本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，特別地，涉及含有高散熱材料的電力用等的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該高散熱材料與封裝樹(shù)脂相比，針對(duì)功率芯片、散熱件以及半導(dǎo)體元件(Si/SiC等)處產(chǎn)生的熱的熱傳導(dǎo)率大。

背景技術(shù)：

就電力用等的半導(dǎo)體裝置而言，確保高絕緣性、并且將功率芯片處產(chǎn)生的熱高效地向外部進(jìn)行散熱是非常重要的。為了提高散熱性能，期望使功率芯片下側(cè)的絕緣層變薄，但如果使絕緣層變薄，則擔(dān)心絕緣特性劣化。

另外，在由1種樹(shù)脂對(duì)整體進(jìn)行全模塑的構(gòu)造中，由于使絕緣層越薄，則樹(shù)脂繞入至絕緣層形成部的狀況越差，模塑性極端地劣化，因此，使絕緣層變薄是極度困難的。因此，不得不使絕緣層的膜厚以某種程度變厚，因此，散熱性下降。為了使絕緣層以某種程度變厚，提高散熱性，因而使用導(dǎo)熱性良好的樹(shù)脂作為絕緣層。但是，導(dǎo)熱性良好的樹(shù)脂的價(jià)格高，如果連不必要的部位也使用高價(jià)的高性能樹(shù)脂，則制造成本增高。

因此，在例如專利文獻(xiàn)1中提出了下述方法，即，通過(guò)使用呈某種程度的厚度且導(dǎo)熱性優(yōu)異的絕緣材料作為絕緣層，從而易于同時(shí)實(shí)現(xiàn)絕緣性的確保和高散熱。就該方法而言，由于僅在必要的部位以及散熱件的正下方使用高性能的絕緣材料，因此在制造成本方面也是有利的。

如專利文獻(xiàn)1所述，為了提高樹(shù)脂朝散熱件的正下方向絕緣層部的注入性，開(kāi)發(fā)了如下技術(shù)。如果樹(shù)脂向散熱件的正下方的注入遲緩，則在散熱件的正下方產(chǎn)生熔接縫(weld)，由于散熱件上側(cè)的樹(shù)脂注入壓力，樹(shù)脂厚度變小，發(fā)生絕緣不良。通過(guò)將引線框架向上方垂直地彎曲，或者在封裝件的表面設(shè)置切口部等堤部，從而作為對(duì)將要向上部流動(dòng)的樹(shù)脂的注入量進(jìn)行限制的減流部起作用，增大從引線框架的下部向散熱件正下方的絕緣層形成部分流入的樹(shù)脂量，使得在散熱件正下方不產(chǎn)生熔接縫。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2003－115505號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

但是，就用于對(duì)專利文獻(xiàn)1所記載的樹(shù)脂的流動(dòng)性進(jìn)行控制的對(duì)策而言，存在引線框架的加工成本上升這一問(wèn)題。另外，存在下述問(wèn)題，即，需要利用一定厚度的樹(shù)脂對(duì)線環(huán)進(jìn)行封裝，封裝件厚度的減薄化是困難的。并且，由于在封裝件的表面設(shè)置切口部等堤部，因此存在封裝件強(qiáng)度下降、可能產(chǎn)生裂紋這一問(wèn)題。

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置的制造方法能夠抑制封裝件強(qiáng)度的下降以及制造成本，并且實(shí)現(xiàn)封裝件的小型化。

本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有下述工序，即：(a)準(zhǔn)備引線框架，該引線框架具有搭載了半導(dǎo)體元件的芯片焊盤；(b)在模具內(nèi)配置粒狀的第1樹(shù)脂；(c)以使所述第1樹(shù)脂與所述芯片焊盤的下側(cè)相接觸的方式，將所述引線框架配置于所述模具內(nèi)；(d)在所述模具內(nèi)，在所述第1樹(shù)脂的上側(cè)填充第2樹(shù)脂；以及(e)通過(guò)使所述第1樹(shù)脂及所述第2樹(shù)脂硬化，從而成型。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，通過(guò)在成型前預(yù)先配置粒狀的第1樹(shù)脂，在以使第1樹(shù)脂與芯片焊盤的下側(cè)相接觸的方式將由導(dǎo)線配線進(jìn)行連接的半導(dǎo)體元件及引線框架配置于模具內(nèi)后，在第1樹(shù)脂的上側(cè)填充第2樹(shù)脂，使第1樹(shù)脂及第2樹(shù)脂硬化，從而成型。

