本發(fā)明實施例涉及半導體器件制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化鎵晶體管的制備方法。

背景技術(shù)：

隨著高效完備的功率轉(zhuǎn)換電路及系統(tǒng)需求的日益增加，具有低功耗和高速特性的功率器件吸引了越來越多的關(guān)注。由于氮化鎵具有較寬的禁帶寬度，高電子飽和漂移速率，較高的擊穿場強，良好的熱穩(wěn)定性，耐腐蝕和抗輻射性能，所以氮化鎵在高壓、高頻、高溫、大功率和抗輻照環(huán)境條件下具有較強的優(yōu)勢。是國際上廣泛關(guān)注的新型寬禁帶化合物半導體材料。而氮化鎵晶體管由于鋁鎵氮/氮化鎵異質(zhì)結(jié)處形成高濃度、高遷移率的二維電子氣，同時異質(zhì)結(jié)對二維電子氣具有良好的調(diào)節(jié)作用，使其在大功率和高速電子設(shè)備等方面有廣泛的應用。

雖然氮化鎵晶體管中鋁鎵氮/氮化鎵異質(zhì)結(jié)對二維電子氣具有良好的調(diào)節(jié)作用，但由于鋁鎵氮/氮化鎵異質(zhì)結(jié)的二維電子氣中電子濃度很高，在氮化鎵外延基底上只有未摻雜的鋁鎵氮/氮化鎵，使器件的柵極邊緣電場密度會很大，容易發(fā)生氧化層提前擊穿的現(xiàn)象，使器件的耐壓性較差。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供一種氮化鎵晶體管的制備方法，該方法在器件上制備柵場板的同時制備源場板，能夠調(diào)整電場分布，降低柵極邊緣電場密度，提高器件的耐壓性。

本發(fā)明實施例提供一種氮化鎵晶體管的制備方法，包括：

在硅襯底上依次生長氮化鎵緩沖層及鋁鎵氮勢壘層；

在所述鋁鎵氮勢壘層上依次沉積氮化硅鈍化層和第一peteos氧化層；

在沉積所述第一peteos氧化層后形成的圖案上制備歐姆接觸電極；

在制備歐姆接觸電極后形成的圖案上制備柵極和柵場板；

在制備柵極和柵場板后形成的圖案上沉積第二peteos氧化層；

在沉積第二peteos氧化層后形成的圖案上制備源場板。

進一步地，如上所述的方法，所述在沉積所述第一peteos氧化層后形成的圖案上制備歐姆接觸電極，具體包括：

刻蝕左右兩側(cè)部分區(qū)域的第一peteos氧化層，分別形成第一氧化層開孔和第二氧化層開孔，在所述第一氧化層開孔內(nèi)和所述第二氧化層開孔內(nèi)分別刻蝕所述氮化硅鈍化層，形成第一歐姆接觸孔和第二歐姆接觸孔；

依次采用dhf溶液，sc1溶液和sc2溶液對所述第一歐姆接觸孔和所述第二歐姆接觸孔下方的鋁鎵氮勢壘層表面進行清洗處理；

在所述第一歐姆接觸孔內(nèi)、所述第二歐姆接觸孔內(nèi)、所述第一歐姆接觸孔上方、所述第二歐姆接觸孔上方及所述第一peteos氧化層上方沉積歐姆電極金屬層；

對所述第一peteos氧化層上方的歐姆電極金屬層進行光刻，刻蝕，形成第一歐姆接觸電極和第二歐姆接觸電極。

進一步地，如上所述的方法，所述對所述第一peteos氧化層上方的歐姆電極金屬層進行光刻，刻蝕，形成第一歐姆接觸電極和第二歐姆接觸電極之前，還包括：

對沉積歐姆電極金屬層后的所述氮化鎵晶體管進行退火處理。

進一步地，如上所述的方法，所述退火處理的溫度為840攝氏度，所述退火處理的時間為20分鐘，所述退火處理在氮氣氛圍中。

進一步地，如上所述的方法，所述在所述第一歐姆接觸孔內(nèi)、所述第二歐姆接觸孔內(nèi)、所述第一歐姆接觸孔上方、所述第二歐姆接觸孔上方及所述第一peteos氧化層上方沉積歐姆電極金屬層具體包括：

