本發(fā)明涉及一種固態(tài)存儲裝置及其控制方法，且特別涉及一種固態(tài)存儲裝置及其相關(guān)讀取控制方法。
背景技術(shù)：
：：眾所周知，固態(tài)存儲裝置(solidstatedevice)已經(jīng)非常廣泛的應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品，例如SD卡、固態(tài)硬盤等等。一般來說，固態(tài)存儲裝置是由控制電路以及非易失性存儲器(non-volatilememory)組合而成。再者，非易失性存儲器是利用與非門快閃存儲器(NANDflashmemory)所組成。而根據(jù)每個晶胞(cell)所存儲的數(shù)據(jù)量，快閃存儲器可進一步區(qū)分為每個晶胞存儲一位的單層晶胞(Single-LevelCell，簡稱SLC)快閃存儲器、每個晶胞存儲二位的多層晶胞(Multi-LevelCell，簡稱MLC)快閃存儲器與每個晶胞存儲三位的三層晶胞(Triple-LevelCell，簡稱TLC)快閃存儲器。請參照圖1，其所繪示為固態(tài)存儲裝置示意圖。固態(tài)存儲裝置10經(jīng)由一外部總線12連接至主機(host)14，其中外部總線12可為USB總線、SATA總線、PCIe總線等等。再者，固態(tài)存儲裝置10中包括一控制電路101與一非易失性存儲器105。其中，控制電路101經(jīng)由一內(nèi)部總線107連接至非易失性存儲器105，用以根據(jù)主機14所發(fā)出的命令將接收的寫入數(shù)據(jù)存入非易失性存儲器105，或者由非易失性存儲器105中取得讀取數(shù)據(jù)并傳遞至主機14。再者，控制電路101中還包括一錯誤校正單元(簡稱ECC單元)104與一重試表(retrytable)106。錯誤校正單元104可用來更正讀取數(shù)據(jù)中的錯誤位(errorbits)，并且在更正完成后將正確的讀取數(shù)據(jù)傳遞至主機14。另外，當(dāng)錯誤校正單元104無法成功地校正所有的錯誤位時，則無法輸出讀取數(shù)據(jù)至主機14。此時，重試表106將提供其他的讀取電壓(readvoltage)，使控制電路101采用其他的讀取電壓來對非易失性存儲器105進行讀取重試(readretry)。請參照圖2A，其所繪示為固態(tài)存儲裝置中非易失性存儲器的晶胞排列示意圖。非易失性存儲器105由多個晶胞排列成一存儲器陣列(memoryarray)， 而每個晶胞內(nèi)包括一個浮動?xùn)啪w管(floatinggatetransistor)。再者，利用字線(wordline)WL(n-1)、WL(n)、WL(n+1)即可控制一行(row)的晶胞，而根據(jù)一選定行(selectedrow)中個別晶胞內(nèi)浮動?xùn)啪w管的開啟(turnon)與關(guān)閉(turnoff)，即可決定晶胞的存儲狀態(tài)。另外，此晶胞可為SLC、MLC或者TLC快閃存儲器?；旧?，浮動?xùn)啪w管中的浮動?xùn)?floatinggate)可以存儲熱載子(hotcarrier)，而根據(jù)熱載子存儲量的多寡可決定該浮動?xùn)啪w管的臨限電壓(thresholdvoltage，簡稱VTH)。也就是說，具有較高的臨限電壓的浮動?xùn)啪w管需要較高的柵極電壓(gatevoltage)來開啟(turnon)浮動?xùn)啪w管；反之，具有較低的臨限電壓的浮動?xùn)啪w管則可以用較低的柵極電壓來開啟浮動?xùn)啪w管。因此，在固態(tài)存儲裝置的編程周期(programcycle)時，利用控制電路101控制注入浮動?xùn)诺臒彷d子量，即可改變其臨限電壓。而在讀取周期(readcycle)時，固態(tài)存儲裝置10中的控制電路101提供讀取電壓至浮動?xùn)啪w管的柵極，并根據(jù)浮動?xùn)啪w管是否能被開啟(turnon)來判斷其存儲狀態(tài)。請參照圖2B，其所繪示為MLC快閃存儲器中的存儲狀態(tài)與臨限電壓關(guān)系示意圖?；旧?，MLC快閃存儲器的一個晶胞可以根據(jù)不同的熱載子注入量而呈現(xiàn)四個存儲狀態(tài)E、A、B、C。在未注入熱載子時，晶胞可視為存儲狀態(tài)E，而隨著熱載子注入的量的多寡，可再區(qū)分為A、B、C三種存儲狀態(tài)。舉例來說，存儲狀態(tài)C的晶胞具有最高的臨限電壓電平，存儲狀態(tài)E的晶胞具有最低的臨限電壓電平。再者，當(dāng)晶胞經(jīng)過抹除周期之后，皆會回復(fù)至未注入熱載子的存儲狀態(tài)E。