本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種整流器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體二極管具有正向?qū)?、反向阻斷的特性，廣泛應(yīng)用于諸如電源、信號(hào)處理等各類電子電路中。對(duì)于特定類型的二極管器件，正向偏置電壓在達(dá)到某特定值(正向?qū)▔航?，又稱正向壓降)之前其正向電流基本可忽略不計(jì)。傳統(tǒng)的整流二極管主要有PN結(jié)二極管和肖特基二極管兩類。PN結(jié)二極管正向壓降VF較大，反向恢復(fù)時(shí)間Trr較長(zhǎng)，但是PN結(jié)二極管的穩(wěn)定性較好，能在高電壓下工作；肖特基二極管是以貴金屬(如金、銀、鈦等)與半導(dǎo)體接觸，以形成異質(zhì)結(jié)勢(shì)壘而制成的半導(dǎo)體器件，其在低電壓時(shí)具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)：其正向壓降VF小，反向恢復(fù)時(shí)間Trr短，在高速領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。但是肖特基二極管存在反向泄漏電流大且制造成本高的問(wèn)題。

圖1是半導(dǎo)體二極管的一種典型應(yīng)用示意圖，左邊為輸入端，右邊為輸出端，其中的二極管在電路中起到了輸出整流作用。二極管的正向?qū)▔航到o電路系統(tǒng)帶來(lái)兩個(gè)缺點(diǎn)：第一，降低轉(zhuǎn)化器的效率，比如，在5V電源輸出情況下，考慮到二極管的正向?qū)▔航?，其?shí)際負(fù)載為5.7V，在不考慮其它損耗的情況下，其輸出效率已降低了13％；第二，上述輸出效率損失會(huì)導(dǎo)致器件發(fā)熱，在許多應(yīng)用中需要采用適當(dāng)尺寸的封裝或增加散熱器來(lái)緩解器件發(fā)熱問(wèn)題，從而增加了系統(tǒng)體積和制備成本。因此，為了提高電路的整流效率，盡可 能降低二極管的正向?qū)▔航稻哂蟹浅Ｖ匾囊饬x。

實(shí)際應(yīng)用中，二極管除了工作在導(dǎo)通狀態(tài)下，還常處于阻斷狀態(tài)。阻斷條件下，二極管具有反向漏電流，該漏電流將會(huì)增加電路損耗，降低電路轉(zhuǎn)換效率，特別是高溫應(yīng)用環(huán)境下。因此，除了希望二極管具有低的正向壓降外，還希望器件具有較小的反向漏電流。

在很多應(yīng)用中，電子電路存在電感裝置，電感產(chǎn)生的反向電壓有可能會(huì)加在二極管上，導(dǎo)致二極管發(fā)生雪崩擊穿。通常使用雪崩能量來(lái)表征器件在不失效的情況下從電感所能吸收的最大能量，該參數(shù)主要取決于器件耗散能量的結(jié)面積大小。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提出一種整流器件及其制備方法，該整流器件具有較低的正向?qū)▔航狄约案咦钄嚯妷?，能夠解決現(xiàn)有的作為整流器件的PN結(jié)二極管的開啟電壓高、肖特基二極管的反向耐壓低且存在電流泄漏的問(wèn)題。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種整流器件，包括第一導(dǎo)電類型的襯底、元胞區(qū)和終端區(qū)；

所述元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有溝槽型區(qū)；

所述溝槽型區(qū)底部設(shè)有第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)；

所述元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域設(shè)有第二導(dǎo)電類型體區(qū)；

所述元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有第一金屬電極；

所述襯底背面設(shè)有第二金屬電極。

進(jìn)一步的，所述溝槽型區(qū)包括形成于所述襯底正面的溝槽，形成于所述溝槽內(nèi)壁的氧化層，以及填充于所述溝槽內(nèi)部的多晶硅。

進(jìn)一步的，所述第一導(dǎo)電類型的襯底為正面生長(zhǎng)有第一導(dǎo)電類型外延層的襯底。

進(jìn)一步的，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。

進(jìn)一步的，所述終端區(qū)包括場(chǎng)限環(huán)。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種整流器件的制備方法，包括：

