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涂膜形成方法、帶透明導(dǎo)電膜的基材、器件和電子設(shè)備的制造方法

文檔序號:9619857閱讀:509來源:國知局
涂膜形成方法、帶透明導(dǎo)電膜的基材、器件和電子設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及用于形成使功能性材料堆積于邊緣部的涂膜的涂膜形成方法、利用了 由該涂膜形成方法形成的涂膜的帶透明導(dǎo)電膜的基材、器件和電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來,器件的高功能化、高密度化得到了發(fā)展,一直尋求形成含有功能性材料的 微小的圖案的技術(shù),同時也要求低成本化、制造工序的簡化。
[0003] 作為上述的圖案形成法,提出有利用印刷法形成圖案。但是,使用各種印刷法,極 限也只是形成線寬20ym左右的圖案,難W滿足所要求的微細化。
[0004] 專利文獻1記載了通過利用液體內(nèi)部的對流,將液體內(nèi)含有的固體成分聚集在涂 膜的周邊部,從而能夠形成與涂膜尺寸相比更微小的電配線圖案。 陽0化]另一方面,近年來,隨著薄型TV等的需求的提高,開發(fā)有液晶、等離子體、有機電 致發(fā)光或場發(fā)射等各種方式的顯示技術(shù)。
[0006] 在運些顯示方式不同的所有顯示器中,透明電極是必需的構(gòu)成要素。另外,除TV W外,即使在觸摸面板、移動電話、電子紙、各種太陽能電池、各種電致發(fā)光調(diào)光元件中,透 明電極也是不可缺少的技術(shù)要素。
[0007] W往,透明電極主要使用通過真空蒸鍛法或瓣射法在玻璃、透明的塑料膜等透明 基材上制成銅-錫的復(fù)合氧化物(口0)膜而成的ITO透明電極。
[0008] 但是,在ITO中使用的銅為稀有金屬,并且價格高昂,因此希望不使用銅。并且,還 存在真空蒸鍛法、瓣射法的生產(chǎn)間隔時間長,材料使用效率非常差之類的問題,對于ITO透 明電極而言存在高成本運樣的大問題。
[0009] 因此,代替ITO透明電極的透明電極的開發(fā)已成為當(dāng)務(wù)之急。
[0010] 與此相對,專利文獻2中記載了通過利用液體內(nèi)部的對流,將液體內(nèi)含有的銀納 米粒子聚集于涂膜的周邊部而使由銀納米粒子構(gòu)成的微小的環(huán)狀圖案相互連接而成的透 明導(dǎo)電膜。
[0011] 專利文獻3中記載了通過利用液體內(nèi)部的對流,將液體內(nèi)含有的碳納米管聚集在 涂膜的周邊部而具有由碳納米管構(gòu)成的相互連接而成的多個微小的環(huán)狀圖案的透明導(dǎo)電 膜。
[0012] 現(xiàn)有技術(shù)文獻 陽〇1引專利文獻
[0014] 專利文獻1:日本專利第4325343號
[0015]專利文獻 2:W02011/051952
[0016] 專利文獻3:日本特表2011-502034號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017] 專利文獻1中記載的圖案形成法中,難W使圖案線寬更進一步細線化,另外,在形 成長的線狀圖案時,圖案的一部分斷開的可能性變高,因此穩(wěn)定性方面存在課題。并且,還 存在未通過對流輸送的固體成分容易殘留在細線部的圖案形成規(guī)定位置外的課題。
[001引專利文獻2、3中記載的圖案形成法中,難W使環(huán)狀圖案線寬更進一步細線化,另 夕F,還存在未通過對流輸送的固體成分殘留在細線部的圖案形成規(guī)定位置外,使透明性、導(dǎo) 電性降低的問題。
[0019] 因此,本發(fā)明的課題在于提供一種涂膜形成方法,上述涂膜形成方法能夠穩(wěn)定形 成包含具有細的線寬的細線的圖案,能夠減少細線部的圖案形成規(guī)定位置外的固體成分的 殘留。
[0020] 另外,本發(fā)明的另一課題在于提供帶透明導(dǎo)電膜的基材(透明電極)、具備上述帶 透明導(dǎo)電膜的基材的器件和電子設(shè)備,上述帶透明導(dǎo)電膜的基材具有在用同一電阻值進行 比較時,能夠提高透明性的優(yōu)異的特性。
[0021] 另外本發(fā)明的其他課題由W下記載表明。
[0022] 上述課題由W下各發(fā)明解決。
[0023] 1. 一種涂膜形成方法,將含有功能性材料的液體涂布在基材上而形成圖案,使圖 案干燥而形成上述功能性材料選擇性地堆積于邊緣部的涂膜時,
[0024] 通過使上述液體含有與上述功能性材料的親和性高的溶劑和與上述功能性材料 的親和性低的溶劑,從而使上述功能性材料堆積于上述涂膜的上述邊緣部。
