本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化鎵高電子遷移率晶體管的制備方法。

背景技術(shù)：

氮化鎵是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場(chǎng)、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是制作短波光電子器件和高壓高頻率大功率器件的最佳材料。

由于基于氮化鎵的氮化鎵/氮化鎵鋁結(jié)構(gòu)具有更高的電子遷移率，氮化鎵/氮化鎵鋁的高電子遷移率晶體管(high-electron-mobilitytransistors，簡(jiǎn)稱hemts)已經(jīng)成為研究熱點(diǎn)。這是因?yàn)榈?氮化鎵鋁的異質(zhì)結(jié)處會(huì)形成高濃度、高遷移率的二維電子氣(2deg)，同時(shí)異質(zhì)結(jié)對(duì)2deg具有良好的調(diào)節(jié)作用。

而由于氮化鎵/氮化鎵鋁的異質(zhì)結(jié)的二維電子氣中電子濃度很高，如果只有柵場(chǎng)板和未摻雜的氮化鎵/氮化鎵鋁，器件的柵極邊緣電場(chǎng)密度很大，會(huì)發(fā)生絕緣層提前被擊穿，導(dǎo)致器件失效。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種氮化鎵高電子遷移率晶體管的制備方法，用于解決在現(xiàn)有的氮化鎵高電子遷移率晶體管的制備中出現(xiàn)的晶體管的柵極邊緣電場(chǎng)密度大，從而導(dǎo)致的絕緣層被提前被擊穿而產(chǎn)生晶體管器件失效的問(wèn)題。

