本發(fā)明涉及一種用于蝕刻基板的ICP等離子體蝕刻裝置、降低污染的方法以及用于該類型等離子體蝕刻裝置的保護(hù)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：等離子體蝕刻廣泛地用于處理各種基板，諸如半導(dǎo)體晶片。等離子體蝕刻工藝可為構(gòu)成處理工序的一部分的一個(gè)步驟工藝。例如，在半導(dǎo)體工業(yè)中，熟知的是，在后續(xù)金屬沉積步驟之前，通過(guò)濺射蝕刻工藝來(lái)去除晶片表面的材料。該濺射蝕刻工藝典型地利用氬等離子體來(lái)進(jìn)行。目的是為了確保產(chǎn)生低接觸電阻的高質(zhì)量金屬/金屬界面。濺射蝕刻步驟典型地在預(yù)清潔的組件中進(jìn)行。在操作中，據(jù)觀察，延長(zhǎng)的蝕刻可能導(dǎo)致再沉積的顆粒材料在濺射蝕刻腔室的內(nèi)表面周圍，諸如腔室蓋和壁聚集。這是蝕刻可導(dǎo)致含碳材料的聚集或再沉積的有機(jī)材料，諸如聚酰亞胺(PI)和聚苯并噁唑(PBO)的一具體問(wèn)題。該再沉積的顆粒材料可積聚至某一點(diǎn)，在該點(diǎn)處顆粒變得松散，并且它們可能掉落在晶片上而污染晶片。另一個(gè)問(wèn)題與晶片相關(guān)：晶片包含強(qiáng)烈脫氣的物質(zhì)。該物質(zhì)的實(shí)例為有機(jī)鈍化層、粘合劑、光致抗蝕劑和旋涂材料。此外，PI和PBO是特別成問(wèn)題的。當(dāng)這些材料除氣時(shí)，污染物被釋放至腔室，該腔室壓力升高。從而在對(duì)系列晶片處理期間，在將腔室恢復(fù)至可接受的真空水平時(shí)，可能導(dǎo)致顯著的問(wèn)題。對(duì)于這些問(wèn)題，常規(guī)方案是頻繁地進(jìn)行維護(hù)工序。這最終使腔室與大氣相通，從而能夠進(jìn)行機(jī)械清潔。這種停頓需要顯著的成本以及工具停工時(shí)間。在生產(chǎn)環(huán)境下這不是可取的。相反，可取的是，降低維護(hù)停頓的頻率。這將降低成本，同時(shí)增加工具的正常運(yùn)行時(shí)間。還已知的是，對(duì)金屬盤(pán)或鍍金屬膜的晶片進(jìn)行周期性蝕刻，以延長(zhǎng)腔室清洗之間的平均時(shí)間。腔室典型地包括陶瓷側(cè)壁或石英側(cè)壁，RF能量通過(guò)陶瓷側(cè)壁或石英側(cè)壁而感應(yīng)耦合來(lái)在腔室中形成等離子體。重要的是，對(duì)腔室的該部分進(jìn)行保護(hù)以免形成連續(xù)的金屬沉積。否則，可能導(dǎo)致感應(yīng)耦合的嚴(yán)重衰減。金屬盤(pán)或鍍金屬膜的晶片的蝕刻導(dǎo)致在腔室的內(nèi)表面上，蝕刻材料“粘結(jié)”任何松散的顆粒材料。這就防止了顆粒材料掉落到基板上。但是，必須中斷正常的制造過(guò)程來(lái)進(jìn)行金屬盤(pán)或鍍金屬膜的蝕刻。因此，這些技術(shù)打斷正常的制造過(guò)程，這將導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)出的損失以及增加的占有成本(COO)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明在至少一些實(shí)施方式中解決了上述問(wèn)題中的一個(gè)或多個(gè)。盡管本發(fā)明尤其適用于濺射蝕刻工藝，諸如在預(yù)清潔的組件中進(jìn)行的濺射蝕刻工藝，但是本發(fā)明并不限于該方面。相反地，本發(fā)明可用于廣泛的等離子體蝕刻工藝。根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)方面，提供了一種用于蝕刻基板的ICP(感應(yīng)耦合等離子體)等離子體蝕刻裝置，包括：至少一個(gè)腔室；放置在所述腔室內(nèi)的基板支架；等離子體產(chǎn)生器件，產(chǎn)生用于蝕刻所述基板的等離子體；以及，保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述基板支架，從而在使用中保護(hù)所述基板的外周部分免受不需要的材料沉積；其中，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)布置為被電偏壓并且由金屬材料形成，從而所述金屬材料能夠從所述保護(hù)結(jié)構(gòu)濺射到所述腔室的內(nèi)表面以使顆粒材料附著至所述內(nèi)表面。