[00巧]2.根據(jù)上述1記載的涂膜形成方法,其中,與上述功能性材料的親和性低的溶劑 的沸點高于與上述功能性材料的親和性高的溶劑。
[00%] 3.根據(jù)上述1或2記載的涂膜形成方法,其中,相對于上述液體的總量,與上述功 能性材料的親和性低的溶劑的含有率為10重量%~40重量%的范圍。
[0027] 4.根據(jù)上述1~3中任一項記載的涂膜形成方法,其中,在干燥上述液體時,加熱 上述基材。
[0028] 5.根據(jù)上述1~4中任一項記載的涂膜形成方法,其中,上述涂膜通過印刷方式形 成。
[0029] 6.根據(jù)上述1~5中任一項記載的涂膜形成方法,其中,上述涂膜通過液滴噴出法 形成。
[0030] 7.根據(jù)上述1~6中任一項記載的涂膜形成方法,其中,上述功能性材料為導(dǎo)電性 材料或?qū)щ娦圆牧锨绑w。
[0031] 8.根據(jù)上述1~7中任一項記載的涂膜形成方法,其中,在上述液體中W水系分散 狀態(tài)含有上述功能性材料的情況下,與上述功能性材料的親和性高的溶劑選自水、甲醇、乙 醇、1-丙醇、異丙醇,與上述功能性材料的親和性低的溶劑選自N,N-二甲基甲酯胺、N,N-二 甲基乙酷胺、二乙二醇單甲酸、二乙二醇單乙酸、二乙二醇單下酸、=乙二醇單甲酸、二丙二 醇單甲酸、二丙二醇單乙酸、1,3-下二醇、1,4-下二醇、1,2-己二醇。
[0032] 9.根據(jù)上述8記載的涂膜形成方法,其中,與上述功能性材料的親和性高的溶劑 為水,與上述功能性材料的親和性低的溶劑選自二乙二醇單下酸、=乙二醇單甲酸、1,3-下 二醇。
[0033] 10.根據(jù)上述1~7中任一項記載的涂膜形成方法,其中,在上述液體中W有機溶 劑系分散狀態(tài)含有上述功能性材料的情況下,與上述功能性材料的親和性高的溶劑選自己 燒、庚燒、辛燒、環(huán)己燒、甲苯、丙酬、甲基乙基酬、甲基異下基酬、I-下醇、2-下醇、異下醇、 1-戊醇,與上述功能性材料的親和性低的溶劑選自壬燒、癸燒、二甲苯、1-辛醇、2-辛醇、正 壬醇、十=燒醇、乙二醇單下酸乙酸醋、二丙二醇單下酸、=丙二醇單下酸、環(huán)己酬、苯酪、苯 甲醇。
[0034] 11.根據(jù)上述1~10中任一項記載的涂膜形成方法,其中,與上述功能性材料的親 和性高的溶劑和與上述功能性材料的親和性低的溶劑的SP值的差為19 (MPa)I/2W上。
[0035] 12.-種帶透明導(dǎo)電膜的基材,在基材表面具有透明導(dǎo)電膜,所述透明導(dǎo)電膜含有 通過上述1~11中任一項記載的涂膜形成方法形成的上述涂膜。
[0036] 13. -種器件,具有上述12記載的帶透明導(dǎo)電膜的基材。
[0037] 14.一種電子設(shè)備,具備上述13記載的器件。
【附圖說明】
[0038] 圖1是對本發(fā)明設(shè)及的涂膜形成方法的一個例子進行說明的圖
[0039] 圖2是對本發(fā)明設(shè)及的涂膜形成的原理的一個例子進行說明的圖
[0040] 圖3是表示由本發(fā)明形成的環(huán)狀涂膜的一個例子的放大俯視圖
[0041] 圖4是圖3中的iv-iv線放大截面圖
[0042] 圖5是表示由本發(fā)明形成的平行線涂膜的一個例子的主要部分放大俯視圖
[0043] 圖6是圖5中的Vi-Vi線截面圖
[0044] 圖7是說明實施例的圖
[0045] 圖8是說明實施例的圖
【具體實施方式】
[0046]W下,對用于實施本發(fā)明的方式進行說明。
[0047] 本發(fā)明設(shè)及的涂膜形成方法中,將至少包含功能性材料、與該功能性材料的親和 性高的溶劑(W下,有時稱為高親和性溶劑)和與該功能性材料的親和性低的溶劑(W下, 有時稱為低親和性溶劑)的液體涂布在基材上而形成圖案,使其干燥而形成該功能性材料 選擇性地堆積于邊緣部的涂膜,對此,參照圖1進行說明。
[0048]圖1是對本發(fā)明設(shè)及的涂膜形成方法的一個例子進行說明的圖。
[0049] 作為本發(fā)明設(shè)及的涂膜形成方法的一個例子,圖1 (al)~圖1 (a4)表示形成環(huán)狀 的涂膜的情況。
[0050] 圖1 (al)和圖1 (a2)表示通過至少包含功能性材料、高親和性溶劑和低親和性溶 劑的液體而形成的圖案(涂布圖案)的情況,圖l(al)為俯視圖,圖l(a2)為截面圖。
[0051] 另一方面,圖1 (a3)和圖1 (a4)表示通過干燥圖1 (al)的液體而形成的涂膜的情 況,圖1佔)為俯視圖,圖1 (a4)為截面圖。
[0052] 本發(fā)明
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