīng)將該公開的方法解釋成反映如下意圖：即所要求保護的本發(fā)明要求比在每個權(quán)利要求中所明確記載的特征更多的特征。更確切地說，如下面的權(quán)利要求書所反映的那樣，發(fā)明方面在于少于前面公開的單個實施例的所有特征。因此，遵循具體實施方式的權(quán)利要求書由此明確地并入該具體實施方式，其中每個權(quán)利要求本身都作為本發(fā)明的單獨實施例。

最后，應(yīng)該注意的是上述實施例對本發(fā)明進行說明而不是對本發(fā)明進行限制，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離所附權(quán)利要求的范圍的情況下可設(shè)計出替換實施例。在權(quán)利要求中，不應(yīng)將位于括號之間的任何參考符號構(gòu)造成對權(quán)利要求的限制。