本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池用區(qū)熔(fz)單晶硅的制造方法、以及使用區(qū)熔單晶硅制造的太陽(yáng)能電池。

背景技術(shù)：

單晶硅的制造方法中有如下方法：在石英坩堝內(nèi)使高純度多晶硅熔化，使其接觸晶種而逐漸成長(zhǎng)并進(jìn)行提拉的直拉(cz，czochralsky)法；以及，對(duì)棒狀的高純度多晶硅的一部分進(jìn)行加熱，在作為晶種的下部的單晶與棒狀的原料晶體(多晶硅等)之間形成熔融部，利用表面張力支撐該熔液部且使全體向下方移動(dòng)，并使熔液部冷卻而得到單晶的區(qū)熔(fz，floatzone)法。

在由直拉法制造的單晶硅中會(huì)混入來(lái)自石英坩堝的氧，氧的濃度越高，則包含越多的氧缺陷核。另一方面，由前述區(qū)熔法制造的硅晶體中的含氧量少，因此氧缺陷核少。

而且，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了一種將利用直拉法制成的直拉單晶硅用作原料棒并利用區(qū)熔法來(lái)制作區(qū)熔單晶硅的技術(shù)，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中還公開(kāi)了如此制成的區(qū)熔單晶硅中的含氧量也少。

而且，作為用于太陽(yáng)能電池中的硅基板，已知，為了抑制少數(shù)載流子的壽命下降，使用摻鎵的p型硅基板(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2007-314374號(hào)公報(bào)；

專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本專(zhuān)利第3679366號(hào)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的問(wèn)題

本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，若由將直拉單晶硅用作原料棒且利用區(qū)熔法制造出來(lái)的區(qū)熔單晶硅來(lái)制造太陽(yáng)能電池，則因單晶硅中的含氧量少，所以不易產(chǎn)生氧缺陷，因此與由利用直拉法制作出來(lái)的直拉硅晶體進(jìn)行制造的情況不同，即便經(jīng)過(guò)完全相同的工序，也能抑制因氧缺陷而引起的少數(shù)載流子壽命下降，因而能制造高轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池。本發(fā)明人進(jìn)一步關(guān)注于通過(guò)使用摻雜有鎵的p型硅基板來(lái)提高少數(shù)載流子的壽命，而嘗試將摻雜有鎵的直拉單晶硅(摻鎵直拉單晶硅)用作原料棒且利用區(qū)熔法來(lái)制造太陽(yáng)能電池用單晶硅。

然而，若將摻鎵直拉單晶硅用作原料棒且利用區(qū)熔法來(lái)制造摻鎵區(qū)熔單晶硅，則當(dāng)原料棒在浮區(qū)熔融時(shí)，作為摻雜劑的鎵會(huì)蒸發(fā)，只能得到電阻非常高的摻鎵區(qū)熔單晶硅，若使用這種單晶硅來(lái)制造太陽(yáng)能電池，則內(nèi)部電阻會(huì)變得過(guò)高，從而存在轉(zhuǎn)換效率下降的問(wèn)題。

本發(fā)明是鑒于前述問(wèn)題而完成，其目的在于提供一種太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅的制造方法，該太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅的制造方法能減少不可避免地進(jìn)入直拉晶體中的氧，防止生成會(huì)影響太陽(yáng)能電池的特性的硼-氧對(duì)(b-o對(duì))，并抑制浮區(qū)處理(區(qū)熔處理)中的鎵摻雜劑的蒸發(fā)量，因而可防止區(qū)熔單晶硅高電阻化。

解決問(wèn)題的技術(shù)方案

為了達(dá)成前述目的，本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅的制造方法，其特征在于，包含如下步驟：利用切克勞斯基法，提拉摻鎵直拉單晶硅；以及，將前述直拉單晶硅作為原料棒，以1.6氣壓以上對(duì)該原料棒進(jìn)行浮區(qū)處理，由此制造區(qū)熔單晶硅。

