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光記錄介質(zhì)的制作方法

文檔序號:9332777閱讀:755來源:國知局
光記錄介質(zhì)的制作方法
【專利說明】
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求于2013年4月1日提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP 2013-076277的權(quán) 益,在這里將其整個(gè)內(nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本技術(shù)涉及光記錄介質(zhì)。特別地,本技術(shù)涉及提供有多個(gè)再現(xiàn)層的光記錄介質(zhì)。
【背景技術(shù)】
[0004] 光盤(CD)、數(shù)字多用途盤(DVD)等已經(jīng)主導(dǎo)了迄今為止的光記錄介質(zhì)的市場。但 是,隨著近年來高清晰度電視的普及和由個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)處理的數(shù)據(jù)的快速增長,已經(jīng)需 要光記錄介質(zhì)的容量的進(jìn)一步提高。為了響應(yīng)于這種需要,已經(jīng)出現(xiàn)了與模糊激光(blur laser)兼容的高容量光記錄介質(zhì),比如藍(lán)光盤(BD)(注冊商標(biāo)),且新的高容量光記錄介質(zhì) 的市場已經(jīng)啟動(dòng)。
[0005] 已經(jīng)廣泛地采用了提供多個(gè)記錄層以進(jìn)一步增加比如DVD和BD之類的高密度光 記錄介質(zhì)中的記錄容量的技術(shù)。特別地,提供有三個(gè)或更多記錄層的多層光記錄介質(zhì)的開 發(fā)近年來已在進(jìn)步。
[0006] 但是,如果提供多個(gè)記錄層,則由于層間散射光而導(dǎo)致信號特性惡化。具體來說, 如果提供三個(gè)或更多記錄層,來自除了意圖從中讀取信息信號的記錄層之外的其他部分的 散射光增加,因此信號特性特別顯著地惡化。
[0007] 為此原因,已經(jīng)為現(xiàn)有技術(shù)中的多層光記錄介質(zhì)尋找了有效地抑制散射光的影響 并增強(qiáng)信號特性的技術(shù)。專利文獻(xiàn)1和2公開了通過設(shè)置信息記錄層之間的間隔物的厚度 以滿足預(yù)定關(guān)系,來除去由散射光所引起的多次反射的影響的技術(shù)。
[0008] 引文列表
[0009] 專利文獻(xiàn)
[0010] 日本未審查專利申請公開No. 2006-59433
[0011] 日本未審查專利申請公開No. 2011-198410

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0013] 期望提供能夠抑制由于層間散射光導(dǎo)致的信號特性惡化的光記錄介質(zhì)。
[0014] 解決技術(shù)問題的手段
[0015] 根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例,提供了光記錄介質(zhì),包括:三個(gè)再現(xiàn)層,其中,在受到再現(xiàn)光 照射的表面一側(cè)上的所述三個(gè)再現(xiàn)層的反射率RU R2和R3等于或者大于5%,且其中,從 所述反射率RU R2和R3中選出的任意兩個(gè)反射率之間的差值delta R的絕對值等于或者 小于7%。
[0016] 根據(jù)本技術(shù),因?yàn)樵谑艿皆佻F(xiàn)光照射的表面一側(cè)上的三個(gè)再現(xiàn)層的反射率RU R2 和R3等于或者大于5%,所以可以抑制由于反射率的惡化導(dǎo)致的信號特性的惡化。另外,因 為從反射率Rl、R2和R3中選出的任意兩個(gè)反射率之間的差值delta R的絕對值等于或者 小于7%,所以可以抑制由于來自具有高反射率的再現(xiàn)層的散射光對于由具有低反射率的 再現(xiàn)層反射的光造成的影響而導(dǎo)致的信號特性的惡化。
[0017] 根據(jù)本技術(shù),反射率R1、R2和R3是當(dāng)具有405nm的波長的光垂直地入射到三個(gè)再 現(xiàn)層的表面時(shí)的反射率。
[0018] 根據(jù)本技術(shù),再現(xiàn)層是包括提供有多個(gè)凹陷部分和凸起部分的平面的層,從而預(yù) 先記錄信息信號。通過以光照射提供有凹陷部分和凸起部分的凹凸表面,讀取信息信號。
[0019] 根據(jù)本技術(shù),優(yōu)選地在襯底上提供三個(gè)再現(xiàn)層,且在三個(gè)再現(xiàn)層上提供覆蓋層。不 特別限制覆蓋層的厚度,且覆蓋層包括襯底、薄片、涂層等。對于高密度信息記錄介質(zhì),考慮 到具有高NA的物鏡的使用而優(yōu)選采用比如薄片或者涂層之類的薄光透射層作為覆蓋層, 以及采用其中通過從光透射層一側(cè)以光照射信息記錄介質(zhì)來再現(xiàn)信息信號的構(gòu)造。在這種 情況下,也可以采用不透明襯底。根據(jù)信息記錄介質(zhì)的格式,覆蓋層側(cè)和襯底側(cè)上的至少一 個(gè)表面被適當(dāng)?shù)卦O(shè)置為用于再現(xiàn)信息信號的光入射表面。
