本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體技術(shù)，且特別是關(guān)于一種可降低或消除基體效應(yīng)(bodyeffect)的高壓半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

高壓半導(dǎo)體裝置技術(shù)適用于高電壓與高功率的集成電路領(lǐng)域。傳統(tǒng)高壓半導(dǎo)體裝置，例如橫向擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(lateraldiffusedmosfet,ldmosfet)，主要用于高于或約為18v的元件應(yīng)用領(lǐng)域。高壓半導(dǎo)體裝置技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于符合成本效益，且易相容于其他工藝，已廣泛應(yīng)用于顯示器驅(qū)動(dòng)ic元件、電源供應(yīng)器、電力管理、通信、車用電子或工業(yè)控制等領(lǐng)域中。

圖1繪示出已知的n型水平式擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ldmosfet)剖面示意圖。n型水平式擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)效晶體管10包括：一p型半導(dǎo)體基底100及位于其上的一p型外延層102。p型外延層102上具有柵極結(jié)構(gòu)116及場(chǎng)絕緣層114。再者，柵極結(jié)構(gòu)116兩側(cè)的p型外延層102內(nèi)分別為一p型基體(body)區(qū)106及一n型漂移區(qū)104，其中漂移區(qū)104進(jìn)一步延伸于下方的p型半導(dǎo)體基底100內(nèi)?；w區(qū)106內(nèi)具有p型接觸區(qū)108及相鄰的n型接觸區(qū)110(二者或稱為源極區(qū))，而漂移區(qū)104內(nèi)具有n型接觸區(qū)112(或稱為漏極區(qū))。再者，一源極電極117電連接于p型接觸區(qū)108及n型接觸區(qū)110；一漏極電極119電連接于n型接觸區(qū)112；及一柵極電極121電連接于柵極結(jié)構(gòu)116。

然而，在上述n型水平式擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)效晶體管10中，源極區(qū)經(jīng)由基體區(qū)106與下方的p型半導(dǎo)體基底100電連接。因此，當(dāng)源極區(qū)耦接至一內(nèi)部電路或電阻時(shí)，會(huì)引發(fā)基體效應(yīng)而改變晶體管10的閾值電壓(thresholdvoltage)。如此一來，晶體管10的驅(qū)動(dòng)電流會(huì)隨著施加于源極區(qū)的電壓的增加而下降，因而降低晶體管10的性能。

因此，有必要尋求一種高壓半導(dǎo)體裝置及其制造方法，其能夠解決或改善上述的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明一實(shí)施例提供一種高壓半導(dǎo)體裝置，包括：具有一第一導(dǎo)電型的一半導(dǎo)體基底；具有一第二導(dǎo)電型的一第一摻雜區(qū)，位于半導(dǎo)體基底內(nèi)；一外延層，形成于半導(dǎo)體基底上；具有第一導(dǎo)電型的一基體區(qū)，位于第一摻雜區(qū)上的外延層內(nèi)；具有第二導(dǎo)電型及相同摻雜濃度的一第二摻雜區(qū)及一第三摻雜區(qū)，分別位于基體區(qū)兩相對(duì)側(cè)的外延層內(nèi)而鄰接基體區(qū)；一源極區(qū)及一漏極區(qū)，分別位于基體區(qū)及第二摻雜區(qū)內(nèi)；一場(chǎng)絕緣層位于源極區(qū)及漏極區(qū)之間的第二摻雜區(qū)內(nèi)；以及一柵極結(jié)構(gòu)，位于外延層上，且覆蓋一部分的場(chǎng)絕緣層。

本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種高壓半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：提供具有一第一導(dǎo)電型的一半導(dǎo)體基底；于半導(dǎo)體基底內(nèi)形成具有一第二導(dǎo)電型的一第一摻雜區(qū)；于半導(dǎo)體基底上形成一外延層；于外延層內(nèi)形成具有第一導(dǎo)電型的一基體區(qū)及具有第二導(dǎo)電型及相同摻雜濃度的一第二摻雜區(qū)及一第三摻雜區(qū)，其中基體區(qū)位于第一摻雜區(qū)上，且第二摻雜區(qū)及第三摻雜區(qū)分別位于基體區(qū)兩相對(duì)側(cè)并鄰接基體區(qū)；于該第二摻雜區(qū)內(nèi)形成一場(chǎng)絕緣層；于外延層上形成一柵極結(jié)構(gòu)，其中柵極結(jié)構(gòu)覆蓋一部分的場(chǎng)絕緣層；以及于基體區(qū)內(nèi)形成一源極區(qū)，且于第二摻雜區(qū)內(nèi)形成一漏極區(qū)。

