數(shù)據(jù)接收芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種數(shù)據(jù)接收芯片，特別是涉及一種可產(chǎn)生參考電壓的數(shù)據(jù)接收芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]存儲器一般可分為只讀存儲器(Read Only Memory:ROM)以及隨機存取存儲器(Random Access Memory:RAM)。常見的只讀存儲器包括，可編程只讀存儲器(ProgrammableR0M:PR0M)、可擦可編程只讀存儲器(Erasable PROM:EPR0M)、電可擦可編程只讀存儲器(Electrically EPROM:EEPR0M)以及閃存(Flash memory)。常見的隨機存取存儲器包括，靜態(tài)隨機存取存儲器(Static RAM:SRAM)以及動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic RAM:DRAM)。
[0003]存儲器的存取通常是由一數(shù)據(jù)接收芯片所進行。然而，當數(shù)據(jù)接收芯片讀取存儲器時，若使用外部信號，則很容易受到外部噪聲的干擾，因而影響數(shù)據(jù)的準確性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]—種數(shù)據(jù)接收芯片，與外部存儲器相耦接。該外部存儲器具有第一輸入輸出管腳，用以輸出第一數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)接收芯片包括:比較模塊，耦接該第一輸入輸出管腳，用以接收該第一數(shù)據(jù)，并將該第一數(shù)據(jù)與第一參考電壓作比較，用以識別該第一數(shù)據(jù)的值；以及電壓產(chǎn)生模塊，用以產(chǎn)生該第一參考電壓，并包括:多個第一電阻，該多個第一電阻彼此串聯(lián)，并對第一操作電壓進行分壓，用以產(chǎn)生多個第一分壓結(jié)果；以及第一選擇單元，根據(jù)第一控制信號從該多個第一分壓結(jié)果中選擇一個作為該第一參考電壓。
[0005]本發(fā)明提供的數(shù)據(jù)接收芯片所產(chǎn)生的參考電壓能夠跟蹤接收信號的電壓變化，從而降低誤碼率，并且在不同的應(yīng)用中能夠減少管腳的數(shù)量。
[0006]為讓本發(fā)明的特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0007]圖1A和1B為本發(fā)明的控制系統(tǒng)的示意圖；
[0008]圖2A?2D、3A?3D為本發(fā)明的電壓產(chǎn)生模塊的實施例；
[0009]圖4為圖3C所示的電壓產(chǎn)生模塊的操作流程圖；
[0010]圖5為本發(fā)明的數(shù)據(jù)接收芯片的示意圖。
【具體實施方式】
[0011]圖1A為本發(fā)明的控制系統(tǒng)的示意圖?？刂葡到y(tǒng)100A包括外部存儲器110以及數(shù)據(jù)接收芯片120A。外部存儲器110可以是易失性存儲器或是非易失性存儲器。在一個實施例中，外部存儲器110是動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，但并非用以限制本發(fā)明。如圖所示，外部存儲器110具有輸入輸出管腳100?107，但并非用以限制本發(fā)明。在其它實施例中，夕卜部存儲器110具有其它數(shù)量的輸入輸出管腳。輸入輸出管腳100?107分別傳送數(shù)據(jù)DQ〈0>?DQ〈7>。
