存儲在交叉點非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)的刷新的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實施例一般地涉及存儲器的技術(shù)領(lǐng)域。具體實施例包括刷新交叉點存儲器的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]本文提供的背景描述是出于一般地呈現(xiàn)本公開的上下文的目的。目前指定的發(fā)明人的工作(在一定程度上其被描述在本【背景技術(shù)】章節(jié)中)以及可能未以其它方式合適作為在提交時的現(xiàn)有技術(shù)的描述的各方面既未明確地也未隱含地被承認為針對本公開的現(xiàn)有技術(shù)。除非以其它方式在本文中指示，否則在本章節(jié)中描述的方案不是本公開中的權(quán)利要求的現(xiàn)有技術(shù)并且并不通過包括在本章節(jié)中而被承認為現(xiàn)有技術(shù)。
[0003]包括相變存儲器(PCM)的交叉點非易失性存儲器可以包括存儲器單元的二維或三維網(wǎng)格。使用PCM的系統(tǒng)可以將存儲器地址構(gòu)造為來自一個或多個存儲器陣列的多個存儲器單元的組合。存儲器單元狀態(tài)可以通過可以注明為VT的電壓閾值表示。在一些PCM中，每一個單元的電壓值可以可設(shè)置(set)成分別可以表示邏輯“0”或“1”的兩個電壓閾值中的一個。存儲器單元的電壓值可以通過寫入操作定位并且通過讀取操作讀取。在一些情況中，在給定存儲器單元或存儲器地址上的讀取和寫入操作背后的物理機制可能使一個或多個其它存儲器單元或存儲器地址丟失存儲在它們中的數(shù)據(jù)或者以其它方式被擾動。
【附圖說明】
[0004]將通過結(jié)合附圖的以下詳細描述來容易地理解實施例。為了促進該描述，相同的附圖標(biāo)記指定相同的結(jié)構(gòu)元件。通過示例的方式而不是通過限制的方式在附圖的各圖中圖示實施例。
[0005]圖1圖示了依照各種實施例的與本公開的教導(dǎo)合并的示例存儲驅(qū)動器。
[0006]圖2圖示了依照各種實施例的存儲器單元的示例。
[0007]圖3圖示了依照各種實施例的用于刷新存儲器單元的示例過程。
[0008]圖4圖示了依照各種實施例的用于刷新存儲器單元的可替換過程。
[0009]圖5圖示了依照各種實施例的用于刷新存儲器單元的可替換過程。
[0010]圖6圖示了依照各種實施例的被配置成執(zhí)行本文所描述的方法的示例系統(tǒng)。
【具體實施方式】
[0011]在以下詳細描述中，參照形成其部分的附圖，其中相同的附圖標(biāo)記自始至終指定相同的部分，并且其中通過圖示的方式示出可以實踐的實施例。要理解的是，可以利用其它實施例并且可以在不脫離于本公開的范圍的情況下做出結(jié)構(gòu)或邏輯改變。因此，以下詳細描述不以限制性含義來考慮，并且實施例的范圍由隨附權(quán)利要求及其等同物限定。
[0012]本文討論了與刷新存儲器單元相關(guān)聯(lián)的裝置、方法和存儲介質(zhì)。在實施例中，交叉點非易失性存儲器(例如PCM)可以包括具有可設(shè)置成第一閾值電壓或第二閾值電壓的相應(yīng)電壓值的多個存儲器單元。然而，隨著時間過去，設(shè)置成第一或第二閾值電壓的存儲器單元中的一個或多個的電壓值可能開始漂移。存儲器控制器可以被配置成在存儲器單元上執(zhí)行讀取操作。讀取操作可以重置(reset)被設(shè)置成第一閾值電壓的存儲器單元的電壓值。也就是說，讀取操作可以使存儲器單元的電壓值返回到第一閾值電壓。讀取操作還可以允許存儲器控制器識別被設(shè)置成第二電壓值的存儲器單元。存儲器控制器然后可以被配置成執(zhí)行寫入操作以將存儲器單元的電壓值重置回到第二閾值電壓。
[0013]以最有助于理解所要求保護的主題的方式，可以將各種操作描述為依次的多個分立動作或操作。然而，描述的次序不應(yīng)當(dāng)解釋為暗示這些操作必然是次序相關(guān)的。特別地，這些操作可以不以呈現(xiàn)的次序執(zhí)行。所描述的操作可以以與所描述的實施例不同的次序執(zhí)行?？梢詧?zhí)行各種附加操作和/或可以在附加實施例中省略所描述的操作。
[0014]出于本公開的目的，短語“A和/或B”和“A或B”意指(A)、(B)或(A和B)。出于本公開的目的，短語“A，B和/或C"意指(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A，B和C)。
[0015]描述可以使用短語“在一實施例中”或“在實施例中”，其可以每一個是指相同或不同實施例中的一個或多個。另外，如關(guān)于本公開的實施例所使用的術(shù)語“包括”、“包含”、“具有”等是同義的。
