本公開(kāi)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶顯示裝置以及應(yīng)用于該液晶顯示裝置的光線檢測(cè)方法。

背景技術(shù)：

隨著光學(xué)技術(shù)和半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，以液晶顯示裝置(liquidcrystaldisplay，液晶)為代表的平板顯示裝置具有輕薄、能耗低、反應(yīng)速度快、色純度佳、以及對(duì)比度高等特點(diǎn)，在顯示領(lǐng)域占據(jù)了主導(dǎo)地位。

液晶顯示的基本原理如圖1所示，在陣列基板101和對(duì)向基板102之間設(shè)置液晶層100，通過(guò)電場(chǎng)控制液晶層100中液晶分子的排布，并利用液晶分子的旋光作用改變偏振光的偏振態(tài)，從而達(dá)到控制第一偏光片103與第二偏光片104之間光路通斷的目的。在此基礎(chǔ)上，由于光電檢測(cè)器可將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，因此將光電檢測(cè)器集成于液晶顯示裝置中，即可實(shí)現(xiàn)對(duì)環(huán)境光照度的檢測(cè)，從而為基于環(huán)境光照度檢測(cè)的諸多檢測(cè)功能提供了基礎(chǔ)?，F(xiàn)有技術(shù)中已有將光電檢測(cè)器集成在液晶顯示面板中的先例，但是對(duì)于來(lái)自背光中的雜散光干擾，大多采用濾光片、擋光板等進(jìn)行屏蔽，其結(jié)構(gòu)復(fù)雜且工藝難度較大，因此在實(shí)際應(yīng)用中阻礙了技術(shù)方案的實(shí)施。

需要說(shuō)明的是，在上述背景技術(shù)部分公開(kāi)的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)的目的在于提供一種液晶顯示裝置以及應(yīng)用于該液晶顯示裝置的光線檢測(cè)方法，進(jìn)而至少在一定程度上克服由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺陷而導(dǎo)致的一個(gè)或者多個(gè)問(wèn)題。

本公開(kāi)的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)下面的詳細(xì)描述變得顯然，或部分地通過(guò)本公開(kāi)的實(shí)踐而習(xí)得。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供一種液晶顯示裝置，包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和對(duì)向基板，以及所述陣列基板和所述對(duì)向基板之間的液晶層；還包括：

第一偏光片，位于所述陣列基板面對(duì)所述對(duì)向基板的一側(cè)；

第二偏光片，位于所述對(duì)向基板背離所述陣列基板的一側(cè)；以及，

光電檢測(cè)器，設(shè)于所述陣列基板上，用于檢測(cè)光照強(qiáng)度。

本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述光電檢測(cè)器為光電二極管。

本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述液晶顯示裝置包括陣列排布的多個(gè)亞像素，所述光電二極管與所述亞像素對(duì)應(yīng)設(shè)置；

其中，所述光電二極管在所述陣列基板上的正投影位于所述亞像素在所述陣列基板上的正投影內(nèi)。

本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述亞像素包括紅色亞像素、綠色亞像素、藍(lán)色亞像素。

本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述液晶顯示裝置還包括：

檢測(cè)芯片，與所述光電檢測(cè)器相連，用于接收所述光電檢測(cè)器根據(jù)光信號(hào)轉(zhuǎn)換而得的電信號(hào)。

本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述液晶顯示裝置還包括：背光模組，位于所述陣列基板背離所述對(duì)向基板的一側(cè)。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供一種使用上述液晶顯示裝置的光線檢測(cè)方法；所述光線檢測(cè)方法包括：

光電檢測(cè)器獲取背光中的雜散光照度；

控制液晶層中的液晶分子偏轉(zhuǎn)以使環(huán)境光依次穿過(guò)第二偏光片、對(duì)向基板、液晶層、第一偏光片而入射至所述光電檢測(cè)器，所述光電檢測(cè)器獲取所述環(huán)境光照度。