[0012]數(shù)據(jù)接收芯片120A耦接外部存儲器110，并根據(jù)操作電壓VPP以及VSS而操作。在一個實施例中，數(shù)據(jù)接收芯片120A為存儲器控制器(memory controller)。在本實施例中，數(shù)據(jù)接收芯片120A包括比較模塊121A以及電壓產(chǎn)生模塊122。比較模塊121包括比較器CMA0?CMA7，但并非用以限制本發(fā)明。在其它實施例中，比較模塊121具有其它數(shù)量的比較器。比較器CMA0?CMA7分別耦接輸入輸出管腳100?107，用以接收數(shù)據(jù)DQ〈0>?DQ〈7>，比較模塊121與操作電壓VPP相耦合，數(shù)據(jù)DQ〈0>?DQ〈7>經(jīng)過操作電壓VPP的處理，并將數(shù)據(jù)DQ〈0>?DQ〈7>與參考電壓VREF作比較，用以識別數(shù)據(jù)DQ〈0>?DQ〈7>的值。舉例而言，當數(shù)據(jù)DQ〈0>大于參考電壓VREF，表示數(shù)據(jù)DQ〈0>為1 ;相反地，當數(shù)據(jù)DQ〈0>小于參考電壓VREF，表示數(shù)據(jù)DQ〈0>為0。
[0013]在本實施例中，比較器CMA0?CMA7是接收同一參考電壓VREF，但并非用以限制本發(fā)明。在其它實施例中，比較器CMA0?CMA7中至少有一個比較器所接收的參考電壓的電位不同于比較器CMA0?CMA7中的另一個。
[0014]為了補償比較模塊121A與輸入輸出管腳100?107之間的傳輸線的等效阻抗，在本實施例中，數(shù)據(jù)接收芯片120A具有多個終端電阻。每一終端電阻耦接一個比較器，并接收操作電壓VPP。為方便說明，圖1A僅顯示單一終端電阻Rodt。終端電阻Rodt耦接比較器CMA0的第一輸入端，其中比較器CMA0的第一輸入端接收數(shù)據(jù)DQ〈0>。在其它實施例中，為了節(jié)省成本，可省略終端電阻。
[0015]電壓產(chǎn)生模塊122接收操作電壓VPP與VSS，并根據(jù)操作電壓VPP與VSS產(chǎn)生參考電壓VREF。由于電壓產(chǎn)生模塊122整合在數(shù)據(jù)接收芯片120A中，故不會將外部噪聲引入數(shù)據(jù)接收芯片120A。再者，數(shù)據(jù)接收芯片120A不需利用額外的接收管腳，去接收參考電壓VREF，故減少數(shù)據(jù)接收芯片120A的尺寸和管腳。
[0016]在本實施例中，比較器CMA0?CMA7接收同一電壓產(chǎn)生模塊如122所產(chǎn)生的參考電壓VREF，但并非用以限制本發(fā)明。圖1B為本發(fā)明的控制系統(tǒng)的另一示意圖。圖1B與圖1A相似，不同之處在于，圖1B中的數(shù)據(jù)接收芯片120B具有電壓產(chǎn)生模塊130?137。電壓產(chǎn)生模塊130?137分別產(chǎn)生參考電壓VRER)?VREF7。比較器CMB0?CMB7分別接收參考電壓VRER)?VREF7。
[0017]本發(fā)明并不限定電壓產(chǎn)生模塊的數(shù)量。在其它實施例中，數(shù)據(jù)接收芯片120B可以具有其它數(shù)量的電壓產(chǎn)生模塊。在一個實施例中，電壓產(chǎn)生模塊的數(shù)量等于比較器的數(shù)量。在另一個實施例中，電壓產(chǎn)生模塊的數(shù)量少于比較器的數(shù)量。在此實施例中，電壓產(chǎn)生模塊可以向參考電壓提供多個比較器。在一些實施例中，參考電壓VRER)?VREF7中至少一個與另一者不同。在此實施例中，兩不同的參考電壓僅具有些微的電位差異，如0.5mV。上述實施例所產(chǎn)生的參考電壓是在芯片內(nèi)部，并且其與芯片內(nèi)部的VPP高度同步。而比較模塊也通過VPP對接收信號進行處理。從而，上述實施例所產(chǎn)生的參考電壓能夠很好地追蹤接收信號的變化，從而使接收信號與參考電壓的差保持恒定，能夠更好地判斷接收信號的值，降低誤碼率。
[0018]圖2A?2D為本發(fā)明的電壓產(chǎn)生模塊的實施例。在圖2A中，電壓產(chǎn)生模塊200A包括電阻R1與R2。電阻R1串聯(lián)電阻R2。電阻R1與R2對操作電壓VPP進行分壓，用以產(chǎn)生參考電壓VREF。在圖2B中，電壓產(chǎn)生模塊200B包括電阻R1?R2以及電容CO。電阻R1與R2串聯(lián)于操作電壓VPP與VSS之間。電容C0用以濾除操作電壓VPP的噪聲。在本實施例中，電容C0并聯(lián)電阻R2，用以濾除高頻噪聲。在圖2C中，電壓產(chǎn)生模塊200C包括電容C1與電阻R1?R2。電阻R1與R2串聯(lián)于操作電壓VPP與VSS之間。