本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)具有體積小，功耗低，無輻射等特點(diǎn)，近年來得到迅速發(fā)展，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)主導(dǎo)地位。TFT-LCD的主體結(jié)構(gòu)為對(duì)盒的薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板。薄膜晶體管陣列基板上形成有像素電極和薄膜晶體管(ThinFilmTransistor，簡(jiǎn)稱TFT)，像素電極與TFT的源電極和漏電極之間形成有絕緣層，像素電極通過所述絕緣層中的過孔與漏電極電性接觸。如果所述絕緣層為樹脂材料，樹脂材料與源電極和漏電極直接接觸的黏附性不夠，會(huì)造成脫落不良，而且樹脂材料會(huì)嚴(yán)重影響TFT的特性。為了改善上述兩個(gè)問題，在樹脂層12和源電極(圖中未示出)、漏電極1之間引入緩沖層11(氮化硅或者二氧化硅層)，用于進(jìn)行黏附性改善和改善TFT特性。但是緩沖層11的引入也帶來了其它的問題，在樹脂層12和緩沖層11中形成過孔3＇的刻蝕工藝中，會(huì)出現(xiàn)底層過刻現(xiàn)象，形成的過孔3＇上端小、下端大，如圖1的虛線框內(nèi)所示，像素電極2通過過孔3＇與漏電極1電性接觸時(shí)，會(huì)在緩沖層11和樹脂層12的交界處出現(xiàn)斷線，導(dǎo)致漏電極1和像素電極2電性連接不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明提供一種基板及其制作方法，用以解決兩個(gè)導(dǎo)電層通過兩者之間的絕緣層過孔電性連接時(shí)，若形成過孔的刻蝕工藝中出現(xiàn)底層過刻現(xiàn)象，會(huì)導(dǎo)致兩個(gè)導(dǎo)電層電性連接不良的問題。本發(fā)明還提供一種顯示裝置，采用上述的基板，用以提高產(chǎn)品的良率。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例中提供一種基板，包括第一導(dǎo)電層和位于所述第一導(dǎo)電層上方的第二導(dǎo)電層，以及位于所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的第一絕緣層，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層通過電性連接結(jié)構(gòu)連接，所述電性連接結(jié)構(gòu)包括：位于所述第一絕緣層中的第一過孔，露出所述第一導(dǎo)電層，所述第一過孔的上端小、下端大；所述第二導(dǎo)電層包括：待連接結(jié)構(gòu)，對(duì)應(yīng)第一絕緣層的非過孔制作區(qū)；位于所述第一過孔底部并與所述第一導(dǎo)電層接觸設(shè)置的第一連接結(jié)構(gòu)；所述電性連接結(jié)構(gòu)還包括：填充所述第一過孔的第二絕緣層，所述第二絕緣層中具有第二過孔，露出所述第一連接結(jié)構(gòu)；位于所述第二絕緣層上方的第二連接結(jié)構(gòu)，所述第二連接結(jié)構(gòu)的一端與所述待連接結(jié)構(gòu)電性連接，另一端通過所述第二過孔與所述第一連接結(jié)構(gòu)接觸設(shè)置，用于電性連接所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層。如上所述的基板，優(yōu)選的是，所述第一絕緣層包括第一子絕緣層和第二子絕緣層，所述第一子絕緣層靠近第一導(dǎo)電層設(shè)置，所述第一子絕緣層中具有第三過孔，所述第二子絕緣層中具有第四過孔；所述第三過孔和第四過孔的位置對(duì)應(yīng)，形成所述第一過孔，且所述第三過孔的孔徑大于所述第四過孔的孔徑，所述第二絕緣層的厚度大于或等于所述第一子絕緣層的厚度。如上所述的基板，優(yōu)選的是，所述第二子絕緣層的厚度大于所述第一子絕緣層的厚度，所述第四過孔的縱截面為上大下小的倒梯形。如上所述的基板，優(yōu)選的是，所述第一子絕緣層的厚度小于或等于所述第二導(dǎo)電層和第二連接結(jié)構(gòu)的厚度之和；所述第二連接結(jié)構(gòu)通過所述第二絕緣層中的第二過孔與第二導(dǎo)電層的待連接結(jié)構(gòu)和第一連接結(jié)構(gòu)接觸設(shè)置。如上所述的基板，優(yōu)選的是，所述基板為薄膜晶體管陣列基板；所述第一導(dǎo)電層為源漏金屬層，所述第二導(dǎo)電層為第一透明導(dǎo)電層，所述第一子絕緣層為緩沖層，所述第二子絕緣層為樹脂層。