再者，SLC快閃存儲器的一個晶胞可以呈現(xiàn)二個存儲狀態(tài)，而TLC快閃存儲器的一個晶胞可以呈現(xiàn)八個存儲狀態(tài)。而以下皆以MLC快閃存儲器所組成的非易失性存儲器105為例來說明讀取數(shù)據(jù)的流程，當(dāng)然類似的方式也可以運用至SLC與TLC快閃存儲器。一般而言，在編程周期時，若將多個晶胞編程為相同的存儲狀態(tài)時，并非每個晶胞的臨限電壓都會相同，而是會呈現(xiàn)一分布曲線(distributioncurve)，且其分布曲線可對應(yīng)至一中位臨限電壓。由圖2B可知，存儲狀態(tài)E的中位臨限電壓為VTHE(例如0V)，存儲狀態(tài)A的中位臨限電壓為VTHA(例如10V)、存儲狀態(tài)B的中位臨限電壓為VTHB(例如20V)、存儲狀態(tài)C的中位臨限電壓 為VTHC(例如30V)。舉例來說明，在統(tǒng)計存儲狀態(tài)A的所有晶胞的臨限電壓后，具有中位臨限電壓VTHA(例如10V)的晶胞數(shù)目最多。如圖2B所示，根據(jù)MLC快閃存儲器中各個存儲狀態(tài)的分布曲線即可據(jù)以產(chǎn)生三個讀取電壓Vra、Vrb、Vrc作為一讀取電壓組(readvoltageset)。而在讀取周期時，控制電路101即可依序提供讀取電壓組的三個讀取電壓至字線(wordline)，用以檢測MLC快閃存儲器中的晶胞的存儲狀態(tài)。舉例來說，當(dāng)提供讀取電壓Vrb至非易失性存儲器105后，可以決定晶胞的最高有效位(mostsignificantbit，MSB)。假設(shè)晶胞的臨限電壓小于讀取電壓Vrb而可以被開啟，則控制電路101將該晶胞的MSB判定為“1”；假設(shè)晶胞的臨限電壓大于讀取電壓Vrb無法被開啟，則控制電路101將該晶胞的MSB判定為“0”。相同地，提供讀取電壓Vra與Vrc至非易失性存儲器105后，即可以決定晶胞的最低有效位(leastsignificantbit，LSB)。因此，如圖2B所示，控制電路101以“11”來代表存儲狀態(tài)E、以“10”來代表存儲狀態(tài)A、以“00”來代表存儲狀態(tài)B、以“01”來代表存儲狀態(tài)C。同理，控制電路101可以利用一個讀取電壓來決定SLC快閃存儲器中的二個存儲狀態(tài)?；蛘撸刂齐娐?01可以利用七個讀取電壓作為一個讀取電壓組，用來決定TLC快閃存儲器中的八個存儲狀態(tài)。由以上的說明可知，讀取電壓Va、Vb、Vc是用來決定晶胞存儲狀態(tài)的重要依據(jù)。然而，當(dāng)非易失性存儲器105使用了一段時間之后，晶胞的特性會改變，使得每個存儲狀態(tài)的分布曲線(distributioncurve)改變且中位臨限電壓也會產(chǎn)生偏移。在此狀況下，若利用原先的讀取電壓Va、Vb、Vc來讀取非易失性存儲器105中的數(shù)據(jù)時，可能會產(chǎn)生過多的錯誤位(errorbit)，使得ECC單元104無法校正所有的錯誤位，并且無法輸出正確的讀取數(shù)據(jù)至主機14。因此，已知的控制電路101中會有一重試表，重試表可為一存儲器，用以存儲多個讀取電壓組。當(dāng)控制電路101確認(rèn)需進行讀取重試(readretry)時，控制電路101在重試表106中獲得另一讀取電壓組的三個讀取電壓Vra’、Vrb’、Vrc’，并提供至非易失性存儲器105以重新讀取數(shù)據(jù)。請參照圖2C，其所繪示為已知固態(tài)存儲裝置的解碼流程示意圖。首先，控制電路101提供預(yù)定的(default)讀取電壓組Vra、Vrb、Vrc至非易失性存儲器105，以讀取非易失性存儲器105中的數(shù)據(jù)(步驟S302)。接著，控制電路 101判斷是否能成功解碼出讀取數(shù)據(jù)(步驟S304)。當(dāng)ECC單元104能夠成功解碼時(步驟S304)，代表讀取數(shù)據(jù)中所有的錯誤位能夠被更正。因此，控制電路101輸出讀取數(shù)據(jù)(步驟S310)。反之，當(dāng)ECC單元104無法成功解碼時(步驟S304)，代表ECC單元104無法更正讀取數(shù)據(jù)中所有的錯誤位。因此，控制電路101進入讀取重試(readretry)流程(步驟S305)。在讀取重試流程(步驟S305)中，首先，在重試表106中獲得更新的讀取電壓組Vra’、Vrb’、Vrc’，并提供至非易失性存儲器105以重新讀取非易失性存儲器105中的數(shù)據(jù)(步驟S306)。接著，控制電路101再次判斷是否能成功解碼出讀取數(shù)據(jù)(步驟S308)。舉例來說，假設(shè)重試表106中預(yù)先存儲M個讀取電壓組。