陣列基板及其制造方法、顯示面板以及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明至少一實施例涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示面板以及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)是利用夾在上下兩個基板之間的液晶層上電場強(qiáng)度的變化，改變液晶分子的取向，從而控制透光的強(qiáng)弱來顯示圖像的。一般來講，一塊完整的液晶顯示面板必須具有背光模塊、偏光片、TFT基板(下基板)、彩膜(Color Filter, CF)基板(上基板)以及由上下兩個基板組成的盒中填充的液晶分子層。TFT基板上有大量的像素電極，像素電極上的電壓通斷及大小由與橫向掃描信號線相連的柵極信號、以及與縱向數(shù)據(jù)線連接的源極信號控制。公共電極與像素電極之間的電場強(qiáng)度變化控制著液晶分子的取向。TFT基板上的公共電極(Vcom)線和像素電極之間可以形成存儲電容以用來維持下一個信號來臨前液晶分子的狀態(tài)。
[0003]目前，TFT基板可采用雙柵(DualGate)設(shè)計，這樣可以有效減少數(shù)據(jù)線IC接頭的數(shù)量，實現(xiàn)降低成本的效果。一般的，采用雙柵設(shè)計的面板通常具有與掃描信號線平行的公共電極線以及與數(shù)據(jù)線平行的公共電極線，像素開口率較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明至少一實施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示面板以及顯示裝置。該陣列基板在沿著多個像素單元的列方向設(shè)置多條公共電極線，以優(yōu)化顯示屏面內(nèi)公共電極電阻，改善綠色(Greenish)缺陷；同時去除行方向的公共電極線，從而提升開口率。
[0005]本發(fā)明至少一實施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的沿行方向和列方向呈矩陣排列的多個像素單元以及沿著所述列方向延伸的多條公共電極線；其中，相鄰兩行像素單元之間具有兩條掃描信號線，以第2N+1列和第2N+2列像素單元為一個像素單元組，N選自大于等于零的整數(shù)；
[0006]同一像素單元組中的同行的兩個像素單元連接到不同的掃描信號線，所述掃描信號線沿所述行方向延伸；
[0007]每個像素單元組的兩列像素單元之間具有一條數(shù)據(jù)信號線，且每個像素單元組共用位于該兩列像素單元之間的所述數(shù)據(jù)信號線，所述數(shù)據(jù)信號線沿所述列方向延伸；
[0008]各所述公共電極線位于相鄰兩個像素單元組之間。
[0009]例如，在本發(fā)明一實施例提供的陣列基板中，各所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)信號線同層設(shè)置。
[0010]例如，在本發(fā)明一實施例提供的陣列基板中，各所述公共電極線包括兩部分，其中一部分包括多個公共電極線主體部分，所述多個公共電極線主體部分與所述掃描信號線同層設(shè)置，并在相鄰兩行像素單元之間的所述兩條掃描信號線處斷開，另一部分包括多條連接線，所述多條連接線與像素電極同層設(shè)置，各所述連接線經(jīng)過孔連接在所述掃描信號線處斷開的兩個所述公共電極線主體部分，以實現(xiàn)各所述公共電極線的連接延伸。
[0011]例如，本發(fā)明一實施例提供的陣列基板還包括公共電極，其中，各所述公共電極線中的所述多個公共電極線主體部分和與其相鄰的兩列像素單元內(nèi)的所述公共電極電連接。
[0012]例如，在本發(fā)明一實施例提供的陣列基板中，各所述掃描信號線在與所述連接線重疊的位置處收窄。
[0013]例如，在本發(fā)明一實施例提供的陣列基板中，同一行像素單元中，相鄰像素單元組中的相鄰兩個像素單元連接到不同的掃描信號線或連接到相同的掃描信號線。
[0014]例如，在本發(fā)明一實施例提供的陣列基板中，每相鄰兩個像素單元組之間具有一條所述公共電極線。
[0015]例如，本發(fā)明一實施例提供的陣列基板還包括至少一層絕緣層，其中，所述至少一層絕緣層位于所述公共電極線所在的層與所述公共電極所在的層之間，所述公共電極經(jīng)位于所述絕緣層中的過孔與所述公共電極線電連接。