通過(guò)如上所述以1.6氣壓以上對(duì)原料棒進(jìn)行浮區(qū)處理來(lái)制造區(qū)熔單晶硅，能抑制浮區(qū)處理中的鎵摻雜劑的蒸發(fā)量，從而，能抑制區(qū)熔單晶硅高電阻化。而且，因?qū)χ崩瓎尉Ч柽M(jìn)行浮區(qū)處理，所以能通過(guò)向外擴(kuò)散的方式來(lái)減少不可避免地進(jìn)入直拉晶體中的氧。而且，因?yàn)槭菗芥壔?，所以，不使用硼作為摻雜劑。因此，能防止生成會(huì)影響太陽(yáng)能電池的特性的硼-氧對(duì)(b-o對(duì))。所以，若使用由如上所述地制造的太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅而制作出來(lái)的硅基板來(lái)制造太陽(yáng)能電池，則能提升所制造的太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。

此時(shí)，優(yōu)選在前述浮區(qū)處理中，使用摻雜氣體，將鎵追加摻雜到前述區(qū)熔單晶硅中。

如此，利用在浮區(qū)處理中，使用摻雜氣體，將鎵追加摻雜到區(qū)熔單晶硅中，能彌補(bǔ)在浮區(qū)處理中蒸發(fā)掉的鎵，由此能更有效地抑制區(qū)熔單晶硅高電阻化。

此時(shí)，優(yōu)選在前述鎵的追加摻雜中，根據(jù)前述直拉單晶硅的鎵濃度的軸向分布，在軸向上改變前述摻雜氣體的流量和/或濃度，由此使前述區(qū)熔單晶硅的鎵濃度的軸向分布均一化。

通過(guò)如此使區(qū)熔單晶硅的鎵濃度的軸向分布均一化，能抑制區(qū)熔單晶硅的軸向上的電阻率的不均，能提升如上所述地制造的區(qū)熔單晶硅的良率(電阻率處于規(guī)格內(nèi)的區(qū)域的比例)。

此時(shí)，作為前述摻雜氣體，可使用有機(jī)鎵化合物、鹵化鎵化合物及氫化鎵中的任一種。

作為用于追加摻雜鎵的摻雜氣體，適宜使用前述的氣體。

此時(shí)，優(yōu)選在含有氬或氦的環(huán)境下進(jìn)行前述浮區(qū)處理。

通過(guò)前述環(huán)境下進(jìn)行浮區(qū)處理，能防止雜質(zhì)進(jìn)入?yún)^(qū)熔單晶硅中。

此時(shí)，優(yōu)選將前述制造的區(qū)熔單晶硅的直徑設(shè)為150mm以上。

當(dāng)制造的區(qū)熔單晶硅為直徑150mm以上時(shí)，摻雜劑更容易蒸發(fā)，所以適宜應(yīng)用本發(fā)明。

為了達(dá)成前述目的，本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池，其特征在于，是使用通過(guò)前述太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅的制造方法制造出來(lái)的區(qū)熔單晶硅而制造的。

若為這種太陽(yáng)能電池，則能抑制用作基板的單晶硅基板高電阻化，因此能提升太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。

發(fā)明效果

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅的制造方法，通過(guò)以1.6氣壓以上對(duì)原料棒進(jìn)行浮區(qū)處理來(lái)制造區(qū)熔單晶硅，能抑制浮區(qū)處理中的鎵摻雜劑的蒸發(fā)量。而且，由此能抑制區(qū)熔單晶硅高電阻化，若使用由如上所述地制造的太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅制作出來(lái)的硅基板來(lái)制造太陽(yáng)能電池，則能提升制造出來(lái)的太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。而且，若為本發(fā)明的太陽(yáng)能電池，則能抑制用作基板的單晶硅基板高電阻化，因此能提升太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。

附圖說(shuō)明

圖1是表示本發(fā)明的太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅的制造方法的流程圖。

圖2是表示本發(fā)明的太陽(yáng)能電池的實(shí)施方式的一個(gè)例子的截面圖。

圖3是表示本發(fā)明的太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅的制造方法中使用的直拉單晶制造裝置的一個(gè)例子的概略圖。

圖4是表示本發(fā)明的太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅的制造方法中使用的區(qū)熔單晶制造裝置的一個(gè)例子的概略圖。