在所述第一歐姆接觸孔內(nèi)、所述第二歐姆接觸孔內(nèi)、所述第一歐姆接觸孔上方、所述第二歐姆接觸孔上方及所述第一peteos氧化層上方采用磁控濺射鍍膜工藝依次沉積鈦層，鋁層，鈦層及氮化鈦層，以形成歐姆電極金屬層。

進一步地，如上所述的方法，所述鈦層的厚度為200埃，所述鋁層的厚度為1200埃，所述氮化鈦層的厚度為200埃。

進一步地，如上所述的方法，所述在制備歐姆接觸電極后形成的圖案上制備柵極和柵場板，具體包括：

刻蝕中間部分區(qū)域的第一peteos氧化層，形成第三氧化層開孔，在所述第三氧化層開孔內(nèi)刻蝕氮化硅鈍化層和部分鋁鎵氮勢壘層，形成柵極接觸孔；

在所述柵極接觸孔內(nèi)、所述柵極接觸孔上方及所述第一peteos氧化層上方沉積柵極金屬層；

對所述第一peteos氧化層上方的柵極金屬層進行光刻，刻蝕，保留柵極接觸孔內(nèi)，所述柵極接觸孔上方預設(shè)區(qū)域和預設(shè)區(qū)域右側(cè)部分區(qū)域的柵極金屬層，所述柵極接觸孔內(nèi)，所述柵極接觸孔上方預設(shè)區(qū)域的柵極金屬層為柵極，所述預設(shè)區(qū)域右側(cè)部分區(qū)域的柵極金屬層為柵場板。

進一步地，如上所述的方法，所述在所述柵極接觸孔內(nèi)、所述柵極接觸孔上方及所述第一peteos氧化層上方沉積柵極金屬層具體包括：

在所述柵極接觸孔內(nèi)、所述柵極接觸孔上方及所述歐姆接觸電極之間的第一peteos氧化層上方采用磁控濺射鍍膜工藝依次沉積鎳層和金層，以形成柵極金屬層。

進一步地，如上所述的方法，所述在制備柵極和柵場板后形成的圖案上沉積第二peteos氧化層具體為：

在制備所述柵極和柵場板過程后形成的圖案上采用化學氣相沉積的工藝沉積第二peteos氧化層。

進一步地，如上所述的方法，在沉積第二peteos氧化層過程后形成的圖案上制備源場板具體包括：

刻蝕所述源極上方的第二peteos氧化層，形成第四氧化層開孔；

在所述第四氧化層開孔內(nèi)、所述第四氧化層開孔上方和所述第二peteos氧化層上方沉積鋁硅銅合金層；

對第二peteos氧化層上方右側(cè)區(qū)域的鋁硅銅合金層進行光刻，刻蝕，形成所述源場板。

本發(fā)明實施例提供一種氮化鎵晶體管的制備方法，通過在硅襯底上依次生長氮化鎵緩沖層及鋁鎵氮勢壘層；在鋁鎵氮勢壘層上依次沉積氮化硅鈍化層和第一peteos氧化層；在沉積第一peteos氧化層后形成的圖案上制備歐姆接觸電極；在制備歐姆接觸電極后形成的圖案上制備柵極和柵場板；在制備柵極和柵場板后形成的圖案上沉積第二peteos氧化層；在沉積第二peteos氧化層后形成的圖案上制備源場板。該方法在器件上制備柵場板的同時制備源場板，能夠調(diào)整電場分布，降低柵極邊緣電場密度，提高器件的耐壓性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明氮化鎵晶體管的制備方法實施例一的流程圖；

圖2為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟101后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟102后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟103后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟104后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟105后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟106后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實施例一中步驟103的流程圖；

圖9為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟103a后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟103c后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明實施例一中步驟104的流程圖；

圖12為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟104a后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本發(fā)明實施例一中步驟106的流程圖。