因此，由于能夠防止在與芯片焊盤的下表面接合的散熱件的正下方產(chǎn)生熔接縫，因此能夠避免半導(dǎo)體裝置的絕緣不良。另外，由于不需要在封裝件表面設(shè)置切口部等堤部，因此能夠抑制封裝件強(qiáng)度的下降。并且，由于不需要在封裝件表面設(shè)置切口部等堤部，另外，利用具有一定厚度的樹(shù)脂將導(dǎo)線封裝，因此不需要使封裝件厚度變厚。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)封裝件的小型化，并且能夠抑制半導(dǎo)體裝置的制造成本。

通過(guò)以下的詳細(xì)說(shuō)明和附圖，使本發(fā)明的目的、特征、方案以及優(yōu)點(diǎn)更明確。

附圖說(shuō)明

圖1是表示在實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中將引線框架配置于模具內(nèi)的狀態(tài)的剖視圖。

圖2是表示在實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中將第2樹(shù)脂注入至模具內(nèi)的狀態(tài)的剖視圖。

圖3是表示在實(shí)施方式1的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中將第2樹(shù)脂注入至模具內(nèi)的狀態(tài)的剖視圖。

圖4是表示在實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中利用上模型腔對(duì)第2樹(shù)脂及第1樹(shù)脂進(jìn)行壓縮的狀態(tài)的剖視圖。

圖5是表示在實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中將引線框架配置于模具內(nèi)的狀態(tài)的剖視圖。

圖6是表示在實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中利用可動(dòng)銷進(jìn)行暫時(shí)壓縮的狀態(tài)的剖視圖。

圖7是表示在實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中將第2樹(shù)脂注入至模具內(nèi)后、將可動(dòng)銷從模具拔出后的狀態(tài)的剖視圖。

圖8是表示在實(shí)施方式4所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中將第2樹(shù)脂注入至模具內(nèi)的狀態(tài)的剖視圖。

圖9是前提技術(shù)所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

圖10是前提技術(shù)所涉及的其他半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

具體實(shí)施方式

＜前提技術(shù)＞

在對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1進(jìn)行說(shuō)明之前，使用圖9和圖10對(duì)前提技術(shù)所涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖9是前提技術(shù)所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖視圖，圖10是前提技術(shù)所涉及的其他半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

如圖9所示，前提技術(shù)所涉及的半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體元件6a、6b、引線框架4、5、導(dǎo)線1、2、散熱件20、以及模塑樹(shù)脂8a。

半導(dǎo)體元件6a是功率芯片，更具體地說(shuō)，是Si芯片或者SiC芯片。半導(dǎo)體元件6a的背面經(jīng)由焊料3而接合于引線框架4的芯片焊盤4a的表面之上。導(dǎo)線1的一端與在半導(dǎo)體元件6a的表面之上形成的多個(gè)電極(省略圖示)鍵合，導(dǎo)線1的另一端與引線框架4的內(nèi)部引線部鍵合。散熱件20通過(guò)經(jīng)由焊料3與芯片焊盤4a的背面接合，從而與半導(dǎo)體元件6a電接合，進(jìn)行半導(dǎo)體元件6a的散熱。

半導(dǎo)體元件6b是作為功率芯片的半導(dǎo)體元件6a的驅(qū)動(dòng)用芯片，半導(dǎo)體元件6b的背面經(jīng)由焊料3接合于引線框架5的芯片焊盤5a的表面之上。導(dǎo)線2的一端與在半導(dǎo)體元件6b的表面之上形成的多個(gè)電極(省略圖示)鍵合，導(dǎo)線2的另一端與引線框架5的內(nèi)部引線部鍵合。通過(guò)將引線框架5的內(nèi)部引線部向上方彎折，從而形成框架加工部22。模塑樹(shù)脂8a對(duì)半導(dǎo)體元件6a、6b、引線框架4、5的內(nèi)部引線部、導(dǎo)線1、2、以及散熱件20進(jìn)行封裝。