圖5是表示制造本發(fā)明的太陽(yáng)能電池的制造流程的一個(gè)例子的圖。

具體實(shí)施方式

以下，關(guān)于本發(fā)明，作為實(shí)施方式的一個(gè)例子，一邊參照附圖一邊詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明并不限于此。

如上文所述，本發(fā)明人為了抑制基板中的少數(shù)載流子壽命下降，嘗試將摻雜有鎵的直拉單晶硅(摻鎵直拉單晶硅)用作原料棒且利用區(qū)熔法來(lái)制造太陽(yáng)能電池用單晶硅，但當(dāng)原料棒在浮區(qū)熔融時(shí)，作為摻雜劑的鎵會(huì)蒸發(fā)，只能得到電阻非常高的摻鎵區(qū)熔單晶硅，若使用這種單晶硅來(lái)制造太陽(yáng)能電池，則內(nèi)部電阻會(huì)變得過(guò)高，從而存在轉(zhuǎn)換效率下降的問(wèn)題。

因此，發(fā)明人對(duì)于能抑制浮區(qū)處理中的鎵摻雜劑的蒸發(fā)量且防止區(qū)熔單晶硅高電阻化的太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅的制造方法反復(fù)悉心研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過(guò)以1.6氣壓以上對(duì)原料棒進(jìn)行浮區(qū)處理來(lái)制造區(qū)熔單晶硅，能抑制浮區(qū)處理中的鎵摻雜劑的蒸發(fā)量，由此，能抑制區(qū)熔單晶硅高電阻化，從而完成本發(fā)明。

以下，參照?qǐng)D1、3～4，對(duì)于本發(fā)明的太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。

首先，利用直拉法(切克勞斯基法)，提拉摻鎵直拉單晶硅(參照?qǐng)D1的步驟s11)。作為直拉法，可采用多種方法。具體而言，例如，使用圖3的直拉單晶制造裝置20，提拉摻鎵直拉單晶硅(單晶棒)23。圖3中，直拉單晶制造裝置20包含：主腔室21，配置有加熱器27和收容原料熔液24的石英坩堝25；提拉腔室22，設(shè)在主腔室21上；以及，冷卻筒31，從主腔室21的頂部向下方延伸設(shè)置，并且設(shè)在原料熔液24的正上方，使被提拉的單晶棒23冷卻。在主腔室21的下部，可設(shè)置氣體流出口29，在提拉腔室22的上部，可設(shè)置氣體導(dǎo)入口30。石英坩堝25由例如石墨坩堝26支撐，石墨坩堝26由例如坩堝旋轉(zhuǎn)軸36支撐。在對(duì)石英坩堝25加熱的加熱器27的外側(cè)，例如以包圍該加熱器27的周?chē)姆绞皆O(shè)有隔熱部件28。在提拉腔室22的上部，例如，設(shè)有提拉機(jī)構(gòu)(未圖示)，利用提拉機(jī)構(gòu)例如拉出提拉線(xiàn)33，在提拉機(jī)構(gòu)的前端，連接著例如用于安裝晶種34的晶種固定器35。在冷卻筒31，設(shè)有例如冷媒導(dǎo)入口32。步驟s11中，例如，可通過(guò)向石英坩堝25內(nèi)投入規(guī)定量的鎵，而使鎵摻雜到生長(zhǎng)的單晶中。

