增強(qiáng)光刻工藝窗口的光學(xué)鄰近修正方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝中的光學(xué)鄰近修正技術(shù)領(lǐng)域，具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及一種通過(guò)擴(kuò)大孤立的散射條(scattering bar)來(lái)增強(qiáng)光刻工藝窗口(litho processwindow)的光學(xué)鄰近修正方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路設(shè)計(jì)的高速發(fā)展，如何縮小版圖圖形光刻以后的變形和偏差，抑制光學(xué)鄰近效應(yīng)的負(fù)面作用，進(jìn)而提高芯片生產(chǎn)的成品率，對(duì)芯片制造業(yè)的發(fā)展起著關(guān)鍵的作用。針對(duì)這一問(wèn)題，目前業(yè)界普遍采用的一種方法為光學(xué)鄰近修正(Optical ProximityCorrect1n, 0PC)，其通過(guò)改變?cè)及鎴D圖形的形狀來(lái)減小曝光所獲得的光刻圖形的偏差。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，光學(xué)鄰近修正的過(guò)程一般包括:對(duì)原始版圖圖形進(jìn)行光學(xué)模擬，獲得模擬圖形；通過(guò)對(duì)比所獲得的模擬圖形以及原始版圖圖形，對(duì)其中位置誤差不在允許范圍內(nèi)的圖案進(jìn)行標(biāo)注，并采用一定的校正原則對(duì)原始版圖圖形中與所述標(biāo)注位置的圖案進(jìn)行校正，直至獲得符合設(shè)計(jì)要求的模擬圖形。
[0004]由于原始版圖圖形的布局風(fēng)格隨設(shè)計(jì)者而變化，具有多樣性，直接對(duì)原始版圖圖形進(jìn)行光學(xué)近鄰校正通常將獲得大量待標(biāo)注和校正的圖案，從而使校正過(guò)程花費(fèi)大量的人力和時(shí)間。為此，業(yè)界也有提出一些對(duì)校正原則進(jìn)行改善的方法，例如:通過(guò)事先對(duì)線段、線端、拐角等簡(jiǎn)單圖案的組成部分設(shè)定校正規(guī)則，使校正原則不僅包括一些簡(jiǎn)單的校正方法，還可以包括這些特殊的校正規(guī)則的集合。當(dāng)原始版圖中出現(xiàn)類似圖案時(shí)，將與圖案對(duì)應(yīng)的所述校正規(guī)則應(yīng)用于實(shí)際校正過(guò)程中，以減少實(shí)際校正過(guò)程的時(shí)間，從而提高校正效率，節(jié)約成本。
[0005]為了消除光學(xué)鄰近效應(yīng)的影響，實(shí)際制造的光掩模版上的圖形與所希望得到的光刻圖形并不相同，光掩模版上的圖形經(jīng)過(guò)了光學(xué)鄰近修正處理。此外隨著特征尺寸(Critical Dimens1n,CD)進(jìn)入90nm以及更小范圍,掩模版上的圖形的線寬甚至只有光波長(zhǎng)的1/3，除上述必要的光學(xué)鄰近修正處理以外，通常還需要在曝光圖形的周圍輔以設(shè)置次分辨率輔助圖形(Sub-Resolut1n Assistant Feature, SRAF)。這些次分辨率輔助圖形僅設(shè)置于光刻掩模版上，在實(shí)際曝光后其圖形并不會(huì)轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體器件，僅僅起到增加鄰近曝光圖形的聚焦深度，提高曝光精確度的作用。
[0006]接觸邏輯區(qū)域具有更為隨機(jī)和復(fù)雜的設(shè)計(jì)，例如對(duì)角的(diagonal)或者錯(cuò)列的(staggered)結(jié)構(gòu)。而散射條對(duì)于OPC收斂(convergence)以及光刻工藝窗口都是非常重要的。但現(xiàn)有的基于散射條的規(guī)則具有覆蓋各種復(fù)雜結(jié)構(gòu)的限制。OPC完成之后，留下了大量具有不充分的光刻工藝窗口的熱點(diǎn)(hotspots)。
[0007]為此，現(xiàn)有技術(shù)中通常使用下面兩種方法來(lái)擴(kuò)大光刻工藝窗口:
[0008]1.通過(guò)幾何特征(geometrical character)來(lái)選擇具有不充分的光刻工藝窗口的熱點(diǎn)，然后擴(kuò)大它的目標(biāo)尺寸。
[0009]2.優(yōu)化散射條規(guī)則(寬度/長(zhǎng)度/距尚(散射條與散射條之間的距尚，或者散射條與目標(biāo)之間的距離))。
[0010]但是，當(dāng)半導(dǎo)體芯片變得越來(lái)越大和越來(lái)越難以制造時(shí)，會(huì)產(chǎn)生數(shù)千個(gè)熱點(diǎn)。手動(dòng)的調(diào)試并不是最終的解決方案。業(yè)內(nèi)迫切需要一種擴(kuò)大光刻工藝窗口的自動(dòng)優(yōu)化方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明所要解決的一個(gè)技術(shù)問(wèn)題是提供一種增強(qiáng)光刻工藝窗口的光學(xué)鄰近修正方法，能夠改進(jìn)光學(xué)鄰近修正質(zhì)量，具有更好的收斂性。
