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一種摻雜稀土配位聚合物白光發(fā)光材料及其制備方法與流程

文檔序號:11107899閱讀:3597來源:國知局
一種摻雜稀土配位聚合物白光發(fā)光材料及其制備方法與制造工藝

本發(fā)明屬于發(fā)光與顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種白光發(fā)射材料,分子式為{[Tb0.695Eu0.305(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n的配合物的制備方法。



背景技術(shù):

白光發(fā)光二極管(WLED)由于具有發(fā)光效率高、能耗低、使用壽命長等諸多優(yōu)勢逐漸取代了傳統(tǒng)的白熾燈和日光燈,主要應用于照明和顯示器等方面。近年來,利用稀土配位聚合物合成出高能效的白光發(fā)光材料逐漸引起了人們的注意。稀土配位聚合物是一類結(jié)構(gòu)新穎的復合材料,具有結(jié)構(gòu)多樣、可調(diào)節(jié)性強、性能豐富等特點。稀土元素因為具有獨特的4f組態(tài),而顯示出了不同于其他金屬的性質(zhì),例如:高的配位數(shù),強的配位能力,從可見光區(qū)到紅外光區(qū)的好的發(fā)光特性,長的發(fā)光壽命等。利用稀土元素獨特的發(fā)光特性,結(jié)合配體與稀土元素、不同稀土元素之間存在的能量轉(zhuǎn)移,即所謂的“天線效應”,有望合成出可發(fā)射白光的稀土配位聚合物發(fā)光材料。

由于大多數(shù)稀土離子具有相似的化學性質(zhì),特別是其離子半徑相近,因此可以在同一稀土配位聚合物中,通過摻雜入不同種類的稀土金屬離子而不改變配位聚合物的結(jié)構(gòu),通過調(diào)節(jié)產(chǎn)物中不同金屬離子的比例,可以實現(xiàn)顏色的調(diào)控,合成出較為理想的白光;另外,由于稀土配位聚合物發(fā)光性能還取決于有機配體對紫外或可見光的吸收能力、配體到稀土離子間的有效能量傳遞以及稀土離子之間的能級匹配,所以想合成出高發(fā)光純度、長使用壽命的稀土配位聚合物白光發(fā)光材料仍然存在許多困難,需要選擇合適的稀土金屬離子和有機配體,探索生成目標配合物所需要的合適的溫度、pH等反應條件。本發(fā)明所制備的化合物能夠通過簡單地改變Eu3+離子的比例,調(diào)節(jié)材料的發(fā)光性能,獲得白光材料,該方法簡單易行,原料易得,具備一定的經(jīng)濟和社會效益。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于提供一種用作白光發(fā)光材料的摻雜稀土配位聚合物及其制備方法,其分子式為{[Tb0.695Eu0.305(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n。本發(fā)明選用含有功能化羥基基團的有機羧酸配體2,5-二羥基對苯二甲酸與稀土金屬Tb3+、Eu3+離子進行反應制備稀土配合物,通過調(diào)節(jié)配合物中Eu3+的比例,最終獲得白光發(fā)光材料。

為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:

所述的白光發(fā)光材料{[Tb0.695Eu0.305(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n化合物的制備方法為溶劑熱合成法。稱取0.3mmol的2,5-二羥基對苯二甲酸和0.0302mmol硝酸銪六水、0.0698mmol硝酸鋱六水加入到23mL聚四氟乙烯高壓反應釜中,加入6mLDMF,加入含36wt%-38wt%HCl的濃鹽酸溶液,調(diào)節(jié)pH=3.5,室溫下攪拌10min,將密封好的反應釜放在烘箱中120℃恒溫兩天,然后均勻降溫一天至室溫,得到黃褐色塊狀晶體,即為所述配位聚合物,產(chǎn)率計算約為35%(以Eu計算)。

