提出一種可表面安裝的半導體器件以及一種用于制造這種半導體器件的方法。

本專利申請要求德國專利申請102014108368.7的優(yōu)先權，其公開內(nèi)容通過參引并入本文。

背景技術：

從現(xiàn)有技術中已知可表面安裝的光電子半導體器件，所述半導體器件具有由硅樹脂構成的包覆件，所述包覆件至少構成在半導體器件的上側(cè)上和側(cè)面上。在所述半導體器件中，由于在包覆件和半導體芯片之間不足夠的附著能夠造成包覆件的脫層，由此產(chǎn)生氣隙，所述氣隙降低半導體器件的效率。在不利的情況下，甚至能夠進行包覆件的完全的分離。

此外，已知如下半導體器件，在所述半導體器件的下側(cè)上附加地構成由硅樹脂構成的膜，所述膜例如通過添加由二氧化鈦構成的散射顆粒而起反射作用。典型地，該半導體器件的制造通過以下方式進行：依次構成下側(cè)上的、由硅樹脂構成的反射膜一方和具有轉(zhuǎn)換介質(zhì)的包覆件另一方。由于兩個元件不同時硬化，在所述元件之間能夠出現(xiàn)附著問題，由此在兩個元件之間的過渡部處存在半導體器件分開。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是：提出一種可表面安裝的半導體器件，所述半導體器件具有機械穩(wěn)定的包覆件。尤其地，目的是提出一種可表面安裝的半導體器件，所述半導體器件在安裝狀態(tài)下相對機械負荷是尤其魯棒的。

該目的通過根據(jù)獨立權利要求的可表面安裝的半導體器件以及用于制造表面安裝的半導體器件的方法實現(xiàn)。其他設計方案和有利方案是從屬權利要求的主題。

根據(jù)可表面安裝的半導體器件的至少一個實施方式，可表面安裝的半導體器件具有光電子半導體芯片。光電子半導體芯片能夠是接收輻射的半導體芯片或發(fā)射輻射的半導體芯片。例如，半導體芯片是輻射二極管芯片、例如發(fā)光二極管芯片或激光二極管芯片。此外，可行的是：光電子半導體芯片是光電二極管芯片。此外，光電子半導體器件能夠包括多個這種半導體芯片。在此，光電子半導體器件尤其也能夠包括接收輻射的半導體芯片和產(chǎn)生輻射的半導體芯片。

根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施方式提出：光電子半導體芯片具有半導體本體，所述半導體本體包括具有設置用于產(chǎn)生和/或接收電磁輻射的有源區(qū)域的半導體層序列，所述有源區(qū)域設置在第一半導體層和第二半導體層之間。

根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施方式，光電子半導體器件具有成型體，所述成型體至少部分地包圍光電子半導體芯片。優(yōu)選地，成型體至少局部地模制在光電子半導體芯片上。也就是說，成型體的材料(模塑料)與半導體芯片接觸。尤其優(yōu)選地，成型體至少局部形狀配合地包覆半導體芯片。在此，成型體由以下材料構成，所述材料至少對于如下電磁輻射的一部分是可穿透的，所述電磁輻射應在半導體器件運行中由光電子半導體芯片發(fā)射或由所述光電子半導體芯片接收。優(yōu)選的是，成型體包含硅樹脂或環(huán)氧化物或由兩種材料中的一種構成。光電子半導體芯片優(yōu)選用成型體的模塑料環(huán)繞澆鑄或壓力注塑。也就是說，優(yōu)選借助澆鑄法或壓制法制造成型體。在此，成型體同時為半導體芯片的囊封件和用于半導體器件的殼體。