接著，通過(guò)將步驟s11中制造的直拉單晶硅作為原料棒，以1.6氣壓以上對(duì)原料棒進(jìn)行浮區(qū)處理，從而制造區(qū)熔單晶硅(參照?qǐng)D1的步驟s12)。具體而言，例如，使用圖4的區(qū)熔單晶制造裝置40，利用螺釘?shù)葘⒂芍崩ㄖ圃斓膿芥壷崩瓎尉Ч韫潭ㄔ谝言O(shè)置于區(qū)熔單晶制造裝置40的腔室52內(nèi)的上軸43的上部保持夾具44上且作為原料棒41，并將直徑小的晶種48安裝在下軸45的下部保持夾具46上。然后，利用碳環(huán)(未圖示)對(duì)原料棒41的錐體部53(圖4中，表示為浮區(qū)處理已進(jìn)行某種程度的狀態(tài)，因此，錐體部53圖示為區(qū)熔單晶棒42的錐體部)的下端進(jìn)行預(yù)加熱，然后，從腔室52的下部供給含有氮?dú)獾臍鍤?ar)，并且從腔室52上部排氣，從而使腔室52內(nèi)的壓力成為1.6氣壓以上。例如，氬氣的流量可設(shè)為20l/min，腔室內(nèi)的氮濃度可設(shè)為0.5％。而且，利用感應(yīng)加熱線(xiàn)圈(高頻線(xiàn)圈)47對(duì)原料棒41加熱并使其熔融后，使錐體部53前端熔合于晶種48，并且因收縮部49的作用而無(wú)位錯(cuò)，一面使上軸43與下軸45旋轉(zhuǎn)一面使原料棒41以例如2.0mm/min的成長(zhǎng)速度下降，由此，使浮游區(qū)域(浮區(qū))50移動(dòng)到原料棒41上端而分區(qū)，使原料棒41再結(jié)晶化而使單晶棒42成長(zhǎng)。

這里，優(yōu)選的是，在步驟s12的浮區(qū)處理中，從摻雜氣體噴附用噴嘴51向浮游區(qū)域50噴附摻雜氣體，將鎵追加摻雜到區(qū)熔單晶硅中。這樣，在浮區(qū)處理中，可通過(guò)使用摻雜氣體將鎵追加摻雜到區(qū)熔單晶硅中，而彌補(bǔ)浮區(qū)處理中蒸發(fā)掉的鎵，由此，能更有效地抑制區(qū)熔單晶硅高電阻化。

這里，優(yōu)選在鎵的追加摻雜中，通過(guò)根據(jù)直拉單晶硅的鎵濃度的軸向分布而在軸向上改變摻雜氣體的流量和/或濃度，而使區(qū)熔單晶硅的鎵濃度的軸向分布均一化。通過(guò)這樣使區(qū)熔單晶硅的鎵濃度的軸向分布均一化，能抑制區(qū)熔單晶硅在軸向上的電阻率的不均，并能提升如上所述地制造的區(qū)熔單晶硅的良率(電阻率在規(guī)格內(nèi)的區(qū)域的比例)。

這里，作為摻雜氣體，可使用有機(jī)鎵化合物、鹵化鎵化合物及氫化鎵中的任一種。作為用于追加摻雜鎵的摻雜氣體，適宜使用前述氣體。

這里，優(yōu)選在含有氬或氦的環(huán)境下進(jìn)行浮區(qū)處理。通過(guò)在前述環(huán)境下進(jìn)行浮區(qū)處理，能防止雜質(zhì)進(jìn)入?yún)^(qū)熔單晶硅中。

這里，優(yōu)選將制造的區(qū)熔單晶硅的直徑設(shè)為150mm以上。當(dāng)制造直徑150mm以上的太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅時(shí)，浮區(qū)也變大，鎵也容易蒸發(fā)，因此適宜應(yīng)用本發(fā)明。

若為上文說(shuō)明的太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅的制造方法，則通過(guò)以1.6氣壓以上對(duì)原料棒41進(jìn)行浮區(qū)處理來(lái)制造區(qū)熔單晶硅，能抑制浮區(qū)處理中的鎵摻雜劑的蒸發(fā)量，并能抑制區(qū)熔單晶硅的高電阻化。而且，因?qū)χ崩瓎尉Ч柽M(jìn)行浮區(qū)處理，所以能以向外擴(kuò)散的方式減少不可避免地進(jìn)入直拉晶體中的氧。而且，因?yàn)槭菗芥壔澹圆皇褂门鹱鳛閾诫s劑。因此，能防止生成會(huì)影響太陽(yáng)能電池的特性的硼-氧對(duì)。本發(fā)明的方法中，能同時(shí)達(dá)成這些效果。所以，若使用由如上所述地制造的太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅而制作出來(lái)的硅基板來(lái)制造太陽(yáng)能電池，則能提升制造出來(lái)的太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。