如圖10所示，前提技術(shù)所涉及的其他半導(dǎo)體裝置與圖9的情況同樣地，具有半導(dǎo)體元件6a、引線框架4、5、導(dǎo)線1、2、散熱件20、以及模塑樹(shù)脂8a。與圖9的情況的不同點(diǎn)在于，取代框架加工部22而在位于導(dǎo)線1、2間的模塑樹(shù)脂8a(封裝件)的部分設(shè)置了槽23。

框架加工部22和槽23在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中作為對(duì)將要向上部流動(dòng)的樹(shù)脂的注入量進(jìn)行限制的減流部起作用，使從引線框架4、5的下部向在散熱件20的正下方形成的絕緣層21流入的樹(shù)脂量增大，使得在散熱件20的正下方不產(chǎn)生熔接縫。

在本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，無(wú)需設(shè)置框架加工部22或者槽23，就使得在散熱件20的正下方不產(chǎn)生熔接縫。

＜實(shí)施方式1＞

下面，使用附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1進(jìn)行以下說(shuō)明。圖1是表示在實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中將引線框架4、5配置于模具9內(nèi)的狀態(tài)的剖視圖，圖2(a)是表示在半導(dǎo)體裝置的制造方法中將樹(shù)脂8注入至模具9內(nèi)的狀態(tài)的剖視圖，圖2(b)是表示樹(shù)脂7及樹(shù)脂8硬化后的狀態(tài)的圖。此外，在實(shí)施方式1中，對(duì)與在前提技術(shù)中說(shuō)明過(guò)的結(jié)構(gòu)要素相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注同一標(biāo)號(hào)而省略說(shuō)明。

如圖1所示，在下模具9a內(nèi)以成為均勻的厚度方式配置粒狀的樹(shù)脂7(第1樹(shù)脂)。樹(shù)脂7的各顆粒形成為預(yù)先確定的大小。此外，粒狀的樹(shù)脂7包含壓片前的粉末狀、以及破碎狀的樹(shù)脂。另外，除粒狀以外，也可以是能夠?qū)⑿酒副P4a的下端和模具9的底面之間的間隙填埋的板狀(長(zhǎng)方體形狀)或者液狀的樹(shù)脂。

在成型前，在粒狀的樹(shù)脂7間可能產(chǎn)生空隙，但通過(guò)設(shè)置模具9內(nèi)的抽真空時(shí)間，從而能夠抑制在成型后產(chǎn)生空隙。如圖2(a)所示，模具9具有下模具9a、上模具9b、以及側(cè)澆口9c。側(cè)澆口9c是用于從半導(dǎo)體元件6a、6b的側(cè)方注入液狀的樹(shù)脂8(第2樹(shù)脂)的注入口。

從側(cè)澆口9c逐漸注入樹(shù)脂8(傳遞模塑)，對(duì)樹(shù)脂7一邊利用樹(shù)脂8進(jìn)行壓縮，一邊成型。在這里，樹(shù)脂7及樹(shù)脂8存在粒狀和液狀的不同，但是為同種樹(shù)脂。在樹(shù)脂7及樹(shù)脂8是同種樹(shù)脂的情況下，樹(shù)脂7和樹(shù)脂8之間的分界面的粘接性容易穩(wěn)定，期望樹(shù)脂7和樹(shù)脂8是散熱性高的樹(shù)脂。樹(shù)脂7和樹(shù)脂8在加熱后熔融。但是，由于特性相同，另外，在傳遞模塑壓縮時(shí)，樹(shù)脂7和樹(shù)脂8變?yōu)樽畹腿廴谡扯鹊臅r(shí)間相近，因此在成型后，樹(shù)脂7和樹(shù)脂8之間的分界面較強(qiáng)地粘接(化學(xué)結(jié)合)，不存在發(fā)生分界面剝離或者樹(shù)脂裂紋這些不良狀況的可能性。