附圖標記：

1-硅襯底2-氮化鎵緩沖層3-鋁鎵氮勢壘層

4-氮化硅鈍化層5-第一peteos氧化層6-第一歐姆接觸電極

7-第二歐姆接觸電極8-柵極9-柵場板

10-第二peteos氧化層11-源場板12-第一歐姆接觸孔

13-第二歐姆接觸孔14-歐姆電極金屬層15-柵極接觸孔

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

圖1為本發(fā)明氮化鎵晶體管的制備方法實施例一的流程圖，如圖1所示，本實施例提供的氮化鎵晶體管的制備方法包括以下步驟。

步驟101，在硅襯底1上依次生長氮化鎵緩沖層2及鋁鎵氮勢壘層3。

具體地，圖2為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟101后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本實施例中，首先采用外延生長的工藝在硅襯底1上生長氮化鎵緩沖層2，然后采用外延生長的工藝在氮化鎵緩沖層2上生長鋁鎵氮勢壘層3。

步驟102，在鋁鎵氮勢壘層3上依次沉積氮化硅鈍化層和第一peteos氧化層。

具體地，圖3為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟102后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，本實施例中，首先采用化學氣相沉積的工藝在鋁鎵氮勢壘層3上沉積氮化硅鈍化層4，然后采用化學氣相沉積的工藝在氮化硅鈍化層4上沉積第一peteos氧化層5。

步驟103，在沉積第一peteos氧化層5后形成的圖案上制備歐姆接觸電極。

具體地，圖4為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟103后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，本實施例中，歐姆接觸電極包括：第一歐姆接觸電極6和第二歐姆接觸電極7。第一歐姆接觸電極6和第二歐姆接觸電極7的尺寸可以相等，第一歐姆接觸電極6位于左側(cè)部分區(qū)域，第二歐姆接觸電極7位于右側(cè)部分區(qū)域，第一歐姆接觸電極6和第二歐姆接觸電極7相對設(shè)置。第一歐姆接觸電極6可以源極，第二歐姆接觸電極7可以為漏極。

本實施例中，制備氮化鎵晶體管的歐姆接觸電極時，包括對第一peteos氧化層5和氮化硅鈍化層4進行刻蝕形成歐姆接觸孔，沉積歐姆電極金屬層，對歐姆電極金屬層進行光刻、刻蝕等操作。

步驟104，在制備歐姆接觸電極后形成的圖案上制備柵極8和柵場板9。

具體地，圖5為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟104后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示，本實施例中，柵極8和柵場板9位于第一歐姆接觸電極6和第二歐姆接觸電極7的中間區(qū)域，柵場板9位于柵極8的右側(cè)，柵場板9與柵極8為一體成型結(jié)構(gòu)。制備氮化鎵晶體管的柵極8和柵場板9時，包括對第一peteos氧化層和氮化硅鈍化層、部分鋁鎵氮勢墊層進行刻蝕形成柵極接觸孔，沉積柵極金屬層，對柵極金屬層進行光刻、刻蝕，形成柵極和柵場板等操作。

步驟105，在制備柵極8和柵場板9后形成的圖案上沉積第二peteos氧化層10。

具體地，圖6為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟105后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示，本實施例中，第二peteos氧化層10形成在柵極8和第一歐姆接觸電極6之間的區(qū)域，柵場板9和第二歐姆接觸電極7之間的區(qū)域，柵極8和第一歐姆接觸電極6之間的區(qū)域的上方，柵場板9和第二歐姆接觸電極7之間的區(qū)域的上方，歐姆接觸電極、柵極8、柵場板9的上方，使沉積第二peteos氧化層10后的器件的上表面為同一水平面。

步驟106，在沉積第二peteos氧化層10后形成的圖案上制備源場板11。

具體地，本實施例中，圖7為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟106后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖7所示，在沉積第二peteos氧化層后形成的圖案上制備源場板時，包括對第一歐姆接觸電極即源極的上方的第二peteos氧化層進行刻蝕，形成第四氧化層開孔，還包括在第四氧化層開孔內(nèi)，第四氧化層開孔上方及第二peteos氧化層上方沉積合金層，及對合金層進行光刻，刻蝕等操作。

本實施例中，在制備氮化鎵晶體管的柵場板和源場板后，還包括對氮化鎵晶體管后續(xù)其他操作，這些操作與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不再一一贅述。

