本發(fā)明涉及一種利用激光的倒裝芯片粘結(jié)方法及利用此的半導體粘結(jié)裝置，即，將半導體芯片粘貼到回路基板時，利用激光熔接到基板，更詳細地說，利用激光以高溫加熱已形成于回路基板表面的隆起物(bump)而使其液化之后，將半導體芯片安放在液化隆起物并以一定壓力壓縮，隨著液化隆起物變硬，半導體芯片與回路基板的導體端子相互連接，使用對溫度敏感的基板等時，能夠最小化接觸不良率。

背景技術(shù)：

一般地說，倒裝芯片粘結(jié)方法是將半導體芯片粘貼到回路基板時，不使用金屬引線金屬絲等另外的連接結(jié)構(gòu)或球柵陣列(BGA)等中間媒介而利用芯片下面的電極圖案而直接熔接的方式。這種倒裝芯片粘結(jié)方法也被稱為無引線(leadless)半導體，隨著半導體大小的逐漸縮小，有利于小型及輕量化，能夠更細微地調(diào)整電極之間的距離(節(jié)距)，因此得到普遍適用。

如所述的倒裝芯片粘結(jié)方法主要使用熱壓焊方式。根據(jù)這種以往的熱壓焊方式，回路基板的上面形成導電層，并形成球塊(bump ball)，該球塊在半導體芯片下端的溫度增高時變成液體，當溫度降低時變硬。這時，若加熱半導體芯片，則球塊會變成液體，向回路基板方向逐漸加壓半導體芯片而在回路基板的導電層上安放半導體芯片。并且，隨著球塊的硬化，半導體芯片與回路基板實現(xiàn)相互熔接。

根據(jù)這種以往的倒裝芯片粘結(jié)方法，加熱半導體芯片時，需要一定的時間才能達到能夠使球塊變成液體的溫度。若這樣長時間加熱半導體芯片，會產(chǎn)生半導體芯片被熱受損的情況，因一定時間內(nèi)的生產(chǎn)量受限，無法期待生產(chǎn)能力的提高。并且，對于材質(zhì)對高溫敏感的半導體芯片無法適用。

并且，接合精密度上可能會存發(fā)生半導體芯片與回路基板的接合位置稍微偏移的問題。即，因限定了加熱半導體芯片的溫度，從球塊的液體化溫度達到硬化溫度的時間較短，導致半導體芯片與回路基板的接合部位的接合率的下降。并且，因半導體芯片與回路基板的收縮，在稍微偏移的部分或未精確粘貼的部位產(chǎn)生裂紋(crack)，導致不良率的增加，乃至壽命及耐久性方面的致命問題。

因此，急需開發(fā)一種倒裝芯片粘結(jié)方法及利用此方法的半導體粘結(jié)裝置，即，為了將粘貼在半導體芯片的隆起物變成液體而能夠用高溫短時間加熱的新的加熱工具，用該加熱工具加熱半導體芯片時，能夠減少半導體芯片的熱損傷，還能用于多種半導體芯片。

在先技術(shù)文獻

專利文獻

1.韓國公開專利公報第10-2008-0040151號“激光粘結(jié)裝置及激光粘結(jié)方法”(公開日期2008.05.08)

2.韓國公開專利公報第10-2012-0052486號“利用激光的電子部件的粘結(jié)方法及裝置”(公開日期2012.05.24)

3.韓國公開專利公報第10-2014-0002499號“粘結(jié)裝置”(公開日期2014.01.08)

技術(shù)實現(xiàn)要素：

(要解決的技術(shù)問題)

本發(fā)明的目的在于，為了解決所述問題而提供一種利用激光的倒裝芯片粘結(jié)方法，即，能夠均勻地維持半導體芯片加熱區(qū)域的溫度分布，從而能夠提高產(chǎn)品的品質(zhì)，還能靈活處理工程方面發(fā)生的多種問題。

并且，本發(fā)明的目的在于，提供一種利用所述粘結(jié)方法的半導體粘結(jié)裝置，其具備：激光發(fā)振裝置，能夠瞬間用高溫加熱半導體芯片；及預備加熱工具，預熱半導體芯片，從而使得用于向移送半導體芯片的移送軌道連接半導體與回路基板的導電性粘合膠迅速達到液體化溫度。

(解決問題的手段)