在第一導(dǎo)電類型的襯底正面形成終端區(qū)，所述襯底正面除所述終端區(qū)以外的剩余區(qū)域?yàn)樵麉^(qū)；

在所述元胞區(qū)形成溝槽型區(qū)、第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)和第二導(dǎo)電類型體區(qū)，其中，所述溝槽型區(qū)設(shè)于所述元胞區(qū)的襯底正面，所述第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)設(shè)于所述溝槽型區(qū)的底部，所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)設(shè)于所述元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域；

在上述元胞區(qū)的襯底正面制備第一金屬電極；

在上述襯底背面制備第二金屬電極。

進(jìn)一步的，在所述元胞區(qū)形成溝槽型區(qū)、第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)和第二導(dǎo)電類型體區(qū)，包括：

在所述襯底正面形成溝槽；

在所述溝槽底部形成第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)；

在上述溝槽內(nèi)壁形成氧化層；

在上述溝槽內(nèi)填充多晶硅；

在所述元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域形成第二導(dǎo)電類型體區(qū)。

進(jìn)一步的，所述第一導(dǎo)電類型的襯底為正面生長(zhǎng)有第一導(dǎo)電類型外延層的襯底。

進(jìn)一步的，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。

進(jìn)一步的，在第一導(dǎo)電類型的襯底正面形成終端區(qū)，具體為：在N型襯底正面形成P型場(chǎng)限環(huán)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的整流器件，包括第一導(dǎo)電類型的襯底、元胞區(qū)和終端區(qū)。其中，元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有溝槽型區(qū)，溝槽型區(qū)底部設(shè)有第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)，元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域設(shè)有第二導(dǎo)電類型體區(qū)。該整流器件中同時(shí)包含了金屬-氧化物-半導(dǎo)體(metal-oxide-semiconductor，MOS)結(jié)構(gòu)和PN結(jié)，可將MOS器件和PN二極管的優(yōu)勢(shì)結(jié)合到一起；且采用溝槽型結(jié)構(gòu)，不會(huì)產(chǎn)生結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(Junction Field-Effect Transistor，JFET)寄生電阻，即不會(huì)限制正向?qū)▔航档慕档?，同時(shí)還可增加器件在單位面積內(nèi)的溝道密度，減低器件成本；溝槽型區(qū)底部的第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)可有效提高阻斷電壓。因此，該整流器件不僅結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，而且具有低正向?qū)▔航狄约案咦钄嚯妷?，性能?yōu)異。

本發(fā)明實(shí)施例提供的整流器件的制備方法，在第一導(dǎo)電類型的襯底正面形成終端區(qū)，在元胞區(qū)形成溝槽型區(qū)、第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)和第二導(dǎo)電類型體區(qū)。該制備方法可與現(xiàn)有的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)工藝兼容，不必增加新設(shè)備或?qū)ιa(chǎn)線進(jìn)行大范圍調(diào)整，且步驟簡(jiǎn)單，能夠有效降低生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

下面將通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，使本領(lǐng)域的普通技 術(shù)人員更清楚本發(fā)明的上述及其他特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖中：

圖1為半導(dǎo)體二極管的一種典型應(yīng)用示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種整流器件的俯視示意圖；

圖3為圖2中一個(gè)元胞結(jié)構(gòu)的截面示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種整流器件的部分截面示意圖；

圖5為圖3所示的元胞結(jié)構(gòu)中的陽(yáng)極加正電壓時(shí)的工作原理示意圖；

圖6為圖5所對(duì)應(yīng)的正向工作特性仿真曲線圖；

圖7為圖3所示的元胞結(jié)構(gòu)中的陽(yáng)極加電壓時(shí)的工作原理示意圖；

圖8為圖7所對(duì)應(yīng)的反向工作特性仿真曲線圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種整流器件的制備方法的流程示意圖；

圖10為圖9所示實(shí)施例二中S920的具體流程示意圖；

圖11為圖10所示S921對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為圖10所示S922對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為圖9所示S930對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14為圖9所示S940對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15為圖9所示S950-S960對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖16為圖9所示S970對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖17為圖9所示S980對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖18為圖9所示S990對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需 要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容。

實(shí)施例一

本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種整流器件，該器件包括第一導(dǎo)電類型的襯底、元胞區(qū)和終端區(qū)；元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有溝槽型區(qū)；溝槽型區(qū)底部設(shè)有第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)；元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域設(shè)有第二導(dǎo)電類型體區(qū)；元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有第一金屬電極；襯底背面設(shè)有第二金屬電極。