根據(jù)可表面安裝的半導體器件的至少一個實施方式，半導體器件具有安裝面，所述安裝面至少局部地通過成型體的表面形成。在此，半導體器件的安裝面表示半導體器件的如下面：所述面朝向載體(例如電路板)，可表面安裝的半導體器件安裝在所述載體上。在此，安裝面能夠是用于承載的面，半導體器件借助所述面安置在載體上。為此，安裝面能夠至少局部地與載體處于機械接觸。此外，可行的是：安裝面與聯(lián)接材料(例如焊料)處于接觸，可表面安裝的半導體器件經(jīng)由所述聯(lián)接材料電接觸。也就是說，聯(lián)接材料于是潤濕安裝面的一部分，進而潤濕成型體的一部分。

在此處和在下文中，層或元件設置或施加“在其他層或其他元件上”或“在其他層或其他元件上方”在此能夠意味著：這一個層或這一個元件以直接機械接觸和/或電接觸方式直接設置在其他層或其他元件上。此外，也能夠意味著：這一個層或這一個元件間接設置在其他層或其他元件上或間接設置在其他層或其他元件上方。在此，于是其他層和/或元件能夠設置在這一個層和另一層之間。

根據(jù)可表面安裝的半導體器件的至少一個實施方式，可表面安裝的半導體器件具有多個第一接觸元件和多個第二接觸元件，其中多個第一接觸元件與第一半導體層導電連接，以及多個第二接觸元件與第二半導體層導電連接，并且其中多個第一接觸元件和多個第二接觸元件在安裝面的區(qū)域中穿過成型體伸出。優(yōu)選地，多個第一接觸元件與第一半導體層無線地導電連接，以及多個第二接觸元件與第二半導體層無線地導電連接，也就是說，例如不使用鍵合線。

在此，可表面安裝的半導體器件的接觸元件設置用于電接觸半導體器件。所述接觸元件優(yōu)選至少部分地處于成型體中。優(yōu)選地，在可表面安裝的半導體器件上的接觸元件可從外部觸及。也就是說，在可表面安裝的半導體器件的安裝面上能夠電接觸半導體器件。接觸元件能夠陣狀地設置。例如，第一接觸元件和/或第二接觸元件能夠分別設置成一排或多排。優(yōu)選地，第一接觸元件或第二接觸元件僅設置在安裝面的邊緣區(qū)域中。

通過為每個極性設有不僅僅一個接觸元件，而是設有多個接觸元件的方式，有利地實現(xiàn)：在半導體本體的多個彼此隔開的區(qū)域中能夠發(fā)生載流子注入到半導體層中，由此實現(xiàn)器件效率的提高。此外，多個接觸元件實現(xiàn)在安裝狀態(tài)下實現(xiàn)相對于拉應力、壓應力和/或剪切應力改進的魯棒性。最后，在制造工藝期間，多個接觸元件的一部分能夠在半導體芯片和制造期間使用的輔助載體之間形成間隔保持件，所述間隔保持件限定不含固體材料的中間空間，在緊接著的方法步驟中在所述中間空間中構成成型體。與具有每個極性僅一個接觸元件的實施方式對比，通過多個接觸元件，通過安裝面的區(qū)域中的成型體實現(xiàn)半導體芯片的良好吻合的包覆。

此外，根據(jù)至少一個實施方式，半導體器件具有側(cè)面，所述側(cè)面借助分割制造并且由此具有分割痕跡。側(cè)面是半導體器件的如下面：所述面?zhèn)认虻匕鼑惭b面并且例如在橫向于安裝面的方向上伸展。

優(yōu)選借助分割產(chǎn)生側(cè)壁。尤其，因此不通過澆鑄工藝或壓制工藝，而是借助成型體的分割工藝產(chǎn)生側(cè)壁的輪廓和形狀。分割例如能夠借助鋸割、切割或制造斷裂邊緣并且隨后折斷來進行。也就是說，在分割成各個半導體器件時，優(yōu)選進行材料剝離。然后，借助材料剝離產(chǎn)生成型體的側(cè)面進而產(chǎn)生半導體器件的側(cè)面。因此，側(cè)面優(yōu)選具有材料剝離的痕跡。

