1.一種多次可編程非易失性存儲器的擦除電路，其特征在于，包括擦除調節(jié)模塊，所述擦除調節(jié)模塊用于記錄多次可編程非易失性存儲器的擦寫次數，并根據所述擦寫次數調節(jié)擦除操作的擦除電壓和擦除時間，所述擦除電壓和/或擦除時間隨所述擦寫次數的增加而增加；
2.根據權利要求1所述的多次可編程非易失性存儲器的擦除電路，其特征在于，所述擦除調節(jié)模塊包括：
3.根據權利要求2所述的多次可編程非易失性存儲器的擦除電路，其特征在于，所述第一電壓轉換單元和第二電壓轉換單元均包括修整電阻。
4.根據權利要求2所述的多次可編程非易失性存儲器的擦除電路，其特征在于，所述計數器為二進制計數器，所述電壓調節(jié)信號生成電路包括：
5.根據權利要求4所述的多次可編程非易失性存儲器的擦除電路，其特征在于，i＝4，所述計數器為13位的計數器。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的多次可編程非易失性存儲器的擦除電路，其特征在于，所述擦寫次數小于1024次時，所述擦除電壓為9v，所述擦除時間為10微秒；所述擦寫次數為1024次至2047次時，所述擦除電壓為10v，所述擦除時間為30微秒；所述擦寫次數為2048次至4095次時，所述擦除電壓為11v，所述擦除時間為100微秒；所述擦寫次數為4096次至8191次時，所述擦除電壓為12v，所述擦除時間為1毫秒；所述擦寫次數大于8192次時，所述擦除電壓為12v，所述擦除時間為10毫秒。
7.一種多次可編程非易失性存儲器，其特征在于，包括：
8.根據權利要求7所述的多次可編程非易失性存儲器，其特征在于，所述存儲器陣列還包括信息區(qū)，所述擦除調節(jié)模塊還用于將所述擦寫次數存儲進所述信息區(qū)中。
9.一種多次可編程非易失性存儲器的擦除方法，包括：
10.根據權利要求9所述的多次可編程非易失性存儲器的擦除方法，其特征在于，還包括將所述擦寫次數存儲至所述多次可編程非易失性存儲器的存儲器陣列中的信息區(qū)中的步驟。