下面，對(duì)半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。如圖1所示，準(zhǔn)備引線框架4，該引線框架4具有搭載了半導(dǎo)體元件6a的芯片焊盤4a(工序(a))。更具體地說(shuō)，在引線框架4的芯片焊盤4a之上載置2個(gè)半導(dǎo)體元件6a，利用焊料3將芯片焊盤4a的上表面和2個(gè)半導(dǎo)體元件6a接合。在引線框架5的芯片焊盤5a之上載置半導(dǎo)體元件6b，利用焊料3將芯片焊盤5a的上表面和半導(dǎo)體元件6b接合。此外，在引線框架4搭載的半導(dǎo)體元件6a的個(gè)數(shù)不限定于2個(gè)。

對(duì)引線框架4和半導(dǎo)體元件6a進(jìn)行導(dǎo)線連接，并且對(duì)引線框架5和半導(dǎo)體元件6b進(jìn)行導(dǎo)線連接。更具體地說(shuō)，分別利用導(dǎo)線1(導(dǎo)線配線)將半導(dǎo)體元件6a彼此、圖1中左側(cè)的半導(dǎo)體元件6a和引線框架4連接。另外，分別由導(dǎo)線2將圖1中右側(cè)的半導(dǎo)體元件6a和半導(dǎo)體元件6b、半導(dǎo)體元件6b和引線框架5連接。并且，利用焊料將散熱件(省略圖示)接合于引線框架4的芯片焊盤4a的下表面。即，在工序(a)中，制作出完成至導(dǎo)線鍵合工序?yàn)橹沟某尚蛯?duì)象物、即安裝框架。

通過(guò)利用模塑樹(shù)脂對(duì)上述內(nèi)部構(gòu)造進(jìn)行集中封裝，從而實(shí)現(xiàn)相對(duì)于外部氣體的保護(hù)、絕緣以及散熱的功能。特別地，位于芯片焊盤4a或者散熱件下側(cè)的模塑樹(shù)脂是實(shí)現(xiàn)絕緣及散熱的功能的重要部位。為了實(shí)現(xiàn)上述功能，在成型后，以在位于芯片焊盤4a或者散熱件下側(cè)的模塑樹(shù)脂不產(chǎn)生空隙的方式設(shè)為與設(shè)計(jì)目標(biāo)一致的厚度是重要的。

然后，在模具9內(nèi)，將樹(shù)脂7配置至預(yù)先確定的第1高度(設(shè)計(jì)值)為止(工序(b))。以使樹(shù)脂7與芯片焊盤4a的下側(cè)相接觸的方式，將工序(a)中準(zhǔn)備的引線框架4、5配置于模具9內(nèi)(工序(c))。在這里，所謂芯片焊盤4a的下側(cè)，在芯片焊盤4a的下表面處接合有散熱件的情況下是指散熱件的下端，在芯片焊盤4a的下表面處并未接合有散熱件的情況下是指芯片焊盤4a的下端。即，在工序(c)中，將完成至導(dǎo)線鍵合工序?yàn)橹沟陌惭b框架設(shè)置于模具9內(nèi)的規(guī)定位置。

引線框架4以使外部引線部與內(nèi)部引線部相比位于上方的方式彎曲，外部引線部由下模具9a和上模具9b(參照?qǐng)D2(a))進(jìn)行夾持。另外，引線框架5形成為直線狀。就引線框架5而言，由于外部引線部由上模具9b和下模具9a進(jìn)行夾持，內(nèi)部引線部與引線框架4的內(nèi)部引線部相比位于上方，因此樹(shù)脂7不與引線框架5的芯片焊盤5a的下端相接觸。

如圖2(a)所示，在利用模具9進(jìn)行合模后，通過(guò)利用傳遞模塑成型法從側(cè)澆口9c將樹(shù)脂8在模具9內(nèi)注入至樹(shù)脂7的上側(cè)，從而進(jìn)行填充(工序(d))。通過(guò)在芯片焊盤4a的下側(cè)預(yù)先配置樹(shù)脂7，從而熔接縫到達(dá)至氣孔10的周邊部，該氣孔10位于引線框架5的上側(cè)。然后，如圖2(b)所示，通過(guò)使樹(shù)脂7和樹(shù)脂8硬化，從而成型(工序(e))。在這里，粒狀的樹(shù)脂7和液狀的樹(shù)脂8硬化，分別成為模塑樹(shù)脂7a和模塑樹(shù)脂8a。