其中，終端區(qū)中包含終端結(jié)構(gòu)，該終端結(jié)構(gòu)具體可為場(chǎng)限環(huán)、場(chǎng)限環(huán)加場(chǎng)板、由結(jié)終端擴(kuò)展(Junction termination extension，JTE)技術(shù)制備的終端結(jié)構(gòu)或橫向變摻雜(VLD)技術(shù)制備的終端結(jié)構(gòu)等，在本實(shí)施例中，以場(chǎng)限環(huán)為例進(jìn)行說(shuō)明。元胞區(qū)可包含成千上萬(wàn)個(gè)相同的元胞結(jié)構(gòu)，元胞結(jié)構(gòu)的排布方式可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)計(jì)。圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種整流器件的俯視示意圖，如圖2所示，該整流器件包括終端區(qū)201和元胞區(qū)202，元胞區(qū)202中包含了多個(gè)元胞結(jié)構(gòu)203。圖3為圖2中一個(gè)元胞結(jié)構(gòu)的截面示意圖。

在本發(fā)明實(shí)施例中，第一導(dǎo)電類型具體可為N型，第二導(dǎo)電類型具體可為P型。相應(yīng)的，圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種整流器件的部分截面示意圖，如圖4所示，該整流器件包括：N型襯底401、元胞區(qū)402和終端區(qū)403；元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有溝槽型區(qū)404；溝槽型區(qū)404底部設(shè)有P型埋層區(qū)405；元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)404以外的剩余區(qū)域設(shè)有P型體區(qū)406；元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有第一金屬電極407；襯底401背面設(shè)有第二金屬電極408。其中，N型襯底401優(yōu)選為晶向?yàn)?lt;100>的N型硅襯底；第一金屬電極407和第二金屬電極408優(yōu)選為金屬引線。

更具體的，終端區(qū)403包括場(chǎng)限環(huán)409；溝槽型區(qū)404包括形成于襯底正面的溝槽4041，形成于溝槽內(nèi)壁的氧化層4042，以及填充于溝槽內(nèi)部的多晶硅4043。

優(yōu)選的，N型襯底為正面生長(zhǎng)有N型外延層410的襯底。外延層410的厚度范圍可為2～50um，電阻率的范圍可為0.2～20ohm·cm。該外延層110可增強(qiáng)器件耐壓性。

由于本發(fā)明實(shí)施例提供的整流器件中實(shí)際起到整流作用的為元胞結(jié)構(gòu)，下面以圖3中所示的元胞結(jié)構(gòu)為例對(duì)該整流器件的工作原理作出說(shuō)明。

可將第一金屬電極命名為陽(yáng)極，將第二金屬電極命名為陰極。

圖5為圖3所示的元胞結(jié)構(gòu)中的陽(yáng)極加正電壓時(shí)的工作原理示意圖，圖6為圖5所對(duì)應(yīng)的正向工作特性仿真曲線圖。如圖5所示，陽(yáng)極加正電壓時(shí)，在金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(Metal-Insulator-Semiconductor，MIS)(MOS)結(jié)構(gòu)中P型硅表面反型，形成一N型薄層，電子從陰極向陽(yáng)極流動(dòng)，形成電子電流，此時(shí)為正向?qū)顟B(tài)。

圖7為圖3所示的元胞結(jié)構(gòu)中的陽(yáng)極加電壓時(shí)的工作原理示意圖，圖8為圖7所對(duì)應(yīng)的反向工作特性仿真曲線圖。如圖7所示，陽(yáng)極加負(fù)電壓時(shí)，利用PN結(jié)以及P型埋層區(qū)的電荷補(bǔ)償，形成空間電荷區(qū)，阻擋載流子的移動(dòng)，器件反向漏電較小，反向電壓增大。P型埋層區(qū)的引入可以有效的降低器件內(nèi)部電場(chǎng)，使得器件能夠承受較高的耐壓。