在可表面安裝的半導體器件的安裝面上，優(yōu)選接觸元件和成型體的一部分是可自由觸及的。

根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施方式提出：多個第一接觸元件和多個第二接觸元件在半導體器件的俯視圖中與半導體本體疊加。

根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施方式提出：半導體芯片包括電絕緣構成的載體本體，所述載體本體設置在半導體本體的背離安裝面的一側(cè)上。尤其地，半導體芯片能夠包括由藍寶石構成的載體本體并且以倒裝芯片布置設置在半導體器件中。

根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施方式提出：將成型體至少局部地模制到半導體芯片和多個第一接觸元件和多個第二接觸元件上。也就是說，優(yōu)選地，成型體至少局部形狀配合地圍住半導體器件的接觸元件。在此，接觸元件優(yōu)選分別具有聯(lián)接面，所述接觸元件經(jīng)由所述聯(lián)接面可從半導體器件外部電接觸。也就是說，至少在聯(lián)接面上，接觸元件不由成型體圍住。優(yōu)選的是，成型體全方位地包覆半導體芯片。

根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施方式提出：每個接觸元件包括聯(lián)接底座和蓋元件，所述蓋元件豎直地超出安裝面。例如，每個蓋元件豎直地超出安裝面至少30μm、優(yōu)選至少50μm。替選地或附加地，每個蓋元件豎直地超出安裝面最大500μm、優(yōu)選最大200μm。

也就是說，尤其地，每個蓋元件能夠豎直地超出安裝面至少30μm、優(yōu)選至少50μm。替選地或附加地，每個蓋元件能夠豎直地超出安裝面最大500μm、優(yōu)選最大200μm。

在此和在下文中，豎直方向理解為垂直于半導體本體的主延伸平面和/或垂直于安裝面的方向。在此和在下文中，類似地，橫向方向理解為平行于半導體本體的主延伸平面和/或平行于安裝面的方向?！捌骷母┮晥D”理解為沿著豎直方向的視角進而對應于沿著豎直方向的投影。

聯(lián)接底座例如能夠由銅構成并且柱狀地構成。蓋元件能夠由銅或錫構成并且例如構成為焊料球(英語：solder bump，焊接凸塊)。在一個實施方式中，在制造工藝期間，聯(lián)接底座用作為在半導體芯片和輔助載體之間的間隔保持件。在一個實施方式中，在構成成型體之后才構成蓋元件。蓋元件優(yōu)選半球狀地構成。

伸出安裝面的蓋元件能夠構成為焊料球的陣(英語：ball grid array，球柵陣列)。所述陣能夠有利地用作為在安裝面和載體(例如電路板)之間的間隔保持件，可表面安裝的半導體器件安裝在所述載體上，由此產(chǎn)生中間空間，所述中間空間能夠有利地通過反射的中間層填充。由此，不需要在半導體器件中設置鏡層，所述鏡層將由半導體本體發(fā)射的光沿遠離安裝面的方向反射，這引起節(jié)約成本。

此外，焊料球能夠在安裝到載體上時引起自定心，由此簡化精確配合的安裝。此外，焊料球的陣在安裝狀態(tài)下實現(xiàn)相對于拉應力、壓應力和/或剪切應力的提高的魯棒性。

根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施方式提出：在安裝面的區(qū)域中，成型體具有超過10μm、優(yōu)選超過30μm、尤其超過50μm的高度，以便確保器件的足夠的機械穩(wěn)定性。此外，在該高度下，利用間隔保持件實現(xiàn)成型體的制造，而在較小的值的情況下僅能夠不充足地通過模塑料填充半導體芯片和輔助載體之間的中間空間。

替選地或附加地提出：在安裝面的區(qū)域中，成型體具有小于200μm、優(yōu)選小于150μm、尤其小于100μm的高度。由此，實現(xiàn)在器件中的充分的散熱。