則在讀取重試流程(步驟S305)中，M個讀取電壓組會依序作為更新的讀取電壓組，并供應(yīng)至非易失性存儲器105以重新讀取非易失性存儲器105中的數(shù)據(jù)。而在依序提供更新的讀取電壓組并重新讀取及解碼數(shù)據(jù)的過程中，如果能夠成功解碼出讀取數(shù)據(jù)，則控制電路101即可輸出讀取數(shù)據(jù)，并停止繼續(xù)進行讀取重試流程(步驟S305)。反之，當(dāng)所有M個讀取電壓組皆依序使用之后仍無法成功解碼時，則代表讀取重試失敗(readretryfail)，而控制電路101會產(chǎn)生解碼失敗的信息(步驟S312)。換句話說，在上述的讀取重試流程(步驟S305)中，步驟S306與步驟S308最多會被執(zhí)行M次。由以上的說明可知，當(dāng)預(yù)定的(default)讀取電壓組能夠成功解碼時，控制電路101不會進入讀取重試流程(步驟S305)，此時，重試表106中的M個讀取電壓組完全不會被使用到。反之，當(dāng)控制電路101進入讀取重試流程(步驟S305)之后，重試表106中的M個讀取電壓組才可能被使用到。再者，已知重試表106中的M個讀取電壓組是由非易失性存儲器105的制造商提供。而固態(tài)存儲裝置10進入讀取重試流程(步驟S305)時，控制電路101會按照M個讀取電壓組存儲在重試表106中的順序，依序提供M個讀取電壓組至非易失性存儲器105。由于在讀取重試流程(步驟S305)的過程中僅可依序提供M個讀取電壓組至非易失性存儲器105，其并無法直接得到適合的讀取電壓組，因此可能會耗費相當(dāng)長的時間在重試其他不適合的讀取電壓組。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明有關(guān)于一種固態(tài)存儲裝置的讀取控制方法，其中，固態(tài)存儲裝置具有非易失性存儲器，包括多個區(qū)塊，其中這些區(qū)塊包括第一區(qū)塊及第二區(qū)塊，讀取控制方法包括下列步驟：在固態(tài)存儲裝置的待機模式時，進行背景監(jiān)測動作，以取得第一區(qū)塊對應(yīng)的第一最佳讀取電壓組及第二區(qū)塊對應(yīng)的第二最佳讀取電壓組；提供預(yù)定讀取電壓組至非易失性存儲器，以讀取第一區(qū)塊的數(shù)據(jù)，并判斷是否成功解該第一區(qū)塊的數(shù)據(jù)；以及，在無法成功解碼第一區(qū)塊的數(shù)據(jù)時，對第一區(qū)塊進行讀取重試流程，并且將第一區(qū)塊所對應(yīng)的第一最佳讀取電壓組提供至非易失性存儲器，以讀取第一區(qū)塊的數(shù)據(jù)。本發(fā)明有關(guān)于一種固態(tài)存儲裝置，包括：一非易失性存儲器，包括多個區(qū)塊，其中這些區(qū)塊包括第一區(qū)塊及第二區(qū)塊；一控制電路，連接至該非易失性存儲器，該控制電路中包括一錯誤校正單元與一重試表，且該重試表中存儲多個讀取電壓組；其中，在一待機模式時，該控制電路進行一背景監(jiān)測動作，以取得第一區(qū)塊對應(yīng)的第一最佳讀取電壓組及第二區(qū)塊對應(yīng)的第二最佳讀取電壓組，并且在一讀取重試流程時，將該第一最佳讀取電壓組提供至該非易失性存儲器，以讀取該第一區(qū)塊的數(shù)據(jù)。本發(fā)明有關(guān)于一種固態(tài)存儲裝置的讀取控制方法，其中，固態(tài)存儲裝置具有一非易失性存儲器，包括多個區(qū)塊，其中這些區(qū)塊包括第一區(qū)塊，該讀取控制方法包括下列步驟：在固態(tài)存儲裝置的一待機模式時，進行一背景監(jiān)測動作，其中背景監(jiān)測動作包括：將一重試表中存儲的X個讀取電壓組提供至該非易失性存儲器，用以讀取該第一區(qū)塊的數(shù)據(jù)，并對應(yīng)地產(chǎn)生X個解碼結(jié)果；以及根據(jù)該X個解碼結(jié)果，由該X個讀取電壓組中決定該第一區(qū)塊所對應(yīng)的該第一最佳讀取電壓組；以及在一讀取重試流程時，將該第一最佳讀取電壓組提供至該非易失性存儲器，以讀取該第一區(qū)塊的數(shù)據(jù)。為了對本發(fā)明上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下：附圖說明圖1所繪示為已知固態(tài)存儲裝置示意圖。圖2A所繪示為已知固態(tài)存儲裝置中非易失性存儲器的晶胞排列示意圖。圖2B所繪示為已知MLC快閃存儲器中的存儲狀態(tài)與臨限電壓關(guān)系示意 圖。圖2C所繪示為已知固態(tài)存儲裝置的解碼流程示意圖。圖3所繪示為本發(fā)明固態(tài)存儲裝置示意圖。圖4A所繪示為本發(fā)明固態(tài)存儲裝置的運作示意圖。