本發(fā)明實(shí)施例的高壓半導(dǎo)體裝置及其制造方法，基體區(qū)的兩相對(duì)側(cè)及底部形成了具有不同于基體區(qū)的導(dǎo)電型的摻雜區(qū)，這些摻雜區(qū)構(gòu)成連續(xù)的隔離結(jié)構(gòu)，以隔離高壓半導(dǎo)體裝置中具有相同導(dǎo)電型的基體區(qū)與基底。因此，當(dāng)源極區(qū)耦接至一內(nèi)部電路或電阻時(shí)，可降低或消除基體效應(yīng)而避免驅(qū)動(dòng)電流隨著施加于源極區(qū)的電壓的增加而下降，進(jìn)而提升或維持高壓半導(dǎo)體裝置的性能。再者，這些摻雜區(qū)可具有相同的的摻雜濃度，因此可使高壓半導(dǎo)體裝置具有穩(wěn)定的峰值電場(chǎng)(peakelectricfield)。另外，由于可采用高壓半導(dǎo)體裝置中的高壓井區(qū)形成連續(xù)的隔離結(jié)構(gòu)，因此不需額外的制造成本。

附圖說明

圖1繪示出已知的n型水平式擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)效晶體管剖面示意 圖。

圖2a至圖2f繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的高壓半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面示意圖。

圖3a至圖3d分別繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的高壓半導(dǎo)體裝置的剖面示意圖。

附圖標(biāo)號(hào)：

10晶體管；

20、30、40、50、60高壓半導(dǎo)體裝置；

100p型半導(dǎo)體基底；

102p型外延層；

104n型漂移區(qū)；

106基體區(qū)；

108p型接觸區(qū)；

110、112n型接觸區(qū)；

114、220場(chǎng)絕緣層；

116、233柵極結(jié)構(gòu)；

117源極電極；

119漏極電極；

121柵極電極；

200半導(dǎo)體基底；

202第一摻雜區(qū)；

204埋入層；

210外延層；

212高壓井區(qū)；

212a第二摻雜區(qū)；

212b第三摻雜區(qū)；

216場(chǎng)降區(qū)；

222基體區(qū)；

224、226摻雜區(qū)；

227源極區(qū)；

228漏極區(qū)；

230柵極介電層；

232柵極層；

240、242、244內(nèi)連結(jié)構(gòu)；

250內(nèi)層介電層；

e1、e2外側(cè)邊緣；

w寬度。

具體實(shí)施方式

以下說明本發(fā)明實(shí)施例的高壓半導(dǎo)體裝置及其制造方法。然而，可輕易了解本發(fā)明所提供的實(shí)施例僅用于說明以特定方法制作及使用本發(fā)明，并非用以局限本發(fā)明的范圍。

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種高壓半導(dǎo)體裝置，例如橫向擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)效晶體管，其利用不同于基體區(qū)的導(dǎo)電型的摻雜區(qū)來隔離高壓半導(dǎo)體裝置中具有相同導(dǎo)電型的基體區(qū)與基底，進(jìn)而降低或消除基體效應(yīng)。

請(qǐng)參照?qǐng)D2e，其繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的高壓半導(dǎo)體裝置20的剖面示意圖。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置20可為一水平式擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)效晶體管。高壓半導(dǎo)體裝置20包括一半導(dǎo)體基底200，例如為硅基底、鍺化硅(sige)基底、塊體半導(dǎo)體(bulksemiconductor)基底、化合物半導(dǎo)體(compoundsemiconductor)基底、絕緣層上覆硅(silicononinsulator,soi)基底或其他常用的半導(dǎo)體基底，其具有一第一導(dǎo)電型。