以此方式，解決了顆粒沉積的問(wèn)題。這可降低所需維護(hù)操作的頻率。進(jìn)而能夠降低運(yùn)行成本并且提高裝置的正常工作時(shí)間。此外，本發(fā)明人實(shí)現(xiàn)了在蝕刻基板的同時(shí)，能夠使保護(hù)結(jié)構(gòu)濺射以使顆粒材料附著至腔室的內(nèi)表面。這是極其便利的并且提高了系統(tǒng)的產(chǎn)出。所述金屬材料可為金屬或金屬合金。所述金屬材料可為鋁、鋁合金或銅。當(dāng)所述金屬材料為金屬合金時(shí)，該合金可包括與一種或多種其它金屬形成合金的金屬，和/或與一種或多種非金屬材料形成合金的金屬。例如，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)可由鋁合金來(lái)形成，該鋁合金可包括銅、硅，或者同時(shí)包括銅和硅。典型地，銅和/或硅以小于5at.％的量存在。所述金屬材料還可為吸氣材料。所述吸氣材料可為去除腔室中存在的一種或多種氣態(tài)物質(zhì)的材料。所述吸氣材料可與腔室中存在的一種或多種氣態(tài)物質(zhì)反應(yīng)或吸收腔室中存在的一種或多種氣態(tài)物質(zhì)。所述吸氣材料可為鈦或鉭。以此方式，通過(guò)脫氣，能夠去除不需要的氣態(tài)物質(zhì)。典型地，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)為環(huán)狀結(jié)構(gòu)。所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)可環(huán)繞所述基板和所述基板支架，從而保護(hù)所述基板的外周部分免受不需要的材料沉積。該被保護(hù)的部分可包括所述基板的下側(cè)。該類型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)通常被稱為“反濺射環(huán)(backsputterring)”或“均勻環(huán)”。典型地，所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)的一部分被配置為接收所述基板的外周部分。典型地，所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)為連續(xù)的單個(gè)環(huán)狀結(jié)構(gòu)。然而，本文中所述的原理還擴(kuò)展到其它形式的保護(hù)結(jié)構(gòu)，如多個(gè)環(huán)狀結(jié)構(gòu)。所述保護(hù)結(jié)構(gòu)可具有基板接收表面。所述保護(hù)結(jié)構(gòu)可包括凹陷部，并且所述基板接收表面可形成所述凹陷部的一部分。所述保護(hù)結(jié)構(gòu)在使用中鄰近所述基板的區(qū)域可由介電材料形成。所述介電材料可在所述保護(hù)結(jié)構(gòu)上以涂層的形式存在。所述保護(hù)結(jié)構(gòu)可具有由介電材料形成的基板接收表面。所述保護(hù)結(jié)構(gòu)可包括凹陷部，并且所述基板接收表面形成所述凹陷部的一部分。所述凹陷部可包括所述基板接收表面以及壁部分。所述基板接收表面和所述壁部分可由介電材料形成。所述介電材料可為氧化鋁。所述保護(hù)結(jié)構(gòu)可包括：遠(yuǎn)離基板支架的區(qū)域，所述遠(yuǎn)離基板支架的區(qū)域具有至少一個(gè)等離子體面向表面，所述至少一個(gè)等離子體面向表面遠(yuǎn)離所述基板支架傾斜。以此方式，可控制由所述保護(hù)結(jié)構(gòu)濺射的金屬材料的空間分布，以將濺射的金屬材料最大限度地沉積在腔室內(nèi)最有效沉積顆粒材料的區(qū)域中。進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)是：能夠最大限度地降低從保護(hù)結(jié)構(gòu)濺射的金屬材料沉積到基板上。所述遠(yuǎn)離基板支架的區(qū)域可具有單個(gè)等離子體面向表面，所述單個(gè)等離子體面向表面遠(yuǎn)離所述基板支架傾斜。所述遠(yuǎn)離基板支架的區(qū)域可為倒棱的形狀、斜切的形狀、拱形的形狀或雙彎曲線形狀。該裝置可進(jìn)一步包括暗區(qū)屏蔽件。