一種存儲器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)，尤其涉及一種存儲器。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著各種移動設(shè)備中對數(shù)據(jù)存儲要求的日益增大，存儲器的發(fā)展和應(yīng)用越來越廣泛，對能在斷電情況下仍然保存數(shù)據(jù)的非易失性存儲器的需求越來越大。快閃存儲器是一種發(fā)展很快的非易失性存儲器，它既具有半導體存儲器讀取速度快、存儲容量大的優(yōu)點，又具有非易失特征，是現(xiàn)有技術(shù)中被廣泛應(yīng)用的存儲器。
[0003]在快閃存儲器制作工藝中，閃存芯片制備完成之后，在出廠使用之前，通常需要對閃存芯片進行紫外(Ultrav1let，UV)光照射，以使芯片出廠時，其中的每一個存儲單元存儲內(nèi)容均被擦除(全為“1”)，即初始化，出廠后用戶可根據(jù)需要對存儲單元進行編程。紫外線照射存儲陣列的存儲單元，當浮置柵極接收到紫外線的照射，浮柵中的電子接收了紫外線光量子的能量，則電子變成具有穿透硅氧化膜能壁能量的熱電子，熱電子穿透硅氧化膜，流向基板和柵極，恢復為擦除狀態(tài)，由此達到擦除浮柵中的電荷的目的。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，由于閃存芯片的全局位線(Global Bit Line，GBL)比較寬，所以在布線時，從頂層延伸到存儲陣列時會覆蓋至少1列存儲單元或相鄰存儲單元的周邊部分，并且，全局位線的材料為金屬材料，當對閃存芯片進行UV光照射時，被全局位線覆蓋的1列或多列存儲單元上的金屬材料的全局位線會反射UV光，使紫外光透光率降低，導致被覆蓋的存儲單元比未覆蓋的存儲單元需要更長時間的紫外光照射才能完成存儲單元初始化，因此閃存芯片有些存儲單元在全局位線之下，有些存儲單元不在全局位線之下時，存儲單元的一致性差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種存儲器，以解決現(xiàn)有技術(shù)中紫外光照射存儲器的存儲單元使其初始化時，存儲器的存儲單元一致性差的問題。
[0006]本發(fā)明提供了一種存儲器，包括:存儲陣列和全局位線；
[0007]所述存儲陣列，包括以陣列排布的若干個存儲單元，所述存儲單元由隔離區(qū)按列隔開;
[0008]至少一條所述全局位線，所述全局位線為相連的η條窄全局位線，所述窄全局位線的寬度小于寬度閾值，所述窄全局位線位于所述存儲陣列的隔離區(qū)所在區(qū)域的上方，其中，η為整數(shù)且大于或等于2。
[0009]進一步地，所述全局位線的材料為金屬。
[0010]進一步地，所述相連的η條窄全局位線具體為:
[0011 ] 通過金屬線連接η條所述窄全局位線的η個第一端口，以及通過所述金屬線，連接η條所述窄全局位線的η個第二端口。
[0012]進一步地，所述寬度閾值具體為所述隔離區(qū)的寬度和2個有源區(qū)的寬度的總和。
[0013]本發(fā)明提供的一種存儲器，任一條全局位線由η條窄全局位線組成，并將窄全局位線排列在隔離區(qū)上方，使得任意一列存儲單元均不會被窄全局位線完全覆蓋，那么，當使用紫外光對存儲器的存儲單元進行照射時，每一個存儲單元均能夠獲得紫外光照射，并不受上方全局位線的影響，從而使得在紫外光照射后，存儲器的存儲單元的初始化一致性良好。本發(fā)明的有益效果在于，使存儲器的每一個存儲單元都不會被金屬線的全局位線完全覆蓋，每一個存儲單元都能夠接收到紫外光的照射，解決了紫外光透光率低的問題，并且這種存儲器的設(shè)計方法簡單、復雜度低、金屬材料的全局位線布線方式簡單，全局位線的總寬度也未收到影響，達到了提高存儲器的存儲單元初始化一致性的效果。
【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖做一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種存儲器的示意圖。
【具體實施方式】
[0016]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，以下將參照本發(fā)明實施例中的附圖，通過實施方式清楚、完整地描述本發(fā)明的技術(shù)方案，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0017]參考圖1,為本發(fā)明實施例提供的一種存儲器的示意圖，本實施例技術(shù)方案可適用于紫外光照射非易失性存儲器或閃存器件，使器件初始化的情況，能夠使初始化之后的器件存儲單元的一致性良好。
[0018]本發(fā)明提供的存儲器包括:存儲陣列和全局位線110 ；
[0019]所述存儲陣列，包括以陣列排布的若干個存儲單元，所述存儲單元由隔離區(qū)120按列隔開；
[0020]至少一條所述全局位線110，所述全局位線110為相連的η條窄全局位線130，所述窄全局位線130的寬度小于寬度閾值，所述窄全局位線130位于所述存儲陣列的隔離區(qū)120所在區(qū)域的上方，其中，η為整數(shù)且大于或等于2。
[0021]進一步地，所述全局位線110的材料為金屬。
