本發(fā)明涉及太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用材料生產(chǎn)制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著世界范圍內(nèi)能源的短缺和環(huán)境問(wèn)題的加劇，以太陽(yáng)能為主的可再生能源的研究、開(kāi)發(fā)、利用日益得到重視。太陽(yáng)能發(fā)電主要分為光伏發(fā)電和光熱發(fā)電。光伏發(fā)電在過(guò)去的幾十年里已得到快速發(fā)展。近幾年，光熱發(fā)電以其效益好，清潔無(wú)污染、運(yùn)行穩(wěn)定、便于并入電網(wǎng)等諸多優(yōu)點(diǎn)，受到關(guān)注。據(jù)專家預(yù)測(cè)，不久的將來(lái)光熱發(fā)電容量將遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)光伏，并有可能取代常規(guī)能源而廣泛的被人類所利用。太陽(yáng)能熱發(fā)電系統(tǒng)使用大型太陽(yáng)能反射鏡收集太陽(yáng)能以用來(lái)發(fā)電，這些系統(tǒng)在經(jīng)濟(jì)上是否可行主要取決于能否研發(fā)出耐久性好、反射率高且生產(chǎn)成本低的反射鏡系統(tǒng)。光熱發(fā)電站多建在光照充足、太陽(yáng)輻射強(qiáng)的地區(qū)，如我國(guó)西部廣袤的戈壁和大漠上，但是這些地區(qū)環(huán)境比較惡劣，因此太陽(yáng)能熱發(fā)電系統(tǒng)中反射鏡的壽命將決定發(fā)電站的成本。故而反射率高、附著性好、使用壽命長(zhǎng)的反射鏡是目前研究的重點(diǎn)。

由于銀在紅外區(qū)域有較高的反射率，所以它有很大的潛力可以作為高性能反射鏡膜層材料，然而，銀膜在被用作反射材料時(shí)有一個(gè)很大的問(wèn)題需要考慮，即耐久性不能保證，因?yàn)殂y膜機(jī)械強(qiáng)度和化學(xué)穩(wěn)定性都不好，很容易被氧化或者硫化，失去光澤，這就會(huì)導(dǎo)致反射率的降低，故在銀膜上鍍一層保護(hù)膜是必不可少的。此外，由于Ag與玻璃基底的附著力比較差，而且在一些特殊的氣氛中易被腐蝕而脫落，從而影響了其使用性能，因此，在實(shí)際應(yīng)用中，還需要在兩者之間鍍一層介質(zhì)層，以提高反射層與基底的附著力?？墒侨绻Ｗo(hù)膜厚度不能得到有效控制，也會(huì)影響反射率的提高。

為了得到高反射率、附著性好、使用壽命長(zhǎng)的反射鏡用反射材料，研究者們開(kāi)展了一系列的研究。趙永贊等人研究了在太陽(yáng)能聚光器薄膜的制備過(guò)程中附著力大小的問(wèn)題，在蒸鍍鋁膜前先在基底表面上蒸鍍一層薄的鉻膜，由于鉻會(huì)從氧化物基片中奪取氧并且形成氧化物，有較強(qiáng)的化學(xué)鍵力，所以極大地提升了聚光器膜層的附著性。Tetsuya Goto采用濺射法分別在環(huán)烯烴聚合物和二氧化硅上制備銀膜，采用Si₃N₄膜作保護(hù)層，得到了反射率高而且耐久性好的反射膜。Kennedy等采用氧化鋁作保護(hù)層，銀為表面反射層，使其太陽(yáng)光的反射率達(dá)到95％。徐勇軍等采用納米銀為表面反射層，太陽(yáng)光的反射率達(dá)到了96.74％。中國(guó)專利(專利公開(kāi)號(hào)：CN102260854A)公開(kāi)了一種自潔太陽(yáng)能高反射率納米薄膜及制造方法，當(dāng)反射膜為銀膜時(shí)，對(duì)太陽(yáng)光的反射率為94％～97％，當(dāng)反射膜為鋁膜時(shí)，反射率為90％～92％。中國(guó)專利(專利公開(kāi)號(hào)：CN104681662A)公開(kāi)了一種高反射率太陽(yáng)能薄膜的制備方法，當(dāng)銀膜的厚度為130nm和二氧化硅的厚度為320nm時(shí)，膜反射率最高，太陽(yáng)光和可見(jiàn)光反射率分別為96.66％和98.84％，并且膜材的耐磨性和抗老化性良好。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：為了避開(kāi)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷和不足之處，本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜及其制備方法，該方法得到的復(fù)合膜具有高反射率、附著性良好以及戶外使用壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。