本實施例提供的氮化鎵晶體管的制備方法，通過在硅襯底上依次生長氮化鎵緩沖層及鋁鎵氮勢壘層；在鋁鎵氮勢壘層上依次沉積氮化硅鈍化層和第一peteos氧化層；在沉積第一peteos氧化層后形成的圖案上制備歐姆接觸電極；在制備歐姆接觸電極后形成的圖案上制備柵極和柵場板；在制備柵極和柵場板后形成的圖案上沉積第二peteos氧化層；在沉積第二peteos氧化層后形成的圖案上制備源場板。由于在氮化鎵晶體管中同時制備了柵場板和源場板，所以能夠調(diào)整電場分布，降低柵極邊緣電場密度，提高器件的耐壓性。

進一步地，圖8為本發(fā)明實施例一中步驟103的流程圖，如圖8所示，本實施例提供的氮化鎵晶體管的制備方法中，步驟103中在沉積第一peteos氧化層后形成的圖案上制備歐姆接觸電極具體包括如下幾個步驟。

步驟103a，刻蝕左右兩側(cè)部分區(qū)域的第一peteos氧化層，分別形成第一氧化層開孔和第二氧化層開孔，在第一氧化層開孔內(nèi)和第二氧化層開孔內(nèi)分別刻蝕氮化硅鈍化層，形成第一歐姆接觸孔12和第二歐姆接觸孔13。

具體地，圖9為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟103a后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖9所示，本實施例中，將氮化鎵晶體管分為三個區(qū)域，分別為左側(cè)區(qū)域，右側(cè)區(qū)域和中間區(qū)域?？刹捎酶煞涛g工藝刻蝕掉左右兩側(cè)部分區(qū)域的第一peteos氧化層，在左側(cè)部分區(qū)域形成第一氧化層開孔，在右側(cè)部分區(qū)域形成第二氧化層開孔，在第一氧化層開孔和第二氧化層開孔內(nèi)分別刻蝕氮化硅鈍化層，第一氧化層開孔的尺寸可以與第二氧化層開孔的尺寸相等，刻蝕掉的氮化硅鈍化層位于第一氧化層開孔和第二氧化層開孔的正下方，第一氧化層開孔及第二氧化層開孔的周圍尺寸與刻蝕掉的氮化硅鈍化層的周圍尺寸相等，即第一歐姆接觸孔12和第二歐姆接觸孔13的截面形狀為矩形。在第一氧化層開孔內(nèi)和第二氧化層開孔內(nèi)分別刻蝕氮化硅鈍化層直到鋁鎵氮勢墊層3的上表面。

步驟103b，依次采用dhf溶液，sc1溶液和sc2溶液對第一歐姆接觸孔12和第二歐姆接觸孔13下方的鋁鎵氮勢壘層表面進行清洗處理。

本實施例中，dhf溶液為稀釋的氫氟酸溶液。首先采用dhf溶液對第一歐姆接觸孔12和第二歐姆接觸孔13下方的鋁鎵氮勢壘層表面進行清洗處理，dhf溶液與鋁鎵氮勢壘層3表面的自然氧化膜反應，以腐蝕掉鋁鎵氮勢壘層表面的自然氧化膜。

其中，鋁鎵氮勢壘層表面的自然氧化膜可以為氧化鋁，氧化鎵等氧化膜。

然后，采用sc1溶液對第一歐姆接觸孔和第二歐姆接觸孔下方的鋁鎵氮勢壘層表面進行清洗處理。

本實施例中，sc1溶液為由氫氧化氨、過氧化氫和水混合而成的溶液。sc1溶液與鋁鎵氮勢壘層表面的顆粒、有機物和金屬雜質(zhì)反應，以去除掉鋁鎵氮勢壘層表面的顆粒、有機物和金屬雜質(zhì)。

最后，采用sc2溶液對第一歐姆接觸孔12和第二歐姆接觸孔13下方的鋁鎵氮勢壘層表面進行清洗處理。

本實施例中，sc2溶液為由氯化氫、過氧化氫和水混合而成的溶液。sc2溶液與鋁鎵氮勢壘層表面的原子和離子雜質(zhì)反應，以去除掉鋁鎵氮勢壘層表面的原子和離子雜質(zhì)。

