技術特征：

1.一種以sioxny和pdms為基材的微流控芯片鍵合方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于：

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：在步驟2和3中，對所述以sioxny為基底的芯片和pdms芯片的鍵合面進行氧等離子體處理時，控制設備參數(shù)如下：

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：

9.根據(jù)權利要求1或8所述的方法，其特征在于：

技術總結
本發(fā)明提供一種以SiO<subgt;x</subgt;N<subgt;y</subgt;和PDMS為基材的微流控芯片鍵合方法，包括：提供以SiO<subgt;x</subgt;N<subgt;y</subgt;為基底的芯片和PDMS芯片，對其表面進行清潔；對以SiO<subgt;x</subgt;N<subgt;y</subgt;為基底的芯片的鍵合面進行先后兩次以上的氧等離子體表面處理；對PDMS芯片的鍵合面進行一次以上的氧等離子體表面處理；將經(jīng)氧等離子體表面處理的以SiO<subgt;x</subgt;N<subgt;y</subgt;為基底的芯片和PDMS芯片的鍵合面貼合在一起并進行后續(xù)處理。本發(fā)明的方法在常溫下進行，不需要額外加熱設備；操作簡單，流程少，耗時短，效率高；穩(wěn)定性、重復性高，鍵合強度高，很難發(fā)生泄漏，成品率高，有利于連續(xù)性生產(chǎn)。

技術研發(fā)人員：張劍波,向思磊,徐浩森
受保護的技術使用者：清華大學
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/10/21