公開(kāi)了一種形成氧化物量子點(diǎn)的方法。還公開(kāi)了在基板上形成透明導(dǎo)電性氧化物膜的方法。透明導(dǎo)電性氧化物膜可包含通過(guò)本文公開(kāi)的方法形成的氧化物量子點(diǎn)。本文公開(kāi)的透明導(dǎo)電性氧化物膜能夠涂布與此前所能涂布的基板相比更大的基板，或以比此前所能涂布的規(guī)模更大的規(guī)模涂布基板，或涂布柔性基板或形狀不規(guī)則的基板(例如凹型或凸型基板)，因?yàn)榭梢栽诒纫阎夹g(shù)所允許的溫度更低的溫度(例如，環(huán)境溫度)在所述基板上沉積所述透明導(dǎo)電性氧化物膜。由此，本文公開(kāi)的氧化物量子點(diǎn)和透明導(dǎo)電性氧化物膜可特別應(yīng)用于要求導(dǎo)電能力(例如出于除霧或除霜的目的)的運(yùn)載工具(例如，汽車、火車、飛機(jī)等)和/或建筑等的防風(fēng)屏或窗的大規(guī)模涂布中，但不限于此。

背景技術(shù)：

已知某些材料在極小時(shí)會(huì)展示出新性質(zhì)，例如量子效應(yīng)。通常，這些材料將小于10納米并且可以稱作“量子點(diǎn)”。這類量子點(diǎn)可以形成為薄膜，并通過(guò)包括物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)和化學(xué)合成在內(nèi)的許多技術(shù)沉積在基板上。

目前，PVD和CVD技術(shù)要求使用復(fù)雜且昂貴的真空室，這嚴(yán)重限制了薄膜所能沉積的基板尺寸?；瘜W(xué)合成技術(shù)通常需要高溫煅燒(約500℃)以實(shí)現(xiàn)具有高結(jié)晶度的高性能材料。這限制了可以使用的基板的類型，并且可能會(huì)導(dǎo)致高溫煅燒期間由涂布材料和基板之間不同的熱膨脹速率所引起的開(kāi)裂，這可能使材料的性能劣化。

如玻璃等致密物材料上由于空氣中的水分的凝結(jié)所致的起霧和起霜可能很成問(wèn)題。由于在起霧和起霜引起問(wèn)題的應(yīng)用(例如風(fēng)擋玻璃)中所用的材料的大小/尺寸之故，可以用于試圖解決這些問(wèn)題的技術(shù)類型受到嚴(yán)重限制。因此，通常必須在這些大規(guī)模應(yīng)用中利用不透明的導(dǎo)電材料。

上述對(duì)背景技術(shù)的援引并非承認(rèn)所述技術(shù)構(gòu)成本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識(shí)。上述援引也并非意圖限制本文公開(kāi)的方法、基板和基板用途的應(yīng)用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)第一方面，公開(kāi)了形成氧化物量子點(diǎn)的方法。本文公開(kāi)的方法可以提供氧化物量子點(diǎn)的高度受控的形成。

所述方法包括提供用于形成氧化物量子點(diǎn)的前體材料和將前體材料溶解于第一液體中。氧化物量子點(diǎn)的成核在第一液體中得到促進(jìn)。還提供了第二液體。添加第二液體和第一液體以形成液體復(fù)合物。在本說(shuō)明書(shū)的上下文中，液體復(fù)合物單純指兩種以上液體的組合。所述液體可以是不混溶的，從而在所述兩種以上的液體間形成界面(即，分層的多相液體)；或者是混溶的，由此不形成界面且所述兩種液體基本共混(即，發(fā)生所述兩種以上液體的基本均質(zhì)混合)。氧化物量子點(diǎn)在液體復(fù)合物中的生長(zhǎng)于是可以得到控制，從而提供了控制所產(chǎn)生的量子點(diǎn)的尺寸、結(jié)晶度、表面缺陷、形態(tài)和分散性的能力。