本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述光電檢測(cè)器獲取背光中的雜散光照度具體包括；

所述第一偏光片的透過(guò)軸與所述第二偏光片的透過(guò)軸相互平行；

在垂直于所述陣列基板表面的方向上，控制所述液晶層中的液晶分子的長(zhǎng)軸方向逐漸扭曲并從所述第一偏光片到所述對(duì)向基板旋轉(zhuǎn)90°。

本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述光電檢測(cè)器獲取背光中的雜散光照度具體包括：

所述光電檢測(cè)器獲取背光中的雜散光照度具體包括；

所述第一偏光片的透過(guò)軸與所述第二偏光片的透過(guò)軸相互垂直；

控制液晶層中的液晶分子的初始長(zhǎng)軸方向垂直于所述第一偏光片的透過(guò)軸或者平行于所述第一偏光片的透過(guò)軸。

本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述光線檢測(cè)方法還包括：

根據(jù)所述顯示裝置中任意亞像素的實(shí)際顯示亮度、最大顯示亮度、以及所述環(huán)境光照度獲取實(shí)際環(huán)境光照度。

本公開(kāi)示例性實(shí)施方式所提供的液晶顯示裝置以及應(yīng)用于該液晶顯示裝置的光線檢測(cè)方法，通過(guò)將第一偏光片即下偏光片設(shè)置在陣列基板與液晶層之間，并在陣列基板上設(shè)置感光面向上的光電檢測(cè)器，這樣便可以在環(huán)境光照度檢測(cè)時(shí)對(duì)背光中的雜散光進(jìn)行補(bǔ)償，從而消除雜散光對(duì)環(huán)境光的干擾?；诖耍诘谝浑妶?chǎng)狀態(tài)下，利用液晶層控制外界的環(huán)境光在經(jīng)過(guò)第二偏光片后無(wú)法穿過(guò)第一偏光片，以使光電檢測(cè)器僅能接收到來(lái)自于背光中反射的雜散光；在第二電場(chǎng)狀態(tài)下，利用液晶層控制外界的環(huán)境光可同時(shí)穿過(guò)第二偏光片和第一偏光片，以使光電檢測(cè)器能夠接收到外界的環(huán)境光以及來(lái)自于背光中反射的雜散光；這樣一來(lái)，通過(guò)對(duì)比上述兩種狀態(tài)下檢測(cè)到的入射光照度，即可排除背光中雜散光的干擾，獲得準(zhǔn)確的環(huán)境光照度。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開(kāi)。

附圖說(shuō)明

此處的附圖被并入說(shuō)明書中并構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分，示出了符合本公開(kāi)的實(shí)施例，并與說(shuō)明書一起用于解釋本公開(kāi)的原理。顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本公開(kāi)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1示意性示出現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2示意性示出本公開(kāi)示例性實(shí)施例中液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示意性示出本公開(kāi)示例性實(shí)施例中光線檢測(cè)的第一狀態(tài)示意圖；

圖4示意性示出本公開(kāi)示例性實(shí)施例中光線檢測(cè)的第二狀態(tài)示意圖；

圖5示意性示出本公開(kāi)示例性實(shí)施例中光電二極管的伏安特性曲線；

圖6示意性示出本公開(kāi)示例性實(shí)施例中光線檢測(cè)器的設(shè)置位置示意圖；

圖7示意性示出本公開(kāi)示例性實(shí)施例中光線檢測(cè)方法的流程圖。

附圖標(biāo)記：

100-液晶層；101-陣列基板；102-對(duì)向基板；103-第一偏光片；104-第二偏光片；205-光電檢測(cè)器；206-薄膜晶體管；207-黑矩陣。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施例。然而，示例實(shí)施例能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的范例；相反，提供這些實(shí)施例使得本公開(kāi)將更加全面和完整，并將示例實(shí)施例的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施例中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對(duì)本公開(kāi)的實(shí)施例的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，可以實(shí)踐本公開(kāi)的技術(shù)方案而省略所述特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多，或者可以采用其它的方法、組元、裝置、步驟等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知技術(shù)方案以避免使本公開(kāi)的各方面變得模糊。

此外，附圖僅為本公開(kāi)的示意性圖解，并非一定是按比例繪制。圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的部分，因而將省略對(duì)它們的重復(fù)描述。附圖中所示的一些方框圖是功能實(shí)體，不一定必須與物理或邏輯上獨(dú)立的實(shí)體相對(duì)應(yīng)?？梢圆捎密浖问絹?lái)實(shí)現(xiàn)這些功能實(shí)體，或在一個(gè)或多個(gè)硬件模塊或集成電路中實(shí)現(xiàn)這些功能實(shí)體，或在不同網(wǎng)絡(luò)和/或處理器裝置和/或微控制器裝置中實(shí)現(xiàn)這些功能實(shí)體。