再者，半導(dǎo)體基底200內(nèi)具有一第一摻雜區(qū)202，例如一高壓井區(qū)，其鄰近于半導(dǎo)體基底200的上表面。第一摻雜區(qū)202具有不同于第一導(dǎo)電型的一第二導(dǎo)電型。舉例來說，第一導(dǎo)電型為p型，而第二導(dǎo)電型為n型。在其他實(shí)施例中，第一導(dǎo)電型可為n型，而第二導(dǎo)電型為p型。

在本實(shí)施例中，高壓半導(dǎo)體裝置20更包括一外延層210，其形成于半導(dǎo)體基底200上，且具有第一導(dǎo)電型。外延層210內(nèi)具有多個(gè)作為隔離結(jié)構(gòu)的場(chǎng)絕緣層220。在一實(shí)施例中，場(chǎng)絕緣層220可為場(chǎng)氧化物(fieldoxide)。在一范例中，場(chǎng)絕緣層220為局部硅氧化層(localoxidationofsilicon,locos)。在其他實(shí)施例中，場(chǎng)絕緣層220 可為淺溝槽隔離(shallowtrenchisolation,sti)結(jié)構(gòu)。

在本實(shí)施例中，高壓半導(dǎo)體裝置20更包括具有第一導(dǎo)電型的一基體區(qū)222及具有第二導(dǎo)電型及相同摻雜濃度的一第二摻雜區(qū)212a及一第三摻雜區(qū)212b?；w區(qū)222位于第一摻雜區(qū)202上的外延層210內(nèi)，且基體區(qū)222由外延層210的上表面延伸至其下表面，使基體區(qū)222的底部可鄰接于第一摻雜區(qū)202。再者，第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b分別位于基體區(qū)222兩相對(duì)側(cè)的外延層210內(nèi)而鄰接基體區(qū)222。在本實(shí)施例中，第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b位于第一摻雜區(qū)202上方，且由外延層210的上表面延伸至其下表面，使第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b的底部可鄰接于第一摻雜區(qū)202。在一實(shí)施例中，第三摻雜區(qū)212b的一外側(cè)邊緣e2對(duì)準(zhǔn)于第一摻雜區(qū)202的一對(duì)應(yīng)的外側(cè)邊緣e1。再者，第三摻雜區(qū)212b具有一寬度w在1至8微米的范圍。

在一實(shí)施例中，第一摻雜區(qū)202與第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b具有相同的摻雜濃度。在此情形中，第一摻雜區(qū)202與第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b為高壓井區(qū)。再者，第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b為基體區(qū)222所隔開的同一高壓井區(qū)212或各自形成于外延層210內(nèi)的高壓井區(qū)。在一范例中，高壓井區(qū)的摻雜濃度約在1.0×10¹⁵至1.0×10¹⁶ions/cm³的范圍。在其他實(shí)施例中，第一摻雜區(qū)202的摻雜濃度不同于第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b。在此情形中，第一摻雜區(qū)202為高壓井區(qū)，而第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b為井區(qū)，且井區(qū)(即，第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b)的摻雜濃度高于高壓井區(qū)(即，第一摻雜區(qū)202)。再者，第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b為基體區(qū)222所隔開的同一井區(qū)或各自形成于外延層210內(nèi)的井區(qū)。在一范例中，高壓井區(qū)的摻雜濃度約在1.0×10¹⁵至1.0×10¹⁶ions/cm³的范圍，而井區(qū)的摻雜濃度約在1.0×10¹⁶至1.0×10¹⁷ions/cm³的范圍。在本實(shí)施例中，第一摻雜區(qū)202、第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b作為水平式擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)效晶體管的一漂移區(qū)。

