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BCNT/Co-800+BMIMPF6材料及其制備的MEMS氧氣傳感器

文檔序號:39678987發(fā)布日期:2024-10-18 13:22閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種bcnt/co-800+bmimpf6材料,其特征在于:為石墨相氮化碳衍生的竹節(jié)狀碳納米管/鈷納米顆粒雜化物和離子液體1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸鹽的復合物,制備方法包括以下步驟:

2.根據(jù)權(quán)利要求要求1所述的bcnt/co-800+bmimpf6材料,其特征在于:步驟(1)中,1-甲基咪唑、溴丁烷和六氟磷酸鉀的摩爾比為50:(45-60):(55-65)。

3.根據(jù)權(quán)利要求要求1所述的bcnt/co-800+bmimpf6材料,其特征在于:步驟(3)中,g-c3n4和co(no3)2·6h2o的質(zhì)量比為1:(0.5-2)。

4.根據(jù)權(quán)利要求要求1所述的bcnt/co-800+bmimpf6材料,其特征在于:步驟(3)中,酸刻蝕處理時,采用濃度0.5-1.5m的h2so4溶液。

5.根據(jù)權(quán)利要求要求1所述的bcnt/co-800+bmimpf6材料,其特征在于:步驟(3)中,兩次熱解升溫速率為1-10℃/min。

6.根據(jù)權(quán)利要求要求1所述的bcnt/co-800+bmimpf6材料,其特征在于:步驟(4)中,bcnt/co-800和bmimpf6的質(zhì)量體積比為(0.5-3):(1-7)mg/ml。

7.一種由權(quán)利要求1-6任一項所述的bcnt/co-800+bmimpf6材料制備的mems氧氣傳感器,其特征在于:包括從上到下依次設(shè)置的管殼蓋板(1)、第一硅片(7)、第二硅片(9)和管殼底座(11);所述管殼蓋板(1)上設(shè)置有若干個貫通的蓋板氣孔(2),所述管殼蓋板(1)的下表面設(shè)置有防水透氣膜(3);所述第一硅片(7)上設(shè)置有若干個貫通的硅片氣孔(4),所述第一硅片(7)的上表面設(shè)置有工作電極(5)和對電極(6);所述第二硅片(9)的上表面設(shè)置有參比電極(10);所述管殼底座(11)內(nèi)部設(shè)置有導線焊接點(13),外部設(shè)置有焊接點引線(14);所述管殼蓋板(1)和管殼底座(11)之間形成的腔室為電解槽(12),第一硅片(7)和第二硅片(9)之間通過駐壩膠(8)固定連接,并安裝在電解槽(12)中;所述電解槽(12)中放置bcnt/co-800+bmimpf6材料作為電解質(zhì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的bcnt/co-800+bmimpf6材料制備的mems氧氣傳感器,其特征在于:第一硅片(7)上濺射金作為工作電極(5)和對電極(6);第二硅片(9)上濺射銀/氯化銀作為參比電極(10)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的bcnt/co-800+bmimpf6材料制備的mems氧氣傳感器,其特征在于:駐壩膠(8)設(shè)置在第一硅片(7)和第二硅片(9)的四角處,駐壩膠高度為0.05-0.1mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的bcnt/co-800+bmimpf6材料制備的mems氧氣傳感器,其特征在于:管殼底座(11)的外槽尺寸為(4.5-5.5)mm×(4.5-5.5)mm×(1-1.5)mm,內(nèi)槽尺寸為(3-4)mm×(2-3)mm×(0.5-0.9)mm;第一硅片(7)和第二硅片(9)的厚度為0.2-0.4mm,長度和寬度比管殼底座(11)內(nèi)槽小0.04-0.1mm。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于電解質(zhì)材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及BCNT/Co?800+BMIMPF<subgt;6</subgt;材料及其制備的MEMS氧氣傳感器。所述BCNT/Co?800+BMIMPF<subgt;6</subgt;材料為石墨相氮化碳衍生的竹節(jié)狀碳納米管/鈷納米顆粒雜化物和離子液體1?丁基?3?甲基咪唑六氟磷酸鹽的復合物,其兼具液體電解質(zhì)和固體電解質(zhì)的優(yōu)點,具有高熱穩(wěn)定性和高化學穩(wěn)定性,可以在極端環(huán)境條件下使用;所述MEMS氧氣傳感器,采用上述材料作為電解質(zhì),采用硅片作為基底材料,第一硅片上濺射金作為工作電極和對電極,第二硅片上濺射銀/氯化銀作為參比電極,具有體積小,響應靈敏,穩(wěn)定性高的優(yōu)點。

技術(shù)研發(fā)人員:郭亮,張芹,孟維琦,汪洋,王俊花,宋立景,李春輝,司繼科,孫凱
受保護的技術(shù)使用者:中國石油大學(華東)
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/10/17
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