可以形成各種氧化物量子點(diǎn)，例如氧化銦錫(ITO)、氟摻雜氧化錫(FTO)、鋁摻雜氧化鋅(AZO)、硼摻雜氧化鋅(BZO)、氧化鍶釕(SRO)和某些導(dǎo)電性聚合物。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，可以使用各種前體來(lái)實(shí)現(xiàn)所需的量子點(diǎn)。例如，前體材料可以包含SnCl₂和In(NO₃)₃以形成ITO，包含SnCl₂·H₂O和NH₄F以形成FTO，包含AlCl₃和Zn(CH₃COO)₂·2H₂O以形成AZO，和包含B(OCH₃)₃和Zn(CH₃COO)₂·2H₂O以形成BZO。但是，應(yīng)該理解的是可以采用其他前體材料而獲得相同的氧化物。例如，可以用SnCl₄代替SnCl₂且仍舊形成ITO，或以Al(NO₃)₃或Al(O-i-Pr)₃(Al-異丙氧化物)代替AlCl₃而仍形成AZO。類似地，本文舉出的前體的替代物也是已知和可想到的。出于簡(jiǎn)化目的，下問(wèn)例如將通過(guò)用于形成ITO的SnCl₂或SnCl₄和In(NO₃)₃來(lái)描述氧化物量子點(diǎn)和形成氧化物量子點(diǎn)的前體。此外，還應(yīng)理解的是，前體材料(或前體材料的每一種)可以獨(dú)立地溶解于第一液體(或其一部分)中并將各部分合并，或者前體材料中的一種可以溶解于第一液體而前體材料的另一種可以隨后添加并溶解。因此，也可以理解的是，前體材料不必同時(shí)溶解于第一液體中。

在某些形式中，第一液體可以是水性液體，例如純水。

在某些形式中，第二液體可以是有機(jī)液體，例如乙醇、三乙二醇、乙二醇、己烷或甲苯等。采用的有機(jī)液體可以基于其與一種或多種前體材料的相互作用來(lái)選擇。例如，可以選擇具有有利于前體材料分解的特定介電常數(shù)的有機(jī)液體。在這方面，與水溶液中的前體材料相比，有機(jī)液體可以降低前體材料的分解溫度。此外，有機(jī)液體可以輔助控制所產(chǎn)生的氧化物量子點(diǎn)的摻雜水平、形狀和/或尺寸。

在某些形式中，第二液體可以與第一液體混溶。例如，第一液體可以是水，而第二液體可以是乙醇或三乙二醇等。

在某些形式中，第二液體與第一液體不混溶。例如，第一液體可以是水，而第二液體可以是甲苯或者另一種在水中不混溶的液體。在這方面，液體復(fù)合物可以認(rèn)為是多相液體。不混溶液體間的液-液界面使得可以使成核和生長(zhǎng)過(guò)程分離，由此能夠?qū)崿F(xiàn)更大的晶體尺寸、更高的摻雜水平、形態(tài)、結(jié)晶度和分散性控制。無(wú)論如何，在該形式中，第一液體和第二液體共同添加以形成液體復(fù)合物。

在某些形式中，可以將表面活性劑添加至液體復(fù)合物。表面活性劑可以輔助控制氧化物量子點(diǎn)的摻雜水平、尺寸和/或形態(tài)。例如，表面活性劑可以吸附于氧化物量子點(diǎn)的表面并防止氧化物量子點(diǎn)的進(jìn)一步生長(zhǎng)或成團(tuán)。合適的表面活性劑可以包括油酸、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等，但不限于此。

在某些形式中，可以將堿添加至液體復(fù)合物。堿可以有助于降低前體材料的分解溫度。合適的堿可以包括NaOH、NH₄OH、叔丁基胺等，但不限于此。可優(yōu)選更強(qiáng)的堿，其可以有助于將前體材料還原為優(yōu)選的氧化物。在這方面，在某些形式中，可優(yōu)選比NH₄OH更強(qiáng)的堿NaOH。

