響應(yīng)于潛在干擾的存在刷新一組存儲(chǔ)器單元的制作方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】
【背景技術(shù)】
[0001]存儲(chǔ)器設(shè)備包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)值的存儲(chǔ)器單元。示例類(lèi)型的存儲(chǔ)器設(shè)備是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)備。隨著存儲(chǔ)器制造技術(shù)進(jìn)步，存儲(chǔ)器單元的特征尺寸減小，以增大存儲(chǔ)器設(shè)備中存儲(chǔ)器單元的密度。增大存儲(chǔ)器單元的密度提供存儲(chǔ)器設(shè)備中增加的存儲(chǔ)容量。
【附圖說(shuō)明】
[0002]關(guān)于下圖描述一些實(shí)施例:
[0003]圖1是包括一些實(shí)現(xiàn)方式的示例存儲(chǔ)器設(shè)備的框圖；
[0004]圖2和圖3圖示根據(jù)一些實(shí)現(xiàn)方式的在存儲(chǔ)器設(shè)備中使用的檢測(cè)電路的不同示例；
[0005]圖4是根據(jù)一些實(shí)現(xiàn)方式的示例系統(tǒng)的框圖；以及
[0006]圖5是根據(jù)一些實(shí)現(xiàn)方式的干擾管理過(guò)程的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0007]隨著存儲(chǔ)器設(shè)備的存儲(chǔ)器單元由于減小特征尺寸而變得更密集，存儲(chǔ)器單元會(huì)變得對(duì)可能損壞在存儲(chǔ)器單元中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的各種噪聲源更加靈敏。一種噪聲源包括由數(shù)據(jù)存取操作引起的干擾，其中對(duì)一組存儲(chǔ)器單元執(zhí)行的數(shù)據(jù)存取操作可能引起至少另一組存儲(chǔ)器單元的干擾。
[0008]在一些示例中，存儲(chǔ)器設(shè)備可以是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)備，其具有由存儲(chǔ)電容器和存取晶體管形成的存儲(chǔ)器單元，存取晶體管可以被激活或被去激活來(lái)控制各個(gè)存儲(chǔ)電容器的存取。存儲(chǔ)電容器存儲(chǔ)與相應(yīng)數(shù)據(jù)值(例如“O”或“I”)對(duì)應(yīng)的電壓。盡管在下面的介紹中參考DRAM設(shè)備，但是注意，根據(jù)一些實(shí)現(xiàn)方式的技術(shù)或機(jī)制還可以應(yīng)用于其它類(lèi)型的存儲(chǔ)器設(shè)備。
[0009]在DRAM設(shè)備中，數(shù)據(jù)存取操作可以激活一組(例如，一排)存儲(chǔ)器單元，從該組中提取內(nèi)容，以及將內(nèi)容歸還至該組存儲(chǔ)器單元。激活該組存儲(chǔ)器單元和歸還該組存儲(chǔ)器單元中的內(nèi)容的過(guò)程可以導(dǎo)致對(duì)相鄰一組單元的干擾。
[0010]例如，對(duì)一排存儲(chǔ)器單元執(zhí)行的數(shù)據(jù)存取操作可以干擾相鄰一排(或相鄰多排)存儲(chǔ)器單元。對(duì)于特定一排存儲(chǔ)器單元而言，對(duì)相鄰多排存儲(chǔ)器單元的重復(fù)數(shù)據(jù)存取操作可能導(dǎo)致對(duì)該特定一排存儲(chǔ)器單元的重復(fù)干擾。這種重復(fù)的干擾可能導(dǎo)致在該特定一排的至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)值改變，這造成數(shù)據(jù)損壞。例如，如果存儲(chǔ)器單元存儲(chǔ)與“O”或“ I ”數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)的電壓，那么由多次重復(fù)干擾導(dǎo)致的該存儲(chǔ)器單元內(nèi)的電壓改變可能足以造成由該電壓表示的數(shù)據(jù)值從“ O ”改變?yōu)椤?I ”或者從“ I ”改變?yōu)椤?O ”。
[0011]圖1是具有存儲(chǔ)器單元的布置102的存儲(chǔ)器設(shè)備100的框圖。如圖所示，存儲(chǔ)器單元的布置102被分成多組存儲(chǔ)器單元。這些組包括組X和與組X相鄰的相鄰組X-1和X+1。其它相鄰組包括組X-2和X+2，組X-2和X+2各自距離組X —個(gè)組。