接著，參照?qǐng)D2對(duì)本發(fā)明的太陽(yáng)能電池進(jìn)行說(shuō)明。

圖2的太陽(yáng)能電池10是使用根據(jù)上文所說(shuō)明的太陽(yáng)能電池用區(qū)熔單晶硅的制造方法制造的區(qū)熔單晶硅而制造的。太陽(yáng)能電池10包含：從區(qū)熔單晶硅切取的摻鎵硅基板11、設(shè)在摻鎵硅基板11的受光面?zhèn)鹊陌l(fā)射極層(磷擴(kuò)散層)12、以及設(shè)在摻鎵硅基板11的背面?zhèn)鹊腷sf層(鋁擴(kuò)散層)13，而且，在發(fā)射極層12的受光面?zhèn)缺砻嬖O(shè)有受光面抗反射膜14。太陽(yáng)能電池10還包含設(shè)在發(fā)射極層12的受光面?zhèn)缺砻嫔系氖芄饷骐姌O15、以及設(shè)在bsf層13的背面?zhèn)缺砻娴谋趁驿X電極16。另外，太陽(yáng)能電池10中，受光面電極15穿過(guò)受光面抗反射膜14而與發(fā)射極層12電連接，背面鋁電極16與bsf層13電連接。

若為這種太陽(yáng)能電池，由于使用了一種區(qū)熔單晶硅，前述區(qū)熔單晶硅減少不可避免地進(jìn)入直拉晶體中的氧，防止生成會(huì)影響太陽(yáng)能電池的特性的硼-氧對(duì)，并且可抑制高電阻化，所以能提升太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。

接著，參照?qǐng)D5，對(duì)圖2的太陽(yáng)能電池10的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行具體說(shuō)明。

首先，除去從單晶硅錠切取的摻鎵硅基板11的損傷層后進(jìn)行洗凈(參照?qǐng)D5(a))。損傷層可通過(guò)例如將摻鎵硅基板11浸漬于熱濃氫氧化鉀水溶液中而除去。

接著，對(duì)已除去損傷層的摻鎵硅基板11進(jìn)行紋理蝕刻后進(jìn)行洗凈(參照?qǐng)D5(b))。紋理蝕刻可通過(guò)例如浸漬于氫氧化鉀/2-丙醇的水溶液中而進(jìn)行。另外，通過(guò)進(jìn)行紋理蝕刻可形成被稱(chēng)為紋理的微細(xì)的凹凸，從而能降低受光面的反射率。

接著，對(duì)經(jīng)過(guò)紋理蝕刻的摻鎵硅基板11形成用于形成發(fā)射極層(磷擴(kuò)散層)12的擴(kuò)散掩模(參照?qǐng)D5(c))。擴(kuò)散掩?？赏ㄟ^(guò)將摻鎵硅基板11放入橫式爐，利用熱氧化而使氧化膜成長(zhǎng)，并對(duì)其一面進(jìn)行蝕刻而形成。

接著，對(duì)形成有擴(kuò)散掩模的摻鎵硅基板11進(jìn)行磷擴(kuò)散(參照?qǐng)D5(d))。磷擴(kuò)散可通過(guò)例如將摻鎵硅基板11放入橫式爐，在氧和pocl3氣體環(huán)境中進(jìn)行熱處理而進(jìn)行。為了降低制造成本，也可不形成前述擴(kuò)散掩模，而在擴(kuò)散時(shí)將2片摻鎵基板11放入石英舟的一個(gè)槽內(nèi)，并以使其中一面不會(huì)被pocl3氣體包圍的方式在另一面形成磷擴(kuò)散層。

接著，利用氟酸除去已形成在摻鎵硅基板11的表面上的磷玻璃及氧化硅膜(參照?qǐng)D5(e))。

接著，在摻鎵硅基板11的發(fā)射極層12的受光面?zhèn)缺砻嫘纬墒芄饷婵狗瓷淠?4(參照?qǐng)D5(f))。受光面抗反射膜14可通過(guò)例如利用等離子化學(xué)氣相沉積(cvd)形成氮化硅膜而形成。