在某些形式中，所述方法還可以包括在升高的溫度處理液體復(fù)合物。溫度可以升高至50℃至300℃，但在某些形式中溫度可以升得更高。在另一個(gè)形式中，所述方法可還包括在升高的壓力處理液體復(fù)合物。壓力可以升高至約1MPa至20MPa。在一個(gè)形式中，液體復(fù)合物可以同時(shí)在升高的溫度和壓力進(jìn)行處理。這種處理通常稱之為蒸壓(autoclaving)。

液體復(fù)合物的處理(可以是在溫度和/或壓力下)可以以約1小時(shí)至72小時(shí)的時(shí)長(zhǎng)進(jìn)行。此外，應(yīng)該理解的是，改變可以對(duì)液體復(fù)合物進(jìn)行的處理?xiàng)l件(包括溫度、壓力和/或處理時(shí)長(zhǎng))可能影響氧化物量子點(diǎn)的尺寸、形態(tài)和分散性。

在某些形式中，在對(duì)液體復(fù)合物處理后，可以對(duì)液體復(fù)合物進(jìn)行提取以進(jìn)一步加工。這種進(jìn)一步加工可以是對(duì)氧化物量子點(diǎn)的進(jìn)一步純化。例如，在一種形式中，所述進(jìn)一步加工可以包括對(duì)液體復(fù)合物進(jìn)行離心以獲得氧化物量子點(diǎn)的粉末(并將氧化物量子點(diǎn)與第一液體或第二液體中的任一者分離)。

在液體復(fù)合物的第一液體和第二液體不混溶且液體復(fù)合物作為多相液體形成的形式中，上述進(jìn)一步加工可以包括提取所述第二液體以進(jìn)行進(jìn)一步加工。例如，在一種形式中，所述進(jìn)一步加工可以包括使第二液體離心以獲得氧化物量子點(diǎn)的粉末(并將氧化物量子點(diǎn)與剩余第一液體或第二液體中的任一者分離)。

在某些形式中，粉末(即，在離心步驟期間分離的那些氧化物量子點(diǎn))可以通過(guò)洗滌進(jìn)一步純化。例如，可以用乙醇洗滌所述粉末以除去任何過(guò)量的水、有機(jī)溶劑和表面活性劑。洗滌步驟可以進(jìn)行多于一次。洗滌之后，留下氧化物量子點(diǎn)的純化粉末。

粉末或純化粉末可以分散在溶劑中以形成包含所述氧化物量子點(diǎn)的透明溶膠。為了使粉末充分分散于溶劑中，可能有必要進(jìn)行進(jìn)一步加工，例如超聲。除了進(jìn)一步加工技術(shù)，可以向溶膠中添加表面活性劑以改善粉末在溶液中的分散性。據(jù)信表面活性劑能夠改變?nèi)軇┑谋砻鎻埩Σ⒋龠M(jìn)氧化物量子點(diǎn)在液-空氣界面處(即，空氣-液體的表面界面處)的自組裝。

還應(yīng)理解，在一些形式中，可能不必(如上所述地)純化氧化物量子點(diǎn)。例如，處理后的液體復(fù)合物可以處于適合利用氧化物量子點(diǎn)的形式。在其中液體復(fù)合物的第一液體和第二液體不混溶的形式中，例如，可能可以從經(jīng)處理的液體復(fù)合物中提取第二液體(已包含氧化物量子點(diǎn))并在不進(jìn)行進(jìn)一步加工的情況下利用提取的第二液體。

在某些形式中，氧化物量子點(diǎn)可以沉積于基板上以形成透明導(dǎo)電性氧化物膜。例如，所產(chǎn)生的透明溶膠或所提取的第二液體(如上所述)可以被沉積/涂布于所述基板上以形成透明導(dǎo)電性氧化物膜。在這方面，氧化物量子點(diǎn)可以充當(dāng)透明導(dǎo)電性氧化物膜中的透明電導(dǎo)體。透明導(dǎo)電性氧化物膜可通過(guò)電連接體與電源連接，從而形成電路。當(dāng)施加電流時(shí)，透明導(dǎo)電性氧化物膜可以導(dǎo)電。