然后，在經(jīng)過(guò)用于使樹(shù)脂7和樹(shù)脂8完全硬化的加熱工序后，經(jīng)過(guò)連結(jié)桿(tie bar)等框架多余部分的切斷、引線端子的成型以及產(chǎn)品測(cè)試等，完成產(chǎn)品。

如上所述，在實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，通過(guò)在成型前預(yù)先配置粒狀的樹(shù)脂7，以使樹(shù)脂7與芯片焊盤4a的下側(cè)相接觸的方式將利用導(dǎo)線1連接的半導(dǎo)體元件6a及引線框架4配置于模具9內(nèi)后，將樹(shù)脂8填充于樹(shù)脂7的上側(cè)，使樹(shù)脂7及樹(shù)脂8硬化，從而成型。具體地說(shuō)，通過(guò)從模具9的側(cè)澆口9c注入樹(shù)脂8而進(jìn)行填充，一邊由樹(shù)脂8對(duì)樹(shù)脂7進(jìn)行壓縮，一邊成型。

因此，由于能夠防止在散熱件的正下方產(chǎn)生熔接縫，因此能夠避免半導(dǎo)體裝置的絕緣不良。另外，由于不需要在封裝件表面設(shè)置切口部等堤部，因此能夠抑制封裝件強(qiáng)度的下降。并且，由于不需要在封裝件表面設(shè)置切口部等堤部，另外，利用具有一定厚度的樹(shù)脂8將導(dǎo)線1、2封裝，因此不需要使封裝件厚度變厚。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)封裝件的小型化，并且能夠抑制半導(dǎo)體裝置的制造成本。

另外，即使在成型前在粒狀的樹(shù)脂7之間可能產(chǎn)生空隙的情況下，通過(guò)設(shè)置模具9內(nèi)的抽真空時(shí)間，從而也能夠抑制在成型后產(chǎn)生空隙。

下面，對(duì)使用實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置、和在芯片焊盤下側(cè)配置了絕緣片的情況下的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行比較。就在芯片焊盤下側(cè)配置了絕緣片的情況下的半導(dǎo)體裝置而言，由于絕緣片具有高散熱特性(2至3W/m·K)、以及高絕緣特性，因此填料的材料成本高。另外，由于絕緣片在成型時(shí)需要與芯片焊盤或者散熱件等金屬部件粘接，因此上述絕緣片的制造是困難的，制造成本增高。

與此相對(duì)，在像使用實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置這樣的、在芯片焊盤下側(cè)存在模塑樹(shù)脂的集中模塑成型品的情況下，以下方面是有利的。在芯片焊盤下側(cè)的樹(shù)脂的樹(shù)脂厚度為200μm左右、且滿足樹(shù)脂的熱傳導(dǎo)率為2W/m·K左右這一散熱功能的封裝件中，通過(guò)選擇高散熱模塑樹(shù)脂(2W/m·K)，從而與配置了絕緣片的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)低成本化。另外，能夠減少直接材料的種類、對(duì)處理(裝置)進(jìn)行簡(jiǎn)化，能夠?qū)崿F(xiàn)低成本化。

另外，在模具9內(nèi)，由于能夠?qū)⒎勰罨蛘咂扑闋畹臉?shù)脂7配置至第1高度為止，因此能夠從滿足材料成本或者特性(絕緣特性或者散熱特性)的各種形態(tài)的樹(shù)脂中選擇最佳的樹(shù)脂。

另外，在模具9內(nèi)，能夠?qū)⑴c樹(shù)脂8相比具有較高的絕緣特性的樹(shù)脂7配置至第1高度為止。能夠采用分子量大、介電常數(shù)低的環(huán)氧樹(shù)脂作為具有高絕緣特性的樹(shù)脂。在該情況下，通過(guò)在需要絕緣功能的芯片焊盤4a的下側(cè)局部地配置具有高絕緣特性的樹(shù)脂7，從而進(jìn)一步得到高絕緣特性及低成本化的效果。