本發(fā)明提供的技術(shù)方案是：一種太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜，其特征在于，它包含玻璃基板1以及形成于玻璃基板上的膜層；膜層由過(guò)渡層(或稱介質(zhì)層)、反射層和保護(hù)層構(gòu)成，過(guò)渡層、反射層和保護(hù)層依次從玻璃基板1的表面向外布置，過(guò)渡層、反射層、保護(hù)層均是通過(guò)射頻磁控濺射法制得；所述的過(guò)渡層2的材料為SiO₂，厚度為20nm-50nm；所述的反射層3的材料為Ag，厚度為100nm-200nm；所述的保護(hù)層4的材料為SiO₂，厚度為50nm-150nm。

上述一種太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)選取普通載玻片(作為基底)，用洗潔精多次清洗(如2-5次)，洗掉表面的雜質(zhì)(臟物)然后用自來(lái)水沖刷干凈，再放入去離子水中超聲波清洗10-30min，最后放入無(wú)水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中超聲波清洗10-30min，得到玻璃基板；將清洗好的玻璃基板保存在無(wú)水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中備用；

2)在玻璃基板(或稱玻璃基底)上制備過(guò)渡層(或稱介質(zhì)層)：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，SiO₂靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為0.5-1.5Pa，靶基距固定在60-100mm，氬流量為40sccm，濺射功率為100-200W，濺射時(shí)間為10-30min；在玻璃基板上得到一過(guò)渡層；

3)在過(guò)渡層上制備反射層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，反射層的材料為銀，銀的靶材尺寸為純度為99.99wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為0.5-1.5Pa，靶基距固定在60-100mm，氬流量為40sccm，濺射功率為100-200W，濺射時(shí)間為10-30min；

4)在反射層上制備保護(hù)層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，保護(hù)層的材料為SiO₂，靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為0.5-1.5Pa，靶基距固定在60-100mm，氬流量為40sccm，濺射功率為100-200W，濺射時(shí)間為20-40min；得到太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜。

在步驟2)、3)、4)中，濺射前均需對(duì)靶材進(jìn)行5分鐘的預(yù)濺射，以除去靶材表面殘留的氧化物和污染物。

采用該方法制備的膜系結(jié)構(gòu)，紅外反射率可以達(dá)到99.73％，而且由于SiO₂膜的增透效果，紅外反射率可超過(guò)100％。

采用剝落實(shí)驗(yàn)，參考附著力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)GBT9286-1998，其附著力可以達(dá)到0級(jí)(一共6級(jí)，其中0級(jí)表示附著性最好，5級(jí)表示附著性最差)。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)：(1)本發(fā)明得到的膜系結(jié)構(gòu)，紅外反射率達(dá)99.73％以上。(2)膜層之間特別是膜層和玻璃基板之間具有良好的附著性，參考附著力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)GBT9286-1998，其附著力可以達(dá)到0級(jí)(一共6級(jí)，其中0級(jí)表示附著性最好，5級(jí)表示附著性最差)，在光熱發(fā)電站所處的惡劣環(huán)境中具有長(zhǎng)的使用壽命。(3)工藝路線簡(jiǎn)單，適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)，既節(jié)約了成本，也節(jié)約了維護(hù)費(fèi)用，減少了環(huán)境污染。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一種太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的示意圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例1中的SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜反射率圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例1的一種太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜薄膜附著力測(cè)試圖：其中，a為測(cè)試前圖，b為測(cè)試后圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例2中的SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜反射率圖。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例3中的SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜反射率圖。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例4中的SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜反射率圖。

