本文中描述的本公開(kāi)的實(shí)施例涉及包括經(jīng)受化學(xué)強(qiáng)化的鋼化玻璃基底的窗、包括窗的顯示裝置、以及包括使玻璃基底經(jīng)受化學(xué)強(qiáng)化的步驟的窗制造方法。

背景技術(shù)：

1、顯示裝置用于各種多媒體裝置(諸如電視機(jī)、移動(dòng)電話、平板計(jì)算機(jī)和游戲機(jī)等)，以向用戶(hù)提供圖像信息。多個(gè)顯示裝置中的每一個(gè)可以包括顯示模塊和窗。

2、包括在顯示裝置中的窗將由顯示模塊提供的圖像信息有效地傳送到外部，并保護(hù)顯示模塊免受外部的影響。正在進(jìn)行研究以加強(qiáng)窗中使用的玻璃基底的耐沖擊性。例如，可以執(zhí)行熱處理或化學(xué)處理等以改善玻璃基底的強(qiáng)度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的實(shí)施例提供了一種具有改善的強(qiáng)度的窗以及窗制造方法。

2、本公開(kāi)的實(shí)施例提供了一種包括具有改善的強(qiáng)度的窗的顯示裝置。

3、根據(jù)實(shí)施例，一種窗包括包含li+離子、na+離子、以及k+離子的鋼化玻璃基底。所述鋼化玻璃基底包括：基體層；以及壓縮應(yīng)力層，設(shè)置在所述基體層的上表面和下表面中的至少一者上。所述壓縮應(yīng)力層包括：第一區(qū)域，具有第一壓縮應(yīng)力變化率；以及第二區(qū)域，具有小于第一壓縮應(yīng)力變化率的第二壓縮應(yīng)力變化率。所述第一壓縮應(yīng)力變化率和所述第二壓縮應(yīng)力變化率中的每一者被限定為壓縮應(yīng)力的依據(jù)基于所述鋼化玻璃基底的厚度方向的深度的變化率。所述第二區(qū)域包括：第一部分，所述第一部分包括第一點(diǎn)并且與所述第一區(qū)域相鄰；第二部分，所述第二部分包括第二點(diǎn)并且與所述基體層相鄰；以及第三部分，所述第三部分包括第三點(diǎn)并且設(shè)置在所述第一部分與所述第二部分之間。所述第一點(diǎn)處的壓縮應(yīng)力在約100mpa至約250mpa的范圍內(nèi)，所述第二點(diǎn)處的壓縮應(yīng)力在約50mpa至約150mpa的范圍內(nèi)，并且所述第三點(diǎn)處的壓縮應(yīng)力在約70mpa至約200mpa的范圍內(nèi)。所述壓縮應(yīng)力按照astm標(biāo)準(zhǔn)c770-16來(lái)測(cè)量。

4、基于所述厚度方向，所述第一點(diǎn)可以位于距所述鋼化玻璃基底的表面約30μm的深度處?；谒龊穸确较?，所述第二點(diǎn)可以位于距所述鋼化玻璃基底的所述表面約70μm的深度處?；谒龊穸确较?，所述第三點(diǎn)可以位于距所述鋼化玻璃基底的所述表面約50μm的深度處。

5、所述壓縮應(yīng)力層可以具有在約100μm至約130μm的范圍內(nèi)的厚度。

6、所述鋼化玻璃基底的表面上的壓縮應(yīng)力可以在約750mpa至約1300mpa的范圍內(nèi)。

7、通過(guò)對(duì)依據(jù)所述壓縮應(yīng)力層的深度的壓縮應(yīng)力進(jìn)行積分而獲得的值可以在約10,000j/m2至約14,000j/m2的范圍內(nèi)。

8、所述第一區(qū)域可以與所述基體層間隔開(kāi)，且所述第二區(qū)域設(shè)置在所述第一區(qū)域與所述基體層之間。

9、所述鋼化玻璃基底可以具有在約400μm至約800μm的范圍內(nèi)的厚度。

10、根據(jù)實(shí)施例，一種顯示裝置包括顯示模塊和窗。所述窗設(shè)置在所述顯示模塊上，并且包括基體層、以及設(shè)置在所述基體層的上表面和下表面中的至少一者上的壓縮應(yīng)力層。所述壓縮應(yīng)力層包括：第一區(qū)域，具有第一壓縮應(yīng)力變化率；以及第二區(qū)域，具有小于第一壓縮應(yīng)力變化率的第二壓縮應(yīng)力變化率。所述第一壓縮應(yīng)力變化率和所述第二壓縮應(yīng)力變化率中的每一者被限定為壓縮應(yīng)力的依據(jù)基于所述窗的厚度方向的深度的變化率。所述第二區(qū)域包括：第一部分，所述第一部分包括第一點(diǎn)并且與所述第一區(qū)域相鄰；第二部分，所述第二部分包括第二點(diǎn)并且與所述基體層相鄰；以及第三部分，所述第三部分設(shè)置在所述第一部分與所述第二部分之間并且包括第三點(diǎn)。所述第一點(diǎn)處的壓縮應(yīng)力在約100mpa至約250mpa的范圍內(nèi)，所述第二點(diǎn)處的壓縮應(yīng)力在約50mpa至約150mpa的范圍內(nèi)，并且所述第三點(diǎn)處的壓縮應(yīng)力在約70mpa至約200mpa的范圍內(nèi)。所述壓縮應(yīng)力按照astm標(biāo)準(zhǔn)c770-16來(lái)測(cè)量。