本示例實(shí)施方式提供了一種液晶顯示裝置，如圖2所示，包括對(duì)盒設(shè)置的陣列基板101和對(duì)向基板102，以及位于二者之間的液晶層100。在陣列基板101面對(duì)對(duì)向基板102的一側(cè)設(shè)置有第一偏光片103，在對(duì)向基板102背離陣列基板101的一側(cè)設(shè)置有第二偏光片104，第一偏光片103的透過(guò)軸方向和第二偏光片104的透過(guò)軸方向可以相互平行或者相互垂直。

在此基礎(chǔ)上，所述陣列基板101還可以包括用于檢測(cè)光照強(qiáng)度的光電檢測(cè)器205，且所述光電檢測(cè)器205的感光面面向?qū)ο蚧?02一側(cè)；其中，所述光電檢測(cè)器205是一種可將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的半導(dǎo)體器件，其感光面用于接收入射光。

需要說(shuō)明的是：第一偏光片103和第二偏光片104的透過(guò)軸方向不是固定的，二者的夾角取決于液晶材料以及驅(qū)動(dòng)方案的選取，例如tn(twistednematic，扭曲向列型)模式、ips((in-planeswitching，平面切換型)模式、以及ads(advanceddimensionalswitching，高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換型)模式等。

本公開(kāi)示例性實(shí)施方式所提供的液晶顯示裝置，通過(guò)將第一偏光片103即下偏光片設(shè)置在陣列基板101與液晶層100之間，并在陣列基板101上設(shè)置感光面向上的光電檢測(cè)器205，這樣便可以在環(huán)境光照度檢測(cè)時(shí)對(duì)背光中的雜散光進(jìn)行補(bǔ)償，從而消除雜散光對(duì)環(huán)境光的干擾?；诖?，在第一電場(chǎng)狀態(tài)下，如圖3所示，利用液晶層100控制外界的環(huán)境光(圖中指向朝下的箭頭代表的光線)在經(jīng)過(guò)第二偏光片104后無(wú)法穿過(guò)第一偏光片103，以使光電檢測(cè)器205僅能接收到來(lái)自于背光(圖中指向朝上的箭頭代表的光線)中反射的雜散光(圖中虛線箭頭代表的光線)；在第二電場(chǎng)狀態(tài)下，如圖4所示，控制液晶層100的液晶分子旋轉(zhuǎn)，使得外界的環(huán)境光可同時(shí)穿過(guò)第二偏光片104和第一偏光片103(圖中指向朝下的箭頭代表的光線)，以使光電檢測(cè)器205能夠接收到外界的環(huán)境光以及來(lái)自于背光中反射的雜散光(圖中虛線箭頭代表的光線)；這樣一來(lái)，通過(guò)對(duì)比上述兩種狀態(tài)下檢測(cè)到的入射光照度，即可排除背光中雜散光的干擾，獲得準(zhǔn)確的環(huán)境光照度。在此基礎(chǔ)上，在上述的第二電場(chǎng)狀態(tài)下，利用液晶層100還可控制背光同時(shí)穿過(guò)第一偏光片103和第二偏光片104，因此本實(shí)施例中的環(huán)境光照度檢測(cè)可在正常顯示狀態(tài)下完成。

基于上述描述可知，所述顯示裝置還可以包括一用于提供背光源的背光模組，其設(shè)置在陣列基板101背離對(duì)向基板102的一側(cè)。該背光模組可以采用點(diǎn)光源例如led(lightemittingdiode，發(fā)光二極管)、線光源例如ccfl(coldcathodefluorescentlamp，冷陰極熒光燈管)、以及面光源例如el(electroluminescence，電致發(fā)光片)中的任一種，本實(shí)施例對(duì)于背光源的具體類型不做限定。

本示例實(shí)施方式中，所述光電檢測(cè)器205可以為光電二極管，其核心部分為pn結(jié)。其中，所述光電二極管在反向電壓作用下受到光照便會(huì)產(chǎn)生光電流，該光電流受入射光照度的控制，并隨入射光照度的增大而增大，其伏安特性曲線如圖5所示。由此可知，本實(shí)施例通過(guò)檢測(cè)光電流的大小即可達(dá)到檢測(cè)入射光照度的目的。