[0012]在一些示例中，一“組”存儲(chǔ)器單元包括一排(或一頁(yè))存儲(chǔ)器單元。在其它示例中，一組可以包括多排存儲(chǔ)器單元，或存儲(chǔ)器單元的任何其它集合。一般概念是一組存儲(chǔ)器單元可能由于對(duì)至少一個(gè)相鄰組的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行的數(shù)據(jù)存取操作而被干擾。“數(shù)據(jù)存取操作”或“數(shù)據(jù)的存取”指對(duì)存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)進(jìn)行存取的操作，該操作作為讀操作和/或?qū)懖僮鞯牟糠帧?duì)存儲(chǔ)器設(shè)備的特定存儲(chǔ)器單元執(zhí)行的數(shù)據(jù)存取操作不同于一次擦除一塊內(nèi)所有存儲(chǔ)器單元中包含的電荷的擦除操作。
[0013]圖1還示出用于特定組的存儲(chǔ)器單元(在圖1的示例中其是組X)的檢測(cè)電路104。注意，類(lèi)似的檢測(cè)電路可以與存儲(chǔ)器設(shè)備100中的其它組關(guān)聯(lián)。
[0014]響應(yīng)于對(duì)至少一個(gè)相鄰組的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行的至少一次數(shù)據(jù)存取，更新檢測(cè)電路104。例如，在圖1中，響應(yīng)于在組X-2、X-1、X+1和X+2的任一組中執(zhí)行的數(shù)據(jù)存取，可以更新檢測(cè)電路104?！案隆睓z測(cè)電路可以指改變檢測(cè)電路104的狀態(tài)。如下面關(guān)于圖2進(jìn)一步解釋的，更新檢測(cè)電路104可以涉及推進(jìn)(advancing)計(jì)數(shù)器。可替代地，更新檢測(cè)電路104可以涉及改變被布置為讀取一個(gè)或多個(gè)感應(yīng)存儲(chǔ)器單元(下面關(guān)于圖3進(jìn)一步介紹)的感應(yīng)電路的狀態(tài)。
[0015]當(dāng)檢測(cè)電路104已經(jīng)改變至指示組X中存儲(chǔ)器單元的潛在干擾存在的狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)電路104激活干擾指示106。在一些示例中，干擾指示106可以是信號(hào)，其具有指示沒(méi)有組X的干擾的第一狀態(tài)和指示組X的潛在干擾的不同的第二狀態(tài)。
[0016]干擾指示106被提供給刷新控制器108。刷新控制器108用于刷新存儲(chǔ)器設(shè)備100的存儲(chǔ)器單元。在像DRAM設(shè)備這樣的存儲(chǔ)器設(shè)備中，定期地刷新在存儲(chǔ)器單元中存儲(chǔ)的電壓。刷新存儲(chǔ)器單元指的是增強(qiáng)該存儲(chǔ)器單元中的電壓以對(duì)抗由該存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)電容器的電流泄露導(dǎo)致的潛在數(shù)據(jù)損壞。如果在存儲(chǔ)器單元中存儲(chǔ)的電壓表示“ I ”數(shù)據(jù)值，那么刷新存儲(chǔ)器單元導(dǎo)致該電壓被增加，使得該電壓提供“I”的更可靠表示。另一方面，如果在存儲(chǔ)器單元中存儲(chǔ)的電壓表示“O”數(shù)據(jù)值，那么刷新存儲(chǔ)器單元導(dǎo)致該電壓被降低，以提供“O”的更可靠表示。刷新多排存儲(chǔ)器單元提高由這些存儲(chǔ)器單元表示的數(shù)據(jù)值的完整性。在其它示例中，“ I”數(shù)據(jù)值可以由低電壓表示，而“O”數(shù)據(jù)值可以由高電壓表示。
[0017]根據(jù)一些實(shí)現(xiàn)方式，除了執(zhí)行定期刷新操作以外(在存儲(chǔ)器設(shè)備108中的刷新控制器108的控制下或者響應(yīng)于由外部存儲(chǔ)器控制器提供的刷新命令)，刷新控制器108能夠?qū)?lái)自檢測(cè)電路104的干擾指示106做出響應(yīng)，來(lái)執(zhí)行對(duì)應(yīng)組(在此實(shí)例中是組X)中存儲(chǔ)器單元的刷新。響應(yīng)于干擾指示106執(zhí)行組X中存儲(chǔ)器單元的刷新是組X中存儲(chǔ)器單元的一種按需刷新形式。這種按需刷新由于檢測(cè)到組X中存儲(chǔ)器單元的可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)損壞的潛在干擾而被執(zhí)行。