圖4B所繪示為針對一個區(qū)塊進行背景監(jiān)測動作流程示意圖。圖4C所繪示為決定一個區(qū)塊的最佳讀取電壓示意圖。圖4D所繪示為本發(fā)明讀取重試流程的第一實施例。圖5A所繪示為非易失性存儲器的數(shù)據(jù)維持測試的示意圖。圖5B所繪示為針對圖5A的結(jié)果利用分群算法來進行分群的示意圖。圖6A與圖6B所繪示為主點(方形)與擴充點(圓形)示意圖。圖7所繪示為本發(fā)明讀取重試流程的第二實施例?！痉栒f明】10、30：固態(tài)存儲裝置12、32：外部總線14、34：主機101、301：控制電路104、304：ECC單元105、305：非易失性存儲器106、306：重試表107、307：內(nèi)部總線具體實施方式本發(fā)明提出一種固態(tài)存儲裝置及其相關(guān)讀取控制方法。此方法可直接提供適合的讀取電壓組來進行讀取重試流程，以省去多余的讀取重試。當(dāng)固態(tài)存儲裝置與主機之間沒有進行任何數(shù)據(jù)傳輸?shù)拇龣C(idle)期間，控制電路會針對非易失性存儲器中的所有區(qū)塊來進行背景監(jiān)測動作(backgroundmonitoringaction)。在進行背景監(jiān)測動作時，控制電路將重試表中所有的讀取電壓組提供至非易失性存儲器中的每一個區(qū)塊。接著，在不同的讀取電壓組下，根據(jù)每一個區(qū)塊所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)狀況，將每一個區(qū)塊對應(yīng)至一最佳讀取電壓組。其中，最佳讀取電壓組是由重試表所選出，且每一個區(qū)塊對應(yīng)的最佳讀取電壓組可能是相異的。再者，當(dāng)主機讀取固態(tài)存儲裝置中的讀取數(shù)據(jù)且進入讀取 重試流程時，控制電路會先根據(jù)每一區(qū)塊所對應(yīng)的最佳讀取電壓組來進行讀取重試。請參照圖3，其所繪示為本發(fā)明固態(tài)存儲裝置示意圖。固態(tài)存儲裝置30經(jīng)由一外部總線32連接至主機(host)34，其中外部總線32可為USB總線、SATA總線、PCIe總線等等。再者，固態(tài)存儲裝置30中包括一控制電路301與一非易失性存儲器305。其中，控制電路301經(jīng)由一內(nèi)部總線307連接至非易失性存儲器305，用以根據(jù)主機34所發(fā)出的命令將接收的寫入數(shù)據(jù)存入非易失性存儲器305，或者由非易失性存儲器305中取得讀取數(shù)據(jù)并傳遞至主機34。再者，控制電路301中還包括一錯誤校正單元(簡稱ECC單元)304與一重試表(retrytable)306。錯誤校正單元304可用來更正讀取數(shù)據(jù)中的錯誤位(errorbits)，并且在更正完成后將正確的讀取數(shù)據(jù)傳遞至主機34。另外，重試表306中預(yù)先存儲X個讀取電壓組，供固態(tài)存儲裝置30在待機期間進行背景監(jiān)測動作，并且也可以運用于讀取重試(readretry)流程。請參照圖4A，其所繪示為本發(fā)明固態(tài)存儲裝置的運作示意圖。當(dāng)固態(tài)存儲裝置30接收到電源(步驟S402)后即開始運作。再者，當(dāng)主機34與固態(tài)存儲裝置30之間有數(shù)據(jù)存取時，固態(tài)存儲裝置30不進入待機模式(步驟S404)而處于正常運作模式。此時，固態(tài)存儲裝置30接收主機34的指令進行數(shù)據(jù)存取(步驟S406)。當(dāng)主機34的指令處理完成后，固態(tài)存儲裝置30會繼續(xù)判斷是否需要進入待機模式(步驟S404)。反之，當(dāng)主機34與固態(tài)存儲裝置30之間沒有數(shù)據(jù)存取時，固態(tài)存儲裝置30可決定進入待機模式(步驟S404)，并且進行背景監(jiān)測動作(步驟S408)。根據(jù)本發(fā)明實施例，當(dāng)固態(tài)存儲裝置30進行背景監(jiān)測動作時(步驟S408)，只要主機30發(fā)出指令至固態(tài)存儲裝置30欲進行數(shù)據(jù)存取時，背景監(jiān)測動作會停止，并且固態(tài)存儲裝置30會離開待機模式。眾所周知，固態(tài)存儲裝置30中的非易失性存儲器305中包括許多區(qū)塊(block)，而每個區(qū)塊中又包括多個頁(page)。舉例來說，非易失性存儲器305中有1024個區(qū)塊，每一個區(qū)塊中有256頁，而每個頁的容量為8Kbytes。再者，ECC單元304的一個碼字(codeword)的長度為1Kbytes，因此一個頁的數(shù)據(jù)共有8個碼字。