一種多晶硅擠壓破碎裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及多晶硅破碎器具技術領域，更具體地說，涉及一種多晶硅擠壓破碎裝置。
【背景技術】
[0002]多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如，在力學性質(zhì)、光學性質(zhì)和熱學性質(zhì)的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯;在電學性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導電性。在化學活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。
[0003 ]目前國內(nèi)的大多數(shù)多晶硅生產(chǎn)企業(yè)，對多晶硅的破碎大多采用人工破碎的方法，也就是使用人工由錘子、重物對多晶硅棒進行敲擊破碎。以年產(chǎn)5000噸多晶硅棒的企業(yè)為例，每天要用100多位工人不間斷地敲打使多晶硅破碎。工人的勞動強度極大，而且工作效率低，且在非密閉環(huán)境中的破碎容易造成粉塵飛舞，也容易造成二次污染。這種原始的操作方法限制了多晶硅深加工的效率和發(fā)展，已經(jīng)成為限制了企業(yè)發(fā)展的主要瓶頸。還有一種破碎方法是進行加熱破碎，把多晶硅加熱到600°C后，迅速放置冷水內(nèi)，在熱脹冷縮的作用下進行內(nèi)裂破碎，但是多晶硅加熱過程中可能會帶來氧化、雜質(zhì)擴散等降低多晶硅純度的不利后果。
[0004]針對人工破碎多晶硅的不足之處，現(xiàn)有技術中已提出改進方案，例如專利公開號:CN 102319594A，公開日:2012年I月18日，發(fā)明創(chuàng)造名稱為:多晶硅破碎裝置，該申請案公開了一種多晶硅破碎裝置，涉及一種多晶硅破碎器具，在物料箱的任意一側(cè)中部設有立柱，旋轉(zhuǎn)軸活動插接在立柱上部，導軌的一端與旋轉(zhuǎn)軸的上端固定連接或?qū)к壍囊欢伺c立柱的上端活動連接形成導軌的水平旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，滑動機構(gòu)與導軌滑動配合，在滑動機構(gòu)的下部設有連接沖擊氣缸的彈性體，在沖擊氣缸的下端設有沖擊頭，形成沖擊頭與物料箱內(nèi)的多晶硅多工位對應結(jié)構(gòu);該申請案利用設置在導軌上的拉伸彈簧靈活控制沖擊氣缸沖擊頭構(gòu)成的硅棒擊打結(jié)構(gòu)設置，有效克服了手工破碎成本高、效率底、不安全等缺陷，實現(xiàn)了機械化破碎的目的。但是，該申請案還存在以下難以克服的不足之處:(I)采用該申請案中硅棒擊打結(jié)構(gòu)對多晶硅進行擊打破碎，會像手工擊打破碎一樣產(chǎn)生大量的微粉，且由于硅棒擊打結(jié)構(gòu)的擊打力度較大，其產(chǎn)生的微粉量明顯增多，降低了多晶硅破碎后的收得率，嚴重影響多晶硅的品質(zhì)；同時，微粉會形成粉塵，污染環(huán)境，粒徑在150微米以下的微粉，分布在空氣中易燃易爆，生產(chǎn)安全性降低；(2)采用該申請案的多晶硅破碎裝置破碎多晶硅，破碎后的多晶硅碎塊大小不一，無法對破碎后多晶硅碎塊的粒徑進行控制，即無法得到期望大小的多晶硅碎塊，難以滿足后續(xù)的使用需求?！緦嵱眯滦蛢?nèi)容】
[0005]1.實用新型要解決的技術問題
[0006]本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術中的上述不足，提供了一種多晶硅擠壓破碎裝置，主要解決了擊打破碎單晶硅的方式易產(chǎn)生大量微粉的問題。
[0007]2.技術方案
[0008]為達到上述目的，本實用新型提供的技術方案為:
[0009]本實用新型的多晶硅擠壓破碎裝置，包括護罩、支架、偏心軸、破碎動塊、破碎定塊和限位機構(gòu)，所述支架上安裝有護罩，護罩的內(nèi)部下側(cè)固定有破碎定塊，所述破碎動塊正對破碎定塊設置，破碎動塊的下端鉸接在限位機構(gòu)上，破碎動塊的上端安裝有偏心軸，該偏心軸用于帶動破碎動塊上端以破碎動塊下端為圓心做左右擺動；
[0010]所述限位機構(gòu)包括限位基座、限位軸承和限位軸，所述破碎動塊的前后兩側(cè)均設置有限位基座，破碎動塊的前后兩側(cè)面上均設置有凹槽，所述凹槽內(nèi)安裝有動塊軸承;所述限位基座上固定有限位軸承，限位軸承內(nèi)安裝有限位軸，該限位軸伸出限位軸承并延伸至破碎動塊側(cè)面上的動塊軸承內(nèi)。