根據(jù)本發(fā)明的利用激光的倒裝芯片粘結(jié)方法，包括如下步驟：基板準備步驟，準備半導體及用于安放所述半導體的回路基板；被膜形成步驟，執(zhí)行所述基板準備步驟之后，為了防止所述半導體表面產(chǎn)生污染或缺陷，在半導體表面形成一定厚度的被膜；半導體調(diào)整步驟，執(zhí)行所述被膜形成步驟之后，將半導體及回路基板安放到半導體粘結(jié)裝置，調(diào)整半導體與回路基板的接合部位；粘結(jié)步驟，為了液化形成于所述半導體與所述回路基板之間的多個導電性隆起物末端的粘合膠，向已完成所述調(diào)整的半導體照射一定時間的激光，完成激光的照射后，隨著所述粘合膠的硬化，所述半導體與所述回路基板相互接合；第1清洗步驟，執(zhí)行所述粘結(jié)步驟之后，消除因所述粘合膠的硬化而殘留在所述半導體與所述回路基板相互接合的部位的殘留異物；干燥步驟，執(zhí)行所述第1清洗步驟之后，消除殘留在所述半導體與所述回路基板的清洗液。

在執(zhí)行所述粘結(jié)步驟之前，還執(zhí)行：預備加熱步驟，以一定溫度加熱已安放半導體的所述回路基板的下端，從而所述激光照射所述半導體而產(chǎn)生的熱能能夠均勻地傳遞到所述半導體的全面，能夠同時實現(xiàn)位于所述多個隆起物末端的粘合膠的液化。

所述粘結(jié)步驟，包括：激光照射步驟；向所述半導體照射激光而加熱所述半導體，照射的激光變換成熱能而液化所述粘合膠；加壓步驟，以一定壓力加壓所述半導體，從而通過所述液化的粘合膠使得所述半導體與所述回路基板相互粘貼；硬化步驟，硬化所述粘合膠，從而使所述半導體固定到所述回路基板。

并且，執(zhí)行所述干燥步驟之后，還執(zhí)行：絕緣體涂布步驟，為了防止所述半導體與所述回路基板的電力損失并增加所述半導體與所述回路基板的黏合力，在所述半導體與所述回路基板之間涂抹絕緣體。

本發(fā)明的半導體粘結(jié)裝置，包括：支架，受地面的支撐；半導體供應部，位于所述支架的一側(cè)，具備保管箱，在回路基板層疊安放半導體的半導體面板；移送軌道，具備用于安放由所述半導體供應部供應的所述半導體面板的移動托盤，以長度方向延長而使所述移動托盤從一側(cè)向另一側(cè)移動；粘結(jié)頭部，向安放于所述移動托盤的所述半導體照射激光而粘結(jié)(bonding)所述半導體與所述回路基板而使其相互粘貼；粘結(jié)頭部移動部，位于所述支架的上側(cè)而所述粘結(jié)頭部能夠向X，Y，Z軸移動，控制所述粘結(jié)頭部的移動；半導體收容部，包括收容箱，當完成所述粘結(jié)的半導體面板移動到所述移送軌道的另一側(cè)之后，用于保管所述半導體面板，

并且，當激光照射到所述半導體時，為了縮短安放的所述半導體與所述回路基板的加熱時間，所述移動托盤以一定溫度加熱所述半導體面板，

為了以一定溫度加熱安放于所述移動托盤的所述半導體面板，向所述移動托盤的內(nèi)部插入至少兩個以上的多個加熱塊，并以一定間隔隔離布置所述多個加熱塊，能夠分別控制所述移動托盤的加熱溫度，能夠以各不相同的溫度進行加熱。

所述半導體供應部包括：第1-1致動器，能夠向水平方向驅(qū)動；第1移動主體，與所述第1-1致動器結(jié)合，根據(jù)所述第1-1致動器的驅(qū)動而向水平方向移動；第1推桿，與所述第1移動主體結(jié)合，加壓所述半導體面板的邊緣部位而移動所述半導體面板，使所述半導體面板安放到所述移動托盤；第1移動板，上面安放所述保管箱；第1-2致動器，與所述第1移動板結(jié)合，能夠驅(qū)動所述第1移動板而使其向上下方向移動，向上方移動的程度等于向所述移動托盤移送半導體面板所產(chǎn)生的空間，使所述所述第1推桿加壓保管箱上層疊的其他半導體面板，