對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。在搭載了半導(dǎo)體元件的功率模塊、特別是搭載了進(jìn)行高溫動(dòng)作的SiC芯片的功率模塊中，需要經(jīng)由芯片下側(cè)的芯片焊盤及散熱件相對(duì)于冷卻鰭片進(jìn)一步進(jìn)行絕緣。芯片焊盤及散熱件下側(cè)的樹(shù)脂優(yōu)選由高絕緣材料構(gòu)成，但是價(jià)格高。由于在功率模塊的封裝樹(shù)脂整體使用上述樹(shù)脂的情況下材料成本增高，因此通過(guò)使得樹(shù)脂僅在芯片焊盤下側(cè)局部地使用具有高絕緣特性的材料，從而能夠?qū)崿F(xiàn)滿足高絕緣特性和低成本的功率模塊。

另外，在模具9內(nèi)，能夠?qū)⑴c樹(shù)脂8相比具有較高的散熱特性的樹(shù)脂7配置至第1高度為止。能夠使用將填料粒徑大的樹(shù)脂、以及填料粒徑細(xì)小的樹(shù)脂組合得到的最密填充構(gòu)造的樹(shù)脂作為具有高散熱特性的樹(shù)脂。在該情況下，通過(guò)在需要散熱功能的芯片焊盤4a的下側(cè)局部地配置高散熱樹(shù)脂，從而進(jìn)一步得到低熱阻化及低成本化的效果。

對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。在搭載了半導(dǎo)體元件的功率模塊、特別是搭載了進(jìn)行高溫動(dòng)作的SiC芯片的功率模塊中，需要經(jīng)由芯片下側(cè)的芯片焊盤或者散熱件向冷卻鰭片進(jìn)一步進(jìn)行散熱。芯片焊盤下側(cè)的樹(shù)脂優(yōu)選由高散熱材料構(gòu)成，但是價(jià)格高。由于在功率模塊的封裝樹(shù)脂整體使用上述樹(shù)脂的情況下材料成本增高，因此通過(guò)使得樹(shù)脂僅在芯片焊盤的下側(cè)局部地使用高散熱材料，從而能夠?qū)崿F(xiàn)滿足高散熱特性和低成本的功率模塊。

如圖3所示，還能夠采用上澆口方式。圖3是表示在實(shí)施方式1的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中將樹(shù)脂8注入至模具9內(nèi)的狀態(tài)的剖視圖。模具9具有用于從半導(dǎo)體元件6a、6b的上方注入樹(shù)脂8的上澆口9d以取代側(cè)澆口9c。通過(guò)從模具9的上澆口9d注入樹(shù)脂8而進(jìn)行填充，一邊由樹(shù)脂8將樹(shù)脂7均勻地壓縮，一邊成型。通過(guò)從半導(dǎo)體元件6a、6b的上方注入樹(shù)脂8，從而與利用側(cè)澆口方式進(jìn)行注入時(shí)相比，由于樹(shù)脂8相對(duì)于導(dǎo)線1、2的移動(dòng)距離減小，因此能夠抑制導(dǎo)線變形。

＜實(shí)施方式2＞

下面，對(duì)實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖4是表示在實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中利用上模型腔11對(duì)樹(shù)脂8及樹(shù)脂7進(jìn)行壓縮的狀態(tài)的剖視圖。此外，在實(shí)施方式2中，對(duì)與在實(shí)施方式1中說(shuō)明過(guò)的結(jié)構(gòu)要素相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)而省略說(shuō)明。

在實(shí)施方式2中，樹(shù)脂8形成為粒狀。模具9具有下模具9a、上模具9b、以及上模型腔11。上模型腔11設(shè)置于上模具9b，通過(guò)相對(duì)于下模具9a向下方進(jìn)行移動(dòng)，從而對(duì)樹(shù)脂8及樹(shù)脂7進(jìn)行壓縮。

在模具9內(nèi)配置了安裝框架后，通過(guò)將形成為粒狀的樹(shù)脂8散布于模具9內(nèi)而進(jìn)行填充。在利用模具9進(jìn)行合模后，通過(guò)使上模型腔11相對(duì)于下模具9a向下方進(jìn)行移動(dòng)，從而一邊對(duì)樹(shù)脂8及樹(shù)脂7進(jìn)行壓縮，一邊成型。