在本實(shí)施例中，高壓半導(dǎo)體裝置20更包括一源極區(qū)227、一漏極區(qū)228及一柵極結(jié)構(gòu)233。源極區(qū)227及漏極區(qū)228分別位于基體區(qū)222及第二摻雜區(qū)212a內(nèi)。源極區(qū)227由具有第二導(dǎo)電型的摻雜區(qū)226及具有第一導(dǎo)電型的摻雜區(qū)224(其作為一基體接觸區(qū))所構(gòu)成。再者，漏極區(qū)228僅由具有第二導(dǎo)電型的摻雜區(qū)所構(gòu)成。再者，柵極結(jié)構(gòu)233位于外延層210上，且覆蓋一部分的場(chǎng)絕緣層220，其中此場(chǎng)絕緣層220 形成于源極區(qū)227及漏極區(qū)228之間的第二摻雜區(qū)212a內(nèi)。柵極結(jié)構(gòu)233通常包括一柵極介電層230及位于柵極介電層230上方的柵極層232。

在本實(shí)施例中，高壓半導(dǎo)體裝置20可包括具有第一導(dǎo)電型的一場(chǎng)降區(qū)(fieldreductionregion)216，其位于第二摻雜區(qū)212a內(nèi)且對(duì)應(yīng)于柵極結(jié)構(gòu)233下方的場(chǎng)絕緣層220下方，用以降低表面電場(chǎng)。在一實(shí)施例中，場(chǎng)降區(qū)216的摻雜濃度約為1.0×10¹⁷ions/cm³。

在本實(shí)施例中，高壓半導(dǎo)體裝置20更包括一內(nèi)層介電(interlayerdielectric,ild)層250及位于其中的多個(gè)內(nèi)連結(jié)構(gòu)240、242及244。在本實(shí)施例中，內(nèi)連結(jié)構(gòu)240電連接于源極區(qū)227，以作為一源極電極；內(nèi)連結(jié)構(gòu)242電連接于漏極區(qū)216，以作為一漏極電極；以及內(nèi)連結(jié)構(gòu)244電連接于柵極結(jié)構(gòu)233，以作為一柵極電極。

請(qǐng)參照?qǐng)D3a及圖3b，其分別繪示出根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例的高壓半導(dǎo)體裝置30及40剖面示意圖，其中相同于圖2f的部件使用相同的標(biāo)號(hào)并省略其說明。在圖3a中，高壓半導(dǎo)體裝置30具有相似于高壓半導(dǎo)體裝置20(如圖2f所示)的結(jié)構(gòu)。不同之處在于高壓半導(dǎo)體裝置30中第三摻雜區(qū)212b的外側(cè)邊緣e2未對(duì)準(zhǔn)于第一摻雜區(qū)212a的對(duì)應(yīng)的外側(cè)邊緣e1。舉例來說，外側(cè)邊緣e2橫向延伸而超越外側(cè)邊緣e1。

在圖3b中，高壓半導(dǎo)體裝置40具有相似于高壓半導(dǎo)體裝置20(如圖2f所示)的結(jié)構(gòu)。不同之處在于高壓半導(dǎo)體裝置40中第三摻雜區(qū)212b的外側(cè)邊緣e2未對(duì)準(zhǔn)于第一摻雜區(qū)212a的對(duì)應(yīng)的外側(cè)邊緣e1。舉例來說，外側(cè)邊緣e1橫向延伸而超越外側(cè)邊緣e2。

請(qǐng)參照?qǐng)D3c，其繪示出根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例的高壓半導(dǎo)體裝置50剖面示意圖，其中相同于圖2f的部件使用相同的標(biāo)號(hào)并省略其說明。在本實(shí)施例中，高壓半導(dǎo)體裝置50具有相似于高壓半導(dǎo)體裝置20(如圖2f所示)的結(jié)構(gòu)。不同之處在于高壓半導(dǎo)體裝置50中更包括具有第二導(dǎo)電型的一埋入層(buriedlayer)204，位于基體區(qū)222下方的第一摻雜區(qū)202內(nèi)，使基體區(qū)222的底部鄰接埋入層204的上表面。再者，埋入層204的摻雜濃度約在1.0×10¹⁸ions/cm³。在本實(shí)施例中，第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b可為井區(qū)或高壓井區(qū)。在一范例中，第二導(dǎo)電型為n型，而埋入層204為n型埋入層(n+buriedlayer,nbl)。

