1.一種全方位寬帶減反膜的制備方法，其特征在于：所述的制備方法為，
采用溶膠-凝膠法，以正硅酸四乙酯為硅源、無水乙醇為溶劑、氨水為催化劑，制備得到實(shí)心SiO2粒子溶膠；以正硅酸四乙酯為原料、聚丙烯酸為模板劑、無水乙醇為溶劑、氨水為催化劑，制備得到粒子大小均一、以聚丙烯酸為模板且壁厚不等的各種SiO2粒子溶膠；以無水乙醇、H2O、質(zhì)量濃度為37％的濃鹽酸，正硅酸乙酯，制備得到粘合劑SiO2溶膠；將上述所得溶膠分類混合后，通過浸漬-提拉法層層鍍膜并高溫固化，最后焙燒脫除模板劑。
2.如權(quán)利要求1所述的全方位寬帶減反膜的制備方法，其特征在于：
(1)將所述的粘合劑SiO2溶膠和所述的實(shí)心SiO2粒子溶膠混合均勻，得到底層薄膜的鍍膜溶膠；
(2)將所述的粒子大小均一、以聚丙烯酸為模板且壁厚不等的各種SiO2粒子溶膠分別與所述的粘合劑SiO2溶膠混合均勻，得到各種上層薄膜的鍍膜溶膠；
(3)在基片表面利用提拉法先鍍制一層步驟(1)中得到的底層薄膜的鍍膜溶膠，烘干固化后再于其上按照SiO2粒子壁厚逐漸減小的順序，利用提拉法逐層鍍制步驟(2)中得到的上層薄膜的鍍膜溶膠并逐一烘干固化，最后通過高溫焙燒脫除模板劑，得到全方位寬帶減反膜。
3.如權(quán)利要求2所述的全方位寬帶減反膜的制備方法，其特征在于：步驟(3)中所述的基底為高硼酸硅玻璃。
4.如權(quán)利要求2所述的全方位寬帶減反膜的制備方法，其特征在于：步驟(3)中，鍍制步驟(1)中得到的底層薄膜的鍍膜溶膠時(shí)，提拉速率為160mm/min；烘干操作為100℃下固化2h。
5.如權(quán)利要求2所述的全方位寬帶減反膜的制備方法，其特征在于：步驟(3)中，逐層鍍制步驟(2)中得到的上層薄膜的鍍膜溶膠時(shí)，提拉速率均為160mm/min；每層烘干操作均為100℃下固化2h。
6.如權(quán)利要求2所述的全方位寬帶減反膜的制備方法，其特征在于：步驟(3)中，焙燒操作為，550℃馬弗爐中煅燒2h。