本發(fā)明提供的氮化鎵高電子遷移率晶體管的制備方法，包括：

在氮化鎵外延片的表面沉淀介質(zhì)層；

依次制備晶體管的歐姆接觸電極和柵極；

在晶體管的表面上沉積絕緣層；

刻蝕所述絕緣層形成柵場(chǎng)板孔，淀積形成與所述柵極相連的柵場(chǎng)板。

進(jìn)一步地，在上述制備方法中，所述刻蝕所述絕緣層形成與所述柵極接觸的柵場(chǎng)板孔，淀積形成柵場(chǎng)板，包括：

對(duì)所述絕緣層進(jìn)行干法刻蝕，形成所述柵場(chǎng)板孔，其中，所述柵場(chǎng)板孔與所述柵極的表面接觸；

在所述柵場(chǎng)板孔內(nèi)和所述絕緣層的表面淀積第一金屬，形成第一金屬層；

對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行光刻和刻蝕，形成所述柵場(chǎng)板。

進(jìn)一步地，在上述制備方法中，所述在所述柵場(chǎng)板孔內(nèi)和所述絕緣層的表面淀積第一金屬，形成第一金屬層，包括：

采用磁控濺射鍍膜工藝，在所述柵場(chǎng)板孔內(nèi)和所述絕緣層的表面沉積金屬鋁硅銅，形成所述第一金屬層。

進(jìn)一步地，在上述制備方法中，所述在氮化鎵外延片的表面沉淀介質(zhì)層，包括：

在所述氮化鎵外延片的表面沉積氧化鉿，形成所述介質(zhì)層。

進(jìn)一步地，在上述制備方法中，所述制備晶體管的歐姆接觸電極，包括：

刻蝕所述介質(zhì)層，分別形成兩個(gè)歐姆接觸孔；

在兩個(gè)所述歐姆接觸孔內(nèi)以及所述介質(zhì)層的表面沉積第二金屬，并形成第二金屬層；

對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行光刻，刻蝕和退火處理，形成所述歐姆接觸電極。

進(jìn)一步地，在上述制備方法中，所述制備晶體管的柵極，包括：

刻蝕所述介質(zhì)層以及部分所述氮化鎵外延片中的勢(shì)壘層，形成柵極接觸孔；

在所述柵極接觸孔內(nèi)，所述歐姆接觸電極的表面以及所述介質(zhì)層的表面沉積第三金屬，形成第三金屬層；

對(duì)所述第三金屬層進(jìn)行光刻和刻蝕，形成所述柵極。

進(jìn)一步地，在上述制備方法中，所述勢(shì)壘層被刻蝕的深度為所述勢(shì)壘層的厚度的一半。

進(jìn)一步地，在上述制備方法中，所述在晶體管的表面上沉積絕緣層，包括：

在所述歐姆接觸電極的表面，所述介質(zhì)層的表面以及所述柵極的表面沉積氮化硅，形成所述絕緣層。

進(jìn)一步地，在上述制備方法中，所述在兩個(gè)所述歐姆接觸孔內(nèi)以及所述介質(zhì)層的表面沉積第二金屬，并形成第二金屬層之前，還包括：

對(duì)所述歐姆接觸孔進(jìn)行清洗。

進(jìn)一步地，在上述制備方法中，所述退火處理包括在氮?dú)獾臈l件下，采用840℃的退火溫度進(jìn)行退火時(shí)間為30s的退火工藝。

本發(fā)明提供的一種氮化鎵高電子遷移率晶體管的制備方法通過(guò)在氮化鎵外延片的表面沉淀介質(zhì)層；依次制備晶體管的歐姆接觸電極和柵極；在晶體管的表面上沉積絕緣層；刻蝕所述絕緣層形成柵場(chǎng)板孔，淀積形成與所述柵極相連的柵場(chǎng)板。從而通過(guò)介質(zhì)層有效地從柵極的表面?zhèn)鬏敽吞崛‰娡浚鸬搅私档途w管表面電場(chǎng)的效果，還通過(guò)設(shè)置與柵極相連的柵場(chǎng)板，實(shí)現(xiàn)對(duì)電流崩塌的抑制作用，改善了晶體管器件的擊穿特性，解決現(xiàn)有技術(shù)中由于絕緣層容易被提前擊穿從而使得晶體管器件失效的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種氮化鎵高電子遷移率晶體管的制備方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種氮化家高電子遷移率晶體管的制備方法的流程示意圖；

圖3為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟201后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟202后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟203后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟204后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟205后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟206后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟207后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟208后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟209后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟210后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟211后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種氮化鎵高電子遷移率晶體管的制備方法的流程示意圖，如圖1所示，該制備方法包括如下步驟：

步驟101、在氮化鎵外延片的表面沉淀介質(zhì)層。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明各實(shí)施例中所使用的氮化鎵外延片可通過(guò)采用沉積的工藝制備，具體包括由下自上依次制備氮化鎵外延片中的襯底，緩沖層和勢(shì)壘層，其中，襯底的材質(zhì)可采用硅元素，其厚度可采用625微米；緩沖層的材質(zhì)可采用化合物氮化鎵，其厚度可采用3微米；勢(shì)壘層的材質(zhì)可采用化合物氮化鎵鋁，其厚度可采用25微米。

在氮化鎵外延片的勢(shì)壘層的表面，通過(guò)沉積工藝形成介質(zhì)層。具體的， 在氮化鎵外延片的表面沉積化合物氧化鉿，形成介質(zhì)層，例如，采用低壓力化學(xué)氣相沉積法在氮化鎵外延片的表面沉積氧化鉿，從而形成介質(zhì)層。其中，該介質(zhì)層的厚度可采用30納米。

步驟102、依次制備晶體管的歐姆接觸電極和柵極。

在完成對(duì)介質(zhì)層的制備之后，在介質(zhì)層表面依次制備晶體管的歐姆接觸電極和柵極，對(duì)歐姆接觸電極和柵極的制備工藝可以采用目前的成熟制備工藝，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)實(shí)際情況自行選擇，本發(fā)明對(duì)此不進(jìn)行限定。

步驟103、在晶體管的表面上沉積絕緣層。

在晶體管的表面上沉積絕緣層。具體的，在歐姆接觸電極的表面，柵極的表面和介質(zhì)層的表面，通過(guò)沉積工藝形成絕緣層。例如，采用低壓力化學(xué)氣相沉積法在歐姆接觸電極的表面，柵極的表面和介質(zhì)層的表面沉積化合物氮化硅，形成絕緣層。其中，該絕緣層的厚度可采用500納米。