基于此，所述顯示裝置還可以包括檢測(cè)芯片，該檢測(cè)芯片與光電檢測(cè)器205相連，用于接收光電檢測(cè)器205根據(jù)光信號(hào)轉(zhuǎn)換而得的電信號(hào)即上述的光電流，并通過(guò)檢測(cè)光電流的大小來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)入射光照度的檢測(cè)。

需要說(shuō)明的是：這里的光電二極管不應(yīng)理解為對(duì)光電檢測(cè)器205類型的限制，只要是能夠?qū)崿F(xiàn)光電檢測(cè)功能的器件，均可用作上述的光電檢測(cè)器205。

本示例實(shí)施方式中，所述顯示裝置可以包括陣列排布的多個(gè)亞像素以及位于每個(gè)亞像素中的薄膜晶體管206。其中，所述光電二極管可與所述亞像素對(duì)應(yīng)設(shè)置，且所述光電二極管在陣列基板101上的正投影位于所述亞像素在陣列基板101上的正投影內(nèi)。

由于光電二極管和薄膜晶體管206均為半導(dǎo)體器件，二者的制備工藝相似，因此采用光電二極管作為光電檢測(cè)器205，可與現(xiàn)有的工藝制程具有較高的匹配度，故實(shí)施難度較低。

需要說(shuō)明的是：光電二極管的數(shù)量可以與薄膜晶體管206的數(shù)量相同，即光電二極管一一對(duì)應(yīng)的設(shè)置在每個(gè)亞像素中，但本公開(kāi)不限于此，即光電二極管的數(shù)量也可以少于薄膜晶體管206的數(shù)量。

示例的，如圖6所示，所述光電二極管可以設(shè)置在陣列基板101上的一個(gè)亞像素中，其具體可以設(shè)置在該亞像素的有效顯示區(qū)內(nèi)，即未被黑矩陣遮擋的彩色濾光區(qū)對(duì)應(yīng)的正投影區(qū)域內(nèi)，這樣有利于高效的接收入射光并能提升入射光照度的檢測(cè)準(zhǔn)確度。

在實(shí)際應(yīng)用中，所述光電二極管無(wú)需與所有亞像素一一對(duì)應(yīng)設(shè)置也可實(shí)現(xiàn)其檢測(cè)功能，因此本實(shí)施例優(yōu)選在一預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)僅設(shè)置一個(gè)光電二極管，且該光電二極管可以設(shè)置在該預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的中心亞像素中；其中，所述預(yù)設(shè)區(qū)域的大小可以與一觸控單元的大小相近。

在本示例實(shí)施方式中，所述亞像素至少可以包括紅色亞像素、綠色亞像素和藍(lán)色亞像素。其中，所述對(duì)向基板102可以為彩膜基板，其相應(yīng)的可以包括紅色濾光區(qū)、綠色濾光區(qū)和藍(lán)色濾光區(qū)；其中，相鄰的濾光區(qū)之間還設(shè)置有黑矩陣207，且該彩膜基板中黑矩陣207的位置與陣列基板101中薄膜晶體管206的位置相對(duì)應(yīng)。

由于各個(gè)彩色濾光區(qū)對(duì)應(yīng)設(shè)置有不同顏色的濾光片，因此光電檢測(cè)器205實(shí)際檢測(cè)到的環(huán)境光為經(jīng)過(guò)濾光片濾色后的單色光?；诖耍緦?shí)施例可以根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置不同顏色的濾光片，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)不同光譜的檢測(cè)。

下面結(jié)合圖3和圖4以tn型液晶顯示裝置為例對(duì)光線檢測(cè)原理進(jìn)行詳細(xì)的闡述。其中，該tn型液晶顯示裝置為常黑模式，第一偏光片103的透過(guò)軸與第二偏光片104的透過(guò)軸相互平行，且液晶層100中液晶分子的初始長(zhǎng)軸方向逐漸扭曲并自下而上(自陣列基板101至對(duì)向基板102)旋轉(zhuǎn)90°。在陣列基板101上設(shè)置有條狀的像素電極，在對(duì)向基板102上設(shè)置有板狀的公共電極，像素電極和公共電極之間的電壓差可控制電場(chǎng)的大小。此外，光電檢測(cè)器205采用光電二極管。