圖7為本發(fā)明實(shí)施例5中的SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜反射率圖。

圖8為本發(fā)明實(shí)施例6中的SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜反射率圖。

圖1中：1為玻璃基板，2為過(guò)渡層，3為反射層，4為保護(hù)層。

具體實(shí)施方式

為了更好地理解本發(fā)明，下面結(jié)合實(shí)例進(jìn)一步闡明本發(fā)明的內(nèi)容，但本發(fā)明不僅僅局限于下面的實(shí)施例。

實(shí)施例1：

一種太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的制備方法，包括以下步驟：

1)選取普通載玻片(作為基底)，用洗潔精多次清洗(如2-5次)，洗掉表面的雜質(zhì)(臟物)然后用自來(lái)水沖刷干凈，再放入去離子水中超聲波清洗20min，最后放入無(wú)水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中超聲波清洗20min，得到玻璃基板1；將清洗好的玻璃基板保存在無(wú)水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中備用；

2)在玻璃基板(或稱玻璃基底)上制備過(guò)渡層(或稱介質(zhì)層)：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，SiO₂靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為0.5Pa，靶基距固定在60mm，氬流量為40sccm，濺射功率為100W，濺射時(shí)間為10min；在玻璃基板1上得到一過(guò)渡層(SiO₂膜)2，SiO₂膜厚度為30nm；

3)在過(guò)渡層上制備反射層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，反射層的材料為銀，銀的靶材尺寸為純度為99.99wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為108W，濺射時(shí)間為20min，在過(guò)渡層2上得到反射層3(銀膜)，銀膜厚度為110nm；

4)在反射層上制備保護(hù)層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，保護(hù)層的材料為SiO₂，靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為0.5Pa，靶基距固定在60mm，氬流量為40sccm，濺射功率為100W，濺射時(shí)間為20min，SiO₂膜厚度為55nm；得到太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜。

在步驟2)、3)、4)中，濺射前均需對(duì)靶材進(jìn)行5分鐘的預(yù)濺射，以除去靶材表面殘留的氧化物和污染物。

實(shí)施例1所得太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜如圖1所示，所述薄膜按順序包括：

玻璃基板1；過(guò)渡層(SiO₂膜)2，材料為SiO₂，厚度為30nm；反射層3，材料為Ag，厚度為110nm，保護(hù)層4，材料為SiO₂，厚度為55nm。

實(shí)施例1所得太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜系紅外反射率高于99.76％，且由于SiO₂膜的增透效果，紅外反射率甚至超過(guò)100％，附著力可達(dá)0級(jí)，戶外使用壽命長(zhǎng)。

實(shí)施例2：

一種太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的制備方法，包括以下步驟：

1)選取普通載玻片(作為基底)，用洗潔精多次清洗(如2-5次)，洗掉表面的雜質(zhì)(臟物)然后用自來(lái)水沖刷干凈，再放入去離子水中超聲波清洗20min，最后放入無(wú)水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中超聲波清洗20min，得到玻璃基板；將清洗好的玻璃基板保存在無(wú)水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中備用；

2)在玻璃基板(或稱玻璃基底)上制備過(guò)渡層(或稱介質(zhì)層)：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，SiO₂靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為150W，濺射時(shí)間為20min；在玻璃基板1上得到一過(guò)渡層(SiO₂膜)2，SiO₂膜厚度為40nm；

3)在過(guò)渡層上制備反射層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，反射層的材料為銀，銀的靶材尺寸為純度為99.99wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為108W，濺射時(shí)間為20min，在過(guò)渡層2上得到反射層3(銀膜)，銀膜厚度為110nm；

