芯片接合膜、帶有切割片的芯片接合膜、半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及芯片接合膜、帶有切割片的芯片接合膜、半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的 制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 以往，在半導(dǎo)體裝置的制造過程中有時(shí)使用芯片接合膜（例如參照專利文獻(xiàn)1)。 芯片接合膜在將半導(dǎo)體芯片固定于引線框等被粘物時(shí)使用。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004] 專利文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開平05-179211號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 發(fā)明要解決的課題
[0007] 但是，芯片接合膜中，在將帶有芯片接合膜的半導(dǎo)體芯片在引線框等上進(jìn)行芯片 接合時(shí)，具有在芯片接合膜與半導(dǎo)體芯片之間、芯片接合膜與被粘物之間產(chǎn)生氣泡（空隙） 的問題。
[0008] 本發(fā)明鑒于所述問題而進(jìn)行，其目的在于提供即使在芯片接合膜與半導(dǎo)體芯片之 間、芯片接合膜與被粘物之間產(chǎn)生空隙，也能夠降低空隙的影響的芯片接合膜、以及帶有切 割片的芯片接合膜。另外在于提供使用該芯片接合膜、或該帶有切割片的芯片接合膜而制 造的半導(dǎo)體裝置。另外在于提供使用該帶有切割片的芯片接合膜的半導(dǎo)體裝置的制造方 法。
[0009] 解決課題的方法
[0010] 本發(fā)明人為了解決所述問題，進(jìn)行了深入研宄。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過采用下述構(gòu)成的芯 片接合膜，由此即使在芯片接合膜與半導(dǎo)體芯片之間、芯片接合膜與被粘物之間產(chǎn)生空隙， 也能夠降低空隙的影響，并且完成了本發(fā)明。
[0011] 即，本發(fā)明所涉及的芯片接合膜，其特征在于，加熱處理前在150°C下的儲(chǔ)存彈性 模量E' 1為0.1 MPa~lOMPa，所述E' 1與在150°C下加熱1小時(shí)后在150°C下的儲(chǔ)存彈性 模量E' 2之差即E' 2-E' 1為5MPa以下。
[0012] 根據(jù)所述構(gòu)成，加熱處理前在150°C下的儲(chǔ)存彈性模量E' 1為IOMPa以下，比較具 有柔軟性。因此，即使在芯片接合工序中產(chǎn)生空隙，也可以利用密封工序（利用密封樹脂密 封半導(dǎo)體芯片的工序）中的壓力，使該空隙在不發(fā)生膨脹的情況下分散在樹脂中，從而使 其在視覺上消失。結(jié)果，能夠降低空隙的影響。
[0013] 另外，所述E' 1與在150°C下加熱1小時(shí)后在150°C下的儲(chǔ)存彈性模量E' 2之差 (E' 2-E' 1)為5MPa以下，具有不易因密封工序前的熱歷史而變硬的性質(zhì)。因此，即使在經(jīng) 歷芯片的多段化等所致的長的熱歷史后，也能夠通過密封工序中的壓力使空隙在視覺上消 失。結(jié)果，能夠降低空隙的影響。
[0014] 另外，加熱處理前在150°C下的儲(chǔ)存彈性模量E' 1為0.1 MPa以上，因此能夠防止 絲焊時(shí)的芯片破裂。
[0015] 所述構(gòu)成中，優(yōu)選所述E' 1與所述E' 2之比（E' 1/E' 2)為0. 2~1。
[0016] 若所述比（E' 1/E' 2)為0. 2以上，則具有不易因密封工序前的熱歷史而變硬的性 質(zhì)。因此，即使在經(jīng)歷芯片的多段化等所致的長的熱歷史后，也能夠通過密封工序中的壓力 使空隙在視覺上消失。結(jié)果，能夠進(jìn)一步降低空隙的影響。
[0017] 所述構(gòu)成中，加熱處理前在150°C下的損失彈性模量E"1與在150°C下加熱1小時(shí) 后在150°C下的損失彈性模量E"2之差（E"2-E" 1)為IMPa以下，
[0018] 優(yōu)選所述E"1與所述E"2之比（E"l/E"2)為0.2~1。
[0019] 若所述差（E"2-E"l)為IMPa以下，并且所述比（E"l/E"2)為0.2以上，則具有 不易因密封工序前的熱歷史而變得更硬的性質(zhì)。因此，即使在經(jīng)歷芯片的多段化等所致的 長的熱歷史后，也能夠利用密封工序中的壓力使空隙在視覺上消失。結(jié)果，能夠進(jìn)一步降低 空隙的影響。