基板可以包括致密質(zhì)材料，例如硅、玻璃、聚合物或復(fù)合物等。基板可以相對(duì)較剛性或相對(duì)較柔性。從下文顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明公開(kāi)的透明導(dǎo)電性氧化物膜使得可以采用規(guī)模比目前可用的制備透明導(dǎo)電性氧化物膜的已知技術(shù)大得多的制備工藝。一種這類應(yīng)用可以是將透明導(dǎo)電性氧化物膜用于透明基板上，例如，大規(guī)模制備要求導(dǎo)電能力(例如，出于除霧或除霜的目的)的交通工具(例如，汽車、列車、飛機(jī)等)和/或建筑的防風(fēng)屏或窗。這可以包括將量子點(diǎn)直接沉積于防風(fēng)屏或窗上，或可以包括將量子點(diǎn)沉積(例如，印刷)于具有粘合襯底的塑料/聚合物上，以使所述塑料/聚合物能粘附于防風(fēng)屏或窗(例如，對(duì)現(xiàn)有防風(fēng)屏或窗翻新)。

使用已知PVD或CVD技術(shù)制備的導(dǎo)電氧化物膜要求使用復(fù)雜且昂貴的真空室。這嚴(yán)重限制了這類薄膜所能沉積的基板尺寸。利用化學(xué)合成技術(shù)制備的導(dǎo)電性氧化物膜通常要求高溫煅燒(約500℃)以實(shí)現(xiàn)具有高結(jié)晶度的高性能材料。這嚴(yán)重限制了能夠使用的基板類型。然而，當(dāng)本文公開(kāi)的氧化物量子點(diǎn)被沉積于基板上而形成透明導(dǎo)電性氧化物膜(例如，用于圖案化電路的透明導(dǎo)電性氧化物膜)時(shí)不會(huì)受到這種限制。由于所述氧化物量子點(diǎn)能夠在環(huán)境條件下沉積于基板上，該基板可以具有任何所需尺寸(即，基板的尺寸不收真空室尺寸的限制)。另外，由于在將氧化物量子點(diǎn)沉積于基板上之后無(wú)需高溫煅燒階段，現(xiàn)在可以使用通常由于其無(wú)法承受高溫加工而被避免使用的基板，包括各種聚合物(例如，聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等)或復(fù)合物。這也能允許氧化物量子點(diǎn)沉積在出于類似原因而無(wú)法使用的柔性基板上。此外，由于能夠采用更多類別的基板，且能夠沉積在更大/更大型的基板上，因此能夠采用更為廣闊的工業(yè)種類中的技術(shù)。

另外，本文所公開(kāi)的透明導(dǎo)電性氧化物膜的應(yīng)用可以提供相對(duì)于已知的非透明導(dǎo)電膜(例如，汽車玻璃工業(yè)中所用的金屬導(dǎo)電膜)的優(yōu)點(diǎn)。非透明膜要求具有最小化的與基板接觸的表面積，以便使例如駕駛者的視線可能受遮擋的程度最小化。因此，可能需要相對(duì)較厚的非透明材料涂層以確保在最小化表面積上有充分的導(dǎo)電性(否則非透明材料可能遮擋駕駛者的視線)。還應(yīng)注意的是，在某些情形中，非透明膜可以作為玻璃中的層壓層形成。然而，由于非透明材料和基板(例如，玻璃)的熱膨脹系數(shù)的差異，這可能導(dǎo)致會(huì)弱化玻璃的機(jī)械性質(zhì)的內(nèi)部應(yīng)力，并且可能導(dǎo)致分層。

在某些形式中，本公開(kāi)的氧化物量子點(diǎn)可能具有與其所沉積的基板(例如，玻璃或其他氧化物基板)的熱膨脹系數(shù)相近得多的熱膨脹系數(shù)。在這方面，本公開(kāi)的氧化物量子點(diǎn)使基板的機(jī)械性質(zhì)弱化的可能性低得多。另外，由于在將氧化物量子點(diǎn)沉積于基板上之后無(wú)需高溫煅燒，由于涂布材料與基板之間的熱膨脹速率的不同所引起的材料性能的劣化的可能性將降低。

