1.一種微機電器件的制備方法，其特征在于，包括：
圖形化硅片，在所述硅片的表面形成若干光刻膠掩膜；其中，所述若干光刻膠掩膜之間形成所述硅片的暴露區(qū)；
在所述硅片的具有光刻膠掩膜的一側(cè)沉積金屬層；其中，所述金屬層包括疊層設(shè)置的3nm～8nm厚的Ag層和8nm～12nm厚的Au層；
將所述具有金屬層和光刻膠掩膜的硅片浸入刻蝕液中，所述暴露區(qū)被刻蝕，形成微機電器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬層包括依次疊層設(shè)置在所述光刻膠掩膜和所述硅片的暴露區(qū)的表面上的5nm厚的Ag層和10nm厚的Au層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕液包括氫氟酸和過氧化氫；其中，在所述刻蝕液中，所述氫氟酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20％～23％，所述過氧化氫的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10％～12％。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，在所述刻蝕液中，所述氫氟酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為22％，所述過氧化氫的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為11％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的制備方法，其特征在于，所述圖形化硅片步驟具體包括：
在所述硅片上涂布光刻膠層；
對所述光刻膠層進行光刻曝光，在所述硅片的表面形成若干光刻膠掩膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述光刻膠層的厚度為1μm～2μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述光刻膠層的光刻曝光時間為5.5s～7.5s。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，在所述硅片上涂布光刻膠層之前，對所述硅片進行清潔處理；其中，清潔處理的方法具體包括：
將所述硅片依次置于丙酮、乙醇和去離子水中分別超聲清洗5min～10min；
將所述硅片置于濃硫酸和過氧化氫的混合溶液中進行無機清洗15min～20min；其中，所述濃硫酸和所述過氧化氫的體積之比為3:1；
用N2吹干所述硅片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，在將所述具有金屬層和光刻膠掩膜的硅片浸入所述刻蝕液中之前，將所述具有金屬層和光刻膠掩膜的硅片浸入緩沖刻蝕液中30s～60s，用去離子水清洗后用N2吹干。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述緩沖刻蝕液包括氫氟酸和氟化銨；其中，在所述緩沖刻蝕液中，所述氫氟酸和所述氟化銨的質(zhì)量分?jǐn)?shù)之比為1:5。