技術(shù)特征：

1.一種折痕對(duì)薄膜反射陣天線單元的影響分析及布局設(shè)計(jì)方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的折痕對(duì)薄膜反射陣天線單元的影響分析及布局設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述采用有限元方法對(duì)所述帶折痕的薄膜天線進(jìn)行展開(kāi)特性分析，得到分析結(jié)果，包括：

3.據(jù)權(quán)利要求1所述的折痕對(duì)薄膜反射陣天線單元的影響分析及布局設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述利用所述分析結(jié)果，確定不同載荷下薄膜展開(kāi)特性的建模結(jié)果，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的折痕對(duì)薄膜反射陣天線單元的影響分析及布局設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述利用所述天線單元與所述建模結(jié)果建立帶折痕的天線單元電磁分析模型，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的折痕對(duì)薄膜反射陣天線單元的影響分析及布局設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述薄膜天線，包括：輻射貼片、薄膜層、空氣層和金屬地板。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的折痕對(duì)薄膜反射陣天線單元的影響分析及布局設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述天線單元包括：等邊三角形天線單元。

7.一種折痕對(duì)薄膜反射陣天線單元的影響分析及布局設(shè)計(jì)裝置，其特征在于，包括：

8.一種折痕對(duì)薄膜反射陣天線單元的影響分析及布局設(shè)計(jì)服務(wù)器，其特征在于，包括存儲(chǔ)器和處理器；

9.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)有可執(zhí)行指令，計(jì)算機(jī)執(zhí)行所述可執(zhí)行指令時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的折痕對(duì)薄膜反射陣天線單元的影響分析及布局設(shè)計(jì)方法。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種折痕對(duì)薄膜反射陣天線單元的影響分析及布局設(shè)計(jì)方法，涉及空間可展開(kāi)天線技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有技術(shù)中薄膜展開(kāi)后留有的折痕變形對(duì)天線單元特性的影響問(wèn)題；該方法包括：獲取帶折痕的薄膜天線的初始天線陣列，并確定初始天線陣列的天線單元；采用有限元方法對(duì)帶折痕的薄膜天線進(jìn)行展開(kāi)特性分析，得到分析結(jié)果；利用其確定不同載荷下薄膜展開(kāi)特性的建模結(jié)果；再建立帶折痕的天線單元電磁分析模型，并對(duì)天線單元電磁分析模型進(jìn)行折痕分析，得到相位誤差量；利用相位誤差量對(duì)初始天線陣列的相位進(jìn)行誤差修正，得到修正后的天線陣列；該方法實(shí)現(xiàn)了通過(guò)分析折痕影響關(guān)系，為后續(xù)電性能較優(yōu)的反射陣天線設(shè)計(jì)提供理論依據(jù)和指導(dǎo)。

技術(shù)研發(fā)人員：宋立偉,趙怡敏,張文靜,朱丙翔,張逸群,李申,胡乃崗,李萌,蔡建國(guó)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/9