如圖3所示，未加電場(chǎng)時(shí)，液晶分子呈現(xiàn)初始狀態(tài)即初始長(zhǎng)軸方向逐漸扭曲并自下而上旋轉(zhuǎn)90°，其可以改變?nèi)肷涔獾钠穹较?，故光線無(wú)法同時(shí)穿過(guò)兩層偏光片而實(shí)現(xiàn)黑態(tài)。在此情況下，經(jīng)過(guò)第一偏光片103入射的背光具有沿第一方向的偏振態(tài)，由于液晶分子的旋光作用，該第一方向的偏振光在到達(dá)第二偏光片104時(shí)偏振方向改變了90°，因此無(wú)法穿過(guò)第二偏光片104，則液晶顯示器無(wú)圖像顯示；同理，經(jīng)過(guò)第二偏光片104入射的環(huán)境光也具有沿第一方向的偏振態(tài)，且該第一方向的偏振光在到達(dá)第一偏光片103時(shí)偏振方向也改變了90°，因此無(wú)法穿過(guò)第一偏光片103，則環(huán)境光無(wú)法照射到光電二極管。在此基礎(chǔ)上，背光的開(kāi)啟會(huì)導(dǎo)致部分背光光線反射到光電二極管的感光面，即來(lái)自背光中的雜散光會(huì)干擾光電二極管的正常檢測(cè)，此時(shí)光電二極管檢測(cè)到的第一照度ec為背光的雜散光照度esl，即ec＝esl。

如圖4所示，施加電場(chǎng)時(shí)，液晶分子的長(zhǎng)軸方向垂直于基板表面，其不改變?nèi)肷涔獾钠穹较颍使饩€可以同時(shí)穿過(guò)兩層偏光片。在此情況下，經(jīng)過(guò)第一偏光片103入射的背光能夠穿過(guò)第二偏光片104；同理，經(jīng)過(guò)第二偏光片104入射的環(huán)境光也能夠穿過(guò)第一偏光片103，則環(huán)境光能夠照射到光電二極管。在此基礎(chǔ)上，背光的開(kāi)啟依然會(huì)導(dǎo)致部分背光光線反射到光電二極管的感光面，即來(lái)自背光中的雜散光仍會(huì)干擾光電二極管的正常檢測(cè)，此時(shí)光電二極管檢測(cè)到的第二照度eo為環(huán)境光照度eal與背光的雜散光照度esl之和，即eo＝eal+esl。

基于此，通過(guò)對(duì)比上述兩種電場(chǎng)狀態(tài)下光電二極管所檢測(cè)到的入射光照度，即可得出環(huán)境光照度為上述兩次檢測(cè)照度之差，即eal＝eo-ec。由此可知，本實(shí)施例通過(guò)控制液晶層100的開(kāi)啟與關(guān)斷，即可達(dá)到控制檢測(cè)光路通斷的目的，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)外界環(huán)境光的檢測(cè)。

進(jìn)一步的，由于顯示裝置在顯示圖像時(shí)，顯示畫面時(shí)顯示裝置各個(gè)區(qū)域液晶的偏轉(zhuǎn)角度不同，即不同區(qū)域下液晶層100的透過(guò)率不同，因此相同的環(huán)境光條件也會(huì)導(dǎo)致光電二極管接收到的環(huán)境光照度不同。假設(shè)顯示圖像時(shí)光電二極管所在亞像素的顯示灰階為gl，光電二極管檢測(cè)到的環(huán)境光照度為eal，則此時(shí)的實(shí)際環(huán)境光照度應(yīng)為e＝eal/(gl/glmax)；其中，glmax為液晶顯示的最大顯示灰階。

需要說(shuō)明的是：上述的環(huán)境光照度eal為光電二極管檢測(cè)到的照度，其在液晶層完全開(kāi)啟(最大顯示灰階)狀態(tài)下等于實(shí)際環(huán)境光照度，在液晶層未完全開(kāi)啟(非最大顯示灰階)狀態(tài)下小于實(shí)際環(huán)境光照度。