所述半導體收容部包括：第2-1致動器，能夠向上下方向驅(qū)動；托架，與所述第2-1致動器結(jié)合，隨著所述第2-1致動器的驅(qū)動而向上下方向移動；第2-2致動器，固定到所述托架，向水平方向驅(qū)動；第2移動主體，與所述第2-2致動器連接而向水平方向移動；第2推桿，與所述第2移動主體結(jié)合而作為整體而移動，末端加壓安放于所述移動托盤的半導體面板而能夠?qū)⑼瓿伤稣辰Y(jié)的半導體面板插入所述收容箱進行保管；第2移動板，用于安放所述收容箱；第2-3致動器，與所述第2移動板結(jié)合而向上下方向驅(qū)動，向所述收容箱插入半導體面板時，能夠向上方移動一定間隔，從而能夠?qū)⑵渌雽w面板插入所述收容箱。

(發(fā)明的效果)

本發(fā)明能夠利用激光瞬間加熱半導體芯片，從而能夠防止半導體芯片受損，能夠均勻地維持半導體芯片的加熱區(qū)域的溫度分布，并同時實現(xiàn)形成于隆起物末端的粘合膠的液體化，因此能夠減少不良率，提高耐久性及產(chǎn)品品質(zhì)。

并且，因本發(fā)明能夠利用激光快速加熱粘合膠，當使用對溫度敏感的基板時，也能實現(xiàn)較高的生產(chǎn)率及可靠的接合度，因粘合膠的形狀均勻，能夠減少不良率。

并且，本發(fā)明具備用于預熱半導體芯片的加熱工具，能夠在移送半導體芯片的移送線上，使半導體芯片始終維持固定溫度。

附圖說明

圖1是呈現(xiàn)本發(fā)明的倒裝芯片粘結(jié)方法的作業(yè)順序的作業(yè)順序圖。

圖2是呈現(xiàn)本發(fā)明的倒裝芯片粘結(jié)方法的另一實施例的作業(yè)順序圖。

圖3是呈現(xiàn)本發(fā)明的倒裝芯片粘結(jié)方法的又一實施例的作業(yè)順序圖。

圖4是呈現(xiàn)本發(fā)明的粘結(jié)步驟的作業(yè)順序的概略圖。

圖5是呈現(xiàn)以往技術(shù)與本發(fā)明的設(shè)定溫度到達時間的溫度圖表。

圖6是呈現(xiàn)本發(fā)明的半導體與回路基板相互接觸的使用狀態(tài)的照片。

圖7是呈現(xiàn)本發(fā)明的半導體粘結(jié)裝置的整體模樣的立體圖。

圖8是呈現(xiàn)本發(fā)明的半導體供應部的主要構(gòu)成的立體圖。

圖9是呈現(xiàn)半導體面板安放于移送軌道及移動托盤的樣態(tài)的立體圖。

圖10是呈現(xiàn)移送軌道與移動托盤的主要構(gòu)成的立體圖。

圖11是呈現(xiàn)本發(fā)明的粘結(jié)頭部的運轉(zhuǎn)的立體圖。

圖12是呈現(xiàn)本發(fā)明的半導體收容部的主要構(gòu)成的立體圖。

圖13是呈現(xiàn)本發(fā)明的移動托盤的另一實施例的立體圖。

具體實施方式

參照以下附圖而詳細說明本發(fā)明的一實施例。

圖1是呈現(xiàn)本發(fā)明的倒裝芯片粘結(jié)方法的作業(yè)順序的作業(yè)順序圖，圖2是呈現(xiàn)本發(fā)明的倒裝芯片粘結(jié)方法的另一實施例的作業(yè)順序圖，圖3是呈現(xiàn)本發(fā)明的倒裝芯片粘結(jié)方法的又一實施例的作業(yè)順序圖，圖4是呈現(xiàn)本發(fā)明的粘結(jié)步驟的作業(yè)順序的概略圖，圖5是呈現(xiàn)以往技術(shù)與本發(fā)明的設(shè)定溫度到達時間的溫度圖表，圖6是呈現(xiàn)本發(fā)明的半導體與回路基板相互接觸的使用狀態(tài)的照片。

參照圖1，為了執(zhí)行本發(fā)明的利用激光的倒裝芯片粘結(jié)方法，首先實施基板準備步驟(S100)。基板準備步驟(S100)相當于準備半導體及用于安放半導體的回路基板的步驟。