[0018]由于存儲(chǔ)器設(shè)備100的其它組中的每個(gè)組與能夠提供它們各自的干擾指示的各自檢測(cè)電路關(guān)聯(lián)，所以刷新控制器108還能夠?qū)?lái)自這些其它檢測(cè)電路的干擾指示做出響應(yīng)來(lái)引起其它組的刷新。刷新通過(guò)使用由刷新控制器108輸出的刷新控制信號(hào)110來(lái)控制。刷新控制信號(hào)110可以導(dǎo)致特定組的存儲(chǔ)器單元被激活，這導(dǎo)致該組中的存儲(chǔ)器單元的刷新。
[0019]在一些實(shí)現(xiàn)方式中，用于各個(gè)特定組的存儲(chǔ)器單元的檢測(cè)電路104可以提供在存儲(chǔ)器設(shè)備100中。在替代實(shí)現(xiàn)方式中，檢測(cè)電路104可以提供在存儲(chǔ)器設(shè)備100的外部，如在存儲(chǔ)器控制器中或在另一設(shè)備中。
[0020]圖2是根據(jù)一些實(shí)現(xiàn)方式的包括檢測(cè)電路104的存儲(chǔ)器設(shè)備100的一些組件的框圖。圖2的檢測(cè)電路104包括計(jì)數(shù)器202和比較器204。圖2還示出存取控制器206。存取控制器206接收輸入命令，輸入命令可以來(lái)自位于存儲(chǔ)器設(shè)備100外部的存儲(chǔ)器控制器，其中該輸入命令可以是讀命令或?qū)懨?。該輸入命令具有與存儲(chǔ)器設(shè)備100中要被存取(讀或?qū)?的位置對(duì)應(yīng)的地址。
[0021]響應(yīng)于該輸入命令，存取控制器206生成用于對(duì)指定存儲(chǔ)器位置進(jìn)行存取的存取信號(hào)。例如，存取信號(hào)可以指定對(duì)例如圖1的組X-1中的存儲(chǔ)器位置中的數(shù)據(jù)進(jìn)行存取。如上面介紹的，組X-1中的數(shù)據(jù)的存取可能對(duì)相鄰組(如組X)造成干擾。
[0022]響應(yīng)于對(duì)組X-1執(zhí)行的數(shù)據(jù)存取，存取控制器206可以提供推進(jìn)信號(hào)208來(lái)推進(jìn)檢測(cè)電路104(其與組X關(guān)聯(lián))中的計(jì)數(shù)器202。根據(jù)特定實(shí)現(xiàn)方式，推進(jìn)計(jì)數(shù)器202可以指遞增計(jì)數(shù)器202或遞減計(jì)數(shù)器202。在一些示例中，計(jì)數(shù)器202可以起始于初始小值(例如，O)并且在收到每個(gè)推進(jìn)信號(hào)208時(shí)遞增。在替代示例中，計(jì)數(shù)器202被初始化至初始大值，并且在推進(jìn)信號(hào)208的每次激活時(shí)遞減。
[0023]在一些示例中，存取控制器206可以響應(yīng)于對(duì)相鄰組的集合中任一組執(zhí)行的數(shù)據(jù)存取操作，來(lái)激活推進(jìn)信號(hào)208。例如，在該集合包括組X-1和組X+1的示例中，存取控制器206可以響應(yīng)于對(duì)組X-1或組X+1的數(shù)據(jù)存取操作，來(lái)激活推進(jìn)信號(hào)208。作為另一示例，該集合可以包括組X-2、X-U X+1和X+2，在此情況下，存取控制器206響應(yīng)于對(duì)組X-2、X-U X+1和X+2中任一組執(zhí)行的數(shù)據(jù)存取操作，來(lái)激活推進(jìn)信號(hào)208。
[0024]盡管圖2示出存取控制器206響應(yīng)于特定組的數(shù)據(jù)存取而僅激活一個(gè)推進(jìn)信號(hào)208，但是注意，存取控制器206可以通過(guò)激活多個(gè)推進(jìn)信號(hào)來(lái)推進(jìn)與多個(gè)相鄰組關(guān)聯(lián)的檢測(cè)電路中的計(jì)數(shù)器，而對(duì)特定組的數(shù)據(jù)存取做出響應(yīng)。
[0025]計(jì)數(shù)器202的計(jì)數(shù)值被提供給比較器204的輸入，比較器204將該計(jì)數(shù)值與預(yù)定義的閾值做比較。如果該計(jì)數(shù)值具有與該預(yù)定義的閾值預(yù)定的關(guān)系(例如，該計(jì)數(shù)值大于該預(yù)定義的閾值或者小于該預(yù)定義的閾值)，那么比較器激活干擾指示106