請(qǐng)參照?qǐng)D3d，其繪示出根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例的高壓半導(dǎo)體裝置60剖面示意圖，其中相同于圖2f的部件使用相同的標(biāo)號(hào)并省略其說明。在本實(shí)施例中，高壓半導(dǎo)體 裝置60具有相似于高壓半導(dǎo)體裝置20(如圖2f所示)的結(jié)構(gòu)。不同之處在于高壓半導(dǎo)體裝置60中使用具有第二導(dǎo)電型的一埋入層204取代高壓半導(dǎo)體裝置20中的第一摻雜區(qū)202設(shè)置于基體區(qū)222下方，使基體區(qū)222的底部鄰接埋入層204的上表面。在本實(shí)施例中，第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b可為井區(qū)或高壓井區(qū)。

接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2a至圖2f，其繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的高壓半導(dǎo)體裝置20制造方法的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2a，提供一半導(dǎo)體基底200，其具有一第一導(dǎo)電型。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200可為硅基底、鍺化硅基底、塊體半導(dǎo)體基底、化合物半導(dǎo)體基底、絕緣層上覆硅基底或其他常用的半導(dǎo)體基底。

接著，可通過離子注入工藝及熱工藝，于半導(dǎo)體基底200內(nèi)形成一第一摻雜區(qū)202，例如一高壓井區(qū)，其鄰近于半導(dǎo)體基底200的上表面。第一摻雜區(qū)202具有不同于第一導(dǎo)電型的一第二導(dǎo)電型。舉例來說，第一導(dǎo)電型為p型，而第二導(dǎo)電型為n型。在其他實(shí)施例中，第一導(dǎo)電型可為n型，而第二導(dǎo)電型為p型。

接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2b，可通過外延生長(zhǎng)于半導(dǎo)體基底200上形成具有第一導(dǎo)電型的一外延層210。接著，可通過離子注入工藝及熱工藝，于外延層210內(nèi)形成具有第二導(dǎo)電型的一摻雜區(qū)，例如高壓井區(qū)212。在本實(shí)施例中，高壓井區(qū)212的摻雜濃度可相同于第一摻雜區(qū)202。舉例來說，高壓井區(qū)212及第一摻雜區(qū)202的摻雜濃度約在1.0×10¹⁵至1.0×10¹⁶ions/cm³的范圍。在其他實(shí)施例中，具有第二導(dǎo)電型的摻雜區(qū)可為一井區(qū)，其摻雜濃度不同于第一摻雜區(qū)202。舉例來說，井區(qū)的摻雜濃度約在1.0×10¹⁶至1.0×10¹⁷ions/cm³的范圍，而第一摻雜區(qū)202的摻雜濃度約在1.0×10¹⁵至1.0×10¹⁶ions/cm³的范圍。亦即，井區(qū)的摻雜濃度高于第一摻雜區(qū)202的摻雜濃度。

接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2c，于外延層210內(nèi)形成多個(gè)作為隔離結(jié)構(gòu)的場(chǎng)絕緣層220，其中至少一場(chǎng)絕緣層形成于高壓井區(qū)212內(nèi)。在一實(shí)施例中，場(chǎng)絕緣層220可為場(chǎng)氧化物。在一范例中，場(chǎng)絕緣層220為局部硅氧化層(locos)。在其他實(shí)施例中，場(chǎng)絕緣層220可為淺溝槽隔離(sti)結(jié)構(gòu)。需注意的是在其他實(shí)施例中，可于形成場(chǎng)絕緣層220后，于外延層210內(nèi)形成具有第二導(dǎo)電型的高壓井區(qū)212或井區(qū)。