電容C1用以濾除操作電壓VSS的噪聲。在本實施例中，電容C1并聯(lián)電阻R1，用以濾除高頻噪聲。在圖2D中，電壓產(chǎn)生模塊200D包括電容C2?C3與電阻R1?R2。電阻R1與R2串聯(lián)于操作電壓VPP與VSS之間，用以產(chǎn)生參考電壓VREF。電容C2?C3令參考電壓VREF跟蹤(tracking)操作電壓VPP的噪聲。具體地說，參考VREF具有直流分量和交流分量。其中直流分量通過電阻R1與R2對操作電壓VPP進行分壓后獲得。交流分量只有在電路的噪聲頻率較高的時候存在，當電路噪聲頻率較低時，交流分量為零。在電路噪聲頻率較高時，該交流分量由電容C2?C3對操作電壓VPP進行分壓后獲得。所以在此實施例中，當電路噪聲頻率較低時，參考電壓VREF由電阻R1與R2對操作電壓VPP進行分壓后獲得。當電路中的噪聲頻率較高時，電阻R1與R2對操作電壓VPP進行分壓獲得參考電壓VREF的直流分量，并由C2?C3對操作電壓VPP進行分壓后獲得參考電壓VREF的交流分量，參考電壓VREF的值由直流分量和交流分量相加后獲得。
[0019]圖3A?3D為本發(fā)明的電壓產(chǎn)生模塊的其它可能實施例。在圖3A中，電壓產(chǎn)生模塊300A包括電阻&?RN以及選擇單元310。電阻1^?1^串聯(lián)在操作電壓VPP與VSS之間，并對操作電壓VPP進行分壓，用以產(chǎn)生分壓結(jié)果V N。選擇單元310根據(jù)控制信號Sc從分壓結(jié)果V V N中選擇一個作為參考電壓VREF。本發(fā)明并不限定電阻R R N的阻值。在一個實施例中，電阻札?!^具有相同的阻值。在另一可能實施例中，電阻^?、中的至少一個的阻值不同于另一個。
[0020]在圖3B中，電壓產(chǎn)生模塊300B相似電壓產(chǎn)生模塊300A，不同之處在于電壓產(chǎn)生模塊300B多了電容C4與C5。電容C4與C5用以讓參考電壓VREF跟蹤操作電壓VPP的噪聲。如圖所示，電容C4耦接在操作電壓VPP與參考電壓VREF之間。電容C5耦接在操作電壓VSS與參考電壓VREF之間。具體地說，參考VREF具有直流分量和交流分量。其中直流分量通過電阻對操作電壓VPP進行分壓后獲得。交流分量只有在電路的噪聲頻率較高的時候存在，當電路噪聲頻率較低時，交流分量為零。在電路噪聲頻率較高時，該交流分量由電容C4?C5對操作電壓VPP進行分壓后獲得。所以在此實施例中，當電路噪聲頻率較低時，參考電壓VREF由電阻對操作電壓VPP進行分壓后獲得。當電路中的噪聲頻率較高時，電阻對操作電壓VPP進行分壓獲得參考電壓VREF的直流分量，并由C4?C5對操作電壓VPP進行分壓后獲得參考電壓VREF的交流分量，參考電壓VREF的值由直流分量和交流分量相加后獲得。
[0021]在圖3C中，電壓產(chǎn)生模塊300C相似電壓產(chǎn)生模塊300A，不同之處在于電壓產(chǎn)生模塊300C多了處理模塊320。處理模塊320將來自圖1A或圖1B的比較模塊121A、121B的比較結(jié)果OutO?0ut7與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)進行比較，用以判斷比較模塊，如121A、121B，所接收到的數(shù)據(jù)是否正確，再根據(jù)判斷結(jié)果產(chǎn)生控制信號Sc，用以調(diào)整參考電壓VREF。在一個實施例中，控制信號Se為數(shù)字信號。
[0022]圖4為圖3C所示的電壓產(chǎn)生模塊300C的流程圖。首先，將參考電壓VREF設(shè)定成一初始值(步驟S411)。在一個實施例中，處理模塊320輸出一預(yù)設(shè)的控制信號Se。選擇單元310根據(jù)預(yù)設(shè)的控制信號Se從分壓結(jié)果V VN*選擇一個最大值或是一個最小值作為參考電壓VREF的初始值。
[0023]接收外部數(shù)據(jù)，并將外部數(shù)據(jù)與參考電壓VREF作比較(步驟S412)。以圖1A為例，比較器CMA0接收數(shù)據(jù)DQ〈0>，并將數(shù)據(jù)DQ〈0>與參考電壓VREF作比較，用以判斷數(shù)據(jù)DQ<0>的值。
[0024]處理模塊320判斷