步驟103c，在第一歐姆接觸孔12內(nèi)、第二歐姆接觸孔13內(nèi)、第一歐姆接觸孔12上方、第二歐姆接觸孔13上方及第一peteos氧化層上方沉積歐姆電極金屬層14。

進一步地，圖10為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟103c后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖10所示，本實施例中，在第一歐姆接觸孔12內(nèi)、第二歐姆接觸孔13內(nèi)、第一歐姆接觸孔12上方、第二歐姆接觸孔13上方及第一peteos氧化層5上方沉積歐姆電極金屬層14具體包括：

在第一歐姆接觸孔12內(nèi)、第二歐姆接觸孔13內(nèi)、第一歐姆接觸孔12上方、第二歐姆接觸孔13上方及第一peteos氧化層5上方采用磁控濺射鍍膜工藝依次沉積鈦層，鋁層，鈦層及氮化鈦層，以形成歐姆電極金屬層14。

其中，鈦層的厚度為200埃，鋁層的厚度為1200埃，氮化鈦層的厚度為200埃。

步驟103d，對沉積歐姆電極金屬層14后的氮化鎵晶體管進行退火處理。

本實施例中，制造歐姆接觸電極時，形成歐姆電極金屬層14。對制造歐姆接觸電極后的氮化鎵晶體管進行退火處理時，歐姆電極金屬層14中的金屬向鋁鎵氮勢壘層3擴散，與鋁鎵氮發(fā)生反應，鋁鎵氮勢壘層3中的氮向歐姆電極金屬層14擴散，形成大量n空位，在退火溫度和退火時間達到形成歐姆接觸要求時，在鋁鎵氮勢壘層3和歐姆電極金屬層14之間形成歐姆接觸。

優(yōu)選地，本實施例中，退火處理的溫度為840攝氏度，退火處理的時間為20分鐘，退火處理在氮氣氛圍中。

步驟103e，對第一peteos氧化層5上方的歐姆電極金屬層14進行光刻，刻蝕，形成第一歐姆接觸電極6和第二歐姆接觸電極7。

本實施例中，圖4為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟103后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，本實施例中，對第一peteos氧化層上方的中間區(qū)域的歐姆電極金屬層進行光刻，刻蝕后，在第一peteos氧化層上方左側(cè)保留的歐姆電極金屬層、第一歐姆接觸孔中的歐姆電極金屬層形成第一歐姆接觸電極，在第一peteos氧化層上方右側(cè)保留的歐姆電極金屬層、第二歐姆接觸孔中的歐姆電極金屬層形成第二歐姆接觸電極，其中，第一歐姆接觸電極為源極，第二歐姆接觸電極為漏極。

本實施例中，在沉積第一peteos氧化層后形成的圖案上制備歐姆接觸電極時，采用dhf溶液，sc1溶液和sc2溶液對第一歐姆接觸孔和第二歐姆接觸孔下方的鋁鎵氮勢壘層表面進行清洗處理，能夠有效去除鋁鎵氮勢壘層表面的雜質(zhì)，并且對沉積歐姆電極金屬層后的氮化鎵晶體管進行退火處理，使鋁鎵氮勢壘層和歐姆電極金屬層之間形成更好的歐姆接觸。

進一步地，圖11為本發(fā)明實施例一中步驟104的流程圖，如圖11所示，本實施例中，步驟104中在制備歐姆接觸電極后形成的圖案上制備柵極和柵場板可分為以下幾個步驟。

步驟104a，刻蝕中間部分區(qū)域的第一peteos氧化層，形成第三氧化層開孔，在第三氧化層開孔內(nèi)刻蝕氮化硅鈍化層和部分鋁鎵氮勢壘層，形成柵極接觸孔15。

具體地，圖12為本發(fā)明執(zhí)行實施例一的步驟104a后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖12所示，本實施例中，采用干法刻蝕工藝刻蝕中間部分區(qū)域的第一peteos氧化層，形成第三氧化層開孔，第三氧化層開孔的尺寸可以小于第一氧化層開孔或第二氧化層開孔的尺寸。在第三氧化層開孔內(nèi)采用干法刻蝕工藝刻蝕氮化硅鈍化層和部分鋁鎵氮勢壘層，形成柵極接觸孔15。其中，刻蝕的氮化硅鈍化層和部分鋁鎵氮勢壘層的周圍尺寸與第三氧化層開孔的周圍尺寸相等，即柵極接觸孔15的截面形狀為矩形。