[0022]進一步地，所述相連的η條窄全局位線130具體為:
[0023]通過金屬線140連接η條所述窄全局位線130的η個第一端口，以及通過所述金屬線140,連接η條所述窄全局位線130的η個第二端口。
[0024]進一步地，所述寬度閾值具體為所述隔離區(qū)120的寬度和2個有源區(qū)150的寬度的總和。
[0025]如上所述，存儲器可以為快閃存儲器，快閃存儲器包括存儲陣列，所述存儲陣列為以陣列排布的若干個存儲單元，并且存儲單元由隔離區(qū)120按列隔開。存儲陣列由若干個存儲單元組成，任意存儲單元包括有源區(qū)150和該有源區(qū)150上面的柵極區(qū)160。對于任一存儲單元:有源區(qū)150是做有源器件的區(qū)域，也可以說是在硅片上采用淺溝道隔離技術(shù)(STI)隔離開的區(qū)域，有源區(qū)150分為源極區(qū)域(源區(qū))和漏極區(qū)域(漏區(qū))，但在進行源漏極互聯(lián)之前，有源區(qū)150上的源極區(qū)域和漏極區(qū)域沒有差別，當將源極和漏極進行互聯(lián)之后，源區(qū)和漏區(qū)負責電流的流進和流出，則有源區(qū)150的源區(qū)和漏區(qū)之間的區(qū)域形成了導電溝道，因此源極和漏極互聯(lián)后，有源區(qū)150包括源區(qū)、漏區(qū)和其間的導電溝道；柵極區(qū)160是存儲單元的柵電極區(qū)域，位于導電溝道上方且與導電溝道重疊，因此柵極區(qū)160位于有源區(qū)150的上方且與有源區(qū)150垂直，快閃存儲器的柵極區(qū)160為浮柵和控制柵，通常柵極區(qū)160在版圖設(shè)計時會延伸到有源區(qū)150外。對于快閃存儲器，由于其漏極接高電位，源極接低電位，因此通常將存儲陣列的任一個存儲單元的源極接相同的低電位，漏極接位線，柵極接字線，為了在單位面積內(nèi)集成更多的存儲單元，任意一列存儲單元的排布方式設(shè)定為，依次標記存儲單元為存儲單元1、存儲單元2、存儲單元3、存儲單元4，…，設(shè)定存儲單元1和存儲單元2共享源極，存儲單元2和存儲單元3共享漏極，存儲單元3和存儲單元4共享源極等等，依次排列，則一列存儲單元的有源區(qū)150相連，任意相鄰的兩個存儲單元共享漏極或源極，存儲單元的柵極區(qū)160垂直有源區(qū)150，對于任意相鄰兩列存儲單元，由于有源區(qū)150位于硅襯底材料上隔離開的區(qū)域，則需要用硅襯底部分隔離有源區(qū)150，該隔離有源區(qū)150的硅襯底部分被定義為存儲陣列的隔離區(qū)120，那么存儲陣列的版圖設(shè)計為若干列存儲單元的硅襯底底部連接組成存儲陣列的襯底部分，若干列存儲單元通過隔離區(qū)120隔離，襯底部分上具有對應(yīng)的若干個源、柵和漏組成的器件，當存儲陣列上若干個存儲單元以i*j的陣列排列時，每一列i個存儲單元的有源區(qū)150依次相連，每一列i個存儲單元的柵極水平排列。
[0026]對任意一列存儲單元，源極接地或低電壓、漏極接位線、柵極接字線，則字線和位線在存儲陣列上方相對垂直，字線水平，位線垂直且位于對應(yīng)一列存儲單元的上方和延伸方向，任意字線和位線的交叉處對應(yīng)一個存儲單元，并且存儲陣列上的j條位線連接在m條全局位線110上，依次標記為681^，681^，681^2，…，其中，m小于j，則全局位線110位于多個位線上方且與字線垂直，全局位線110不僅位于存儲陣列的上方，還延伸至存儲陣列兩端外。快閃存儲器出廠時，通常使用紫外光對存儲陣列的所有存儲單元進行初始化，也就是使任意存儲單元讀取的數(shù)據(jù)全部為“1”，即浮柵中的電荷在紫外光照射下，獲得足夠的光能量，克服能量勢壘由浮柵中逃逸到硅襯底中，使浮柵中不再存有電荷，從而實現(xiàn)所有存儲單元的初始化，使存儲單元的性能一致。當采用紫外光對存儲陣列的所有存儲單元進行初始化時，全局位線110位于多個位線上方，位線位于對應(yīng)一列存儲單元的上方，那么寬度較大的全局位線110在存儲陣列上方的走線部分則可能會完全覆蓋存儲陣列中一列或多列存儲單元，此時，當紫外光對存儲陣列進行照射時，全局位線110的材料為金屬，存儲陣列上方的金屬走線會反射紫外光，導致紫外光的透光率低，使得全局位線110下方被覆蓋的存儲陣列的多列存儲單元浮柵中的電荷只能接收到較弱的紫外光照射，從而使其獲取的光能量小于其他未被覆蓋的存儲單元浮柵中電荷獲取的光能量，從而在一定的時間內(nèi)進行紫外光照射之后，未被覆蓋的存儲單元實現(xiàn)初始化后，被覆蓋的多列存儲單元中可能還存在一些電荷，若為了使存儲陣列所有的存儲單元初始化，則需要花費更長的紫外光照射時間，由此，可能使存儲陣列的存儲單元不一致，影響快閃存儲器的性能。因此，本發(fā)明中的全局位線110為相連的η條窄全局位線130，即全局位線110在存儲陣列的走線部分全部為寬度小的窄全局位線130。
[0027]如上所述，存儲器至少包括一條所述全局位線110，所述全局位線110為相連的η條窄全局位線130，窄全局位線130的寬度小于寬度閾值，窄全局位線130位于存儲陣列的隔離區(qū)120所在區(qū)域的上方，其中，η為整數(shù)且大于或等于2。其中，寬度閾值具體為隔離區(qū)120寬度和2個有源區(qū)150寬度的總和。在此全局位線110是指存儲器的存儲陣列上方的任意一條全