如上所述的基板，優(yōu)選的是，所述緩沖層的厚度小于或等于所述第一透明導(dǎo)電層和第二連接結(jié)構(gòu)的厚度之和；所述第二連接結(jié)構(gòu)通過所述第二絕緣層中的第二過孔與第一透明導(dǎo)電層的待連接結(jié)構(gòu)和第一連接結(jié)構(gòu)接觸設(shè)置。如上所述的基板，優(yōu)選的是，所述第二連接結(jié)構(gòu)的材料為透明導(dǎo)電材料。本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種顯示裝置，包括如上所述的基板。本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種基板的制作方法，包括：形成第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成第二導(dǎo)電層；形成電性連接結(jié)構(gòu)，用于連接所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，其中，形成電性連接結(jié)構(gòu)的步驟包括：在所述第一絕緣層中形成第一過孔，露出所述第一導(dǎo)電層，所述第一過孔的上端小、下端大；所述第二導(dǎo)電層包括：待連接結(jié)構(gòu)，對(duì)應(yīng)第一絕緣層的非過孔制作區(qū)；位于所述第一過孔底部并與所述第一導(dǎo)電層接觸設(shè)置的第一連接結(jié)構(gòu)；形成電性連接結(jié)構(gòu)的步驟還包括：形成填充所述第一過孔的第二絕緣層，并在所述第二絕緣層中形成第二過孔，露出所述第一連接結(jié)構(gòu)；形成第二連接結(jié)構(gòu)，所述第二連接結(jié)構(gòu)的一端與所述待連接結(jié)構(gòu)電性連接，另一端通過所述第二過孔與所述第一連接結(jié)構(gòu)接觸設(shè)置，用于電性連接所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層。如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，形成第一絕緣層的步驟包括：在所述第一導(dǎo)電層上形成第一子絕緣層，所述第二絕緣層的厚度大于或等于所述第一子絕緣層的厚度；在所述第一子絕緣層上形成第二子絕緣層；在所述第一絕緣層中形成第一過孔的步驟包括：在所述第二子絕緣層上涂覆光刻膠；采用掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域，所述光刻膠不保留區(qū)域?qū)?yīng)所述第一過孔所在的區(qū)域，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)其他區(qū)域；去除光刻膠不保留區(qū)域的第二子絕緣層，形成第四過孔，去除光刻膠不保留區(qū)域的第一子絕緣層，形成第三過孔，所述第三過孔和第四過孔的位置對(duì)應(yīng)，形成所述第一過孔，且所述第三過孔的孔徑大于所述第四過孔的孔徑；剝離剩余的光刻膠。本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：上述技術(shù)方案中，當(dāng)兩個(gè)導(dǎo)電層通過位于兩者之間的第一絕緣層中的第一過孔電性連接時(shí)，位于上方的導(dǎo)電層包括對(duì)應(yīng)非過孔制作區(qū)的待連接結(jié)構(gòu)和位于第一絕緣層過孔底部的第一連接結(jié)構(gòu)，然后形成填充所述第一絕緣層過孔的第二絕緣層，并在第二絕緣層中形成第二過孔，露出所述第一連接結(jié)構(gòu)，最后形成第二連接結(jié)構(gòu)，其一端與所述待連接結(jié)構(gòu)電性連接，另一端通過所述第二過孔與所述第一連接結(jié)構(gòu)接觸設(shè)置，用于電性連接兩個(gè)導(dǎo)電層，保證了電性連接的可靠性，提高了產(chǎn)品良率。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1表示現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖2表示本發(fā)明實(shí)施例中薄膜晶體管陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖一；圖3-圖5表示本發(fā)明實(shí)施例中薄膜晶體管陣列基板的制作過程圖一；圖6和圖7表示本發(fā)明實(shí)施例中薄膜晶體管陣列基板的制作過程圖二；圖8表示本發(fā)明實(shí)施例中薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式在半導(dǎo)體器件制造中，不同導(dǎo)電層通常通過位于兩...