執(zhí)行基板準備步驟(S100)之后，執(zhí)行被膜形成步驟(S200)，在半導體的表面形成一定厚度的被膜。被膜形成步驟(S200)是指為了最小化半導體10表面的污染或缺陷及與空氣接觸而導致的腐蝕現(xiàn)象，以一定厚度涂裝半導體10的表面。這時，本領(lǐng)域技術(shù)人員可按照半導體10的使用目的，從硅石系被膜、金屬系被膜等中進行選擇而使用。

執(zhí)行所述被膜形成步驟(S200)之后，為了調(diào)整半導體10與回路基板20而執(zhí)行半導體調(diào)整步驟(S300)。半導體調(diào)整步驟(S300)中，向半導體粘結(jié)裝置安放半導體10及回路基板20之后或向半導體粘結(jié)裝置安放半導體10及回路基板20之前，調(diào)整半導體10與回路基板20的接合部位。

即，調(diào)整步驟(S300)的目的在于：為連接半導體10與回路基板20，在半導體10及回路基板20上分別突出形成導電性隆起物30，這些隆起物的位置處于同一垂直線上，當執(zhí)行后述的粘結(jié)步驟時，調(diào)整步驟能夠提前防止半導體10與回路基板20不一致的現(xiàn)象。

通過所述半導體調(diào)整步驟(S300)而調(diào)整半導體10與回路基板20之后，執(zhí)行粘結(jié)步驟(S400)，向半導體10照射一定時間的激光而接合半導體10與回路基板20。參照圖4而更詳細地說明粘結(jié)步驟(S400)，向半導體10照射激光而激光加熱半導體10的同時，激光的熱能傳遞到半導體10與回路基板20之間的各個導電性隆起物30中的，在半導體10的下面突出的導電性隆起物30。這時，在半導體10的下面突出的導電性隆起物30的末端形成用于固定各個隆起物30的粘合膠40。所述的粘合膠40為：當加熱一定溫度(200～250℃)以上時發(fā)生液化，當一定溫度(160～140℃)以下時發(fā)生硬化，優(yōu)選地，由導電性物質(zhì)構(gòu)成。即，激光照射半導體10后，激光的高溫熱能能夠使得形成于導電性隆起物30末端的粘合膠40發(fā)生液化。

之后，向回路基板20方向加壓半導體10，液化隆起物30會包住在回路基板20上面突出的導電性隆起物30。之后，粘合膠40發(fā)生硬化而接合半導體10與回路基板20。

圖5的(a)是利用以往的陶瓷加熱器時，能夠使粘合膠40發(fā)生液化的溫度圖表，(b)是利用本發(fā)明的激光時，能夠使粘合膠40發(fā)生液化的溫度圖表。參照圖5，本發(fā)明相比利用以往的陶瓷加熱器的方法，粘合膠40達到液化溫度的時間較短，粘合膠40能夠維持液體化溫度的時間也有所提高。

即，圖6中照片的(a)表示以往的接合不良狀態(tài)，(b)表示實現(xiàn)完全接合的狀態(tài)。即，參照(b)，因粘合膠40包住形成于回路基板20的隆起物30而發(fā)生硬化，若在同一時間執(zhí)行粘結(jié)步驟(S400)，能夠減少粘合膠40的接合性及接合不良等問題的發(fā)生概率。

并且，參照圖4的(a)，因以往的半導體10的全面的溫度分布不均勻，位于邊緣部位的粘合膠40不發(fā)生液化而導致接合不良，但參照圖4的(b)，激光均勻地照射在半導體10的全面，位于半導體10的邊緣部位及中心的粘合膠40發(fā)生液體化的時間相同，而且發(fā)生硬化的時間也相同，能夠解決半導體10與回路基板20的粘結(jié)時產(chǎn)生的接合不良等問題。

參照圖1，執(zhí)行粘結(jié)步驟(S400)之后，執(zhí)行第1清洗步驟(S500)，消除形成于半導體10及回路基板20的各個隆起物30之間存在的殘留異物。

通過第1清洗步驟(S500)，能夠消除粘合膠40的殘留物等。

之后，執(zhí)行干燥步驟(S600)，用于消除半導體10及回路基板20中殘留的清洗液。

參照圖2，執(zhí)行粘結(jié)步驟(S400)之前，還執(zhí)行預備加熱步驟S700，以一定溫度加熱回路基板20的下端。以一定溫度加熱回路基板20的下端，加熱位于半導體10下端的粘合膠40，從而激光能夠照射到半導體10的上面，粘合膠40液化的時點能夠提前。