如上所述，在實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，模具9具有：下模具9a，引線框架4、5配置于該下模具9a；以及上模型腔11，其通過(guò)相對(duì)于下模具9a向下方進(jìn)行移動(dòng)，從而對(duì)樹(shù)脂8及樹(shù)脂7進(jìn)行壓縮。通過(guò)將形成為粒狀的樹(shù)脂8散布于模具9內(nèi)而進(jìn)行填充，使上模型腔11相對(duì)于下模具9a向下方進(jìn)行移動(dòng)，從而一邊對(duì)樹(shù)脂8及樹(shù)脂7進(jìn)行壓縮，一邊成型。因此，由于通過(guò)上模型腔11的移動(dòng)、而非傳遞方式對(duì)樹(shù)脂8進(jìn)行樹(shù)脂壓縮，從而與傳遞方式(側(cè)澆口及上澆口)相比，樹(shù)脂相對(duì)于導(dǎo)線1、2的移動(dòng)距離明顯減小，因此能夠抑制導(dǎo)線變形。

＜實(shí)施方式3＞

下面，對(duì)實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖5是表示在實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中將引線框架4、5配置于模具9內(nèi)后的狀態(tài)的剖視圖，圖6是表示在半導(dǎo)體裝置的制造方法中利用可動(dòng)銷12進(jìn)行暫時(shí)壓縮的狀態(tài)的剖視圖，圖7是表示在半導(dǎo)體裝置的制造方法中將樹(shù)脂8注入至模具9內(nèi)后、將可動(dòng)銷12從模具9拔出后的狀態(tài)的剖視圖。此外，在實(shí)施方式3中，對(duì)與在實(shí)施方式1、2中說(shuō)明過(guò)的結(jié)構(gòu)要素相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)而省略說(shuō)明。

在實(shí)施方式3中，使用用于將芯片焊盤4a向下側(cè)按壓的可動(dòng)銷12對(duì)樹(shù)脂7進(jìn)行暫時(shí)壓縮。如圖5所示，在模具9內(nèi)，例如將樹(shù)脂7配置至第1高度的1.5倍的高度即第2高度為止。以使樹(shù)脂7與芯片焊盤4a的下端相接觸的方式將引線框架4配置于模具9內(nèi)。在這里，第2高度是指，在將引線框架4配置于模具9內(nèi)的狀態(tài)下通過(guò)樹(shù)脂7而使芯片焊盤4a向上側(cè)撓曲的程度的高度，不限定于第1高度的1.5倍。

在利用模具9進(jìn)行合模后，如圖6所示，通過(guò)利用可動(dòng)銷12將芯片焊盤4a向下側(cè)按壓，從而以使樹(shù)脂7的上表面成為第1高度的方式進(jìn)行暫時(shí)壓縮(工序(f))。通過(guò)對(duì)樹(shù)脂7進(jìn)行暫時(shí)壓縮，從而能夠消除樹(shù)脂7中的空隙。然后，如圖7所示，在模具9內(nèi)，在通過(guò)將樹(shù)脂8注入至樹(shù)脂7的上側(cè)而進(jìn)行填充后，將可動(dòng)銷12從模具9拔出(工序(g))。然后，通過(guò)使樹(shù)脂7及樹(shù)脂8硬化，從而成型，但由于已將可動(dòng)銷12從模具9拔出，因此可動(dòng)銷12的形狀不會(huì)殘留于成型后的半導(dǎo)體裝置。

如上所述，在實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在以使樹(shù)脂7與芯片焊盤4a的下側(cè)相接觸的方式將引線框架4配置于模具9內(nèi)后，通過(guò)利用用于將芯片焊盤4a向下側(cè)按壓的可動(dòng)銷12將芯片焊盤4a向下側(cè)按壓，從而對(duì)樹(shù)脂7進(jìn)行暫時(shí)壓縮。在模具9內(nèi)，在樹(shù)脂7的上側(cè)填充樹(shù)脂8后，將可動(dòng)銷12從模具9內(nèi)拔出。

在對(duì)位于芯片焊盤4a的正下方的樹(shù)脂7進(jìn)行成型時(shí)，如果僅憑借由傳遞模塑等產(chǎn)生的對(duì)樹(shù)脂8的壓力，則在成型后可能產(chǎn)生空隙(散熱或者絕緣不良)，成品率不穩(wěn)定。因此，通過(guò)采用實(shí)施方式3的方法，從而在成型后，能夠極力消除芯片焊盤4a正下方的樹(shù)脂7中的空隙，使樹(shù)脂7的厚度與設(shè)計(jì)值一致，因此能夠提高成品率。