[0020] 本發(fā)明的有益效果
[0021] 根據(jù)本技術(shù),可以如上所述地抑制由于層間散射光導(dǎo)致的信號特性的惡化。
【附圖說明】
[0022] 圖IA是示出了根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的光記錄介質(zhì)的外觀的實(shí)例的透視圖。
[0023] 圖IB是示出了根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的光記錄介質(zhì)的構(gòu)造的實(shí)例的截面圖。
[0024] 圖2是示出了參考例1-1到1-7中的光記錄介質(zhì)的反射率和信號特性的評估結(jié)果 的圖。
[0025] 圖3是示出了在實(shí)例2-1到2-4和比較例2-1到2-3中光記錄介質(zhì)的反射率和信 號特性的差異的評估結(jié)果的圖。
[0026] 圖4是示出了實(shí)例3-1到3-3中光記錄介質(zhì)的加速測試之前和之后的信號特性評 估結(jié)果的圖。
[0027] 圖5是示出了參考例4-1到4-6中樣本的折射系數(shù)η和消光系數(shù)k的測量結(jié)果的 圖。
[0028] 圖6A是示出了實(shí)例5-1到5-4中光記錄介質(zhì)的信號特性評估結(jié)果的圖。
[0029] 圖6B是示出了實(shí)例5-1到5-4中光記錄介質(zhì)的反射率評估結(jié)果的圖。
[0030] 圖7A是示出了參考例6-1中通過模擬獲得的反射光譜的圖。
[0031] 圖7B是示出了參考例6-1中通過模擬獲得的透射光譜的圖。
[0032] 圖8A是示出了參考例6-2中通過模擬獲得的反射光譜的圖。
[0033] 圖8B是示出了參考例6-2中通過模擬獲得的透射光譜的圖。
[0034] 圖9A是示出了實(shí)例7-1-1到7-1-3和7-2-1到7-2-3中光記錄介質(zhì)的信號特性 評估結(jié)果的圖。
[0035] 圖9B是示出了實(shí)例7-1-1到7-1-3和7-2-1到7-2-3中光記錄介質(zhì)的不對稱評 估結(jié)果的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036] 將按以下次序描述本技術(shù)的實(shí)施例。
[0037] 1.光記錄介質(zhì)的構(gòu)造
[0038] 2.光記錄介質(zhì)的光特性
[0039] 3.用于制造光記錄介質(zhì)的方法
[0040] 〈1.光記錄介質(zhì)的構(gòu)造〉
[0041] 如圖IA所示,根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的光記錄介質(zhì)10具有盤形狀,在盤中心提供有開 口(在下文中稱為"中心孔")。另外,光記錄介質(zhì)10的形狀不限于該實(shí)例,可以是卡形狀 等。
[0042] 如圖IB所示,根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的光記錄介質(zhì)10具有如下構(gòu)造,其中在襯底11 的表面上按以下次序?qū)盈B作為第一再現(xiàn)層的反射層L0、中間層S1、作為第二再現(xiàn)層的反射 層LU中間層S2、作為第三再現(xiàn)層的反射層L2和作為覆蓋層的光透射層12。在下面的描述 中,如果不特別地區(qū)分反射層LO到L2,則反射層LO到L2可被統(tǒng)稱為反射層。
[0043] 根據(jù)本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)10是所謂的多層再現(xiàn)專用光記錄介質(zhì),且通過從光 透射層12 -側(cè)的表面C以激光照射各個(gè)反射層LO到L2來再現(xiàn)信息信號。例如,通過例如 由具有在等于或者大于〇. 84且等于或者小于0. 86的范圍內(nèi)的數(shù)值孔徑的物鏡會(huì)聚具有等 于或者大于400nm且等于或者小于410nm的范圍內(nèi)的波長的激光,并從光透射層12 -側(cè)以 所會(huì)聚的激光照射各個(gè)反射層LO到L2,來再現(xiàn)信息信號。這種光記錄介質(zhì)10的實(shí)例包括 多層再現(xiàn)專用藍(lán)光盤(注冊商標(biāo))。在下文中,為了使反射層LO到L2再現(xiàn)信息信號而受到 激光照射的表面C將被稱為光照射表面C。
[0044] 在下文中,將順序地描述構(gòu)成光記錄介質(zhì)10的襯底11、反射層LO到L2、中間層Sl 和S2和光透射層12。
[0045] 襯底