據(jù)此，熱能能夠均勻地傳遞到分布在半導體10的下端全面的多個隆起物30，能夠同時實現(xiàn)粘合膠40的液化。因此，照射激光之后，向回路基板20方向加壓半導體10時，在半導體10的全面相同地實現(xiàn)粘合膠40的液化，能夠均勻地維持液化時點的溫度，因此具有能夠提前防止接觸不良等的優(yōu)點。

參照圖3，粘結(jié)步驟(S400)以激光照射步驟(S410)、加壓步驟(S420)、硬化步驟(S430)的順序進行。激光照射步驟(S410)是指：向半導體10照射激光，由此向形成于半導體10及半導體10下端的導電性隆起物30傳遞熱能的步驟。也是將熱能傳遞到形成于隆起物30末端的粘合膠40而使粘合膠40發(fā)生液化的步驟。

加壓步驟(S420)是指：向回路基板20方向加壓半導體10而使半導體10與回路基板20相互粘貼的步驟。這時，優(yōu)選以一定的壓力逐漸加壓半導體10，使得形成于半導體10下面的多個導電性隆起物30與形成于回路基板20上面的多個導電性隆起物30相一致。執(zhí)行所述加壓步驟(S420)而發(fā)生液化的粘合膠40包住形成于回路基板20的隆起物30。

硬化步驟(S430)是指：中止向半導體10照射激光之后，使粘合膠發(fā)生硬化，從而相互固定回路基板20及半導體10的步驟。這時，多個粘合膠40發(fā)生液化的溫度點相同，發(fā)生硬化的溫度點也相同。

參照圖3，執(zhí)行干燥步驟(S600)之后，還執(zhí)行絕緣體涂布步驟S800，在半導體10與回路基板20之間涂抹絕緣體。因此，能夠防止通過半導體10與回路基板20之間泄漏的電力損失，提高半導體10與回路基板20的黏合力。

以下，詳細地說明本發(fā)明的半導體粘結(jié)裝置的一實施例。

圖7是呈現(xiàn)本發(fā)明的半導體粘結(jié)裝置的整體模樣的立體圖，圖8是呈現(xiàn)本發(fā)明的半導體供應部的主要構(gòu)成的立體圖，圖9是呈現(xiàn)半導體面板安放于移送軌道及移動托盤的樣態(tài)的立體圖，圖10是呈現(xiàn)移送軌道與移動托盤的主要構(gòu)成的立體圖，圖11是呈現(xiàn)本發(fā)明的粘結(jié)頭部的運轉(zhuǎn)的立體圖，圖12是呈現(xiàn)本發(fā)明的半導體收容部的主要構(gòu)成的立體圖，圖13是呈現(xiàn)本發(fā)明的移動托盤的另一實施例的立體圖。

參照圖7，本發(fā)明的半導體粘結(jié)裝置具備支架100。支架100被安放于地面而受到支撐。支架100的下端可具備多個輪子，從而使支架100的移動變得順暢。

支架100的一側(cè)具備用于供應半導體面板S的半導體供應部200。半導體供應部200的目的在于：將半導體S2安放到回路基板S1上的半導體面板(S；參照圖10)供應到后述的移送軌道300。半導體供應部200可包括層疊多個半導體面板S的保管箱210。

參照圖7、圖9及圖10，具備向水平方向延長形成的移送軌道300。半導體供應部200位于移送軌道300的一側(cè)，后述的半導體收容部600可位于移送軌道300的另一側(cè)。移送軌道300上具備移動托盤310，將供應到半導體供應部200的半導體面板S移送到半導體收容部600。移動托盤310沿著移送軌道300向水平方向自由滑動地移動?？蓪⒁苿油斜P310制作成一般的傳送帶(Conveyor)結(jié)構(gòu)，因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易地變更其設(shè)計。并且，移送軌道300的一側(cè)還可具備面板感知傳感器301，用于確認移動托盤310的上面是否存在半導體面板S。

參照圖8，半導體供應部200包括：第1-1致動器220、第1移動主體230、第1推桿240、第1移動板250、第1-2致動器260。

第1-1致動器220可向水平方向驅(qū)動，利用外部流入的液壓或氣壓而驅(qū)動。并且，第1移動主體230與第1-1致動器220結(jié)合，根據(jù)第1-1致動器220的驅(qū)動而向水平方向移動。

