液晶面板的制作方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】液晶面板
[0001 ] 本發(fā)明申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2011年11月29日、申請(qǐng)?zhí)枮?01110397236.X、發(fā)明名稱(chēng)為“液晶面板、液晶顯示裝置及其制造方法”的發(fā)明申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及一種液晶面板，尤其是涉及一種抑制在液晶面板的制造過(guò)程中的曝光次數(shù)的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0003]在橫向電場(chǎng)方式的液晶面板中，在形成有薄膜晶體管的一方的基板上形成有像素電極和公共電極(對(duì)置電極)這兩者。如國(guó)際公開(kāi)第W001/018597號(hào)所公開(kāi)的那樣，在這種液晶面板中，存在如下類(lèi)型:在除去取向膜以外的最上層形成有公共電極，在比公共電極靠下的層形成有像素電極、信號(hào)線等其它的導(dǎo)體層。根據(jù)該類(lèi)型，能夠由公共電極屏蔽由于施加到影像信號(hào)線(漏極布線)的電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)。其結(jié)果，能夠得到如下優(yōu)點(diǎn):能夠使掩蓋電場(chǎng)影響的黑矩陣變小，能夠提高像素的開(kāi)口率等。
[0004]液晶面板的基板一般通過(guò)光刻法進(jìn)行制造。在光刻法中，在絕緣膜或?qū)w膜上通過(guò)曝光工序而對(duì)抗蝕膜進(jìn)行圖案形成，將該抗蝕膜作為掩模對(duì)絕緣膜等進(jìn)行蝕刻。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]可是，曝光工序由于光掩模價(jià)格較高等，而需要昂貴的成本。因此，期望在液晶面板的制造過(guò)程中減少曝光次數(shù)。
[0006]本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而完成的，其目的在于，在一方的基板上形成像素電極和公共電極且在比公共電極低的層上形成有像素電極、信號(hào)線等的液晶面板、液晶顯示裝置及其制造方法中，減少制造所需的曝光的次數(shù)。
[0007]用于解決上述問(wèn)題的本發(fā)明所涉及的液晶面板，其具有夾持液晶的兩個(gè)基板。在一方的基板上形成有薄膜晶體管、由透明導(dǎo)電材料形成的像素電極以及由透明導(dǎo)電材料形成的公共電極。上述像素電極、上述薄膜晶體管、以及與上述薄膜晶體管相連接的布線位于比上述公共電極低的層。并且，與上述薄膜晶體管相連接的柵極布線具有包含下布線和上布線的兩層結(jié)構(gòu)，該下布線由與上述像素電極相同的材料形成，并且位于與上述像素電極相同的層，該上布線層疊在該下布線上，由導(dǎo)電率高于上述透明導(dǎo)電材料的材料形成。
[0008]另外，為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明所涉及的液晶顯示裝置具備上述液晶面板。
[0009]根據(jù)本發(fā)明，在形成柵極布線和像素電極的工序中，能夠利用多灰階掩模對(duì)抗蝕膜進(jìn)行曝光。其結(jié)果，能夠通過(guò)一次曝光工序形成柵極布線和像素電極這雙方，從而能夠減少曝光工序的次數(shù)。
[0010]另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，也可以構(gòu)成為上述薄膜晶體管包含形成在覆蓋上述柵極布線和上述像素電極的第一絕緣膜的上側(cè)的電極，上述公共電極形成在被形成于上述第一絕緣膜上的第二絕緣膜上。并且，也可以在與上述公共電極相同的層上形成連結(jié)導(dǎo)體，該連結(jié)導(dǎo)體由與該公共電極相同的材料形成，并且通過(guò)接觸孔與上述薄膜晶體管的上述電極和上述像素電極相連接。根據(jù)該方式，無(wú)需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成連結(jié)導(dǎo)體。在該方式中，也可以構(gòu)成為上述薄膜晶體管的上述電極的一部分位于上述像素電極的上方，上述電極的上述一部分和上述像素電極的一部分位于上述接觸孔的內(nèi)側(cè)，上述連結(jié)導(dǎo)體在上述接觸孔中與上述電極的上述一部分和上述像素電極的上述一部分相連接。通過(guò)這樣能夠使連結(jié)導(dǎo)體變小，因此能夠提高像素的開(kāi)口率。
[0011]另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，也可以在比上述公共電極低的層上形成通過(guò)接觸孔與該公共電極相連接的輔助公共布線。并且，上述輔助公共布線也可以具有包含下輔助布線和上輔助布線的兩層結(jié)構(gòu)，該下輔助布線位于與上述像素電極和上述下布線相同的層，并且由與上述像素電極相同的材料形成，該上輔助布線由與上述上布線相同的材料形成，層疊在上述下輔助布線上。根據(jù)該方式，通過(guò)輔助公共布線能夠降低公共電極的電阻。另外，無(wú)需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成輔助公共布線。
[0012]另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，也可以在上述公共電極上形成由具有高于該公共電極的材料的導(dǎo)電率的材料形成的輔助公共布線。根據(jù)該方式，通過(guò)輔助公共布線能夠降低公共電極的電阻。另外，無(wú)需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成輔助公共布線。
[0013]另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，也可以在比上述公共電極低的層上形成與上述薄膜晶體管相連接且被施加影像信號(hào)的漏極布線。并且，也可以在與上述漏極布線相同的層上形成由具有高于上述公共電極的導(dǎo)電率的材料形成且通過(guò)接觸孔與上述公共電極相連接的輔助公共布線。根據(jù)該方式，能夠降低公共電極的電阻。