[0046] 襯底11例如具有盤形狀,在盤中心提供有中心孔。襯底11的主表面是凹凸表面, 在該凹凸表面上形成反射層LO的膜。該凹凸表面由突起(Iand)Ila和多個(gè)凹坑(pit)llb 構(gòu)成。多個(gè)凹坑Ilb在襯底11的表面上構(gòu)成同心陣列(所謂的軌道)或者螺旋陣列。凹 坑Ilb可以是相對于突起Ila具有凹陷形狀的凹坑(內(nèi)-凹坑)或者相對于突起Ila具有 凸起形狀的凹坑(上-凹坑)。圖IB示出了包括相對于突起Ila具有凹陷形狀的凹坑Ilb 的襯底11的實(shí)例。
[0047] 例如,選擇具有120mm的尺寸(直徑)的襯底11。考慮到剛性而選擇襯底11的厚 度,優(yōu)選地選擇具有等于或者大于0. 3mm且等于或者小于I. 3mm的厚度的襯底11,更優(yōu)選地 選擇具有等于或者大于〇. 6mm且等于或者小于I. 3mm的厚度的襯底11,且例如,選擇具有 I. Imm的厚度的襯底11。例如選擇具有15mm的尺寸(直徑)的中心孔。
[0048] 例如可以使用塑料材料或者玻璃作為襯底11的材料,且從成本的觀點(diǎn)優(yōu)選地使 用塑料材料。作為塑料材料,可以使用聚碳酸酯樹酯、聚烯烴樹脂、丙烯酸樹脂等。
[0049] 反射層
[0050] 反射層LO到L2是能夠通過受到激光照射而再現(xiàn)信息信號的反射層(再現(xiàn)專用記 錄層)。反射層LO到L2具有相對于405nm的波長和0. 85.的會(huì)聚透鏡數(shù)值孔徑NA的等于 或者大于25GB的記錄容量。通過反射層Ll和L2讀取來自反射層LO的信息信號,通過反 射層L2讀取來自反射層LI的信息信號,且因此,反射一部分激光且透射其余的激光的透明 層用作反射層Ll和L2。
[0051] 優(yōu)選地,反射層LO和Ll包括金屬作為主要成分。這里,半金屬也包括在所述金屬 中。作為金屬,可以單獨(dú)地使用從包括Al、Ag、Au、Ni、Cr、Ti、Pd、Co、Si、Ta、W、Mo、Ge等的 組中選出的一種,或者使用包含該組中的兩種或更多種金屬的合金。在該組當(dāng)中,就實(shí)際應(yīng) 用而言特別優(yōu)選的是,使用基于A1、基于Ag、基于Au、基于Si或者基于Ge的材料。作為合 金,優(yōu)選地使用 Al-Ti、Al-Cr、Al-Cu、Al-Mg-Si、Ag-Nd-Cu、Ag-Pd-Cu、Ag-Pd-Ti、Si-B 等。 優(yōu)選地,考慮到光特性而在這些材料當(dāng)中確定材料。例如,如果考慮到短波長區(qū)域中的高反 射率,則優(yōu)選地使用基于Al或者基于Ag的材料。作為反射層LO和Ll中包含的材料,可以 考慮到需要的信號特性而使用不同材料。例如,Al合金可以用作包含在反射層LO中的材 料,而Ag合金可以用作包含在反射層Ll中的材料。
[0052] 如果反射層LO包含比如Al合金之類的金屬作為主要成分,則反射層LO的膜厚度 優(yōu)選地在等于或者大于15nm且等于或者小于25nm的范圍內(nèi)。如果反射層LO的膜厚度小 于15nm,則容易發(fā)生比如腐蝕之類的缺陷,且可靠性惡化。另外,由于膜厚度的減小而導(dǎo)致 的反射率惡化也會(huì)引起信號特性的退化。相反地,反射層LO的膜厚度增加至超過25nm不具 有任何優(yōu)點(diǎn)。也就是,如果從反射率和可靠性的觀點(diǎn)來看反射層LO具有足夠厚度(例如, 從大約15nm到大約25nm),則進(jìn)一步增加厚度僅造成制造時(shí)間的增加和材料成本的增加。
[0053] 當(dāng)反射層Ll包含比如Ag合金之類的金屬作為主要成分時(shí),反射層Ll的膜厚度優(yōu) 選地在等于或者大于15nm且等于或者小于23nm的范圍內(nèi)。如果反射層Ll的膜厚度小于 15nm,則容易發(fā)生比如腐蝕之類的缺陷,且可靠性惡化。另外,由于膜厚度的減小而導(dǎo)致反 射率的惡化也會(huì)引起信號特性的退化。相反地,如果反射層Ll的膜厚度超過23nm,則反射 層LO的反射率由于透射率的減小而減小。因此,反射層LO的信號特性顯著地退化。
[0054] 在反射層L0、Ll和L2當(dāng)中最接近光照射表面C的位置,提供反射層L2。反射層 L2例如包含金屬、金屬氧化物或者金屬氮化物作為主要成分,且優(yōu)選地反射層L2包含這些 材料之中的金屬氧化物或者金屬氮化物作為主要成分。如果反射層L2包含金屬氧化物或 者金屬氮化物作為主要成分,則可以增強(qiáng)光記錄介質(zhì)10的可靠性。另外,也可以通過反射 層Ll和L2之間的電池效應(yīng)抑制反射層Ll和L2的特性的退化。作為金屬氧化物或者金屬 氮化物,例如,可以使用電介質(zhì)體。
[0055] 作為金屬氧化物,例如,可以使用從包括W、Fe、Ti、In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、 Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi和Mg的組中選出的一種或多種元素的金屬氧化物,且優(yōu)選地 使用從包括W、Fe、Ti、In、Sn、Si和Zr的組中選出的一種或多種元素的金屬氧化物。這 是由于通過使用這種金屬氧化物、并調(diào)整其成分,可以將反射層L2的折
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