一種功率控制電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及緩啟動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種功率控制電路。
【背景技術(shù)】
[0002]分立緩啟動(dòng)電路由于成本低、電路簡(jiǎn)單、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，在業(yè)界熱插拔電路中被廣泛應(yīng)用。但是，隨著輸入電壓的不斷提高，單板功率越來(lái)越大，作為緩啟動(dòng)電路的核心部件 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的應(yīng)力也不斷增加。如果超過(guò)了 MOSFET的SOA(Safe operating area,安全工作區(qū))范圍，就會(huì)造成晶體管失效。
[0003]對(duì)于分立緩啟動(dòng)電路，在熱插拔上電瞬間，MOSFET工作在線性區(qū)，DS兩端承受很大的電壓。由于輸出負(fù)載電容的存在，在MOSFET上產(chǎn)生很大的功率沖擊，使得MOSFET很容易進(jìn)入熱不穩(wěn)定區(qū)，從而造成器件失效。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]有鑒于此，本實(shí)用新型提出一種功率控制電路，該電路能夠限制緩啟動(dòng)電路上電時(shí)在N型MOSFET上產(chǎn)生的功率，解決上電時(shí)N型MOSFET進(jìn)入熱不穩(wěn)定區(qū)導(dǎo)致失效的問(wèn)題。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為:
[0006]根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第一方面，提供一種功率控制電路，所述電路用于緩啟動(dòng)電路；
[0007]所述緩啟動(dòng)電路包括:第一電阻、N型金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET和第一電容；
[0008]其中，所述第一電阻的一端接所述緩啟動(dòng)電路的第一端，所述第一電阻的另一端接所述N型MOSFET的柵極；
[0009]所述N型MOSFET的源極接所述緩啟動(dòng)電路的第二端；所述N型MOSFET的漏極接所述緩啟動(dòng)電路的第三端；所述N型MOSFET的柵極接所述緩啟動(dòng)電路的第四端；
[0010]所述第一電容接在所述N型MOSFET的柵極和漏極之間；
[0011]所述功率控制電路的輸入端接收輸入電壓，所述功率控制電路的輸出端接所述緩啟動(dòng)電路的第四端；
[0012]所述功率控制電路，用于在所述緩啟動(dòng)電路上電時(shí)，控制所述N型MOSFET的漏極電流隨著接收到的輸入電壓的減小而變大。
[0013]其中，所述功率控制電路包括:第二電阻和PNP型三極管；
[0014]所述第二電阻的一端接所述緩啟動(dòng)電路的第一端，所述第二電阻的另一端接所述PNP型三極管的發(fā)射極；
[0015]所述PNP型三極管的基極接所述功率控制電路的輸入端，所述PNP型三極管的集電極接所述功率控制電路的輸出端。
[0016]其中，所述功率控制電路的輸入端接所述緩啟動(dòng)電路的第三端。
[0017]其中，所述功率控制電路的輸入端接電壓源；
[0018]所述電壓源的輸出電壓由大變小。
[0019]其中，所述功率控制電路還包括:第三電阻和第四電阻；
[0020]所述第三電阻和第四電阻串聯(lián)接在所述緩啟動(dòng)電路的第一端和第三端之間；
[0021]所述第三電阻和第四電阻的公共端接所述PNP型三極管的基極。
[0022]其中，所述功率控制電路包括:第五電阻、NPN型三極管、第六電阻和第二電容；
[0023]其中，所述第五電阻的一端接所述緩啟動(dòng)電路的第一端，所述第五電阻的另一端接所述NPN型三極管的集電極；
[0024]所述第六電阻的一端接所述緩啟動(dòng)電路的第一端，所述第六電阻的另一端接所述第二電容的一端，所述第二電容的另一端接所述緩啟動(dòng)電路的第二端；
[0025]所述第六電阻和所述第二電容的公共端接所述NPN型三極管的基極；
[0026]所述NPN型三極管的基極接所述功率控制電路的輸入端，所述NPN型三極管的發(fā)射極接所述功率控制電路的輸出端。
[0027]其中，所述緩啟動(dòng)電路還包括:二極管、第七電阻、第八電阻和第三電容；
[0028]其中，所述第七電阻的一端接所述第一電阻與所述緩啟動(dòng)電路的第一端相連的一端，所述第七電阻的另一端接所述第八電阻的一端；所述第八電阻的另一端接所述N型MOSFET的源極；
[0029]所述二極管的陰極接所述第七電阻和第八電阻的公共端，所述二極管的陽(yáng)極接所述N型MOSFET的柵極；
[0030]所述第三電容接在所述二極管的陰極和所述N型MOSFET的源極之間。
[0031]其中，所述功率控制電路和所述緩啟動(dòng)電路相互獨(dú)立設(shè)置；
[0032]或者，
[0033]所述功率控制電路和所述緩啟動(dòng)電路集成為一體。
[0034]本申請(qǐng)實(shí)施例中，在緩啟動(dòng)電路上電時(shí)，通過(guò)所述功率控制電路控制緩啟動(dòng)電路的N型MOSFET的漏極電流，使得N型MOSFET的漏極電流隨著功率控制電路的輸入電壓的減小而變大。
[0035]由此使得，該功率控制電路能夠有效的抑制緩啟動(dòng)電路上電瞬間在N型MOSFET上產(chǎn)生的功率，解決上電時(shí)N型MOSFET進(jìn)入熱不穩(wěn)定區(qū)導(dǎo)致的器件失效的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0036]圖1為本申請(qǐng)的功率控制電路的一個(gè)實(shí)施例的電路圖；