本發(fā)明實(shí)施例一提供的整流器件，包括第一導(dǎo)電類型的襯底、元胞區(qū)和終端區(qū)。其中，元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有溝槽型區(qū)，溝槽型區(qū)底部設(shè)有第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)，元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域設(shè)有第二導(dǎo)電類型體區(qū)。該整流器件中同時(shí)包含了MOS(MIS)結(jié)構(gòu)和PN結(jié)，可將MOS器件和 PN二極管的優(yōu)勢(shì)結(jié)合到一起；且采用溝槽型結(jié)構(gòu)，不會(huì)產(chǎn)生JFET寄生電阻，即不會(huì)限制正向?qū)▔航档慕档?，同時(shí)還可增加器件在單位面積內(nèi)的溝道密度，減低器件成本；溝槽型區(qū)底部的第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)可有效提高阻斷電壓。因此，該整流器件不僅結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，而且具有較低的正向?qū)▔航狄约案咦钄嚯妷?，性能?yōu)異。

實(shí)施例二

本發(fā)明實(shí)施例提供一種整流器件的制備方法，該方法包括：在第一導(dǎo)電類型的襯底正面形成終端區(qū)，襯底正面除終端區(qū)以外的剩余區(qū)域?yàn)樵麉^(qū)；在元胞區(qū)形成溝槽型區(qū)、第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)和第二導(dǎo)電類型體區(qū)，其中，溝槽型區(qū)設(shè)于元胞區(qū)的襯底正面，第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)設(shè)于溝槽型區(qū)的底部，第二導(dǎo)電類型體區(qū)設(shè)于元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域；在上述元胞區(qū)的襯底正面制備第一金屬電極；在上述襯底背面制備第二金屬電極

其中，對(duì)于溝槽型區(qū)、第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)和第二導(dǎo)電類型體區(qū)的制備步驟的順序不做限定?？上戎苽錅喜坌蛥^(qū)和第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)，再制備第二導(dǎo)電類型體區(qū)；也可先制備第二導(dǎo)電類型體區(qū)，再制備溝槽型區(qū)和第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)。

優(yōu)選的，第一導(dǎo)電類型的襯底為正面生長(zhǎng)有第一導(dǎo)電類型外延層的襯底。

優(yōu)選的，第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型。

優(yōu)選的，在第一導(dǎo)電類型的襯底正面形成終端區(qū)，具體為：在N型襯底正面形成P型場(chǎng)限環(huán)。

以下僅給出一種優(yōu)選的具體實(shí)施方式。

圖9為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種整流器件的制備方法的流程示意圖。如 圖9所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種整流器件的制備方法包括如下步驟：

S910、提供N型襯底。

具體的，可采用晶向?yàn)?lt;100>的N型硅襯底。優(yōu)選的，為了增強(qiáng)器件的耐壓性，采用正面生長(zhǎng)有N型外延層的襯底。示例性的，N型外延層的厚度范圍可為2～50um，電阻率的范圍可為0.2～20ohm·cm。

S920、在N型襯底正面形成終端區(qū)，襯底正面除終端區(qū)以外的剩余區(qū)域?yàn)樵麉^(qū)。

示例性的，終端區(qū)包括場(chǎng)限環(huán)。圖10為圖9所示實(shí)施例二中S920的具體流程示意圖，如圖10所示，S920可具體包括如下步驟：

S921、采用光刻及離子注入工藝形成P型場(chǎng)限環(huán)。

圖11為圖10所示S921對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，為了與圖4中所示的整流器件的部分截面示意圖進(jìn)行對(duì)比，在圖11以及后續(xù)的附圖中，保留了圖4中相同部分的附圖標(biāo)記，不再另行說(shuō)明。具體的，如圖11所示，可先在襯底正面進(jìn)行涂膠(光刻膠)，隨后采用場(chǎng)限環(huán)掩膜版對(duì)襯底正面進(jìn)行遮擋并進(jìn)行曝光、顯影，得到具有一定形狀的圖形光刻膠1101，利用該圖形光刻膠1101作為掩蔽層進(jìn)行離子注入(如硼離子)，形成P型終端保護(hù)環(huán)，即P型場(chǎng)限環(huán)1102。最后去除圖形光刻膠1101。

優(yōu)選的，在進(jìn)行涂膠之前，還可生長(zhǎng)一層薄氧化層1103，可降低注入損傷。

S922、在上述襯底正面生長(zhǎng)氧化層，并對(duì)上述P型場(chǎng)限環(huán)進(jìn)行高溫推阱。

圖12為圖10所示S922對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體的，如圖12所示，淀積厚度為(埃)的氧化層1201，并對(duì)上述P型場(chǎng)限環(huán)1102進(jìn)行高溫推阱(推結(jié))，形成P型場(chǎng)限環(huán)409。

