技術(shù)特征：

1.一種euv透過膜的制造方法，其中，包括如下工序：

2.一種euv透過膜的制造方法，其中，包括如下工序：

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的euv透過膜的制造方法，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的euv透過膜的制造方法，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的euv透過膜的制造方法，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的euv透過膜的制造方法，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的euv透過膜的制造方法，其中，

8.一種防護件，其中，具備：

9.一種防護件，其中，具備：

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的防護件，其是利用權(quán)利要求1～7中的任一方法而制造的。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的防護件，其是利用權(quán)利要求2～7中的任一方法而制造的。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種利用避免掩膜層以朝向空腔延伸的檐狀殘留下來而不易產(chǎn)生顆粒的高效方法制造高品質(zhì)的EUV透過膜或防護件的方法。該方法包括如下工序：準(zhǔn)備具有第一面和第二面的基板；將第一面的整個區(qū)域和第二面的除位于中央的空腔區(qū)域以外的周邊區(qū)域以掩膜層覆蓋；將在空腔區(qū)域露出的基板局部蝕刻除去而形成空腔；將覆蓋第一面的掩膜層蝕刻除去；在基板的空腔側(cè)的表面及覆蓋第二面的掩膜層的表面形成EUV透過膜；以及自第一面將基板蝕刻除去至EUV透過膜在與空腔相反一側(cè)露出而使空腔區(qū)域中的EUV透過膜自立膜化。

技術(shù)研發(fā)人員：柏屋俊克,強力尚紀(jì)
受保護的技術(shù)使用者：日本礙子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21