并且，第1推桿240結(jié)合到第1移動主體230的一側(cè)。第1推桿240可隨著第1移動主體230的移動，與第1移動主體230成整體向水平方向移動。這時，第1推桿240加壓半導體面板S的邊緣部位而從保管箱210取出半導體面板S。即，第1推桿240的末端根據(jù)第1-1致動器220的驅(qū)動而加壓該半導體面板S的邊緣部位，從保管箱210取出半導體面板S，同時能夠?qū)雽w面板S安放到所述移動托盤310。

另外，第1移動主體230可具備第1間隔調(diào)節(jié)螺絲231，能夠細微地調(diào)整第1推桿240水平移動的移動間隔。優(yōu)點在于，因第1間隔調(diào)節(jié)螺絲231，使用者能夠調(diào)節(jié)半導體面板S安放到移動托盤310的位置。

第1移動板250構(gòu)成為具有規(guī)定厚度的板形狀，上面安放保管箱210。

第1-2致動器260可向上下方向驅(qū)動，與移動板250結(jié)合而能夠使所述的移動板250向上下方向移動。即，第1推桿240加壓層疊在保管箱210的多個半導體面板S中位于最上端的半導體面板S，使其移動到移動托盤310之后，第1推桿240后退而返回原位置。之后，第1-2致動器260使移動板250向上移動到從保管箱210移送半導體面板S而產(chǎn)生的空間，從而第1推桿240加壓層疊在保管箱210的其他半導體面板S而使其移動到移動托盤310。

若反復如所述的動作，能夠?qū)盈B在保管箱210內(nèi)部的半導體面板S依次移送到移送軌道300。

參照圖11，具備粘結(jié)頭部400，其進行粘結(jié)(Bonding)作業(yè)而使得安放于移動托盤310的半導體面板S的半導體S2與回路基板S1相互粘貼。移動托盤310移動到移送軌道300的設(shè)定地點后，粘結(jié)頭部400緊貼半導體S2而向半導體S2的上面照射激光，從而能夠粘結(jié)半導體S2與回路基板S1。由粘結(jié)頭部400照射激光而粘結(jié)半導體S2與回路基板S1的方法可通過所述本發(fā)明的利用激光的倒裝芯片粘結(jié)方法進行。

參照圖7，還具備粘結(jié)頭部移動部500，位于支架100的上側(cè)而使得粘結(jié)頭部400能夠向X，Y，Z軸移動，控制粘結(jié)頭部400的移動。粘結(jié)頭部移動部500包括：第1驅(qū)動部510，用于將粘結(jié)頭部400移動到Y(jié)軸；第2驅(qū)動部520，用于將粘結(jié)頭部400移動到X軸；及第3驅(qū)動部530，用于將粘結(jié)頭部400移動到Z軸。

另外，第1至第3驅(qū)動部510、520、530相當于通過致動器、驅(qū)動馬達等運轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)，可利用韓國公開專利第10-2003-0017400號所公開的技術(shù)實現(xiàn)。

參照圖12，移送軌道300的另一側(cè)具備半導體收容部600。半導體收容部600可包括收容箱610，用于保管完成粘結(jié)的半導體面板S。

半導體收容部600還包括：第2-1致動器620、托架630、第2-2致動器640、第2移動主體650、第2推桿9660、第2安放板670及第2-3致動器680。

第2-1致動器620可向上下方向驅(qū)動，可固定在支架100的上面。托架630與第2-1致動器620結(jié)合，根據(jù)第2-1致動器620的驅(qū)動，可向上下方向移動。

第2-2致動器640固定到托架630而隨著托架630的上下移動而向上下方向移動。并且，第2-2致動器640向水平方向，即向與第2-1致動器620的移動方向垂直交叉的方向驅(qū)動。

第2移動主體650結(jié)合到第2-2致動器640，根據(jù)第2-2致動器640的驅(qū)動而向水平方向移動。這時，第2移動主體650與第2推桿660結(jié)合。第2推桿660的目的在于，加壓已完成粘結(jié)的半導體面板S的一側(cè)端，將半導體面板S插入收容箱610內(nèi)部。即，移動托盤310將已完成粘結(jié)的半導體面板S移送到移送軌道300的另一側(cè)末端后，通過第2-1致動器620的驅(qū)動，第2推桿660能夠加壓半導體面板S的一側(cè)。之后，第2推桿660的末端維持與半導體面板S的一側(cè)相鄰的狀態(tài)，根據(jù)第2-2致動器640的驅(qū)動而將半導體面板S加壓向收容箱610所在的方向。據(jù)此，能夠?qū)雽w面板S插入收容箱610而保管。