本示例實(shí)施方式中，所述液晶顯示裝置還可以為其它模式，例如ips模式或者ads模式。在此情況下，第一偏光片103的透過(guò)軸與第二偏光片104的透過(guò)軸可以相互垂直設(shè)置，且液晶層100中的液晶分子的初始長(zhǎng)軸方向可以垂直于第一偏光片的透過(guò)軸或者平行于第一偏光片的透過(guò)軸。

其中，基于ips模式或者ads模式的顯示裝置的光線檢測(cè)原理可以參考tn模式的顯示裝置的光線檢測(cè)原理，這里不再贅述。

在本示例實(shí)施方式中，所述顯示裝置例如可以包括手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本示例實(shí)施方式還提供了一種使用上述液晶顯示裝置的光線檢測(cè)方法。如圖7所示，所述光線檢測(cè)方法可以包括：

s1、控制液晶層中的液晶分子處于第一偏轉(zhuǎn)態(tài)以切斷環(huán)境光的傳播路徑，光電檢測(cè)器獲取經(jīng)第一偏光片反射的背光中的雜散光照度；

s2、控制液晶層中的液晶分子處于第二偏轉(zhuǎn)態(tài)以開(kāi)通環(huán)境光的傳播路徑，環(huán)境光依次穿過(guò)第二偏光片、對(duì)向基板、液晶層、第一偏光片而入射至光電檢測(cè)器，光電檢測(cè)器獲取環(huán)境光照度；

s3、根據(jù)所述顯示裝置中任意亞像素的實(shí)際顯示亮度、最大顯示亮度、以及環(huán)境光照度獲取實(shí)際環(huán)境光照度。

其中，所述環(huán)境光照度是指環(huán)境光入射液晶顯示裝置之后的照度，即光電檢測(cè)器檢測(cè)到的照度；而所述實(shí)際環(huán)境光照度是指環(huán)境光入射液晶顯示裝置之前的照度，即環(huán)境光到達(dá)液晶顯示裝置出光面時(shí)的照度。

基于此可知，在最大顯示灰階條件下，所述環(huán)境光照度即為實(shí)際環(huán)境光照度，因此僅根據(jù)步驟s1-s2即可得到環(huán)境光的實(shí)際照度；在非最大顯示灰階條件下，所述環(huán)境光照度小于實(shí)際環(huán)境光照度，因此需要根據(jù)步驟s1-s3來(lái)得到環(huán)境光的實(shí)際照度。

需要說(shuō)明的是：以上步驟s1-s3中的具體檢測(cè)以及換算過(guò)程可參考上述的具體實(shí)施例，這里不再贅述。

本示例實(shí)施方式所提供的光線檢測(cè)方法，不僅可應(yīng)用于環(huán)境光照度的檢測(cè)，還能應(yīng)用于手勢(shì)檢測(cè)或者距離檢測(cè)等功能。以手勢(shì)檢測(cè)為例，利用設(shè)置在陣列基板上的多個(gè)光電檢測(cè)器檢測(cè)環(huán)境光照度的變化，并以此判斷手指預(yù)操作的位置，從而達(dá)到手勢(shì)檢測(cè)的目的，該方法可以為觸控裝置提供一種全新的思路。此外，距離檢測(cè)也可利用相同的原理實(shí)現(xiàn)，因此不再贅述。

需要說(shuō)明的是：所述光線檢測(cè)方法中的具體細(xì)節(jié)已經(jīng)在對(duì)應(yīng)的顯示裝置中進(jìn)行了詳細(xì)描述，這里不再贅述。

本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說(shuō)明書及實(shí)踐這里公開(kāi)的發(fā)明后，將容易想到本公開(kāi)的其它實(shí)施方案。本申請(qǐng)旨在涵蓋本公開(kāi)的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本公開(kāi)的一般性原理并包括本公開(kāi)未公開(kāi)的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識(shí)或慣用技術(shù)手段。說(shuō)明書和實(shí)施例僅被視為示例性的，本公開(kāi)的真正范圍和精神由所附的權(quán)利要求指出。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本公開(kāi)并不局限于上面已經(jīng)描述并在附圖中示出的精確結(jié)構(gòu)，并且可以在不脫離其范圍進(jìn)行各種修改和改變。本公開(kāi)的范圍僅由所附的權(quán)利要求來(lái)限制。