[0014]另外，在該方式中，也可以構(gòu)成為上述薄膜晶體管包含由半導(dǎo)體層形成的溝道部，上述漏極布線和上述輔助公共布線具有包含上述半導(dǎo)體層和層疊在上述半導(dǎo)體層上的導(dǎo)體層的兩層結(jié)構(gòu)。通過(guò)這樣，能夠在形成溝道部、漏極布線以及輔助公共布線的工序中，利用多灰階掩模對(duì)抗蝕膜進(jìn)行曝光。其結(jié)果，能夠通過(guò)一次曝光工序形成溝道部、漏極布線以及輔助公共布線，從而能夠減少曝光工序的次數(shù)。
[0015]另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，上述公共電極也可以形成為其一部分位于與上述薄膜晶體管相連接、并且被施加影像信號(hào)的漏極布線的上方。根據(jù)該方式，能夠通過(guò)公共電極屏蔽由漏極布線產(chǎn)生的電場(chǎng)。
[0016]另外，在該方式中，也可以在上述公共電極的上述一部分與上述漏極布線之間形成第二絕緣膜和由介電常數(shù)低于上述第二絕緣膜的材料形成的附加絕緣部。這樣能夠降低漏極布線與公共電極之間的電容。
[0017]在該方式中，上述附加絕緣部還可以由通過(guò)對(duì)上述第二絕緣膜的蝕刻處理而能夠作為抗蝕膜發(fā)揮功能的材料形成。通過(guò)這樣，無(wú)需曝光工序的次數(shù)，就能夠形成附加絕緣部。
[0018]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明所涉及的液晶面板的制造方法包括以下工序:在用于形成上述像素電極的透明導(dǎo)電膜上層疊導(dǎo)電率高于上述透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)體膜的工序;在上述導(dǎo)體膜上形成抗蝕膜的工序;對(duì)上述抗蝕膜進(jìn)行圖案形成的工序，該工序通過(guò)利用多灰階掩模的曝光來(lái)形成與上述像素電極相對(duì)應(yīng)地形成圖案的第一抗蝕膜、以及與上述薄膜晶體管所連接的柵極布線相對(duì)應(yīng)地形成圖案且比上述第一抗蝕膜厚的第二抗蝕膜；以及利用上述第一抗蝕膜和上述第二抗蝕膜，由上述透明導(dǎo)電膜形成上述像素電極，并且由上述透明導(dǎo)電膜和上述導(dǎo)體膜形成上述柵極布線的工序。
[0019]根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)一次曝光工序能夠形成柵極布線和像素電極這雙方，能夠減少曝光工序的次數(shù)。
[0020]另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，還可以包括以下工序:形成覆蓋上述像素電極和上述柵極布線的第一絕緣膜的工序;在上述第一絕緣膜的上側(cè)形成構(gòu)成上述薄膜晶體管的電極的工序;在上述第一絕緣膜的上側(cè)層疊第二絕緣膜來(lái)覆蓋上述薄膜晶體管的上述電極的工序;在上述第二絕緣膜上形成透明導(dǎo)電膜的工序；以及由上述透明導(dǎo)電膜形成通過(guò)接觸孔與上述像素電極和上述薄膜晶體管的上述電極相連接的連結(jié)導(dǎo)體及上述公共電極的工序。根據(jù)該方式，無(wú)需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成連結(jié)導(dǎo)體。
[0021]另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，上述第二抗蝕膜除了與上述柵極布線相對(duì)應(yīng)地被圖案形成以外，還可以與用于和上述公共電極連接的輔助公共布線相對(duì)應(yīng)地被圖案形成。根據(jù)該方式，無(wú)需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成輔助公共布線。
[0022]另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，還可以包括以下工序:在用于形成上述公共電極的透明導(dǎo)電膜上層疊導(dǎo)電率高于該透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)體膜的工序;在上述導(dǎo)體膜上形成抗蝕膜的工序;對(duì)上述抗蝕膜進(jìn)行圖案形成的工序，該工序通過(guò)利用多灰階掩模的曝光形成與上述公共電極相對(duì)應(yīng)地形成圖案的第三抗蝕膜、以及與形成在上述公共電極上的輔助公共布線相對(duì)應(yīng)地形成圖案且比上述第三抗蝕膜厚的第四抗蝕膜；以及利用上述第三抗蝕膜和上述第四抗蝕膜，由上述透明導(dǎo)電膜形成上述公共電極，并且由上述導(dǎo)體膜形成上述輔助公共布線的工序。根據(jù)該方式，無(wú)需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成輔助公共布線。
[0023]另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，還可以包括以下工序:在用于形成上述薄膜晶體管的溝道部的半導(dǎo)體層上層疊導(dǎo)體膜的工序;在上述導(dǎo)體膜上形成抗蝕膜的工序;對(duì)上述抗蝕膜進(jìn)行圖案形成的工序，該工序通過(guò)利用多灰階掩模的曝光來(lái)形成與上述溝道部相對(duì)應(yīng)地形成圖案的第五抗蝕膜、以及與連接在上述薄膜晶體管上的漏極布線和沿上述漏極布線形成的輔助公共布線相對(duì)應(yīng)地形成圖案且比上述第五抗蝕膜厚的第六抗蝕膜；以及利用上述第五抗蝕膜和上述第六抗蝕膜，由上述半導(dǎo)體層形成上述溝道部，并且由上述半導(dǎo)體層和上述導(dǎo)體膜形成上述漏極布線和上述輔助公共布線的工序。根據(jù)該方式，無(wú)需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成輔助公共布線。
[0024]在本發(fā)明的一個(gè)方式中，還可以包含以下工序:形成覆蓋與上述薄膜晶體管相連接的上述柵極布線和上述像素電極的第一絕緣膜的工序;在上述第一絕緣膜的上側(cè)形成第二絕緣膜的工序;在上述第二絕緣膜上形成具有低于上述第二絕緣膜的介電常數(shù)的抗蝕膜的工序;對(duì)上述抗蝕