[0016]如本文所使用的，術(shù)語“模塊”可以是指專用集成電路(ASIC)、電子電路、執(zhí)行一個或多個軟件或固件程序的處理器(共享、專用或群組)和/或存儲器(共享、專用或群組)、組合邏輯電路和/或提供所描述的功能的其它合適組件、作為其部分或者包括以上所述。如本文所使用的，“計算機實現(xiàn)的方法”可以是指由一個或多個處理器、具有一個或多個處理器的計算機系統(tǒng)、諸如智能電話之類的移動設(shè)備(其可以包括一個或多個處理器)、平板計算機、膝上型計算機、機頂盒、游戲控制臺等執(zhí)行的任何方法。
[0017]參照圖1，在各種實施例中，存儲設(shè)備100可以包括諸如PCM之類的交叉點非易失性存儲器104。信息可以通過存儲器控制器110寫入到交叉點非易失性存儲器104和/或從其讀取。存儲器控制器110可以通過一個或多個通信線路116(例如存儲器總線)的方式與交叉點非易失性存儲器104耦合。讀取或?qū)懭氩僮骺梢苑謩e由讀取邏輯或?qū)懭脒壿媹?zhí)行，所述讀取邏輯和寫入邏輯可以與彼此分離，或被組合，諸如讀取/寫入模塊120。出于該討論的目的，將討論讀取/寫入模塊120，并且可以假定其包括讀取邏輯和寫入邏輯二者。然而在其它實施例中，讀取模塊可以包含讀取邏輯并且執(zhí)行以下討論的讀取操作，并且寫入模塊可以包括寫入邏輯并且執(zhí)行以下討論的寫入操作，并且讀取模塊和寫入模塊可以與彼此分離。
[0018]如所示，讀取/寫入模塊120可以是存儲器控制器110的元件，而在一些實施例中，讀取/寫入模塊120(或單獨的讀取模塊和/或?qū)懭肽K)可以與存儲器控制器110分離，但是通信耦合到存儲器控制器110。在一些實施例(未示出)中，讀取/寫入模塊120可以是交叉點非易失性存儲器104的元件或者以其它方式與其耦合。在一些實施例(未示出)中，讀取/寫入模塊120可以跨存儲器控制器110和交叉點非易失性存儲器104 二者分布。在一些實施例中，讀取/寫入模塊120可以實現(xiàn)為硬件、固件、軟件或其某個組合。在實施例中，讀取/寫入模塊120可以被配置成執(zhí)行讀取操作以讀取交叉點非易失性存儲器104的一個或多個存儲器單元112的電壓值，如以下描述的那樣。此外，讀取/寫入模塊120可以被配置成執(zhí)行寫入操作以設(shè)置或重置交叉點非易失性存儲器104的一個或多個存儲器單元112的電壓值，如以下進一步描述的那樣。在實施例中，交叉點非易失性存儲器104的存儲器單元112的電壓值可以視為在通過讀取/寫入模塊120的讀取操作期間跨存儲器單元112測量的電壓值，如以下進一步詳細描述的那樣。
[0019]在一些實施例中，存儲器控制器110和/或存儲設(shè)備100可以經(jīng)由諸如外圍組件互連(PCI)或快速PCI總線之類的一個或多個外部通信線路106與計算系統(tǒng)的其它組件耦合。盡管未描繪，各種其它組件可以經(jīng)由一個或多個通信線路106與存儲設(shè)備100耦合，包括但不限于一個或多個中央處理單元(CPU)、易失性存儲器(例如DRAM)、一個或多個輸入/輸出(I/O)設(shè)備、可替換處理單元(例如圖形處理器)等。在各種實施例中，存儲設(shè)備100可以是固態(tài)驅(qū)動器(SSD)或混合硬驅(qū)動器(HHD)。
[0020]在許多情況中，包括圖1的示例，交叉點非易失性存儲器104可以包括多個管芯(die)108。例如，在圖1中，交叉點非易失性存儲器104包括N個管芯108A可以是任何正整數(shù)。在其它實施例中，交叉點非易失性存儲器104可以僅包括單個管芯108。如圖1中所示，每一個管芯108可以具有一個或多個存儲器單元112。將理解到，盡管示出每個管芯108三個存儲器單元112，但是每一個管芯可以具有更多或更少的存儲器單元112。此外，每一個管芯108不一定必須具有與另一管芯108相同量的存儲器單元112。最后，數(shù)據(jù)可以布置在如本文所描述的不同分組中，例如存儲器單元112可以布置為存儲器的塊或頁。
[0021]如以上描述的，諸如交叉點非易失性存儲器104之類的交叉點非易失性存儲器或諸如交叉點非易失性存儲器104的管芯108之類的交叉點非易失性存儲器的每一個管芯可以包括被布置成二維或三維網(wǎng)格的多個存儲器單元。圖2描繪了諸如交叉點非易失性存儲器104之類的交叉點非易失性存儲器的存儲器單元205的網(wǎng)格200。具體地，網(wǎng)格200可以是諸如交叉點非易失性存儲器104的管芯108之類的管芯上的存儲器單元205的網(wǎng)格。盡管在本文中將網(wǎng)格200描繪為二維網(wǎng)格，但是在實施例中網(wǎng)格200可以是三維網(wǎng)格。存儲器單元205中的一個或多個可以被設(shè)置成第一閾