技術(shù)特征：

1.電阻器工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)制造的磁控濺射控制方法，其特征在于，包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻器工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)制造的磁控濺射控制方法，其特征在于，根據(jù)所述實時設(shè)備參數(shù)和所述實時產(chǎn)品參數(shù)確定所述磁控濺射設(shè)備的設(shè)備狀態(tài)集合包括如下步驟：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻器工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)制造的磁控濺射控制方法，其特征在于，基于所述設(shè)備狀態(tài)集合對所述合格工藝參數(shù)、合格設(shè)備參數(shù)和合格產(chǎn)品參數(shù)進行映射分析，根據(jù)所述映射分析建立合格產(chǎn)品模型包括如下步驟：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻器工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)制造的磁控濺射控制方法，其特征在于，于所述合格產(chǎn)品模型建立磁控濺射優(yōu)化模型包括如下步驟：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻器工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)制造的磁控濺射控制方法，其特征在于，將所述設(shè)備狀態(tài)集合與所述歷史磁控濺射生產(chǎn)數(shù)據(jù)進行數(shù)據(jù)匹配，基于數(shù)據(jù)匹配結(jié)果對所述合格產(chǎn)品模型進行參數(shù)匹配，得到待優(yōu)化工藝參數(shù)包括如下步驟：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電阻器工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)制造的磁控濺射控制方法，其特征在于，所述步驟s41中第一匹配計算的公式如下：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電阻器工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)制造的磁控濺射控制方法，其特征在于，所述步驟s42中第二匹配計算的公式如下：

8.電阻器工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)制造的磁控濺射控制系統(tǒng)，其特征在于，包括：

9.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的計算機程序，所述處理器執(zhí)行所述程序時實現(xiàn)如權(quán)利要求1至7任一所述的電阻器工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)制造的磁控濺射控制方法。

10.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機程序，其特征在于，該程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求1至7任一所述的電阻器工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)制造的磁控濺射控制方法。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了電阻器工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)制造的磁控濺射控制方法及其相關(guān)設(shè)備，通過實時的設(shè)備參數(shù)和產(chǎn)品參數(shù)確定當前磁控濺射設(shè)備的狀態(tài)，從而使得后續(xù)的參數(shù)優(yōu)化處于真實可靠的磁控濺射設(shè)備狀態(tài)下；綜合了設(shè)備參數(shù)、產(chǎn)品參數(shù)和工藝參數(shù)三方面的考慮，并通過分析三個參數(shù)之間的映射關(guān)系從而將其關(guān)聯(lián)起來，克服了現(xiàn)有的控制方法中忽視了設(shè)備與工藝之間的關(guān)聯(lián)性，使得磁控濺射的效率不穩(wěn)定，從而造成了制造出來的電阻器質(zhì)量參差不齊的缺陷。

技術(shù)研發(fā)人員：邵澤華,向海堂,田廣,陳于浩,王永生
受保護的技術(shù)使用者：眉山秦川智能傳感器有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21