步驟104、刻蝕絕緣層形成柵場(chǎng)板孔，淀積形成與柵極相連的柵場(chǎng)板。

通過(guò)刻蝕步驟103得到的絕緣層，形成柵場(chǎng)板孔，淀積形成與柵極相連的柵場(chǎng)板。具體的，可通過(guò)干法刻蝕工藝對(duì)絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成柵場(chǎng)板孔，其中，柵場(chǎng)板孔與柵極的表面接觸。在柵場(chǎng)板孔內(nèi)和絕緣層的表面淀積第一金屬，形成第一金屬層，例如，可采用磁控濺射鍍膜工藝，在柵場(chǎng)板孔內(nèi)和絕緣層的表面沉積金屬鋁硅銅，形成第一金屬層。對(duì)第一金屬層進(jìn)行光刻和刻蝕，形成柵場(chǎng)板，光刻工藝可包括涂膠，曝光和顯影等流程。

本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種氮化鎵高電子遷移率晶體管的制備方法，通過(guò)在氮化鎵外延片的表面沉淀介質(zhì)層；依次制備晶體管的歐姆接觸電極和柵極；在晶體管的表面上沉積絕緣層；刻蝕絕緣層形成柵場(chǎng)板孔，淀積形成與柵極相連的柵場(chǎng)板。從而通過(guò)介質(zhì)層有效地從柵極的表面?zhèn)鬏敽吞崛‰娡?，起到了降低晶體管表面電場(chǎng)的效果，還通過(guò)設(shè)置與柵極相連的柵場(chǎng)板，實(shí)現(xiàn)對(duì)電流崩塌的抑制作用，改善了晶體管器件的擊穿特性，解決現(xiàn)有技術(shù)中由于絕緣層容易被提前擊穿從而使得晶體管器件失效的問(wèn)題。

為了進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明提供的氮化鎵高電子遷移率晶體管的制備方法，在圖1所示制備方法的基礎(chǔ)上，圖2為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種氮化家高 電子遷移率晶體管的制備方法的流程示意圖，圖2所示的實(shí)施例二將對(duì)氮化鎵高電子遷移率晶體管的制備方法進(jìn)行詳細(xì)的描述。

步驟201、在氮化鎵外延片的表面沉淀介質(zhì)層。

圖3為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟201后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，實(shí)施例二中的氮化鎵外延片自下至上分別為襯底11，緩沖層12和勢(shì)壘層13，其中，襯底的材質(zhì)可采用硅元素，其厚度可采用625微米；緩沖層的材質(zhì)可采用化合物氮化鎵，其厚度可采用3微米；勢(shì)壘層的材質(zhì)可采用化合物氮化鎵鋁，其厚度可采用25微米。在氮化鎵外延片的勢(shì)壘層13的表面，通過(guò)沉積工藝對(duì)氧化鉿進(jìn)行沉積，形成介質(zhì)層14，介質(zhì)層14的厚度可采用300納米。步驟201的執(zhí)行方法與圖1中的步驟101相同，在此不做贅述。

步驟202、刻蝕介質(zhì)層，分別形成兩個(gè)歐姆接觸孔。

步驟203、在兩個(gè)歐姆接觸孔內(nèi)以及介質(zhì)層的表面沉積第二金屬，并形成第二金屬層。

步驟204、對(duì)第二金屬層進(jìn)行光刻，刻蝕和退火處理，形成歐姆接觸電極。

上述圖1所示方法中的步驟102中的制備晶體管的歐姆接觸電極，具體可包括步驟202-204。圖4為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟202后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，通過(guò)采用干法刻蝕的工藝，在氮化鎵高電子遷移率晶體管的介質(zhì)層14的邊緣處，對(duì)介質(zhì)層14進(jìn)行刻蝕并形成兩個(gè)中心對(duì)稱的歐姆接觸孔15，而每個(gè)歐姆接觸孔15的直徑可采用5微米。

圖5為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟203后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示，首先在兩個(gè)歐姆接觸孔15內(nèi)和介質(zhì)層14的表面沉積第二金屬，形成第二金屬層16。具體的，可采用磁控濺射鍍膜工藝，在兩個(gè)歐姆接觸孔15內(nèi)和介質(zhì)層14的表面依次沉積金屬鈦，金屬鋁，金屬鈦和化合物氮化鈦，以形成第二金屬層16。