[0020] 所述構(gòu)成中，加熱處理前的損耗角正切tan δ 1的峰值溫度與在150°c下加熱1小 時(shí)后的損耗角正切tan δ 2的峰值溫度之差（tan δ 2-tan δ 1)優(yōu)選為KTC以內(nèi)。
[0021] 若所述差（tan δ 2-tan δ 1)為l〇°C以內(nèi)，則具有不易因密封工序前的熱歷史而引 起反應(yīng)的性質(zhì)。因此，即使在經(jīng)歷芯片的多段化等所致的長的熱歷史后，也能夠保持具有柔 軟性的狀態(tài)，也能夠利用密封工序中的壓力使空隙在視覺上消失。結(jié)果，能夠進(jìn)一步降低空 隙的影響。
[0022] 所述構(gòu)成中，加熱處理前在25°C下的拉伸斷裂伸長率Ll與在150°C下加熱1小時(shí) 后在25°C下的拉伸斷裂伸長率L2之比（L2/L1)優(yōu)選為0. 5~1. 0。
[0023] 若所述比（L2/L1)為0. 5以上，則即使施加某種程度的熱，拉伸斷裂伸長率的變化 也少。因此，具有不易因密封工序前的熱歷史而引起反應(yīng)的性質(zhì)。因此，即使在經(jīng)歷芯片的 多段化等所致的長的熱歷史后，也能夠保持具有柔軟性的狀態(tài)，也能夠利用密封工序中的 壓力使空隙在視覺上消失。結(jié)果，能夠進(jìn)一步降低空隙的影響。
[0024] 所述構(gòu)成中，優(yōu)選含有丙烯酸系共聚物，所述丙烯酸系共聚物通過將含有丙烯酸 烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯、和1重量％~30重量％的丙烯腈的單體原料聚合而得到，并 且具有環(huán)氧基或羧基作為官能團(tuán)。
[0025] 若含有具有作為官能團(tuán)的環(huán)氧基、或羧基的丙烯酸系共聚物，則能夠利用交聯(lián)形 成工序中的加熱通過所述官能團(tuán)而形成交聯(lián)。另外，若所述丙烯酸系共聚物為通過將含有 丙烯腈的單體原料聚合而得到的共聚物，則能夠提高交聯(lián)形成工序中的凝聚力。結(jié)果，能夠 提尚交聯(lián)形成工序后的粘接力。
[0026] 所述構(gòu)成中，優(yōu)選實(shí)質(zhì)上不含有熱交聯(lián)催化劑。
[0027] 若實(shí)質(zhì)上不含有熱交聯(lián)催化劑，則能夠抑制因密封工序前的熱歷史而導(dǎo)致的交聯(lián) 結(jié)構(gòu)的形成。
[0028] 所述構(gòu)成中，相對(duì)于全部有機(jī)樹脂組合物，優(yōu)選含有0~15重量％的熱交聯(lián)劑。
[0029] 若相對(duì)于全部有機(jī)樹脂組合物，含有0~15重量％的熱交聯(lián)劑，則能夠利用交聯(lián) 形成工序中的加熱與熱塑性樹脂所具有的官能團(tuán)形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。結(jié)果，能夠在交聯(lián)形成工 序中以抑制反應(yīng)性的方式進(jìn)行固化。
[0030] 所述構(gòu)成中，所述熱交聯(lián)劑優(yōu)選為選自環(huán)氧系熱交聯(lián)劑、酚系熱交聯(lián)劑、酸酐系熱 交聯(lián)劑中的至少1種以上。
[0031] 若所述熱交聯(lián)劑為選自環(huán)氧系熱交聯(lián)劑、酚系熱交聯(lián)劑、酸酐系熱交聯(lián)劑中的至 少1種以上，則可得到高的凝聚力，能夠在回流焊評(píng)價(jià)中得到高的耐熱性。
[0032] 另外，本發(fā)明所涉及的帶有切割片的芯片接合膜的特征在于，在切割片上設(shè)置有 所述芯片接合膜。
[0033] 另外，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的特征在于，使用所述的帶有切割片的芯片接 合膜而制造。
[0034] 另外，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，包括：
[0035] 準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備所述的帶有切割片的芯片接合膜；
[0036] 貼合工序，將所述帶有切割片的芯片接合膜的芯片接合膜與半導(dǎo)體晶片的背面貼 合；
[0037] 切割工序，將所述半導(dǎo)體晶片與所述芯片接合膜一起切割，形成芯片狀的半導(dǎo)體 芯片；