根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施方式提出：成型體一件式地、尤其在唯一的方法步驟中構成。與從現(xiàn)有技術已知的器件對比，在從現(xiàn)有技術已知的器件中如上詳述存在由硅樹脂構成的、依次硬化的元件分離的危險，有利地提高成型體到半導體芯片上的機械聯(lián)接。這較少歸因于在半導體芯片和成型體之間的粘附，而主要歸因于在兩個元件之間的形狀配合，所述形狀配合通過以下方式出現(xiàn)：在制造器件時模塑料冷卻并且由此收縮。

例如，使用模塑料，所述模塑料包含硅樹脂并且所述模塑料在超過100℃的溫度下硬化。由于其典型的超過200ppm/K的高的熱膨脹系數(shù)，由硅樹脂構成的模塑料比半導體芯片更強烈地收縮，由此出現(xiàn)全面的擠壓。

根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施方式提出：在多個第一接觸元件和多個第二接觸元件之間施加壓敏電阻漿料，所述壓敏電阻漿料構成用于保護光電子半導體器件免受靜電放電影響。

根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施方式，選擇簡單的倒裝芯片布置，在所述倒裝芯片布置中不必然進行關于半導體層的接觸的復雜的重布線。例如，在器件的俯視圖中，第一接觸元件或第二接觸元件能夠在相同的區(qū)域中與第一半導體層或第二半導體層連接，在所述區(qū)域中，所述接觸元件在安裝面的區(qū)域中是可觸及的。這對應于可簡單制造的進而低成本的實施方式。然而，在這種情況下，在載體(例如電路板)上通常必須選擇相當復雜的接觸部幾何形狀，其中可表面安裝的半導體器件安裝在所述載體上。

根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施方式提出：多個第一接觸元件經(jīng)由第一聯(lián)接層與第一半導體層導電地連接，并且多個第二接觸元件經(jīng)由第二聯(lián)接層與第二半導體層導電地連接，并且在半導體器件的俯視圖中，第一聯(lián)接層與第二聯(lián)接層彼此疊加。這對應于在半導體芯片的內(nèi)部中(復雜的)的重布線。為此，在載體的水平上能夠選擇更簡單的接觸部幾何形狀。

根據(jù)至少一個實施方式，成型體包含發(fā)光轉(zhuǎn)換材料。發(fā)光轉(zhuǎn)換材料優(yōu)選適合用于吸收由光電子半導體芯片在運行中發(fā)射的和/或要由半導體芯片接收的、第一波長范圍的電磁輻射的至少一部分并且適合用于發(fā)射出自第二波長范圍的電磁輻射，所述第二波長范圍與第一波長范圍不同。例如，半導體器件能夠構成用于產(chǎn)生白色的混合光。

根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施方式提出：至少局部地將發(fā)光轉(zhuǎn)換層設置在成型體和半導體芯片之間。

提出一種用于制造多個可表面安裝的半導體器件的方法。該方法具有下列步驟：

a)提供輔助載體；

b)提供多個光電子半導體芯片，其中每個半導體芯片具有半導體本體，所述半導體本體包括具有設置用于產(chǎn)生和/或接收電磁輻射的有源區(qū)域的半導體層序列，所述有源區(qū)域設置在第一半導體層和第二半導體層之間，

c)將多個半導體芯片固定在輔助載體上，其中半導體芯片在橫向方向上彼此隔開并且在每個半導體芯片和輔助載體之間設有不含固體材料的中間空間；

d)構成包覆半導體芯片的成型體復合結(jié)構，

f)移除輔助載體；并且

g)將成型體復合結(jié)構分割成多個光電子半導體器件，其中每個半導體器件具有至少一個半導體芯片、多個第一接觸元件、多個第二接觸元件，和成型體復合結(jié)構的一部分作為成型體。