再者，以下背景監(jiān)測動作是以區(qū)塊為單位來進行說明，說明如下。請參 照圖4B，其所繪示為針對一個區(qū)塊進行背景監(jiān)測動作流程示意圖。首先，由一個區(qū)塊中的多個頁中選擇一特定頁(specificpage)(步驟S412)?；旧?，此特定頁是由該區(qū)塊中的多個頁中選取其中之一。接著，設(shè)定p等于1(步驟S414)，并將重試表306中的第p個讀取電壓組提供至非易失性存儲器305中，用以讀取此特定頁的數(shù)據(jù)(步驟S416)。接著，將讀取出的數(shù)據(jù)進行解碼，并將ECC單元304的解碼結(jié)果記錄為第p個解碼結(jié)果(步驟S418)。再者，當(dāng)p不等于X時(步驟S420)，將p加1(步驟S414)后執(zhí)行步驟S416。反之，當(dāng)p等于X時(步驟S420)，代表重試表306中的X個讀取電壓組皆已用來讀取此特定頁的數(shù)據(jù)，并且已經(jīng)產(chǎn)生X個解碼結(jié)果。因此，控制電路301即可根據(jù)X個解碼結(jié)果來決定一最佳讀取電壓組(步驟S422)。而此最佳讀取電壓組會被記錄下來，以便于讀取重試流程時運用于重新讀取該區(qū)塊的數(shù)據(jù)。由以上說明可知，假設(shè)非易失性存儲器305中有1024個區(qū)塊時，圖4B的流程圖需要進行1024次來完成完整的背景監(jiān)測動作。然而，根據(jù)圖4A的說明可知，固態(tài)存儲裝置30可以在背景監(jiān)測動作的執(zhí)行過程中決定離開待機模式。換句話說，當(dāng)固態(tài)存儲裝置30離開待機模式時，可能僅有一部分的區(qū)塊完成背景監(jiān)測動作并已經(jīng)決定對應(yīng)的最佳讀取電壓組，而另一部分尚未決定對應(yīng)的最佳讀取電壓。而當(dāng)固態(tài)存儲裝置30再次進入待機模式時，即可再繼續(xù)針對另一部分區(qū)塊來進行背景監(jiān)測動作，以決定對應(yīng)的最佳讀取電壓組。請參照圖4C，其所繪示為決定一個區(qū)塊的最佳讀取電壓示意圖。假設(shè)重試表306中共有9個讀取電壓組，所以進行完一個區(qū)塊的背景監(jiān)測動作后會產(chǎn)生9個解碼結(jié)果。如圖4C所示，提供第一讀取電壓組來讀取此特定頁的數(shù)據(jù)時，無法被成功解碼的碼字(uncorrectablecodeword)有8個；提供第二讀取電壓組來讀取此特定頁的數(shù)據(jù)時，無法被成功解碼的碼字有0個，且產(chǎn)生706個錯誤位(errorbit)；提供第三讀取電壓組來讀取此特定頁的數(shù)據(jù)時，無法被成功解碼的碼字有0個，且產(chǎn)生597個錯誤位；提供第四讀取電壓組來讀取此特定頁的數(shù)據(jù)時，無法被成功解碼的碼字有0個，且產(chǎn)生614個錯誤位；提供第五讀取電壓組來讀取此特定頁的數(shù)據(jù)時，無法被成功解碼的碼字有0個，且產(chǎn)生617個錯誤位；提供第六讀取電壓組來讀取此特定頁的數(shù)據(jù)時，無法被成功解碼的碼字有6個，且產(chǎn)生247個錯誤位；提供第七、八、九讀取電壓組來讀取此特定頁的數(shù)據(jù)時，無法被成功解碼的碼字皆有8個。在上述例子中，明顯地，提供第一、六、七、八、九讀取電壓組來讀取此特定頁時，ECC單元304無法成功解碼，因此無法正確地產(chǎn)生此特定頁的數(shù)據(jù)。再者，提供第二、三、四、五讀取電壓組來讀取此特定頁時，ECC單元304可成功解碼并產(chǎn)生此特定頁的數(shù)據(jù)。再者，由于第三讀取電壓組所產(chǎn)生的錯誤位最少，且無法被成功解碼的碼字最少，因此可決定第三讀取電壓組為該區(qū)塊對應(yīng)的最佳讀取電壓組。在本發(fā)明實施例中，由于區(qū)塊對應(yīng)的最佳讀取電壓組是根據(jù)最佳解碼效果來決定，因此使用最佳讀取電壓組來讀取其對應(yīng)的區(qū)塊相較于使用其他讀取電壓組而言，其具有較高的數(shù)據(jù)讀取成功率。另外，上述的說明是以一個區(qū)塊中的一個特定頁來進行測試，當(dāng)然本發(fā)明并不限定于此。在此領(lǐng)域的技術(shù)人員，可以利用區(qū)塊中的一部分來進行測試，例如一個區(qū)塊中的二個頁來進行測試或者一整個區(qū)塊皆用來進行測試，一樣也可以達成本發(fā)明的效果?；旧?，在讀取本發(fā)明的固態(tài)存儲裝置30中的數(shù)據(jù)時，控制電路301會提供預(yù)定的(default)讀取電壓組至非易失性存儲器305，用以讀取非易失性存儲器305中的數(shù)據(jù)。