接著，在摻鎵硅基板11的背面?zhèn)缺砻嫘纬杀趁驿X電極16(參照?qǐng)D5(g))。背面鋁電極16可通過(guò)例如利用絲網(wǎng)印刷將鋁(al)膏印在摻鎵硅基板11的背面的匯流條電極部以外的部分而形成。接著，使用銀膏，利用絲網(wǎng)印刷，在摻鎵硅基板11的背面的匯流條電極部形成銀電極(未圖示)。

接著，在受光面抗反射膜14的受光面?zhèn)缺砻嫘纬墒芄饷骐姌O15(參照?qǐng)D5(h))。受光面電極15可通過(guò)例如使用銀膏并按所需的圖案進(jìn)行絲網(wǎng)印刷而形成。

接著，對(duì)形成有背面鋁電極16及受光面電極15的摻鎵硅基板11進(jìn)行焙燒(參照?qǐng)D5(i))。進(jìn)行該焙燒時(shí)，鋁從背面鋁電極16擴(kuò)散到摻鎵硅基板11內(nèi)，形成bsf層(鋁擴(kuò)散層)13。另外，可不在受光面抗反射膜14形成開(kāi)口，而在焙燒時(shí)，使受光面電極15穿過(guò)該膜，從而使受光面電極15與發(fā)射極層12電連接。

如上文所述，可制造圖2的太陽(yáng)能電池10。

實(shí)施例

以下，示出實(shí)施例及比較例來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更具體的說(shuō)明，但本發(fā)明并不限于此。

(實(shí)施例1)

利用圖1中說(shuō)明的制造方法來(lái)制造區(qū)熔單晶硅。其中，浮區(qū)處理時(shí)的壓力設(shè)為1.6氣壓，浮區(qū)處理時(shí)未利用摻雜氣體追加摻雜鎵。使用從制造出來(lái)的區(qū)熔單晶硅切取的摻鎵硅基板，利用圖5中所說(shuō)明的制造方法，制造圖2的太陽(yáng)能電池10。

針對(duì)制造出來(lái)的太陽(yáng)能電池，測(cè)定太陽(yáng)能電池的特性(短路電流密度、開(kāi)路電壓、填充因子、轉(zhuǎn)換效率)。將其結(jié)果示于表1。這里，短路電流密度是連接于太陽(yáng)能電池的電阻器的電阻為0ω時(shí)的電流密度值，開(kāi)路電壓是連接于太陽(yáng)能電池的電阻器的電阻非常大時(shí)的電壓值，填充因子(形狀因子)是最大發(fā)電功率/(短路電流×開(kāi)路電壓)，轉(zhuǎn)換效率是(來(lái)自太陽(yáng)能電池的輸出/進(jìn)入太陽(yáng)能電池的太陽(yáng)能量)×100。

(實(shí)施例2)

以與實(shí)施例1同樣的方法來(lái)制造區(qū)熔單晶硅。其中，浮區(qū)處理時(shí)的壓力設(shè)為1.8氣壓。使用從制造出來(lái)的區(qū)熔單晶硅切取的摻鎵硅基板，利用圖5中所說(shuō)明的制造方法，制造圖2的太陽(yáng)能電池10。

針對(duì)制造出來(lái)的太陽(yáng)能電池，測(cè)定太陽(yáng)能電池的特性(短路電流密度、開(kāi)路電壓、填充因子、轉(zhuǎn)換效率)。將其結(jié)果示于表1。

(實(shí)施例3)

以與實(shí)施例1同樣的方式來(lái)制造區(qū)熔單晶硅。其中，浮區(qū)處理時(shí)的壓力設(shè)為2.0氣壓。使用從制造出來(lái)的區(qū)熔單晶硅切取的摻鎵硅基板，利用圖5中說(shuō)明的制造方法，制造圖2的太陽(yáng)能電池10。

針對(duì)制造出來(lái)的太陽(yáng)能電池，測(cè)定太陽(yáng)能電池的特性(短路電流密度、開(kāi)路電壓、填充因子、轉(zhuǎn)換效率)。將其結(jié)果示于表1。

(實(shí)施例4)