尤其借助澆鑄法能夠制造成型體復合結(jié)構。在此，術語澆鑄法屬于全部制造方法，其中模塑料引入到預設的模具中并且尤其緊接著硬化。尤其地，術語澆鑄法包括澆鑄(Casting，澆鑄)、注塑(Injection Molding，噴射模塑)、壓鑄(Transfer Molding，傳遞模塑)和模壓(Compression Molding，壓縮模塑)。優(yōu)選地，成型體復合結(jié)構通過模壓或通過膜輔助的澆鑄法(Film Assisted Transfer Molding，膜輔助模塑)。在所描述的方法步驟中，半導體芯片與在成型體復合結(jié)構構成方案中使用的囊封材料優(yōu)選形狀配合地連接。

根據(jù)方法的至少一個實施方式提出：每個半導體芯片包括多個間隔保持件，通過所述間隔保持件構成中間空間并且所述中間空間形成制成的器件的第一接觸元件和第二接觸元件的至少一部分。

根據(jù)方法的至少一個實施方式提出：提供具有非平面的表面的結(jié)構化的輔助載體，并且至少間接地通過將半導體芯片固定在輔助載體的非平面的表面上形成不含固體材料的中間空間。

通過使用結(jié)構化的輔助載體能夠棄用例如呈聯(lián)接底座形式的間隔保持件，所述聯(lián)接底座典型地通過電鍍工藝構成，由此降低制造成本。在稍后的方法步驟中，例如呈焊料球形式的接觸元件安置在結(jié)構化載體觸碰半導體芯片的區(qū)域中。

用于制造可表面安裝的半導體器件的上述方法尤其適合用于制造可表面安裝的半導體器件。因此，結(jié)合方法詳述的特征也能夠考慮用于半導體器件或反之亦然。

附圖說明

從下面結(jié)合附圖對實施例的描述中得出其他的特征、設計方案和有利方案。

在附圖中，相同的、同類的或起相同作用的元件設有相同的附圖標記。

附圖和在附圖中示出的元件相互間的尺寸比例不能夠視為是合乎比例的。更確切地說，為了更好地可視性和/或為了更好的理解能夠夸張大地示出各個元件并且尤其層厚度。

附圖示出：

圖1至圖3示出可表面安裝的半導體器件的第一實施例，

圖4至圖5示出可表面安裝的半導體器件的另一實施例，

圖6和圖7示出光電子半導體器件的另一實施例，

圖8示出根據(jù)本發(fā)明的可表面安裝的半導體器件在電路板上的設置，

圖9至圖13根據(jù)在示意剖面圖中示出的中間步驟示出用于制造可表面安裝的半導體器件的方法的實施例，和

圖14示出可表面安裝的半導體器件的另一實施例。

具體實施方式

在圖1至圖3示中出可表面安裝的半導體器件的第一實施例。整體用100表示的半導體器件包括光電子半導體芯片10，所述光電子半導體芯片被由硅樹脂構成的成型體40包覆。光電子半導體芯片10具有半導體本體20，所述半導體本體設置在由藍寶石構成的載體本體12上并且包括半導體層序列24，在所述半導體層序列中，在第一半導體層21和第二半導體層22之間構成有源區(qū)域23。在器件100的下側(cè)上構成安裝面50，所述安裝面至少局部地通過成型體40的表面形成。此外，半導體器件100包括多個第一接觸元件31和多個第二接觸元件32，所述接觸元件在安裝面50的區(qū)域中穿過成型體40伸出。第一接觸元件與第一半導體層21導電地連接，以及第二接觸元件32與第二半導體層22導電地連接。在當前的實施例中，在半導體芯片的邊緣區(qū)域中移除第二半導體層22并且在那里直接由第一接觸元件31接觸。第一半導體層21和第二半導體層22與接觸元件31、32分別在以下區(qū)域中連接：在所述區(qū)域中在俯視圖中從外部接觸器件。在第二半導體層22和接觸元件32之間能夠可選地構成有例如由銀構成的鏡面層(未示出)。