11、基于所述厚度方向，所述第一點(diǎn)可以位于距所述窗的表面約30μm的深度處?；谒龊穸确较颍龅诙c(diǎn)可以位于距所述窗的所述表面約70μm的深度處?；谒龊穸确较?，所述第三點(diǎn)可以位于距所述窗的所述表面約50μm的深度處。

12、所述窗的表面上的壓縮應(yīng)力可以在約750mpa至約1300mpa的范圍內(nèi)，并且通過(guò)對(duì)依據(jù)所述壓縮應(yīng)力層的深度的壓縮應(yīng)力進(jìn)行積分而獲得的值可以在約10,000j/m2至約14,000j/m2的范圍內(nèi)。

13、所述窗可以具有在約400μm至約800μm的范圍內(nèi)的厚度，并且所述壓縮應(yīng)力層可以具有在約100μm至約130μm的范圍內(nèi)的厚度。

14、根據(jù)實(shí)施例，一種窗制造方法包括：制備包含li+離子和na+離子的第一初步玻璃基底；通過(guò)向所述第一初步玻璃基底提供包含na+離子的第一強(qiáng)化熔鹽來(lái)形成第二初步玻璃基底；通過(guò)向所述第二初步玻璃基底提供包含na+離子和k+離子的第二強(qiáng)化熔鹽來(lái)形成第三初步玻璃基底；以及通過(guò)向所述第三初步玻璃基底提供包含k+離子的第三強(qiáng)化熔鹽來(lái)形成鋼化玻璃基底。

15、所述第一強(qiáng)化熔鹽可以包含nano3，并且可以不包含k+離子。

16、所述第二強(qiáng)化熔鹽可以包含nano3和kno3。基于所述第二強(qiáng)化熔鹽的總重量，nano3可以在約30wt％至約70wt％的范圍內(nèi)，并且kno3可以在約30wt％至約70wt％的范圍內(nèi)。

17、所述第三強(qiáng)化熔鹽可以包含kno3，并且可以不包含na+離子。

18、所述第三初步玻璃基底可以包括壓縮應(yīng)力層，并且所述第三初步玻璃基底的壓縮應(yīng)力層可以具有在約90μm至約120μm的范圍內(nèi)的厚度。

19、壓縮應(yīng)力的依據(jù)基于所述第三初步玻璃基底的厚度方向的深度的斜率可以大于約-10mpa/μm且小于約0mpa/μm，并且所述壓縮應(yīng)力可以按照astm標(biāo)準(zhǔn)c770-16來(lái)測(cè)量。

20、基于所述第三初步玻璃基底的厚度方向，距所述第三初步玻璃基底的表面約30μm的深度處的壓縮應(yīng)力可以在約180mpa至約300mpa的范圍內(nèi)?；谒龊穸确较?，距所述第三初步玻璃基底的所述表面約50μm的深度處的壓縮應(yīng)力可以在約100mpa至約200mpa的范圍內(nèi)。所述壓縮應(yīng)力可以按照astm標(biāo)準(zhǔn)c770-16來(lái)測(cè)量。

21、基于所述鋼化玻璃基底的厚度方向，距所述鋼化玻璃基底的表面約30μm的深度處的壓縮應(yīng)力可以在約100mpa至約250mpa的范圍內(nèi)?；谒龊穸确较?，距所述鋼化玻璃基底的所述表面約50μm的深度處的壓縮應(yīng)力可以在約70mpa至約200mpa的范圍內(nèi)。基于所述厚度方向，距所述鋼化玻璃基底的所述表面約70μm的深度處的壓縮應(yīng)力可以在約50mpa至約150mpa的范圍內(nèi)。所述壓縮應(yīng)力可以按照astm標(biāo)準(zhǔn)c770-16來(lái)測(cè)量。

22、所述鋼化玻璃基底可以包括壓縮應(yīng)力層，并且所述鋼化玻璃基底的所述壓縮應(yīng)力層可以具有在約100μm至約130μm的范圍內(nèi)的厚度。

23、所述鋼化玻璃基底可以包括壓縮應(yīng)力層。所述鋼化玻璃基底的表面上的壓縮應(yīng)力可以在約750mpa至約1300mpa的范圍內(nèi)。所述壓縮應(yīng)力可以按照astm標(biāo)準(zhǔn)c770-16來(lái)測(cè)量。

24、所述鋼化玻璃基底可以包括壓縮應(yīng)力層，并且通過(guò)對(duì)依據(jù)所述壓縮應(yīng)力層的深度的壓縮應(yīng)力進(jìn)行積分而獲得的值可以在約10,000j/m2至約14,000j/m2的范圍內(nèi)。