S930、在上述襯底正面形成溝槽。

圖13為圖9所示S930對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體的，如圖13所示，可先在上述襯底正面進(jìn)行涂膠，隨后采用溝槽掩膜版對(duì)襯底正面進(jìn)行遮擋并進(jìn)行曝光、顯影，得到具有一定形狀的圖形光刻膠1301，利用該圖形光刻膠1301作為掩蔽層進(jìn)行氧化層1201刻蝕及硅刻蝕，形成溝槽(Trench)4041。

S940、在溝槽底部形成P型埋層區(qū)。

圖14為圖9所示S940對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體的，如圖14所示，利用上述圖形光刻膠1301作為掩蔽層進(jìn)行離子注入，形成P型埋層區(qū)405。

S950、在上述襯底正面生成氧化層。

S960、在上述襯底正面淀積多晶硅。

圖15為圖9所示S950-S960對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體的，如圖15所示，去除上述圖形光刻膠1301，在上述襯底正面熱生長(zhǎng)氧化層1501，其中，生長(zhǎng)在上述溝槽內(nèi)壁的部分氧化層1501為氧化層。然后再淀積摻雜多晶硅1502，使多晶硅填滿上述溝槽。利用上述圖形光刻膠1301作為掩蔽層進(jìn)行離子注入，形成P型埋層區(qū)405。

S970、刻蝕上述多晶硅。

圖16為圖9所示S970對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體的，如圖16所示，對(duì)上述摻雜多晶硅1502進(jìn)行回刻，留下填充于上述溝槽內(nèi)的多晶硅，該部分多晶硅即為多晶硅4043。

S980、刻蝕上述氧化層。

圖17為圖9所示S980對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體的，如圖17所示，可先在上述襯底正面進(jìn)行涂膠，隨后采用元胞區(qū)(有源區(qū))掩膜版對(duì)襯底正面進(jìn)行遮擋并進(jìn)行曝光、顯影，得到具有一定形狀的圖形光刻膠1701，利用該圖形光刻膠1701作為掩蔽層進(jìn)行氧化層1201刻蝕，露出元胞區(qū)(有源區(qū))，且留下 溝槽內(nèi)的氧化層4042。

S990、在元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域形成P型體區(qū)。

圖18為圖9所示S990對(duì)應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體的，如圖18所示，可利用上述圖形光刻膠1701作為掩蔽層先后進(jìn)行兩次硼(B)離子注入，第一次采用能量為60～120KeV，劑量為1e11～1e14，以形成P型體區(qū)(pbody區(qū))，第二次采用能量20～40KeV，劑量為1e14～1e15，以形成良好的歐姆接觸。最終形成P型體區(qū)406。隨后，去除圖形光刻膠1701。

優(yōu)選的，之后還可進(jìn)行快速熱退火處理，激活上述注入的離子(雜質(zhì))。

S9100、在上述元胞區(qū)的襯底正面制備第一金屬電極，在上述襯底背面制備第二金屬電極。

具體的，當(dāng)P型體區(qū)表面存在氧化層時(shí)，需進(jìn)行氧化層刻蝕。隨后在襯底正面濺射金屬，并采用金屬光刻掩膜版進(jìn)行光刻、刻蝕等工藝形成正面金屬引線，即第一金屬電極407；之后對(duì)襯底背面做減薄處理，并濺射金屬，采用金屬光刻掩膜版進(jìn)行光刻、刻蝕等工藝形成背面金屬引線，即第二金屬電極408。最終形成如圖4所示的整流器件。

本發(fā)明實(shí)施例二提供的整流器件的制備方法，在第一導(dǎo)電類型的襯底正面形成終端區(qū)，在元胞區(qū)形成溝槽型極區(qū)、第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)和第二導(dǎo)電類型體區(qū)。該制備方法可與現(xiàn)有的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS工藝兼容，不必增加新設(shè)備或?qū)ιa(chǎn)線進(jìn)行大范圍調(diào)整，且步驟簡(jiǎn)單，整個(gè)工藝可僅采用4張光刻掩膜版，一次高溫推阱過(guò)程，在不增加工藝難度的情況下，大大的降低了器件的制造成本。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域技 術(shù)人員而言，本發(fā)明可以有各種改動(dòng)和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。