所述暗區(qū)屏蔽件可環(huán)繞所述基板支架并且具有用于接收所述保護(hù)結(jié)構(gòu)的保護(hù)結(jié)構(gòu)接收部。所述基板支架可包括用于接收所述基板的板臺(tái)，所述板臺(tái)限定一水平。所述保護(hù)結(jié)構(gòu)接收部可布置在所述水平之下。常規(guī)地，暗區(qū)屏蔽件至少延伸至板臺(tái)的水平，從而最大限度地降低在基板和基板支架的下部之間的間隙中形成等離子體。相反地，本發(fā)明所提供的暗區(qū)屏蔽件可配置為并不延伸至垂直進(jìn)入腔室那么遠(yuǎn)。因此，等離子體可進(jìn)一步圍繞所述保護(hù)結(jié)構(gòu)展開(kāi)。這可增強(qiáng)從所述保護(hù)結(jié)構(gòu)濺射金屬材料。在使用中，所述基板支架被電偏壓。所述保護(hù)結(jié)構(gòu)可與所述基板支架電接觸以在所述保護(hù)結(jié)構(gòu)上提供電偏壓。在實(shí)踐中，這很可能是更便利的布置。但是在原理上，也可能獨(dú)立地使所述保護(hù)結(jié)構(gòu)電偏壓。常規(guī)地，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)和/或所述基板支架利用RF電壓來(lái)被電偏壓。所述腔室可包括由介電材料形成的用于傳遞RF能量的區(qū)域。所述等離子體產(chǎn)生器件可導(dǎo)致所述RF能量通過(guò)所述區(qū)域耦合進(jìn)入(coupledinto)所述腔室。形成所述區(qū)域的介電材料可為陶瓷或石英。所述區(qū)域可包括所述腔室的窗口或壁。所述等離子體蝕刻裝置可為濺射蝕刻裝置。所述等離子體蝕刻裝置可為氬濺射蝕刻裝置。所述等離子體產(chǎn)生器件可包括電感元件。典型地，所述電感元件被放置在所述腔室的外部。所述電感元件可為線圈。所述裝置可進(jìn)一步包括RF供電電源，用于將RF偏壓電力供應(yīng)至所述基板支架和所述保護(hù)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)或兩個(gè)。典型地，所述等離子體蝕刻裝置包括單個(gè)腔室。然而，多個(gè)腔室的裝置也在本發(fā)明的范圍內(nèi)。所述等離子體蝕刻裝置可為用在(多處理)組合工具中的預(yù)清潔模塊。所述等離子體產(chǎn)生器件可包括發(fā)電機(jī)，優(yōu)選RF發(fā)電機(jī)，其將電力供應(yīng)至電感元件。通過(guò)供應(yīng)至電感元件的電力的感應(yīng)耦合，可產(chǎn)生等離子體。根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面，提供了一種用于降低蝕刻基板型等離子體蝕刻裝置中的顆粒材料導(dǎo)致的污染的方法，包括以下步驟：提供根據(jù)本發(fā)明的第一方面的裝置；以及，在所述腔室中產(chǎn)生等離子體，使金屬材料從所述保護(hù)結(jié)構(gòu)濺射到所述腔室的內(nèi)表面上以使顆粒材料附著至所述腔室的內(nèi)表面上。在對(duì)所述基板進(jìn)行蝕刻的同時(shí)，可進(jìn)行所述金屬材料從所述保護(hù)結(jié)構(gòu)的濺射。就產(chǎn)出而言，這就提供了相當(dāng)大的優(yōu)勢(shì)。此外，其減少了對(duì)正常生產(chǎn)過(guò)程的中斷。在所述腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子體期間，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)可被電偏壓。根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)方面，提供了一種用于本發(fā)明的第一個(gè)方面的等離子體蝕刻裝置的保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)被配置為環(huán)繞所述裝置的所述基板支架，從而在使用中保護(hù)所述基板的外周部分免受不需要的材料沉積，其中，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)由金屬材料形成，所述金屬材料能夠被濺射到所述裝置的腔室的內(nèi)表面以使顆粒材料附著至所述內(nèi)表面。