[0012]本發(fā)明所要解決的另一個(gè)技術(shù)問(wèn)題是提供一種增強(qiáng)光刻工藝窗口的光學(xué)鄰近修正方法，能夠減少手動(dòng)調(diào)試時(shí)間，加快OPC工藝菜單的開(kāi)發(fā)。
[0013]本發(fā)明所要解決的再一個(gè)技術(shù)問(wèn)題是提供一種增強(qiáng)光刻工藝窗口的光學(xué)鄰近修正方法，能夠明顯地改善光刻工藝窗口。
[0014]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種增強(qiáng)光刻工藝窗口的光學(xué)鄰近修正方法，包括步驟:
[0015]A.提供待修正的原始圖形；
[0016]B.插入基于規(guī)則的散射條，作為原始散射條；
[0017]C.選擇出孤立的散射條并將其擴(kuò)大，對(duì)該擴(kuò)大規(guī)則進(jìn)行精調(diào)；
[0018]D.執(zhí)行光學(xué)鄰近修正；
[0019]E.檢查修正后的所述散射條是否在晶圓上顯影出來(lái)，若否，進(jìn)入步驟F ;若是，則返回上述步驟C ;以及
[0020]F.輸出經(jīng)過(guò)光學(xué)鄰近修正后的圖形。
[0021 ] 可選地，上述步驟C包括:
[0022]檢查所述散射條的每一條邊緣，搜索孤立的所述散射條的待調(diào)整邊緣；
[0023]將所述待調(diào)整邊緣向外擴(kuò)展一數(shù)值C。
[0024]可選地，搜索孤立的所述散射條的待調(diào)整邊緣的方式為:
[0025]判斷每一條所述邊緣的寬度是否小于等于一數(shù)值a并且距離是否大于等于一數(shù)值b ;若是，則確定所述邊緣為待調(diào)整邊緣。
[0026]可選地，所述數(shù)值a、b、c均為所述擴(kuò)大規(guī)則中可調(diào)整的參數(shù)。
[0027]可選地，所述擴(kuò)大規(guī)則能被分類為一些小組，包括依據(jù)距離分類、依據(jù)長(zhǎng)度分類、依據(jù)寬度分類和依據(jù)面積分類。
[0028]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0029]本發(fā)明對(duì)孤立的散射條設(shè)置一擴(kuò)大規(guī)則，通過(guò)擴(kuò)大孤立的散射條，提高散射條的覆蓋范圍，達(dá)到增強(qiáng)光刻工藝窗口的目的。
[0030]本發(fā)明經(jīng)實(shí)驗(yàn)證明能夠明顯地增強(qiáng)光刻工藝窗口。此外，本發(fā)明不但能夠改進(jìn)光學(xué)鄰近修正質(zhì)量，使之具有更好的收斂性，而且能夠減少手動(dòng)調(diào)試時(shí)間，加快OPC工藝菜單的開(kāi)發(fā)。
【附圖說(shuō)明】
[0031]本發(fā)明的上述的以及其他的特征、性質(zhì)和優(yōu)勢(shì)將通過(guò)下面結(jié)合附圖和實(shí)施例的描述而變得更加明顯，其中:
[0032]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種傳統(tǒng)的光學(xué)鄰近修正方法的流程圖；
[0033]圖2為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的增強(qiáng)光刻工藝窗口的光學(xué)鄰近修正方法的流程圖；
[0034]圖3-1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的增強(qiáng)光刻工藝窗口的光學(xué)鄰近修正方法中原始散射條與調(diào)整后的散射條的對(duì)比示意圖；
[0035]圖3-2為圖3-1所示實(shí)施例的增強(qiáng)光刻工藝窗口的光學(xué)鄰近修正方法中原始散射條因工藝變化而使特征尺寸變化的量(PVband)的示意圖；
[0036]圖3-3為圖3-1所示實(shí)施例的增強(qiáng)光刻工藝窗口的光學(xué)鄰近修正方法中調(diào)整后的散射條因工藝變化而使特征尺寸變化的量(PVband)的示意圖；
[0037]圖4-1為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的增強(qiáng)光刻工藝窗口的光學(xué)鄰近修正方法中原始散射條與調(diào)整后的散射條的對(duì)比示意圖；
[0038]圖4-2為圖4-1所示實(shí)施例的增強(qiáng)光刻工藝窗口的光學(xué)鄰近修正方法中原始散射條因工藝變化而使特征尺寸變化的量(PVband)的示意圖；
[0039]圖4-3為圖4-1所示實(shí)施例的增強(qiáng)光刻工藝窗口的光學(xué)鄰近修正方法中調(diào)整后的散射條因工藝變化而使特征尺寸變化的量(PVband)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】