在無法成功解碼讀取出的數(shù)據(jù)時，固態(tài)存儲裝置30即進入讀取重試流程。請參照圖4D，其所繪示為本發(fā)明讀取重試流程的第一實施例。首先，控制電路301先確認(rèn)欲讀取的區(qū)塊是否曾經(jīng)進行背景監(jiān)測動作，并是否已經(jīng)有對應(yīng)的最佳讀取電壓組(步驟S430)。在確認(rèn)欲讀取的區(qū)塊已經(jīng)有對應(yīng)的最佳讀取電壓組(步驟S430)時，則提供該最佳讀取電壓組至非易失性存儲器305，用以讀取該區(qū)塊的數(shù)據(jù)(步驟S432)。接著，判斷是否成功解碼出讀取數(shù)據(jù)(步驟S436)。反之，在確認(rèn)欲讀取的區(qū)塊尚無對應(yīng)的最佳讀取電壓組(步驟S430)時，代表該區(qū)塊尚未進行背景監(jiān)測動作。此時，控制電路301會根據(jù)重試表306，提供更新的讀取電壓組至非易失性存儲器305，用以讀取該區(qū)塊的數(shù)據(jù)(步驟S434)，并判斷是否成功解碼出讀取數(shù)據(jù)(步驟S436)。再者，在成功解碼出讀取數(shù)據(jù)(步驟S436)時，即可輸出該區(qū)塊的讀取數(shù)據(jù)(步驟S438)。反之，在無法成功解碼(步驟S436)時，即執(zhí)行步驟S434。由以上的說明可知，假設(shè)重試表306中預(yù)先存儲X個讀取電壓組。在讀取重試流程中，如果該區(qū)塊具有對應(yīng)的最佳讀取電壓組時，則該最佳讀取電壓組會先被提供至非易失性存儲器用以重新讀取數(shù)據(jù)并解碼。如果該區(qū)塊尚 未具有對應(yīng)的最佳讀取電壓組時，則依照重試表306中的X組讀取電壓組的次序來提供至非易失性存儲器以重新讀取數(shù)據(jù)并解碼。由以上的說明可知，本發(fā)明提出一種背景監(jiān)測動作用以在固態(tài)存儲裝置30的待機期間，預(yù)先決定每一區(qū)塊的最佳讀取電壓組。在讀取重試流程時，可優(yōu)先提供最佳讀取電壓組來重新讀取對應(yīng)區(qū)塊的數(shù)據(jù)，以快速地成功解碼，降低讀取重試的次數(shù)。再者，本發(fā)明亦提出重試表的多個讀取電壓組的建立方法。而利用本發(fā)明重試表建立方法中所存儲的多個讀取電壓組，也可以用來判斷非易失性存儲器305的狀態(tài)，并進而啟動因應(yīng)流程。以下詳細(xì)說明如何建立重試表中的多個讀取電壓組。眾所周知，固態(tài)存儲裝置30出廠并經(jīng)過多次編程與抹除之后，非易失性存儲器305中每個晶胞存儲狀態(tài)的分布曲線會改變，且中位臨限電壓也會產(chǎn)生偏移，并導(dǎo)致讀取失敗?；旧希x取失敗模式(failuremode)有很多種，例如編程干擾(programdisturb)模式、數(shù)據(jù)維持(dataretention)模式及讀取干擾(readdisturb)模式等。一般來說，非易失性存儲器305經(jīng)過多次的編程與抹除之后，即會影響晶胞的性能而使得晶胞中的存儲狀態(tài)被誤判而導(dǎo)致讀取失敗，此種讀取失敗模式即為編程干擾模式。同理，當(dāng)晶胞被編程后，讀取的次數(shù)多寡也會影響晶胞的性能，并使得晶胞中的存儲狀態(tài)被誤判而導(dǎo)致讀取失敗，此種讀取失敗模式即為讀取干擾模式。再者，當(dāng)晶胞被編程之后，隨著數(shù)據(jù)存儲時間的增長，晶胞中的熱載子可能逐漸流失而使得晶胞中的存儲狀態(tài)被誤判而導(dǎo)致讀取失敗，此種讀取失敗模式即為數(shù)據(jù)維持模式。根據(jù)本發(fā)明的實施例，固態(tài)存儲裝置30的設(shè)計者在出廠前，針對非易失性存儲器405的各種讀取失敗模式進行各種實驗，并且測量非易失性存儲器305的讀取電壓組變化，并進行分析。最后，根據(jù)分析結(jié)果來建立非易失性存儲器305的多個讀取電壓組并存儲在重試表306中。以下以數(shù)據(jù)維持模式為例來進行說明建立讀取電壓組的過程，而編程干擾模式與讀取干擾模式也可以利用相同的方式來建立，不再贅述。請參照圖5A，其所繪示為非易失性存儲器的數(shù)據(jù)維持測試的示意圖。圖5A僅以MLC快閃存儲器的讀取電壓Vra與Vrc的變化為例來做說明，其他的讀取電壓Vrb也可以利用相同的方式來進行測試，此處不再贅述。在進行數(shù)據(jù)維持測試時，需要針對非易失性存儲器305中不同存儲時間條件的多個晶胞進行讀取，并且測量其讀取電壓，進而建立圖5A。