根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)方面，提供一種用于處理工件的組合工具，所述組合工具包括多個(gè)處理組件，其中，一個(gè)或多個(gè)組件為預(yù)清潔組件，所述預(yù)清潔組件包括本發(fā)明第一方面的等離子體蝕刻裝置。盡管上文已經(jīng)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明可擴(kuò)展至上文或下文、附圖或權(quán)利要求中所述的特征的任意創(chuàng)造性組合。例如，針對(duì)本發(fā)明第一方面所述的任何特征被認(rèn)為同樣在針對(duì)本發(fā)明第二方面中公開(kāi)，并且反之亦然。附圖說(shuō)明參照下列附圖，現(xiàn)將對(duì)根據(jù)本發(fā)明的裝置的實(shí)施方式、保護(hù)結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式和蝕刻方法的實(shí)施方式進(jìn)行描述，其中：圖1為等離子體蝕刻裝置的剖視圖；圖2為圖1裝置的一部分的橫截面圖，該部分圍繞板臺(tái)和反濺射環(huán)的外周部分；圖3示出了反濺射環(huán)的第二實(shí)施方式；圖4示出了蝕刻的PBO涂覆的晶片上的污染物顆粒水平；圖5示出了(a)尺寸小于0.2微米的顆粒在蝕刻的晶片上的顆粒水平；和(b)尺寸大于1.0微米的顆粒在蝕刻的晶片上的顆粒水平；以及，圖6示出了在對(duì)晶片的蝕刻進(jìn)行持久性測(cè)試(marathontest)期間測(cè)量的(a)蝕刻速度和(b)蝕刻均勻度。具體實(shí)施方式圖1示出了本發(fā)明的等離子體蝕刻裝置的實(shí)例，整體用10來(lái)表示。裝置10包括腔室12，該腔室12具有布置在其頂部的合適的氣體入口14。腔室12進(jìn)一步包括晶片加載槽16和抽吸口18，該抽吸口18可與合適的抽吸布置，諸如導(dǎo)向渦輪泵的真空管線相連。腔室12的內(nèi)部放置有工件(諸如晶片)可裝載于其上的板臺(tái)20。圖1中實(shí)線示出的板臺(tái)20處于降低的位置以接收工件。隨后在開(kāi)始蝕刻處理之前，使板臺(tái)20升高至圖1中虛線示出的位置。設(shè)置RF電源22，該RF電源22將RF偏壓電力提供至板臺(tái)20。為了方便起見(jiàn)，使用13.56MHz的RF信號(hào)頻率，盡管在原理上，也可采用其他頻率。腔室12環(huán)繞有感應(yīng)線圈24。感應(yīng)線圈24通過(guò)本領(lǐng)域熟知的阻抗匹配電路(未示出)與RF發(fā)電機(jī)(未示出)相連。腔室12的至少鄰近感應(yīng)線圈的壁由絕緣材料(諸如石英或陶瓷)制成，以最大限度地降低耦合至腔室12的RF功率的衰減?？蓪⒑线m的一種工藝氣體或多種工藝氣體通過(guò)氣體入口14供應(yīng)至腔室12，并且可將RF電力供應(yīng)至線圈24以在腔室12中產(chǎn)生等離子體26。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)質(zhì)量流量控制器，在相對(duì)低壓(典型地，1-10m托)將氣體(典型為氬氣)引入到腔室12中。隨后使用至板臺(tái)20的偏壓電源來(lái)加速來(lái)自等離子體的離子朝向工件的運(yùn)動(dòng)，其中，離子轟擊蝕刻工件的表面。裝置10進(jìn)一步包括反濺射環(huán)28形式的保護(hù)結(jié)構(gòu)。該反濺射環(huán)28由金屬或金屬合金制成，該金屬或金屬合金可從反濺射環(huán)28的表面被濺射侵蝕。從反濺射環(huán)28濺射的材料隨后涂覆在腔室12的內(nèi)表面和組件上。已沉積在腔室12的內(nèi)表面和組件上的顆粒材料通過(guò)從反濺射環(huán)28濺射的材料而“粘結(jié)”在恰當(dāng)?shù)奈恢?。以此方式，顆粒材料通過(guò)從反濺射環(huán)28濺射的金屬或金屬合金材料而牢固地附著在腔室中的恰當(dāng)位置。這至少降低了顆粒材料掉落在晶片上的風(fēng)險(xiǎn)。圖2為腔室12圍繞板臺(tái)20的外周部分和反濺射環(huán)28的部分的橫截面圖。圖2中使用了與圖1中所使用的相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示相同的特征。