進(jìn)一步地，在步驟203之前，還包括：對(duì)歐姆接觸孔進(jìn)行清洗。具體的，在兩個(gè)歐姆接觸孔15內(nèi)以及介質(zhì)層14的表面沉積第二金屬，并形成第二金屬層16之前，還對(duì)歐姆接觸孔15進(jìn)行清洗。在對(duì)介質(zhì)層14進(jìn)行干 法刻蝕并形成歐姆接觸孔15之后，歐姆接觸孔15內(nèi)和介質(zhì)層14的表面會(huì)存在雜質(zhì)、顆粒等雜質(zhì)物，通過(guò)對(duì)晶體管器件的清洗可實(shí)現(xiàn)去除晶體管器件上的雜質(zhì)物的效果。例如，可采用dff+sc1+sc2的方法，去除器件上的雜質(zhì)物，具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)采用稀釋后的氫氟酸溶液進(jìn)行第一步清洗，然后采用稀釋后的氨水和雙氧水的混合溶液進(jìn)行再次清洗，最后采用稀釋后的鹽酸和雙氧水的混合溶液進(jìn)行進(jìn)一步清洗，進(jìn)而去除歐姆接觸孔15內(nèi)及其介質(zhì)層14的表面上存在的雜質(zhì)物。

圖6為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟204后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示，在形成第二金屬層16之后，對(duì)第二金屬層16采用光刻，刻蝕和退火處理的工藝，形成歐姆接觸電極17。具體的，通過(guò)對(duì)第二金屬層16進(jìn)行光刻和刻蝕，使僅有歐姆接觸孔15內(nèi)及其邊緣部分的第二金屬層16被保留，再通過(guò)進(jìn)行退火處理，使形成鈦，鋁和氮化鈦的合金，而第二金屬層16與勢(shì)壘層13中的氮化鎵鋁進(jìn)行反應(yīng)之后也可以在其接觸面上形成合金，從而得到具有較低歐姆接觸電阻的歐姆接觸電極17。其中，光刻的程序包括了涂膠、曝光和顯影，而退火處理具體可采用在氮?dú)獾臈l件下，采用840℃的退火溫度進(jìn)行退火時(shí)間為30s的退火工藝。

步驟205、刻蝕介質(zhì)層以及部分氮化鎵外延片中的勢(shì)壘層，形成柵極接觸孔。

步驟206、在柵極接觸孔內(nèi)，歐姆接觸電極的表面以及介質(zhì)層的表面沉積第三金屬，形成第三金屬層。

步驟207、對(duì)第三金屬層進(jìn)行光刻和刻蝕，形成柵極。

上述圖1所示方法中的步驟102中的制備晶體管的柵極，具體可包括步驟205-207。圖7為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟205后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖7所示，在完成歐姆接觸電極17的制備之后，在介質(zhì)層14的中心處，對(duì)該介質(zhì)層14以及部分氮化鎵外延片中的勢(shì)壘層13進(jìn)行干法刻蝕，形成深至勢(shì)壘層13的柵極接觸孔18。其中，該柵極接觸孔18的直徑可采用2微米。進(jìn)一步地，勢(shì)壘層13被刻蝕的深度為勢(shì)壘層13的厚度的一半。

圖8為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟206后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖8所示，在柵極接觸孔18內(nèi)，歐姆接觸電極17的表面 以及介質(zhì)層14的表面沉積第三金屬，形成第三金屬層19。具體的，可采用磁控濺射鍍膜工藝，在柵極接觸孔18內(nèi)，歐姆接觸電極17的表面以及介質(zhì)層14的表面依次沉積金屬鎳和金屬銅，以形成第三金屬層19。

圖9為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟207后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖9所示，對(duì)第三金屬層19進(jìn)行光刻和刻蝕，形成柵極20。具體的，對(duì)該第三金屬層19采用光刻和刻蝕的工藝，使僅保留位于柵極接觸孔18處及其邊緣的第三金屬層19，并形成柵極20。需要說(shuō)明的是，形成的柵極20與分別與勢(shì)壘層13和介質(zhì)層14接觸，使晶體管器件表面的電通量能夠很好通過(guò)柵極20傳遞至介質(zhì)層14，從而實(shí)現(xiàn)降低晶體管器件表面電場(chǎng)的效果。