[0011]作為本實用新型更進一步的改進，破碎動塊上端左右擺動的行程為100?200mm。
[0012]作為本實用新型更進一步的改進，所述破碎動塊前后兩側(cè)的支架上端面上均設有一排橫向布置的螺紋孔，所述限位基座通過螺栓固定在上述螺紋孔上。
[0013]作為本實用新型更進一步的改進，還包括動力機構(gòu)，該動力機構(gòu)包括電機、主動輪、傳動輪和連軸，所述電機的輸出軸與主動輪的轉(zhuǎn)軸固連，傳動輪通過皮帶與主動輪相連，傳動輪的轉(zhuǎn)軸與連軸固連，連軸伸入護罩內(nèi)部并與偏心軸固連。
[0014]作為本實用新型更進一步的改進，所述破碎動塊正對破碎定塊的外表面上、破碎定塊正對破碎動塊的外表面上均設有一層8?I Omm厚的媽鉬合金板。
[0015]作為本實用新型更進一步的改進，所述護罩的上部設有進料口，該進料口傾斜向下延伸至破碎動塊上端和破碎定塊上端之間間隙的上方。
[0016]作為本實用新型更進一步的改進，所述護罩的內(nèi)部上側(cè)固定有進料擋板，該進料擋板正對進料口所在的方向。
[0017]作為本實用新型更進一步的改進，所述破碎動塊下端和破碎定塊下端之間間隙的下方設有出料口，該出料口貫穿于支架的上端面。
[0018]作為本實用新型更進一步的改進，所述支架的上端面鋪設一層2mm厚的不銹鋼板材。
[0019]3.有益效果
[0020]采用本實用新型提供的技術方案，與現(xiàn)有技術相比，具有如下有益效果:
[0021](I)本實用新型中，通過電機為動力帶動破碎動塊上端以破碎動塊下端為圓心做左右擺動，從而對多晶硅進行擠壓破碎，克服了人工破碎的方法成本高、工作效率低、易造成二次污染等缺陷，有效地提高了生產(chǎn)效率，實現(xiàn)了機械化破碎的目的。
[0022](2)本實用新型中，通過擠壓的方式進行多晶硅破碎，由于擠壓的過程相較擊打的過程能夠使多晶硅受力更均勻、平緩，因此可以大幅度降低微粉的產(chǎn)生量，提高了多晶硅破碎后的收得率和品質(zhì)，生產(chǎn)安全性較高。
[0023](3)本實用新型中，破碎動塊重復擠壓動作來破碎多晶硅，通過控制電機的轉(zhuǎn)速來控制擠壓頻率，通過控制偏心軸的形狀來控制破碎動塊上端左右擺動的行程，避免過度擠壓產(chǎn)生大量微粉造成浪費。
【附圖說明】
[0024]圖1為本實用新型的多晶娃擠壓破碎裝置的俯視結(jié)構(gòu)不意圖；
[0025]圖2為本實用新型的多晶硅擠壓破碎裝置的后視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3為本實用新型的多晶硅擠壓破碎裝置的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4為本實用新型中限位機構(gòu)與破碎動塊相配合時的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]不意圖中的標號說明:
[0029]1、電機;2、護罩;2-1、進料擋板;3、支架;4、主動輪;5、傳動輪;6、連軸;7、偏心軸；
8、破碎動塊;8-1、動塊軸承;9、破碎定塊；10、出料口； 11、進料口； 12、限位機構(gòu)；12_1、限位基座;12-2、限位軸承;12-3、限位軸。
【具體實施方式】
[0030]為進一步了解本實用新型的內(nèi)容，結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作詳細描述。
[0031]實施例1
[0032]結(jié)合圖1?4，本實施例的多晶硅擠壓破碎裝置，包括護罩2、支架3、偏心軸7、破碎動塊8、破碎定塊9、限位機構(gòu)12和動力機構(gòu)，支架3上安裝有護罩2，護罩2的內(nèi)部下側(cè)固定有破碎定塊9，破碎動塊8正對破碎定塊9設置，破碎動塊8的下端鉸接在限位機構(gòu)12上，破碎動塊8的上端安裝有偏心軸7，該偏心軸7用于帶動破碎動塊8上端以破碎動塊8下端為圓心做左右擺動，破碎動塊8上端左右擺動的行程控制為100?200mm，本實施例中取100mm。護罩2的上部設有進料口 11，該進料口 11傾斜向下延伸至破碎動塊8上端和破碎定塊9上端之間間隙的上方。破碎動塊8下端和破碎定塊9下端之間間隙的下方設有出料口 10，該出料口 10貫穿于支架3的上端面。
[0033]具體本實施例中，限位機構(gòu)12包括限位基座12-1、限位軸承12-2和限位軸12-3，破碎動塊8的前后兩側(cè)均設置有限位基座12-1，破碎動塊8的前后兩側(cè)面上均設置有凹槽，凹槽內(nèi)安裝有動塊軸承8-1;限位基座12-1上固定有限位軸承1