[0038] 拾取工序，將所述半導(dǎo)體芯片與所述芯片接合膜一起從所述帶有切割片的芯片接 合膜拾?。?br>[0039] 芯片接合工序，通過所述芯片接合膜在被粘物上芯片接合所述半導(dǎo)體芯片；
[0040] 密封工序，在所述芯片接合工序之后，利用密封樹脂將所述半導(dǎo)體芯片密封。
[0041] 根據(jù)所述構(gòu)成，由于使用了所述帶有切割片的芯片接合膜，因此即使在芯片接合 工序中產(chǎn)生空隙，也可以利用密封工序中的壓力，使該空隙在不發(fā)生膨脹的情況下分散在 樹脂中，從而使其在視覺上消失。結(jié)果，能夠降低空隙的影響。
[0042] 另外，所述E' 1與在150°C下加熱1小時(shí)后在150°C下的儲(chǔ)存彈性模量E' 2之差 (E'2-E'l)為5MPa以下，具有不易因密封工序前的熱歷史而變得更硬的性質(zhì)。因此即使在 經(jīng)歷芯片的多段化等所致的長的熱歷史后，也能夠利用密封工序中的壓力使空隙在視覺上 消失。結(jié)果，能夠降低空隙的影響。
【附圖說明】
[0043] 圖1為示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的帶有切割片的芯片接合膜的剖面示 意圖。
[0044] 圖2為用于說明本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)制造方法的剖面示意圖。
[0045] 符號(hào)說明
[0046] 10帶有切割片的芯片接合膜
[0047] 11切割片
[0048] 12 基材
[0049] 14粘合劑層
[0050] 16芯片接合膜
[0051] 4半導(dǎo)體晶片
[0052] 5半導(dǎo)體芯片
[0053] 6被粘物
[0054] 7 焊線
[0055] 8密封樹脂
【具體實(shí)施方式】
[0056] (帶有切割片的芯片接合膜）
[0057] 以下對(duì)于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的芯片接合膜、及帶有切割片的芯片接合 膜進(jìn)行說明。關(guān)于本實(shí)施方式所涉及的芯片接合膜，可舉出以下說明的帶有切割片的芯片 接合膜中未貼合切割片的狀態(tài)的芯片接合膜。因此，以下中，對(duì)帶有切割片的芯片接合膜進(jìn) 行說明，在其中說明芯片接合膜。圖1為示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的帶有切割片 的芯片接合膜的剖面示意圖。
[0058] 如圖1所示，帶有切割片的芯片接合膜10具有在切割片11上層疊有芯片接合膜 16的構(gòu)成。切割片11通過在基材12上層疊粘合劑層14而構(gòu)成，芯片接合膜16設(shè)置在粘 合劑層14上。
[0059] 需要說明的是，本實(shí)施方式中，對(duì)切割片11存在未被芯片接合膜16覆蓋的部分 14b的情況進(jìn)行說明，但本發(fā)明所涉及的帶有切割片的芯片接合膜并不限定于該例，也可以 以覆蓋整個(gè)切割片的方式在切割片層疊芯片接合膜。
[0060] 芯片接合膜16在加熱處理前在150°C下的儲(chǔ)存彈性模量E' 1為0.1 MPa~lOMPa， 優(yōu)選為〇. 2MPa~8MPa，更優(yōu)選為0. 2MPa~5MPa。
[0061] 另外，關(guān)于芯片接合膜16,所述E'l與在150°C下加熱1小時(shí)后在150°C下的儲(chǔ)存 彈性模量E' 2之差（E' 2-E' 1)為5MPa以下，優(yōu)選為4MPa以下，更優(yōu)選為3MPa以下。
[0062] 關(guān)于芯片接合膜16,在加熱處理前在150°C下的儲(chǔ)存彈性模量E'l為IOMPa以下， 比較具有柔軟性。因此，即使在芯片接合工序中產(chǎn)生空隙，也可以利用密封工序（利用密封 樹脂密封半導(dǎo)體芯片的工序）中的壓力，使該空隙在不發(fā)生膨脹的情況下分散在樹脂中， 從而使其在視覺上消失。結(jié)果，能夠降低空隙的影響。
[0063] 另外，關(guān)于芯片接合膜16,所述差（E' 2-E' 1)為5MPa以下，具有不易因密封工序 前的熱歷史而變硬的性質(zhì)。因此，即使在經(jīng)歷芯片的多段化等所致的長的熱歷史后，也能夠 利用密封工序中的壓力使空隙在視覺上消失。結(jié)果，能夠降低空隙的影響。
[0064] 另外，關(guān)于芯片接合膜16,加熱處理前在150°C下的儲(chǔ)存彈性模量E' 1為0.1