另外，第2移動主體650上可具備第2間隔調(diào)節(jié)螺絲651，能夠細微地調(diào)整第2推桿660的移動間隔。因第2間隔調(diào)節(jié)螺絲651，可根據(jù)半導體面板S的大小而調(diào)節(jié)第2推桿660的間隔。因此，能夠?qū)雽w面板S順暢地插入收容箱610。

可將第2移動板670制作成具有規(guī)定厚度的板狀，上面可安放收容箱610。并且，第2移動板670與第2-3致動器680結(jié)合而隨著第2-3致動器680的移動而向上下方向移動。

第2-3致動器680因上述記載，向上下方向驅(qū)動而移動第2安放板670。即，向收容箱610的最上端插入半導體面板S后，第2-3致動器680使第2移動板670向上方移動而使其他半導體面板S重新插入到收容箱610。這時，第2-3致動器680優(yōu)選以一定間隔使用者設(shè)定的間隔進行移動。因此，能夠?qū)⒁淹瓿烧辰Y(jié)的半導體面板S依次層疊在收容箱610。

參照圖9及圖10，向半導體S2照射激光時，可以一定溫度加熱移動托盤310，從而能夠縮短半導體S2與回路基板S1的加熱時間、粘結(jié)時間及減少粘結(jié)時半導體S2與回路基板S1的粘貼不良率。

即，如所述加熱移動托盤310而使半導體面板S維持一定溫度，則能夠縮短激光照射到半導體S2時達到設(shè)定溫度的時間，從而能夠提高不耐高溫的半導體S2及回路基板S1的耐久性。

并且，移送軌道300上形成阻擋器302，從而能夠確保執(zhí)行粘結(jié)作業(yè)之前移動托盤310與半導體面板S的接觸時間，引導激光的照射為止。阻擋器302可向上下方向移動而控制移動托盤310的移動。

參照圖12，移動托盤310的內(nèi)部形成加熱塊311，用于以一定溫度加熱移動托盤310。優(yōu)選地，將加熱塊310插入移動托盤310的側(cè)面，并具備至少兩個以上的多個。

能夠以一定間隔相互隔離地布置多個加熱塊311，能夠分別進行溫度控制，從而以各不相同的溫度加熱移動托盤310。即，優(yōu)選地，為了使移動托盤310的全面維持相同溫度，位于移動托盤310的邊緣部位的加熱塊311相比位于移動托盤310中心的加熱塊311，維持更高的溫度。由此能夠補償損失的熱能，使移動托盤310的全面維持相同的溫度。

并且，為了測定移動托盤310的表面溫度，移動托盤310的一側(cè)具備溫度傳感器312。溫度傳感器312可具備多個，形成對稱。溫度傳感器312持續(xù)測定移動托盤310的表面溫度，多個加熱塊311根據(jù)溫度傳感器312測定的溫度而開閉(ON/OFF)，從而使移動托盤310的表面維持一定的溫度。

具有所述構(gòu)成的本發(fā)明，能夠利用激光瞬間加熱半導體芯片，從而能夠防止半導體芯片受損，能夠縮短達到設(shè)定溫度所需的時間，同時能夠?qū)崿F(xiàn)粘合膠的液體化，因此能夠減少不良率，提高耐久性及產(chǎn)品品質(zhì)。

并且，本發(fā)明通過預備加熱移動托盤而縮短了粘結(jié)時間，從而能夠提高生產(chǎn)率。

符號說明

100：支架 200：半導體供應部

210：保管箱 220：第1-1致動器

230：第1移動主體 240：第1推桿

250：第1移動板 260：第1-2致動器

300：移送軌道 301：面板感知傳感器

310：移動托盤 311：加熱塊

312：溫度傳感器 400：粘結(jié)頭部

500：粘結(jié)頭部移動部 600：半導體收容部

610：收容箱 620：第2-1致動器

630：托架 640：第2-2致動器

650：第2移動主體 660：第2推桿

670：第2移動板 680：第2-3致動器