以與實(shí)施例1同樣的方式來(lái)制造區(qū)熔單晶硅。其中，浮區(qū)處理時(shí)，利用摻雜氣體追加摻雜鎵。使用從制造出來(lái)的區(qū)熔單晶硅切取的摻鎵硅基板，利用圖5中說(shuō)明的制造方法，制造圖2的太陽(yáng)能電池10。

針對(duì)制造出來(lái)的太陽(yáng)能電池，測(cè)定太陽(yáng)能電池的特性(短路電流密度、開(kāi)路電壓、填充因子、轉(zhuǎn)換效率)。將其結(jié)果示于表1。

(比較例1)

以與實(shí)施例1同樣的方式制造區(qū)熔單晶硅。其中，浮區(qū)處理時(shí)的壓力設(shè)為1.2氣壓。使用從制造出來(lái)的區(qū)熔單晶硅切取的摻鎵硅基板，利用圖5中說(shuō)明的制造方法，制造圖2的太陽(yáng)能電池10。

針對(duì)制造出來(lái)的太陽(yáng)能電池，測(cè)定太陽(yáng)能電池的特性(短路電流密度、開(kāi)路電壓、填充因子、轉(zhuǎn)換效率)。將其結(jié)果示于表1。

(比較例2)

以與實(shí)施例1同樣的方式來(lái)制造區(qū)熔單晶硅。其中，浮區(qū)處理時(shí)的壓力設(shè)為1.4氣壓。使用從制造出來(lái)的區(qū)熔單晶硅切取的摻鎵硅基板，利用圖5中說(shuō)明的制造方法，制造圖2的太陽(yáng)能電池10。

針對(duì)制造出來(lái)的太陽(yáng)能電池，測(cè)定太陽(yáng)能電池的特性(短路電流密度、開(kāi)路電壓、填充因子、轉(zhuǎn)換效率)。將其結(jié)果示于表1。

(比較例3)

以與實(shí)施例1同樣的方式來(lái)制造區(qū)熔單晶硅。其中，作為摻雜劑，使用硼。使用從制造出來(lái)的區(qū)熔單晶硅切取的摻硼的硅基板，利用圖5中說(shuō)明的制造方法，制造太陽(yáng)能電池。

針對(duì)制造出來(lái)的太陽(yáng)能電池，測(cè)定太陽(yáng)能電池的特性(短路電流密度、開(kāi)路電壓、填充因子、轉(zhuǎn)換效率)。將其結(jié)果示于表1。

(比較例4)

利用直拉法制造摻鎵直拉單晶硅。使用從制造出來(lái)的直拉單晶硅切取的摻鎵硅基板，利用圖5中說(shuō)明的制造方法，制造圖2的太陽(yáng)能電池10。

針對(duì)制造出來(lái)的太陽(yáng)能電池，測(cè)定太陽(yáng)能電池的特性(短路電流密度、開(kāi)路電壓、填充因子、轉(zhuǎn)換效率)。將其結(jié)果示于表1。

[表1]

根據(jù)表1可知，與浮區(qū)處理時(shí)的壓力未達(dá)1.6氣壓的比較例1～2相比，浮區(qū)處理時(shí)的壓力為1.6氣壓以上的實(shí)施例1～4中的轉(zhuǎn)換效率提升。而且，與以硼為摻雜劑的比較例3相比，以鎵為摻雜劑的實(shí)施例1中的轉(zhuǎn)換效率提升。而且，與利用直拉法制造單晶硅的比較例4相比，利用原料棒采用直拉晶體的區(qū)熔法來(lái)制造單晶硅的實(shí)施例1中的轉(zhuǎn)換效率提升。而且，與未利用摻雜氣體而追加摻雜鎵的實(shí)施例1～3相比，利用摻雜氣體追加摻雜鎵的實(shí)施例4中的轉(zhuǎn)換效率進(jìn)一步提升，而且具有所需電阻率的晶體的比例(良率)提升。

另外，本發(fā)明并不限于前述實(shí)施方式。前述實(shí)施方式僅為示例，具有與本發(fā)明的權(quán)利要求書(shū)中記載的技術(shù)思想實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)成并具有相同作用效果的任何技術(shù)方案，皆包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。