如圖5A所示，坐標(biāo)(0，0)的位置為預(yù)定的(default)讀取電壓組Vra與Vrc的位置，而坐標(biāo)軸上的點代表讀取電壓組與預(yù)定的讀取電壓組之間的偏移(shift)。明顯地，隨著數(shù)據(jù)存儲時間的增長，讀取電壓Vra與Vrc會有逐漸減少的傾向，并偏離預(yù)定的讀取電壓Vra與Vrc。請參照圖5B，其所繪示為針對圖5A的結(jié)果利用分群算法來進行分群的示意圖。在圖5B中，所有的測量點被區(qū)分為5個群(group)，<I>～<V>。再者，每個群中的測量點的平均值被定義為主點(mainpoints)P1～P5(圖中以方形表示)。而此五個主點P1～P5即可作為對應(yīng)于讀取失敗模式為數(shù)據(jù)維持模式的五個讀取電壓組，并存儲在重試表306中。相同地，設(shè)計者可以根據(jù)上述的方式進行編程干擾測試以及讀取干擾測試。舉例來說，在編程干擾測試中決定五個讀取電壓組，在讀取干擾測試中決定五個讀取電壓組。如此，共有十五個讀取電壓組存儲在重試表306中，且其對應(yīng)于不同的讀取失敗模式。通過上述方法建立的重試表306可運用于如圖4B所示的背景監(jiān)測動作。在背景監(jiān)測動作的執(zhí)行過程中，控制電路301分別提供重試表306中的多個讀取電壓組至非易失性存儲器305以讀取特定頁的數(shù)據(jù)，并取得對應(yīng)的解碼結(jié)果。接著，根據(jù)解碼結(jié)果得出對應(yīng)區(qū)塊的最佳讀取電壓組。由于本發(fā)明提出的重試表306建立方法是根據(jù)不同的讀取失敗模式來進行測試及分析，因此當(dāng)通過背景監(jiān)測動作得到對應(yīng)區(qū)塊的最佳讀取電壓組時，其也可判斷對應(yīng)區(qū)塊是遭受到何種讀取失敗模式及其程度大小，并進一步?jīng)Q定是否啟動因應(yīng)流程。舉例來說，假設(shè)在背景監(jiān)測動作后，確認(rèn)一個區(qū)塊的最佳讀取電壓組位于圖5B的主點P3。如此，可以判斷該區(qū)塊目前所遭受到的讀取失敗模式應(yīng)該是讀取維持模式，且由主點P3位于<III>群可以進一步得知該區(qū)塊的存儲時間條件程度。接著，假設(shè)讀取維持模式中的<III>群表示數(shù)據(jù)存儲時間超過允許值，則當(dāng)在背景監(jiān)測動作得到區(qū)塊對應(yīng)的最佳讀取電壓組位于讀取維持模式的<III>群時，為了避免區(qū)塊的數(shù)據(jù)因存儲時間過長而持續(xù)流失，控制電路301可以啟動因應(yīng)流程，例如進行數(shù)據(jù)搬移流程，將區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)搬移至其他區(qū)塊中。同樣的，針對其他讀取失敗模式及其程度大小，也可具有對應(yīng)的 因應(yīng)流程。例如，針對編程干擾模式，當(dāng)在背景監(jiān)測動作得到區(qū)塊對應(yīng)的最佳讀取電壓組位于編程干擾模式，且其編程與抹除次數(shù)程度超過允許值時，控制電路301可以判斷該區(qū)塊已不適于存儲數(shù)據(jù)并啟動對應(yīng)的因應(yīng)流程，例如進行數(shù)據(jù)搬移及區(qū)塊標(biāo)示流程，將區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)搬移至其他區(qū)塊中，并將該區(qū)塊進行標(biāo)示而不再使用。本發(fā)明提出的重試表建立方法，并搭配本發(fā)明提出的背景監(jiān)測動作可得出區(qū)塊的最佳讀取電壓組，并通過得出的最佳讀取電壓組判斷區(qū)塊所遭受的讀取失敗模式及其程度大小，并進一步?jīng)Q定是否啟動因應(yīng)流程。此外，由于背景監(jiān)測動作是選擇一個區(qū)塊中的一個頁來獲得最佳讀取電壓組，為了防止頁與頁之間的變異(variance)。除了搜集主點之外，本發(fā)明更可以根據(jù)主點進一步計算出擴充點(extensionpoint)，作為擴充讀取電壓組并運用于讀取重試流程，以增加數(shù)據(jù)讀取成功率，并減少讀取重試的次數(shù)。請參照圖6A，其所繪示為主點(方形)與擴充點(圓形)示意圖?；旧希\用分群算法，可對圖5B中的五個主點再進行擴充，而每一個主點被額外擴充得到三個擴充點(extendedpoint)(圖中以圓形表示)，并存儲在重試表306中。因此，在五個群<I>～<V>中，共有十五個擴充點。因此，在讀取重試流程時，如果被選為最佳讀取電壓組的主點無法成功解碼時，控制電路301可再提供被選為最佳讀取電壓組的該主點附近的九個擴充點來進行擴充讀取重試(extendedreadretry)流程。