4)在反射層上制備保護(hù)層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，保護(hù)層的材料為SiO₂，靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為150W，濺射時(shí)間為30min，，得到保護(hù)層(SiO₂膜)，SiO₂膜厚度為102nm；最后得到太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜。

在步驟2)、3)、4)中，濺射前均需對(duì)靶材進(jìn)行5分鐘的預(yù)濺射，以除去靶材表面殘留的氧化物和污染物。

實(shí)施例2所得太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜系紅外反射率高于99.81％，且由于SiO₂膜的增透效果，紅外反射率甚至超過(guò)100％，附著力可達(dá)0級(jí)，戶外使用壽命長(zhǎng)。

實(shí)施例3：

一種太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的制備方法，包括以下步驟：

1)選取普通載玻片(作為基底)，用洗潔精多次清洗(如2-5次)，洗掉表面的雜質(zhì)(臟物)然后用自來(lái)水沖刷干凈，再放入去離子水中超聲波清洗20min，最后放入無(wú)水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中超聲波清洗20min，得到玻璃基板；將清洗好的玻璃基板保存在無(wú)水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中備用；

2)在玻璃基板(或稱玻璃基底)上制備過(guò)渡層(或稱介質(zhì)層)：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，SiO₂靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.5Pa，靶基距固定在100mm，氬流量為40sccm，濺射功率為200W，濺射時(shí)間為30min；在玻璃基板上得到一過(guò)渡層(SiO₂膜)，SiO₂膜厚度為50nm；

3)在過(guò)渡層上制備反射層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，反射層的材料為銀，銀的靶材尺寸為純度為99.99wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為108W，濺射時(shí)間為20min，在過(guò)渡層2上得到反射層3(銀膜)，銀膜厚度為110nm；

4)在反射層上制備保護(hù)層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，保護(hù)層的材料為SiO₂，靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.5Pa，靶基距固定在100mm，氬流量為40sccm，濺射功率為200W，濺射時(shí)間為40min，SiO₂膜厚度為139nm；得到太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜。

在步驟2)、3)、4)中，濺射前均需對(duì)靶材進(jìn)行5分鐘的預(yù)濺射，以除去靶材表面殘留的氧化物和污染物。

實(shí)施例3所得太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜系紅外反射率高于99.90％，且由于SiO₂膜的增透效果，紅外反射率甚至超過(guò)100％，附著力可達(dá)0級(jí)，戶外使用壽命長(zhǎng)。

實(shí)施例4：

一種太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的制備方法，包括以下步驟：

1)選取普通載玻片(作為基底)，用洗潔精多次清洗(如2-5次)，洗掉表面的雜質(zhì)(臟物)然后用自來(lái)水沖刷干凈，再放入去離子水中超聲波清洗20min，最后放入無(wú)水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中超聲波清洗20min，得到玻璃基板；將清洗好的玻璃基板保存在無(wú)水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中備用；

2)在玻璃基板(或稱玻璃基底)上制備過(guò)渡層(或稱介質(zhì)層)：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，SiO₂靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為150W，濺射時(shí)間為20min；在玻璃基板上得到一過(guò)渡層(SiO₂膜)，SiO₂膜厚度為40nm；

3)在過(guò)渡層上制備反射層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，反射層的材料為銀，銀的靶材尺寸為純度為99.99wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為160W，濺射時(shí)間為20min，在過(guò)渡層2上得到反射層3(銀膜)，銀膜厚度為150nm；

4)在反射層上制備保護(hù)層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，保護(hù)層的材料為SiO₂，靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為150W，濺射時(shí)間為30min，SiO₂膜厚度為102nm；得到太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜。