可以看出，裝置10進(jìn)一步包括非常規(guī)設(shè)計(jì)的暗區(qū)屏蔽件30。圖2中示出的其它特征基本是常規(guī)類型，并且熟悉技術(shù)的讀者熟知它們的操作。此外，圖2示出了板臺(tái)20的凹陷部32。該凹陷部32接收晶片(未示出)。反濺射環(huán)28包括凹陷部28a，其由水平基板接收表面28b和大致垂直的壁部分28c構(gòu)成。晶片還被接收在凹陷部28a中。以此方式，反濺射環(huán)28用于保護(hù)晶片的邊和表面免受等離子體的不期望的作用，諸如不需要的材料沉積。反濺射環(huán)28進(jìn)一步包括圓形框(rim)28d，其被在板臺(tái)20中形成的槽接收。這使得反濺射環(huán)28與板臺(tái)20之間能夠進(jìn)行緊密接觸，從而反濺射環(huán)28與板臺(tái)20電接觸。這就確保了板臺(tái)20和反濺射環(huán)28均通過(guò)RF電源22而被電偏壓。反濺射環(huán)28進(jìn)一步包括等離子體面向表面28e。在圖2示出的實(shí)施例中，等離子體面向表面28e遠(yuǎn)離板臺(tái)20和晶片傾斜。從等離子體到達(dá)晶片和反濺射環(huán)28的離子通常沿垂直向下的方向移動(dòng)。由等離子體面向表面28e提供的輪廓(profile)最大限度地增加了濺射材料從反濺射環(huán)28朝向腔室的易于被顆粒材料污染的部分的流量的空間分布。具體地，從反濺射環(huán)28濺射的材料基本上朝向靠近線圈24的位置的內(nèi)腔室壁的區(qū)域。相關(guān)的優(yōu)點(diǎn)是：其最大限度地降低了從反濺射環(huán)28濺射的材料流向晶片。由圖2可以看出，等離子體面向表面28在其徑向截面中是線性的。熟練技術(shù)的讀者將知曉的是，也可使用許多其他輪廓以得到相似的結(jié)果。例如，等離子體面向表面可具有彎曲的徑向橫截面，或者也可使用倒棱的輪廓、斜切的輪廓、拱形的輪廓或雙彎曲線輪廓。暗區(qū)屏蔽件30為非常規(guī)的設(shè)計(jì)。更具體地，傳統(tǒng)上現(xiàn)有技術(shù)中的暗區(qū)屏蔽件通常被配置為向上延伸至板臺(tái)的水平(至少至板臺(tái)的下表面)。這是因?yàn)楝F(xiàn)有技術(shù)中的暗區(qū)屏蔽件用于減少等離子體進(jìn)入板臺(tái)和腔室底部之間的間隙區(qū)域的程度。與該傳統(tǒng)類型的暗區(qū)屏蔽件相比，圖2示出的暗區(qū)屏蔽件30為具有較短直立部的剖開(kāi)設(shè)計(jì)(cut-offdesign)。由圖2可以看出，暗區(qū)屏蔽件30的最上部始終位于板臺(tái)20水平之下。暗區(qū)屏蔽件30包括相對(duì)淺的圓周槽30a，其接收反濺射環(huán)28的向下延伸的圓周壁28f。因此，等離子體26繞反濺射環(huán)28在板臺(tái)20和晶片之間的間隙以及腔室的底部延伸。這就使得反濺射環(huán)28的濺射增強(qiáng)。圖3示出了反濺射環(huán)28的第二實(shí)施方式。圖3示出了與圖1和圖2中示出的元件基本相同的其它元件。使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示這些相同的元件，即，板臺(tái)20、晶片凹陷部32以及暗區(qū)屏蔽件30。反濺射環(huán)128具有凹陷部128a，該凹陷部128a包括壁部分和用于接收晶片的水平表面。在第二實(shí)施方式中，凹陷部128a涂覆有介電涂層，諸如氧化鋁(Al2O3)。與鋁相比，氧化鋁具有低得多的濺射率(在600eV下，氧化鋁濺射率＝0.18；鋁濺射率＝1.24)，并且從而與鋁相比，其蝕刻要慢得多。因此，在涂覆的凹陷部128a中，發(fā)生降低量的濺射，并且進(jìn)而降低了濺射到晶片邊和背側(cè)的材料量。熟悉技術(shù)的讀者將知曉的是，可使用其它介電材料和除涂覆技術(shù)之外的其它技術(shù)，來(lái)生產(chǎn)在接近晶片處具有介電表面的背濺射晶片。盡管本發(fā)明并不限于該方面，據(jù)認(rèn)為可取的是，相對(duì)于蝕刻的基板表面，利用具有相對(duì)較大表面積的反濺射環(huán)。在該情況下，從反濺射環(huán)濺射的材料與從基板釋放的材料之比相對(duì)較大。例如，如果蝕刻300mm的晶片，據(jù)證實(shí)，在蝕刻100％PBO涂覆的晶片時(shí)，具有300mm內(nèi)徑和340mm外徑的反濺射環(huán)能夠有效地控制釋放的顆粒材料。