步驟208、在晶體管的表面上沉積絕緣層。

圖10為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟208后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖10所示，在歐姆接觸電極17的表面，柵極20的表面和介質(zhì)層14的表面沉積絕緣層21。具體的，可采用低壓力化學(xué)氣相沉積法的沉積工藝形成絕緣層21，絕緣層21的厚度可采用500納米。步驟208的執(zhí)行方法與圖1中的步驟103相同，在此不做贅述。

步驟209、對(duì)絕緣層進(jìn)行干法刻蝕，形成柵場(chǎng)板孔，其中，柵場(chǎng)板孔與柵極的表面接觸。

步驟210、在柵場(chǎng)板孔內(nèi)和絕緣層的表面淀積第一金屬，形成第一金屬層。

步驟211、對(duì)第一金屬層進(jìn)行光刻和刻蝕，形成柵場(chǎng)板。

上述圖1所示方法中的步驟104，具體可包括步驟209-211。圖11為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟209后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖11所示，在制備絕緣層21之后，對(duì)絕緣層21進(jìn)行干法刻蝕，形成柵場(chǎng)板孔22，其中，柵場(chǎng)板孔22與柵極20的表面接觸。具體的，柵場(chǎng)板孔22位于柵極20的正上方，其柵場(chǎng)板孔22與柵極20的表面接觸，柵場(chǎng)板孔22的直徑可與柵極接觸孔18的直徑相同，例如2微米。

圖12為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟210后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖12所示，在柵場(chǎng)板孔22內(nèi)和絕緣層21的表面淀積第一金屬，形成第一金屬層23。具體的，可采用磁控濺射鍍膜工藝，在柵場(chǎng) 板孔22內(nèi)和絕緣層21的表面沉積金屬鋁硅銅，形成第一金屬層23。

圖13為執(zhí)行實(shí)施例二的步驟211后的氮化鎵高電子遷移率晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖13所示，在形成第一金屬層23之后，對(duì)第一金屬層23進(jìn)行光刻和刻蝕，形成柵場(chǎng)板24。具體的，通過(guò)對(duì)第一金屬層23的光刻和刻蝕，使僅有柵場(chǎng)板孔22內(nèi)及其邊緣部分的第一金屬層23被保留，并形成柵場(chǎng)板24，其中，光刻的程序包括了涂膠、曝光和顯影。需要說(shuō)明的是，柵場(chǎng)板24的底面與柵極20的表面接觸，從而抑制了晶體管器件的電流崩塌，改善了擊穿特性，避免晶體管器件失效。

本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種氮化鎵高電子遷移率晶體管的制備方法，通過(guò)在氮化鎵外延片的表面沉淀介質(zhì)層；刻蝕介質(zhì)層，分別形成兩個(gè)歐姆接觸孔；在兩個(gè)歐姆接觸孔內(nèi)以及介質(zhì)層的表面沉積第二金屬，并形成第二金屬層；對(duì)第二金屬層進(jìn)行光刻，刻蝕和退火處理，形成歐姆接觸電極；刻蝕介質(zhì)層以及部分氮化鎵外延片中的勢(shì)壘層，形成柵極接觸孔；在柵極接觸孔內(nèi)，歐姆接觸電極的表面以及介質(zhì)層的表面沉積第三金屬，形成第三金屬層；對(duì)第三金屬層進(jìn)行光刻和刻蝕，形成柵極；在晶體管的表面上沉積絕緣層；對(duì)絕緣層進(jìn)行干法刻蝕，形成柵場(chǎng)板孔，其中，柵場(chǎng)板孔與柵極的表面接觸；在柵場(chǎng)板孔內(nèi)和絕緣層的表面淀積第一金屬，形成第一金屬層；對(duì)第一金屬層進(jìn)行光刻和刻蝕，形成柵場(chǎng)板。通過(guò)介質(zhì)層與柵極的接觸以及柵極與柵場(chǎng)板的接觸，一方面，使得介質(zhì)層能夠有效地將晶體管表面的電通量進(jìn)行疏散和導(dǎo)通，起到了降低柵極附近電場(chǎng)的有益效果，另一方面，使得柵場(chǎng)板能夠抑制晶體管器件的電流崩塌，起到了避免絕緣層被提前擊穿的有益效果，進(jìn)而克服了現(xiàn)有的氮化鎵高電子遷移率晶體管的制備方法中，容易使晶體管器件被擊穿而導(dǎo)致失效的問(wèn)題。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。