在某些形式中，氧化物量子點(diǎn)可以以特定構(gòu)造(例如，裝飾、形狀或圖案)沉積于基板上以便可以以該特定構(gòu)造形成透明導(dǎo)電性氧化物膜。在這方面，氧化物量子點(diǎn)可以沉積于基板上以形成徽標(biāo)或信息形狀的透明導(dǎo)電性氧化物膜，從而當(dāng)凝結(jié)物霧或霜被清除后，該信息或徽標(biāo)將顯示于基板上。在這方面，透明導(dǎo)電性氧化物膜(即，氧化物量子點(diǎn))可通過(guò)電連接體與電源連接，從而形成電路。當(dāng)施加電流時(shí)，透明導(dǎo)電性氧化物膜(即，氧化物量子點(diǎn))可以導(dǎo)電，以徽標(biāo)或信息的形狀/圖案引起基板局部受熱并清除凝結(jié)物霧或霜。

在另一個(gè)實(shí)施方式中，量子點(diǎn)可以作為兩個(gè)以上的分開(kāi)的或分離的透明導(dǎo)電性氧化物膜(例如，作為兩個(gè)分開(kāi)的導(dǎo)電電路)沉積于基板上。這可以允許兩個(gè)分離的膜以不同速率受熱，從而導(dǎo)致凝結(jié)物霧或霜在所述兩個(gè)分離的膜的周邊以不同速率被清除。例如，兩個(gè)分離的膜可以由不同材料(即，由具有不同電阻率/電導(dǎo)率的氧化物量子點(diǎn))形成，由相同材料形成但兩個(gè)分離的膜具有不同厚度(因而有不同的電阻率/電導(dǎo)率)，或者在不同的時(shí)間向其施加電流。這能提供傳遞信息的靈活的系統(tǒng)，即使僅能持續(xù)有限時(shí)間。然而，應(yīng)該理解，所述信息可以被傳遞多次。例如，如果基板變得再次起霧或再次起霜，該信息可以在后續(xù)的除霧或除霜過(guò)程中再次被傳遞。

在氧化物量子點(diǎn)沉積于基板之前，可以對(duì)基板進(jìn)行預(yù)處理以降低其表面能。例如，基板的表面可以被清潔(例如，通過(guò)去離子水、乙醇、乙酸酯等)，或者基板可以通過(guò)例如紫外照射來(lái)預(yù)處理，或者可以利用這些預(yù)處理的組合。據(jù)信基板表面能的降低會(huì)擴(kuò)大液-空氣界面(即，由于液體在基板表面鋪展開(kāi))，這會(huì)導(dǎo)致形成更薄更均勻的膜。

在某些形式中，透明導(dǎo)電性氧化物膜可以在環(huán)境條件下在基板上干燥。在其他形式中，透明導(dǎo)電性氧化物膜可以通過(guò)紫外照射干燥。應(yīng)該理解，可以利用多種干燥形式的組合。這與目前形成透明導(dǎo)電性氧化物膜的要求高溫煅燒(約500℃)的化學(xué)方法相反。由于本公開(kāi)中在透明導(dǎo)電性氧化物膜沉積于基板上之后無(wú)需高溫煅燒步驟，可以使用種類更廣泛的材料作為基板。例如，除了玻璃之外，也可以采用諸如硅、聚合物或復(fù)合物等其它透明材料。另外，由于無(wú)需高溫煅燒步驟，因收縮所致的裂痕也可以被最小化或避免。與已知技術(shù)相比，這也能顯著地節(jié)約成本。