在該非限制性實(shí)施方式中，反濺射環(huán)具有的表面積約為晶片的表面積的30％。利用圖2示出的反濺射環(huán)的第一實(shí)施方式與圖1示出的裝置的結(jié)合，可進(jìn)行多種實(shí)驗(yàn)來(lái)蝕刻100％PBO涂覆的晶片。同時(shí)，利用現(xiàn)有技術(shù)中標(biāo)準(zhǔn)的蝕刻模式來(lái)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。對(duì)蝕刻的晶片的VPDICPMS分析證實(shí)了：晶片的金屬污染物能夠被保持在標(biāo)準(zhǔn)蝕刻模式的典型值之下。表1示出了對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)蝕刻和本發(fā)明的新的蝕刻裝置的晶片的Al污染。對(duì)于本發(fā)明的裝置，發(fā)現(xiàn)金屬污染沒(méi)有增加，并且實(shí)際上，示出的結(jié)果表明了更低水平的污染。Al(原子/cm2)標(biāo)準(zhǔn)蝕刻8.97E13新的蝕刻8.20E13表1圖4示出了蝕刻的PBO涂覆的晶片上的污染物顆粒水平。檢測(cè)大于1.0微米的顆粒。利用本發(fā)明的裝置以及利用現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)來(lái)進(jìn)行對(duì)多個(gè)晶片蝕刻的實(shí)驗(yàn)，其中，通過(guò)以下來(lái)恢復(fù)顆粒水平：停止對(duì)晶片的蝕刻、將金屬盤(pán)引入到腔室，以及進(jìn)行粘結(jié)步驟(其中，金屬盤(pán)被濺射蝕刻)。線40表示利用本發(fā)明的裝置得到的結(jié)果，而線42表示利用現(xiàn)有技術(shù)金屬盤(pán)粘結(jié)技術(shù)得到的結(jié)果。對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)金屬盤(pán)粘結(jié)技術(shù)，每次粘結(jié)導(dǎo)致顆粒水平的急劇下降。然而，利用現(xiàn)有技術(shù)觀察的顆粒水平顯著地高于利用本發(fā)明的裝置觀察的顆粒水平。盡管每個(gè)金屬盤(pán)粘結(jié)步驟大幅度地降低了晶片上測(cè)得的顆粒數(shù)目，但是可以看出，即便是在金屬盤(pán)粘結(jié)后得到的最低污染水平仍然高于利用本發(fā)明的裝置觀察到的污染物水平。此外，應(yīng)注意的是，必須停止晶片蝕刻過(guò)程來(lái)進(jìn)行金屬盤(pán)粘結(jié)步驟，這就導(dǎo)致降低的產(chǎn)出。相反地是，通過(guò)反濺射環(huán)的濺射蝕刻實(shí)現(xiàn)的粘結(jié)在進(jìn)行晶片蝕刻期間來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，利用本發(fā)明的裝置不存在產(chǎn)出的損失。圖5示出了本發(fā)明的裝置蝕刻100％PBO涂覆的晶片的持久性測(cè)試的結(jié)果。圖5示出了(a)在晶片上觀察的尺寸大于0.2微米的顆粒水平和(b)在晶片上觀察的尺寸大于1.0微米的顆粒水平。在這兩種情況下，可以看出，在近2000張晶片上維持良好的顆粒性能。圖6示出了在本發(fā)明的裝置蝕刻100％PBO涂覆的晶片的持久性測(cè)試期間測(cè)量的(a)蝕刻速率(以A/分鐘)和(b)蝕刻均勻度(1σ，3mm邊界除外)?？梢钥闯觯瑢?shí)現(xiàn)了良好的蝕刻速率和均勻度可重復(fù)性。在以上提供的實(shí)施例中，反濺射環(huán)由鋁來(lái)制備。如參照?qǐng)D3所述的，該反濺射環(huán)在鄰近晶片處設(shè)置有氧化鋁涂層。使用其它材料也在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，可想到鋁合金或銅。還能夠想到使用諸如鈦(更有效的“吸氣”材料)的材料。使用吸氣材料的優(yōu)點(diǎn)是：能夠從腔室的氣氛中去除由不想要的脫氣所產(chǎn)生的氣態(tài)組分，從而得到更好的真空性能。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3