每個接觸元件31、32包括聯(lián)接底座33以及蓋元件34，所述聯(lián)接底座穿透成型體40并且在安裝面50處與所述成型體齊平，所述蓋元件豎直地超出安裝面。聯(lián)接底座33能夠采用柱形的形狀并且例如由銅構成。蓋元件34例如構成為焊料球。在此，聯(lián)接底座33具有在10μm和150μm之間(在豎直方向上的尺寸)的高度。這同時為成型體40在安裝面50的區(qū)域中的高度(用附圖標記41表示)。

在圖1至圖3中示出的實施例中，半導體芯片10是倒裝芯片布置的藍寶石芯片并且除安裝面50(器件的下側(cè))的區(qū)域之外由150μm厚的成型體包圍。在圖2和圖3中示出的箭頭表示成型體40在半導體芯片10上的壓力，所述壓力用于在兩個元件之間的良好的機械連接。聯(lián)接底座33例如能夠以電鍍方式在制造半導體芯片10期間產(chǎn)生，而蓋元件34在構成成型體40之后才構成。

與在圖1至圖3中示出的實施例不同，在圖4和圖5中示出的實施例中，在多個第一接觸元件31和多個第二接觸元件32之間施加壓敏電阻漿料35，所述壓敏電阻漿料構成用于保護光電子半導體芯片10免受靜電放電影響。使用壓敏電阻漿料帶來的優(yōu)點是：不需要由于裝入呈保護二極形式的附加電路的附加的耗費，所述壓敏電阻漿料例如能夠包含具有半導體顆粒、例如由碳化硅構成的顆粒的聚合物。壓敏電阻漿料引起500V和1000V之間范圍中的導通電壓。

在圖1至圖5中示出的實施例中，成型體40能夠包含發(fā)光轉(zhuǎn)換材料。與此相反，圖6和圖7示出如下實施例：在所述實施例中成型體40不含發(fā)光轉(zhuǎn)換材料并且至少局部地將發(fā)光轉(zhuǎn)換層42設置在成型體40和半導體芯片10之間。發(fā)光轉(zhuǎn)換材料42例如能夠通過沉淀、噴射覆層或電泳沉積構成。在示出的實施例中，其為噴射的發(fā)光轉(zhuǎn)換層，所述發(fā)光轉(zhuǎn)換層由在當前情況下由透明的硅樹脂構成的成型體40包圍以固定和機械穩(wěn)定。附加地，成型體40能夠包含石英顆粒(英語fused silica，熔融石英)，所述石英顆粒提高器件的硬度和機械穩(wěn)定性。

圖8示出在安裝狀態(tài)下的在圖6和圖7中示出的半導體器件。器件100借助其焊料球34焊接在電路板200的印制導線80上。所述焊料球用作為在器件100的安裝面50和電路板200的表面之間的間隔保持件。在由此產(chǎn)生的中間空間中能夠構成中間層81，所述中間層起反射作用。由此實現(xiàn)：取消在半導體芯片10內(nèi)部構成反射層的必要性。而電路板200的表面通常不是反射的，因為所述表面由環(huán)氧樹脂和銅構成，通過反射構成的中間層81能夠有利地實現(xiàn)將光轉(zhuǎn)向遠離電路板200。

在圖9至圖13中示出用于制造多個可表面安裝的半導體器件的方法的實施例。在圖9中示出的方法步驟中，多個分割的半導體芯片10借助粘接層71固定在輔助載體70上，所述半導體芯片的半導體層與多個由銅構成的聯(lián)接底座33導電地連接。在此，半導體芯片10設置在輔助載體71上，使得半導體本體從半導體芯片10的載體本體觀察朝向輔助載體71。半導體芯片10陣狀地設置并且在橫向方向上，也就是說，在平行于輔助載體71的主延伸平面方向上彼此隔開。