如圖6B所示，假設(shè)被選為最佳讀取電壓組的主點為P3。而在讀取重試流程時，提供最佳讀取電壓P3仍無法成功解碼時，可再提供該最佳讀取電壓組P3附近虛線方框中的九個擴充點來進行擴充讀取重試流程。本發(fā)明并未限定每一個主點被額外擴充的擴充點數(shù)目，以及用來進行擴充讀取重試流程的擴充點數(shù)目，在此領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)實際分析結(jié)果調(diào)整對應(yīng)的擴充點數(shù)目。請參照圖7，其所繪示為本發(fā)明讀取重試流程的第二實施例。相較于圖4D的第一實施例，第二實施例中增加了一擴充讀取重試流程(步驟S720)。假設(shè)重試表306中有X個(例如15個)組讀取電壓組，且每個讀取電壓組又可對應(yīng)至N個(例如9個)擴充讀取電壓組。首先，在讀取重試流程開始時，控制電路301先確認(rèn)欲讀取的區(qū)塊是否曾經(jīng)進行背景監(jiān)測動作，并已經(jīng)有對應(yīng)的最佳讀取電壓組(步驟S710)。在確認(rèn)欲讀取的區(qū)塊已經(jīng)有對應(yīng)的最佳讀取電壓組(步驟S710)時，則提供該最佳 讀取電壓組至非易失性存儲器305，用以讀取該區(qū)塊的數(shù)據(jù)(步驟S712)。接著，在成功解碼時(步驟S713)，輸出讀取數(shù)據(jù)(步驟S718)。根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，在無法成功解碼(步驟S713)時，更進入一擴充讀取重試流程(步驟S720)。在擴充讀取重試流程(步驟S720)中，控制電路301將最佳讀取電壓組所對應(yīng)的N個擴充讀取電壓組依序提供至非易失性存儲器305以讀取區(qū)塊的數(shù)據(jù)，并進行解碼。在擴充讀取重試流程(步驟S720)中，另外將N個擴充的讀取電壓組提供至非易失性存儲器305用以讀取區(qū)塊的數(shù)據(jù)(步驟S722)。而在提供擴充的讀取電壓組過程中，如果能夠成功解碼(步驟S724)，則控制電路301即可輸出讀取數(shù)據(jù)(步驟S718)，并停止繼續(xù)進行擴充讀取重試流程(步驟S720)。反之，當(dāng)所有N個擴充的讀取電壓組皆使用之后仍無法成功解碼(步驟S724)，則代表擴充讀取重試失敗(extendedreadretryfail)，則執(zhí)行步驟S714。換句話說，在上述的擴充讀取重試流程(步驟S720)中，步驟S722與步驟S724最多會被執(zhí)行N次。另外，在確認(rèn)欲讀取的區(qū)塊尚無對應(yīng)的最佳讀取電壓組(步驟S710)時，代表該區(qū)塊尚未進行背景監(jiān)測動作。此時，控制電路301會根據(jù)重試表306提供更新的讀取電壓組至非易失性存儲器305，用以讀取該區(qū)塊的數(shù)據(jù)(步驟S714)，并判斷是否成功解碼(步驟S716)。再者，在成功解碼(步驟S716)時，即可輸出該區(qū)塊的讀取數(shù)據(jù)(步驟S718)。反之，在無法成功解碼(步驟S716)時，即執(zhí)行步驟S714。在本申請?zhí)岢龅淖x取重試流程中，如果該區(qū)塊具有對應(yīng)的最佳讀取電壓組時，則該最佳讀取電壓組會先被提供至非易失性存儲器。再者，當(dāng)該最佳讀取電壓組仍無法成功解碼時，更提供擴充的讀取電壓組非易失性存儲器，用以提高成功解碼的機率。由本發(fā)明的第一與第二實施例的說明可知，本發(fā)明提出一種固態(tài)存儲裝置及其相關(guān)讀取控制方法。在固態(tài)存儲裝置30的待機模式時，控制電路301會利用重試表306中的多個讀取電壓組來對非易失性存儲器305中的每個區(qū)塊進行背景監(jiān)測動作，并使每個區(qū)塊對應(yīng)至一最佳讀取電壓組。當(dāng)固態(tài)存儲裝置30進入讀取重試流程時，即可將最佳讀取電壓組提供至非易失性存儲器用以讀取區(qū)塊的數(shù)據(jù)，以提高成功解碼的機率，降低讀取重試的次數(shù)。綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例公開如上，然其并非用以限定本 發(fā)明。本發(fā)明所屬領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求書界定范圍為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁1 2 3 當(dāng)前第1頁1 2 3