[0037]圖2a為傳統(tǒng)緩啟動(dòng)電路和本申請(qǐng)的功率控制電路作用下的緩啟動(dòng)電路的MOSFET的反向擊穿電壓波形對(duì)比圖；
[0038]圖2b為傳統(tǒng)緩啟動(dòng)電路和本申請(qǐng)的功率控制電路作用下的緩啟動(dòng)電路的N型MOSFET的漏極電流和功率的波形對(duì)比圖；
[0039]圖3為本申請(qǐng)的功率控制電路的另一個(gè)實(shí)施例的電路圖；
[0040]圖4為本申請(qǐng)的功率控制電路的另一個(gè)實(shí)施例的電路圖；
[0041]圖5為本申請(qǐng)的功率控制電路的另一個(gè)實(shí)施例的電路圖；
[0042]圖6為本申請(qǐng)的功率控制電路的另一個(gè)實(shí)施例的電路圖；
[0043]圖7為本申請(qǐng)的功率控制電路的另一個(gè)實(shí)施例的電路圖；
[0044]圖8為本申請(qǐng)的功率控制電路的另一個(gè)實(shí)施例的電路圖；
[0045]圖9為本申請(qǐng)的功率控制電路的另一個(gè)實(shí)施例的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0046]以下將結(jié)合附圖所示的【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述。但這些實(shí)施方式并不限制本實(shí)用新型，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的變換均包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0047]本申請(qǐng)實(shí)施例的功率控制電路用于典型的緩啟動(dòng)電路。該功率控制電路能夠限制緩啟動(dòng)電路上電時(shí)在N型MOSFET上產(chǎn)生的功率，解決上電時(shí)N型MOSFET進(jìn)入熱不穩(wěn)定區(qū)導(dǎo)致失效的問(wèn)題。
[0048]參照?qǐng)D1，為本申請(qǐng)的功率控制電路的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。該電路用于對(duì)典型的緩啟動(dòng)電路10的功率控制。
[0049]如圖1所示，所述緩啟動(dòng)電路10可以包括:第一電阻R1、N型MOSFET Q1、和第一電容Cl。
[0050]其中，所述第一電阻Rl的一端接所述緩啟動(dòng)電路10的第一端，所述第一電阻Rl的另一端接所述N型MOSFET Ql的柵極。
[0051 ] 所述N型MOSFET Ql的源極接所述緩啟動(dòng)電路10的第二端。
[0052]所述N型MOSFET Ql的漏極接所述緩啟動(dòng)電路10的第三端。
[0053]所述N型MOSFET Ql的柵極接所述緩啟動(dòng)電路10的第四端。
[0054]所述第一電容Cl接在所述N型MOSFET Ql的柵極和漏極之間。
[0055]對(duì)于圖1所示的典型的緩啟動(dòng)電路10，在熱插拔上電瞬間，會(huì)在所述N型MOSFETQl上產(chǎn)生很大的功率沖擊，使得所述N型MOSFET Ql很容易進(jìn)入熱不穩(wěn)定區(qū)，造成器件失效。
[0056]因此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種功率控制電路20。該功率控制電路20的輸入端接收輸入電壓，所述輸入電壓在緩啟動(dòng)電路10上電時(shí)由大到小逐漸減小。所述功率控制電路20的輸出端接所述N型MOSFET Ql的柵極，用于控制所述N型MOSFET Ql的漏極電流。
[0057]所述功率控制電路20，用于在所述緩啟動(dòng)電路10上電時(shí)，控制所述N型MOSFET Ql的漏極電流隨著所述輸入電壓的減小而變大。由此使得，該功率控制電路20能夠有效的抑制緩啟動(dòng)電路10上電瞬間在N型MOSFET上產(chǎn)生的功率，解決上電時(shí)N型MOSFET進(jìn)入熱不穩(wěn)定區(qū)導(dǎo)致的器件失效的問(wèn)題。
[0058]如圖1所示，為本申請(qǐng)的功率控制電路的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。所述功率控制電路20可以包括:第二電阻R2和PNP型三極管Q2。
[0059]其中，所述第二電阻R2的一端接所述緩啟動(dòng)電路10的第一端，所述第二電阻R2的另一端接所述PNP型三極管Q2的發(fā)射極，所述PNP型三極管Q2的基極接所述功率控制電路20的輸入端，所述功率控制電路20的輸入端接所述緩啟動(dòng)電路10的第三端。
[0060]所述PNP型三極管Q2的集電極接所述功率控制電路20的輸出端，所述功率控制電路20的輸出端接所述緩啟動(dòng)電路10的第四端。其中，所述緩啟動(dòng)電路10的第四端接所述N型MOSFET Ql的柵極，所述功率控制電路20用于控制所述N型MOSFET Ql的漏極電流。
[0061]需要說(shuō)明的是，圖1所示實(shí)施例中，所述功率控制電路20的輸入端接所述緩啟動(dòng)電路10的第三端，即為所述功率控制電路20接收所述緩啟動(dòng)電路10的輸出電壓Vout作為輸入電壓。在緩啟動(dòng)電路10上電時(shí)，其輸出電壓Vout隨著時(shí)間會(huì)由大到小逐漸減小。
[0062]下面結(jié)合圖1，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例的功