該白光發(fā)光材料是通過在{[Eu2(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n配合物中摻雜稀土金屬Tb3+離子,調(diào)節(jié)Eu3+離子的含量,引起有機配體和Eu3+離子發(fā)光強度的變化,當Eu3+離子含量為30.5%時,產(chǎn)物在紫外光激發(fā)下可發(fā)出較為理想的白光,其CIE色度坐標為(0.34,0.31)。

本發(fā)明的顯著優(yōu)點在于:

(1)本發(fā)明以2,5-二羥基對苯二甲酸配體與Eu、Tb金屬鹽反應,生成了Tb、Eu混合的摻雜稀土配位聚合物,所得產(chǎn)物中各稀土金屬的成分接近于所加入原料的比例,從而易于通過控制原料各稀土金屬的比例,來調(diào)節(jié)產(chǎn)物的發(fā)光性能;

(2)本發(fā)明采用溶劑熱合成法,合成方法簡單易行,產(chǎn)品純度高,晶相好;

(3){[Tb0.695Eu0.305(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n化合物在室溫中,370nm的紫外光激發(fā)下能夠產(chǎn)生較為理想的白光發(fā)射,其CIE色度坐標為(0.34,0.31),可用于制備新型的白光發(fā)光材料,具有很好的實用價值和應用前景。

附圖說明

圖1是所得{[Tb2(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n的局部結(jié)構(gòu)圖。

圖2是所得{[Tb2(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n的三維結(jié)構(gòu)圖。

圖3是所得{[Tb0.695Eu0.305(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n的能譜圖。

圖4是所得不同Tb3+/Eu3+比例的{[TbxEu1-x(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n的粉末衍射圖。

圖5是不同Tb3+/Eu3+比例的{[TbxEu1-x(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n的紅外光譜圖。制樣方式采用KBr壓片。

圖6-7分別是{[Tb2(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n和{[Eu2(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n在室溫中紫外光370nm激發(fā)下的熒光光譜圖。

圖8是不同Tb3+/Eu3+比例的{[TbxEu1-x(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n在室溫中紫外光370nm激發(fā)下的熒光光譜圖。

圖9不同Tb3+/Eu3+比例的{[TbxEu1-x(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n(x=0.5-0.9)和圖10{[Tb0.695Eu0.305 (DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n在室溫中紫外光370nm激發(fā)下的CIE色度坐標圖。

圖11{[Eu2(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n和圖12{[Tb0.695Eu0.305(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n在室溫中紫外光370nm激發(fā)下的熒光壽命圖。

具體實施方式

實施例1

白光發(fā)光材料{[Tb0.695Eu0.305(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n配合物的制備。

稱取0.3mmol的2,5-二羥基對苯二甲酸和0.0302mmol硝酸銪六水、0.0698mmol硝酸鋱六水,加入到23mL聚四氟乙烯高壓反應釜中,加入6mL DMF,加入含36wt%-38wt%HCl的濃鹽酸溶液,調(diào)節(jié)pH=3.5,室溫下攪拌10min,將密封好的反應釜放在烘箱中120℃恒溫兩天,然后均勻降溫一天至室溫,得到黃褐色塊狀晶體,即為所述配位聚合物,產(chǎn)率計算約為35%(以Eu計算)。該聚合物在室溫中,370nm的紫外光激發(fā)下,可發(fā)出白光,其CIE色度坐標為(0.34,0.31)。

圖1展示了所合成的{[Tb2(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n晶體的局部結(jié)構(gòu)。其中,每個Tb3+離子與五個2,5-二羥基對苯二甲酸分子中的六個羧基氧原子和兩個DMF溶劑分子的氧原子形成八配位的多面體結(jié)構(gòu)。

圖2為{[Tb2(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n的三維結(jié)構(gòu)圖,從圖中可以看出該化合物具有一維孔道結(jié)構(gòu),孔道體積約占總晶胞體積的42.8%。