在步驟2)、3)、4)中，濺射前均需對(duì)靶材進(jìn)行5分鐘的預(yù)濺射，以除去靶材表面殘留的氧化物和污染物。

實(shí)施例4所得太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜系紅外反射率高于99.87％，且由于SiO₂膜的增透效果，紅外反射率甚至超過(guò)100％，附著力可達(dá)0級(jí)，戶外使用壽命長(zhǎng)。

實(shí)施例5：

一種太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的制備方法，包括以下步驟：

1)選取普通載玻片(作為基底)，用洗潔精多次清洗(如2-5次)，洗掉表面的雜質(zhì)然后用自來(lái)水沖刷干凈，再放入去離子水中超聲波清洗10min，最后放入無(wú)水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中超聲波清洗10min，得到玻璃基板；將清洗好的玻璃基板保存在無(wú)水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中備用；

2)在玻璃基板(或稱玻璃基底)上制備過(guò)渡層(或稱介質(zhì)層)：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，SiO₂靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為150W，濺射時(shí)間為20min；在玻璃基板上得到一過(guò)渡層(SiO₂膜)，SiO₂膜厚度為40nm；

3)在過(guò)渡層上制備反射層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，反射層的材料為銀，銀的靶材尺寸為純度為99.99wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.5Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為160W，濺射時(shí)間為30min，在過(guò)渡層2上得到反射層3(銀膜)，銀膜厚度為200nm；

4)在反射層上制備保護(hù)層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，保護(hù)層的材料為SiO₂，靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為150W，濺射時(shí)間為230min，SiO₂膜厚度為102nm；得到太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜。

在步驟2)、3)、4)中，濺射前均需對(duì)靶材進(jìn)行5分鐘的預(yù)濺射，以除去靶材表面殘留的氧化物和污染物。

實(shí)施例5所得太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜系紅外反射率高于99.82％，且由于SiO₂膜的增透效果，紅外反射率甚至超過(guò)100％，附著力可達(dá)0級(jí)，戶外使用壽命長(zhǎng)。

實(shí)施例6：

一種太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的制備方法，包括以下步驟：

1)選取普通載玻片(作為基底)，用洗潔精多次清洗(如2-5次)，洗掉表面的雜質(zhì)然后用自來(lái)水沖刷干凈，再放入去離子水中超聲波清洗30min，最后放入無(wú)水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中超聲波清洗30min，得到玻璃基板；將清洗好的玻璃基板保存在無(wú)水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中備用；

2)在玻璃基板(或稱玻璃基底)上制備過(guò)渡層(或稱介質(zhì)層)：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，SiO₂靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為150W，濺射時(shí)間為10-30min；在玻璃基板上得到一過(guò)渡層(SiO₂膜)，SiO₂膜厚度為40nm；

3)在過(guò)渡層上制備反射層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，反射層的材料為銀，銀的靶材尺寸為純度為99.99wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為0.5Pa，靶基距固定在60mm，氬流量為40sccm，濺射功率為100W，濺射時(shí)間為30min，在過(guò)渡層2上得到反射層3(銀膜)，銀膜厚度為200nm；

4)在反射層上制備保護(hù)層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，保護(hù)層的材料為SiO₂，靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為0.5Pa，靶基距固定在60mm，氬流量為40sccm，濺射功率為100W，濺射時(shí)間為20min，SiO₂膜厚度為137nm；得到太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜。

在步驟2)、3)、4)中，濺射前均需對(duì)靶材進(jìn)行5分鐘的預(yù)濺射，以除去靶材表面殘留的氧化物和污染物。

實(shí)施例6所得太陽(yáng)能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜系紅外反射率高于99.89％，且由于SiO₂膜的增透效果，紅外反射率甚至超過(guò)100％，附著力可達(dá)0級(jí)，戶外使用壽命長(zhǎng)。

以及本發(fā)明各工藝參數(shù)(如氣壓、靶基距、濺射功率、時(shí)間等)的上下限、區(qū)間取值都能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，在此不一一列舉實(shí)施例。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可做出若干推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。