接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2d，可通過離子注入工藝及熱工藝，于外延層210的高壓井區(qū)212或井區(qū)內(nèi)形成具有第一導(dǎo)電型的一基體區(qū)222，以將高壓井區(qū)212或井區(qū)分隔成具有第二導(dǎo)電型及相同摻雜濃度的一第二摻雜區(qū)212a及一第三摻雜區(qū)212b。如圖2d所示，基體區(qū)222位于第一摻雜區(qū)202上的外延層210內(nèi)，且基體區(qū)222由外延層 210的上表面延伸至其下表面，使基體區(qū)222的底部可鄰接于第一摻雜區(qū)202。再者，第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b分別位于基體區(qū)222兩相對(duì)側(cè)的外延層210內(nèi)而鄰接基體區(qū)222。在本實(shí)施例中，第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b位于第一摻雜區(qū)202上方，且由外延層210的上表面延伸至其下表面，使第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b的底部可鄰接于第一摻雜區(qū)202。在一實(shí)施例中，第三摻雜區(qū)212b的一外側(cè)邊緣e2對(duì)準(zhǔn)于第一摻雜區(qū)202的一對(duì)應(yīng)的外側(cè)邊緣e1。再者，第三摻雜區(qū)212b具有一寬度w在1至8微米的范圍。在其他實(shí)施例中，可在形成基體區(qū)222之前或之后，通過各自的離子注入工藝形成第二摻雜區(qū)212a及第三摻雜區(qū)212b。

接著，請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2d，可選擇性地于場(chǎng)絕緣層220下方的第二摻雜區(qū)212a內(nèi)形成具有第一導(dǎo)電型的一場(chǎng)降區(qū)216，其用以降低表面電場(chǎng)。在一實(shí)施例中，場(chǎng)降區(qū)216的摻雜濃度約為1.0×10¹⁷ions/cm³。接著，可利用已知mos工藝于外延層210上形成一柵極結(jié)構(gòu)233，其中柵極結(jié)構(gòu)233局部覆蓋場(chǎng)降區(qū)216上方的場(chǎng)絕緣層220。柵極結(jié)構(gòu)233通常包括一柵極介電層230及位于柵極介電層230上方的柵極層232。

接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2e，可通過離子注入工藝，于基體區(qū)222內(nèi)形成一源極區(qū)227，且于第二摻雜區(qū)212a內(nèi)形成一漏極區(qū)228。源極區(qū)227由具有第二導(dǎo)電型的摻雜區(qū)226及具有第一導(dǎo)電型的摻雜區(qū)224(其作為一基體接觸區(qū))所構(gòu)成。再者，漏極區(qū)228僅由具有第二導(dǎo)電型的摻雜區(qū)所構(gòu)成。

接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2f，可利用已知金屬化工藝，于外延層210上形成一金屬化層，并覆蓋柵極結(jié)構(gòu)233。如此一來，便形成高壓半導(dǎo)體裝置20。在本實(shí)施例中，金屬化層可包括一內(nèi)層介電(ild)層250及位于其中的多個(gè)內(nèi)連結(jié)構(gòu)240、242及244。在本實(shí)施例中，內(nèi)連結(jié)構(gòu)240電連接于源極區(qū)227，以作為一源極電極；內(nèi)連結(jié)構(gòu)242電連接于漏極區(qū)216，以作為一漏極電極；以及內(nèi)連結(jié)構(gòu)244電連接于柵極結(jié)構(gòu)233，以作為一柵極電極。

可以理解的是可采用相同或相似于圖2a至圖2f所示的方法來制作圖3a至圖3d分別所示的高壓半導(dǎo)體裝置30、40、50及60。

根據(jù)上述實(shí)施例，基體區(qū)的兩相對(duì)側(cè)及底部形成了具有不同于基體區(qū)的導(dǎo)電型的摻雜區(qū)，這些摻雜區(qū)構(gòu)成連續(xù)的隔離結(jié)構(gòu)，以隔離高壓半導(dǎo)體裝置中具有相同導(dǎo)電型的基體區(qū)與基底。因此，當(dāng)源極區(qū)耦接至一內(nèi)部電路或電阻時(shí)，可降低或消除基體效應(yīng)而避免驅(qū)動(dòng)電流隨著施加于源極區(qū)的電壓的增加而下降，進(jìn)而提升或維持高壓半導(dǎo) 體裝置的性能。再者，這些摻雜區(qū)可具有相同的的摻雜濃度，因此可使高壓半導(dǎo)體裝置具有穩(wěn)定的峰值電場(chǎng)(peakelectricfield)。另外，由于可采用高壓半導(dǎo)體裝置中的高壓井區(qū)形成連續(xù)的隔離結(jié)構(gòu)，因此不需額外的制造成本。

雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中相關(guān)技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。