步驟104b，在柵極接觸孔15內(nèi)、柵極接觸孔15上方及第一peteos氧化層上方沉積柵極金屬層。

進一步地，本實施例中，在柵極接觸孔15內(nèi)、柵極接觸孔15上方及第一peteos氧化層上方沉積柵極金屬層具體包括：

在柵極接觸孔15內(nèi)、柵極接觸孔15上方及歐姆接觸電極之間的第一peteos氧化層上方采用磁控濺射鍍膜工藝依次沉積鎳層和金層，以形成柵極金屬層15。

步驟104c，對第一peteos氧化層上方的柵極金屬層15進行光刻，刻蝕，保留柵極接觸孔15內(nèi)，柵極接觸孔15上方預設(shè)區(qū)域和預設(shè)區(qū)域右側(cè)部分區(qū)域的柵極金屬層，柵極接觸孔15內(nèi)，柵極接觸孔15上方預設(shè)區(qū)域的柵極金屬層為柵極8，預設(shè)區(qū)域右側(cè)部分區(qū)域的柵極金屬層為柵場板9。

如圖5所示，本實施例中，對第一peteos氧化層上方的柵極金屬層進行光刻，刻蝕后，保留預設(shè)區(qū)域和預設(shè)區(qū)域右側(cè)部分區(qū)域的柵極金屬層。柵極接觸孔內(nèi)，柵極接觸孔上方預設(shè)區(qū)域的柵極金屬層為柵極，預設(shè)區(qū)域為以柵極接觸孔為中心的區(qū)域，預設(shè)區(qū)域右側(cè)部分區(qū)域小于預設(shè)區(qū)域。

本實施例中，柵場板9所包括的金屬層與柵極8包括的金屬層相同，從下至上依次為鎳層和金層。

本實施例中，對第一peteos氧化層上方的柵極金屬層進行光刻的過程包括：涂膠、曝光、顯影的操作。

進一步地，本實施例提供的氮化鎵晶體管的制備方法中，在制備柵極8和柵場板9后形成的圖案上沉積第二peteos氧化層10具體為：

在制備柵極8和柵場板9過程后形成的圖案上采用化學氣相沉積的工藝沉積第二peteos氧化層10。

優(yōu)選地，圖13為本發(fā)明實施例一中步驟106的流程圖，如圖13所示，本實施例提供的氮化鎵晶體管的制備方法中，步驟106在沉積第二peteos氧化層10后形成的圖案上制備源場板11可分為以三個步驟執(zhí)行。

步驟106a，刻蝕第一歐姆接觸電極6上方的第二peteos氧化層，形成第四氧化層開孔。

本實施例中，可采用干法刻蝕工藝刻蝕掉第一歐姆接觸電極6上方的第二peteos氧化層，形成第四氧化層開孔，其中，第四氧化層開孔的周圍尺寸小于第一歐姆接觸電極6的第一peteos氧化層上方的歐姆電極金屬層的尺寸，第四氧化層開孔的位置可位于第一歐姆接觸電極的第一peteos氧化層上方的歐姆電極金屬層的中心位置。

步驟106b，在第四氧化層開孔內(nèi)、第四氧化層開孔上方和第二peteos氧化層10上方沉積鋁硅銅合金層。

本實施例中，可采用化學氣相沉積的工藝在第四氧化層開孔內(nèi)、第四氧化層開孔上方和第二peteos氧化層10上方沉積鋁硅銅合金層。

步驟106c，對第二peteos氧化層上方右側(cè)區(qū)域的鋁硅銅合金層進行光刻，刻蝕，形成源場板11。

本實施例中，對第二peteos氧化層上方右側(cè)區(qū)域的鋁硅銅合金層進行光刻，刻蝕后，保留左側(cè)區(qū)域的鋁硅銅合金層和第四氧化層開孔中的鋁硅銅合金層，形成源場板11。

最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。