[0016]例如，在本發(fā)明一實施例提供的陣列基板中，所述絕緣層過孔周期排列。
[0017]例如，在本發(fā)明一實施例提供的陣列基板中，所述絕緣層過孔呈周期排列，在列方向上，每隔X個像素單元設(shè)置一個所述絕緣層過孔，X為大于零的整數(shù)。
[0018]本發(fā)明至少一實施例還提供一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成沿行方向和列方向呈矩陣排列的多個像素單元以及沿著所述列方向延伸的多條公共電極線；其中，相鄰兩行像素單元之間具有兩條掃描信號線，以第2N+1列和第2N+2列像素單元為一個像素單元組，N選自大于等于零的整數(shù)；
[0019]同一像素單元組中的同行的兩個像素單元連接到不同的掃描信號線，所述掃描信號線沿所述行方向延伸；
[0020]每個像素單元組的兩列像素單元之間形成一條數(shù)據(jù)信號線，且每個像素單元組共用位于該兩列像素單元之間的所述數(shù)據(jù)信號線，所述數(shù)據(jù)信號線沿所述列方向延伸；
[0021]各所述公共電極線形成在相鄰兩個像素單元組之間。
[0022]例如，在本發(fā)明一實施例提供的陣列基板的制造方法中，各所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)信號線同層形成。
[0023]例如，在本發(fā)明一實施例提供的陣列基板的制造方法中，各所述公共電極線包括兩部分，其中一部分包括多個公共電極線主體部分，所述多個公共電極線主體部分與所述掃描信號線同層形成，并在相鄰兩行像素單元之間的所述兩條掃描信號線處斷開，另一部分包括多條連接線，所述多條連接線與像素電極同層形成，各所述連接線經(jīng)過孔連接在所述掃描信號線處斷開的兩個所述公共電極線主體部分，以實現(xiàn)各所述公共電極線的連接延伸。
[0024]例如，本發(fā)明一實施例提供的陣列基板的制造方法還包括形成公共電極，其中，各所述公共電極線中的所述多個公共電極線主體部分和與其相鄰的兩列像素單元內(nèi)的所述公共電極電連接。
[0025]例如，在本發(fā)明一實施例提供的陣列基板的制造方法中，每相鄰兩個像素單元組之間形成一條所述公共電極線。
[0026]例如，本發(fā)明一實施例提供的陣列基板的制造方法還包括形成至少一層絕緣層，其中，所述至少一層絕緣層形成在所述公共電極線所在的層與所述公共電極所在的層之間，所述公共電極經(jīng)位于所述絕緣層中的過孔與所述公共電極線電連接。
[0027]本發(fā)明至少一實施例還提供一種顯示面板，包括上述任一陣列基板。
[0028]本發(fā)明至少一實施例還提供一種顯示裝置，包括上述任一顯示面板。
【附圖說明】
[0029]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實施例，而非對本發(fā)明的限制。
[0030]圖1a為本發(fā)明一實施例提供的一種陣列基板的示意圖；
[0031]圖1b為本發(fā)明一實施例提供的另一種陣列基板的示意圖；
[0032]圖2a為本發(fā)明一實施例提供的一種圖1a所示的虛線部分的示意圖；
[0033]圖2b為本發(fā)明一實施例提供的一種圖2a所示的陣列基板的A_A’向剖視示意圖；
[0034]圖2c為本發(fā)明一實施例提供的一種圖2a所示的陣列基板的B_B’向剖視示意圖；
[0035]圖3a為制作本發(fā)明一實施例提供的陣列基板的方法中在襯底基板上形成柵極及掃描信號線圖形的示意圖；
[0036]圖3b為制作本發(fā)明一實施例提供的陣列基板的方法中在柵極絕緣層上形成有源層圖形的示意圖；
[0037]圖3c為制作本發(fā)明一實施例提供的陣列基板的方法中在柵極絕緣層上形成有源層圖形的示意圖；
[0038]圖3d為制作本發(fā)明一實施例提供的陣列基板的方法中在柵極絕緣層上形成像素電極、源極以及漏極圖形的示意圖；
[0039]圖3e為制作本發(fā)明一實施例提供的陣列基板的方法中在絕緣層上形成公共電極圖形的不意圖；
[0040]圖4a為本發(fā)明一實施例提供的另一種圖1a所示的陣列基板的A_A’向剖視示意圖；
[0041]圖4b為本發(fā)明一實施例提供的另一種圖1a所示的陣列基板的B-B’向剖視示意圖；
[0042]圖5a為本發(fā)明另一實施例提供的圖1a所示的虛線部分的示意圖；
[0043]圖5b為本發(fā)明另一實施例提供的一種圖1a所示的陣列基板的C_C’向剖視示意圖；
[0044]圖5c為本發(fā)明另一實施