粘接層71能夠是雙面粘接的膜或由硅樹脂構成，所述硅樹脂附加地起抗附著層作用。在每個半導體芯片10和輔助載體70之間構成不含固體材料的中間空間72，所述中間空間在聯(lián)接底座33之間的區(qū)域中產(chǎn)生。如果將薄的硅樹脂層(例如具有在10μm和20μm之間的厚度)用作粘接層71，那么在緊接著的方法步驟中，中間空間72能夠相對簡單地用模塑料填充。與此相反，膜用作粘接層71具有的缺點是：所述膜容易撓曲進而能夠產(chǎn)生縮小的中間空間72。

在圖10中示出的緊接著的方法步驟中，成型體復合結(jié)構43通過模壓產(chǎn)生，所述成型體復合結(jié)構全方位地包覆半導體芯片10并且尤其封閉半導體芯片10的聯(lián)接底座33之間的中間空間72。硅樹脂、丙烯酸酯或環(huán)氧化物用作模塑料。替選地，成型體復合結(jié)構能夠通過注塑方法構成，其中使用藍色穩(wěn)定的或紫外穩(wěn)定的熱塑性塑料、例如聚環(huán)己醇二乙酯(PCT)是有利的。使用熱固性塑料、例如硅樹脂也是可行的。模塑料能夠用填充材料填充，所述填充材料例如包含二氧化硅、氮化硼、氧化鋁、氮化鋁或磷。

在圖11中示出的方法步驟中，通過脫層移除輔助載體70。這例如能夠通過加熱粘接層和/或通過由化學工藝和/或利用機械力除去粘接層71來進行。

在圖12中示出的方法步驟中，在聯(lián)接底座33上構成呈焊料球形式的蓋元件34。焊料球34在溫度處理工藝中重熔。為此，有利地，使用助焊劑，以便粘貼焊料球并且改進重熔化特性。焊料能夠以電鍍方式施加。

將成型體復合結(jié)構43沿著分隔線分割，以分割成半導體器件100(見圖13)。這例如能夠以機械方式，例如借助鋸割、切割或沖壓，以化學方式，例如借助蝕刻，和/或借助相干輻射，例如通過激光剝離進行。

圖14示出可表面安裝的光電子半導體器件的另一實施例，與之前描述實施例對比，在該實施例中，在半導體芯片10的內(nèi)部中設有較復雜的布線，由此，在載體水平上能夠選擇簡單的接觸部幾何形狀，在所述載體上應當稍后安裝可表面安裝的半導體器件。

多個第一接觸元件31經(jīng)由第一聯(lián)接層61與第一半導體層21電連接。多個第二接觸元件32經(jīng)由第二聯(lián)接層62與第二半導體層22導電地連接。在第一聯(lián)接層61和第二聯(lián)接層62之間設置絕緣層63。在半導體層序列24中設有凹部25，所述凹部穿過絕緣層63、第二聯(lián)接層62、第二半導體層22和有源區(qū)域23延伸到第一半導體層21中，并且至少部分地用導電材料填充。通過在第一接觸元件31和第二接觸元件32之間施加電壓，載流子能夠從相反方向注入到有源區(qū)域23中并且在那里再復合以發(fā)射輻射。

在半導體器件的俯視圖中，第一聯(lián)接層61和第二聯(lián)接層62彼此疊加。通過描述的幾何形狀，可行的是：半導體層序列在如下區(qū)域中接觸：所述區(qū)域在器件俯視圖中與從外部接觸器件的區(qū)域不同。第二聯(lián)接層62能夠構成為例如由銀構成的鏡面層。

本發(fā)明不通過根據(jù)實施例的描述而受到限制。更確切地說，本發(fā)明包括每個新的特征以及特征的每個組合，這尤其是包含在權利要求中的特征的每個組合，即使該特征或者該組合本身未詳細地在權利要求中或者實施例中說明時也是如此。