＜實(shí)施方式4＞

下面，對(duì)實(shí)施方式4所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖8(a)是表示在實(shí)施方式4所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中將樹(shù)脂8注入至模具9內(nèi)的狀態(tài)的剖視圖，圖8(b)是表示樹(shù)脂7及樹(shù)脂8硬化后的狀態(tài)的圖。此外，在實(shí)施方式4中，對(duì)與在實(shí)施方式1至3中說(shuō)明過(guò)的結(jié)構(gòu)要素相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)而省略說(shuō)明。

實(shí)施方式4是MAP模塑型的半導(dǎo)體裝置的制造方法的例子。在這里，所謂MAP模塑，是指針對(duì)搭載了多個(gè)半導(dǎo)體元件6a的絕緣基板14而整體進(jìn)行成型，在成型后，單片化為各個(gè)半導(dǎo)體裝置。如圖8(a)、(b)所示，準(zhǔn)備搭載了多個(gè)半導(dǎo)體元件6a的單片化之前的絕緣基板14。在這里，對(duì)絕緣基板14進(jìn)行說(shuō)明。金屬圖案13固定于絕緣基板14的上表面和下表面，多個(gè)半導(dǎo)體元件6a通過(guò)焊料3與上側(cè)的金屬圖案13的上表面接合。

然后，在模具9內(nèi)，將樹(shù)脂7配置至第1高度為止。以使樹(shù)脂7與絕緣基板14的下側(cè)相接觸的方式將絕緣基板14配置于模具9內(nèi)。更具體地說(shuō)，絕緣基板14的寬度方向的端部由上模具9b和下模具9a進(jìn)行夾持，樹(shù)脂7與在絕緣基板14的下表面固定的金屬圖案13的下端相接觸。

然后，在模具9內(nèi)，通過(guò)經(jīng)由絕緣基板14的上表面在樹(shù)脂7的上側(cè)注入樹(shù)脂8而進(jìn)行填充，一邊由樹(shù)脂8對(duì)樹(shù)脂7進(jìn)行壓縮，一邊成型。

如上所述，在實(shí)施方式4所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，準(zhǔn)備搭載了多個(gè)半導(dǎo)體元件6a的單片化之前的絕緣基板14，在模具9內(nèi)，在配置了樹(shù)脂7后，以使樹(shù)脂7與絕緣基板14的下側(cè)相接觸的方式，將絕緣基板14配置于模具9內(nèi)。

在成型后由旋轉(zhuǎn)刀片等進(jìn)行單片化的MAP模塑型的半導(dǎo)體裝置的情況下，通常，僅對(duì)絕緣基板上側(cè)的內(nèi)部材料進(jìn)行封裝。其理由在于，由于模塑樹(shù)脂向絕緣基板正下方的注入不穩(wěn)定，因此僅壓縮成型的話，粒狀的樹(shù)脂彼此的聚集性(packing property)低，容易產(chǎn)生空隙。根據(jù)實(shí)施方式4所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，絕緣基板14的下側(cè)也能夠利用模塑樹(shù)脂進(jìn)行封裝，而不產(chǎn)生由熔接縫導(dǎo)致的空隙。

詳細(xì)地說(shuō)明了本發(fā)明，但上述說(shuō)明在所有方面均為例示，本發(fā)明不限定于此?？梢岳斫鉃槟軌虿怀霰景l(fā)明的范圍的條件下想到未例示的無(wú)數(shù)變形例。

此外，本發(fā)明在本發(fā)明的范圍內(nèi)能夠?qū)Ω鲗?shí)施方式自由地進(jìn)行組合，或者對(duì)各實(shí)施方式適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行變形、省略。

標(biāo)號(hào)的說(shuō)明

4引線框架，4a芯片焊盤，6a半導(dǎo)體元件，7樹(shù)脂(第1樹(shù)脂)，8樹(shù)脂(第2樹(shù)脂)，9模具，9a下模具，9c側(cè)澆口，9d上澆口，11上模型腔，12可動(dòng)銷，14絕緣基板。