圖3展示了{[Tb0.695Eu0.305 (DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n中Tb3+和Eu3+的含量,兩者比例約為Tb:Eu= 0.695:0.305,與投料比Tb:Eu= 0.698:0.302基本吻合。

圖4為不同Tb3+/Eu3+比例的{[TbxEu1-x(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n的粉末衍射圖,從圖中可以看出摻雜前后,晶體結(jié)構(gòu)并沒有發(fā)生明顯改變,仍然為純相。

圖5為不同Tb3+/Eu3+比例的{[TbxEu1-x(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n的紅外光譜圖,從圖中也可以證明摻雜前后的產(chǎn)物紅外光譜基本保持不變,配位聚合物的紅外光譜圖在3200cm-1附近出現(xiàn)了配體的νO-H伸縮振動峰,在1700 cm-1附近沒有出現(xiàn)特征吸收峰,說明配合物中2,5-二羥基對苯二甲酸中的羧基氧脫去質(zhì)子并參與配位,而羥基氧則未參與配位。

實施例2

通過改變配合物中Eu3+的含量,獲得較為理想的白光發(fā)光材料。

以{[Eu2(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n為基質(zhì)材料,摻雜不同比例的Tb3+離子,得到一系列的{[TbxEu1-x(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n配合物。在室溫中,紫外光370nm的激發(fā)波長下,測試熒光光譜,得到相對應CIE色度坐標。

圖6-7所示是只有單一金屬離子(僅含Eu3+或Tb3+)的目標配合物的熒光光譜,其中Tb-配合物并沒有顯示出Tb3+離子的特征峰,只有配體峰的發(fā)光,說明配體受激發(fā)后,能量不能有效地轉(zhuǎn)移給Tb3+離子,即不能敏化Tb3+離子發(fā)光。而Eu-配合物的熒光圖中,既存在Eu3+離子的特征峰,也顯示了配體的發(fā)射峰,只是配體發(fā)射峰比較弱,說明配體對Eu3+離子存在明顯的敏化作用。因此可以通過調(diào)節(jié)配合物中Eu3+離子的比例,改變兩種發(fā)射峰的相對強度,進而獲得比較理想的白光發(fā)光材料。

圖8是配合物中Tb3+和Eu3+離子的摩爾比例分別從0.9:0.1變化到0.5:0.5的熒光圖。

圖9-10可以看出來明顯的顏色變化,隨著Eu3+的含量的增加,顏色逐漸從藍色向白色變化,Eu3+的摩爾比例在0.5時有點開始偏向黃色,因此選擇在Eu3+的摩爾比例為0.5附近進行調(diào)節(jié),經(jīng)過多次實驗發(fā)現(xiàn),在Tb3+/Eu3+離子的摩爾比例為0.695/0.305時,產(chǎn)生了比較理想的白光發(fā)射,其CIE色坐標為(0.34,0.31)。

圖11-12分別是{[Eu2(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n和{[Tb0.695Eu0.305(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n的熒光壽命圖。經(jīng)過計算,摻雜Tb3+的配合物(τ=220ns)較單純含Eu3+的配合物(τ=130ns)有更長的熒光壽命。

表格一是{[Tb2(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n的X-射線單晶衍射數(shù)據(jù)簡表。

表格二是{[Tb2(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n的晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)中的原子坐標及等效各向同性位移參數(shù)。

表格三是{[Tb2(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n的部分鍵長鍵角表格。

表格一 樣品晶體結(jié)構(gòu)的晶體學數(shù)據(jù)

表格二 樣品晶體結(jié)構(gòu)的原子坐標(×104)和等效各向同性位移參數(shù)()

表格三是{[Tb2(DHBDC)3(DMF)4](DMF)2}n的部分鍵長鍵角表格。

表中的對稱操作代碼如下:#1 -x,-y,-z; #2 -x,-y-1,-z; #3 -x-1,-y,-z; #4 -x+1,-y+1,-z+1。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例,凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾,皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。

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