在某些形式中，氧化物量子點(diǎn)還可以沉積于基板上形成更厚的透明導(dǎo)電性氧化物膜。在這方面，可以在基板上沉積多層透明導(dǎo)電性氧化物膜。在某些形式中，這些層可以直接沉積于透明導(dǎo)電性氧化物的第一層/膜上。在其他形式中，只有在前一層已被干燥后，這些層才可以沉積于透明導(dǎo)電性氧化物的第一(或前一)層/膜上。例如，可以在多層的沉積之間采用上文所述的干燥技術(shù)。如果要求更高的電導(dǎo)率，或如果要求具有不同電導(dǎo)率的區(qū)域，可優(yōu)選更厚的透明導(dǎo)電性氧化物膜。在某些形式中，量子點(diǎn)可以進(jìn)一步沉積在基本上，從而形成與第一透明導(dǎo)電性氧化物膜分離的第二透明導(dǎo)電性氧化物膜(例如，作為兩個(gè)分開(kāi)的導(dǎo)電電路)。在分離的膜的情形中，在兩個(gè)分離的膜之間，施加的電流可以有所變化，或者可以延時(shí)(time delayed)。這可以允許在基板被除霧或除霜等時(shí)在基板上顯示信息、圖案、徽標(biāo)等。

在某些形式中，氧化物量子點(diǎn)可利用噴墨印刷、噴霧印刷、旋涂、狹縫式模頭涂布、刮片涂布、絲網(wǎng)印刷/涂布、凹版印刷/涂布、刻花輥印刷/涂布、逗號(hào)棒印刷/涂布、微輥印刷/涂布、納米壓印印刷、棒涂、浸涂、接觸式涂布、非接觸式涂布或其組合來(lái)沉積。這些沉積技術(shù)允許氧化物量子點(diǎn)被沉積在大規(guī)?；迳希皇苁褂靡阎狢VD、PVD或化學(xué)沉積技術(shù)所需的沉積室的尺寸的限制。另外，與已知CVD、PVD或化學(xué)沉積技術(shù)相比，這些沉積技術(shù)可以顯著地節(jié)約成本。

應(yīng)該理解，許多用于將氧化物量子點(diǎn)沉積在基板上的其它形式也完全在本領(lǐng)域技術(shù)人員的認(rèn)知內(nèi)，且因此構(gòu)成可用于采用本文公開(kāi)的方法的方法的一部分，即使沉積方法本身并未在本文明確限定也是如此。

根據(jù)第二方面，公開(kāi)了在基板上形成透明導(dǎo)電性氧化物膜的方法。所述方法包括降低基板的表面能，提供透明導(dǎo)電性氧化物的量子點(diǎn)，和在基板上沉積量子點(diǎn)以形成透明導(dǎo)電性氧化物膜。如上文所述，據(jù)信通過(guò)降低基板的表面能將擴(kuò)大液體-空氣界面(即，液體/溶膠在基板表面鋪展開(kāi))，這會(huì)導(dǎo)致形成更薄更均勻的膜。在一個(gè)形式中，降低基板的表面能可以包括紫外照射基板和/或?qū)灞砻娴钠渌鍧崱?/p>

透明導(dǎo)電性氧化物膜(即，氧化物量子點(diǎn))可在基板上形成電路。透明導(dǎo)電性氧化物膜(即，氧化物量子點(diǎn))可通過(guò)電連接體與電源連接，從而形成電路。當(dāng)施加電流時(shí)，透明導(dǎo)電性氧化物膜(即，氧化物量子點(diǎn))可以導(dǎo)電。

在某些形式中，在量子點(diǎn)沉積于基板之前，可以對(duì)量子點(diǎn)的表面張力進(jìn)行改性。例如，量子點(diǎn)可以以溶膠(量子點(diǎn)的膠體/懸浮溶液)的形式提供。如前文所假設(shè)，據(jù)信對(duì)溶膠的表面張力的改性能夠提高量子點(diǎn)在液體-空氣界面(即，在液體的空氣-表面界面)的濃度。

在某些形式中，透明導(dǎo)電性氧化物膜可以在環(huán)境條件下干燥。在其他形式中，透明導(dǎo)電性氧化物膜可以通過(guò)紫外照射干燥。在任一形式中，或在形式的組合中，這仍與目前要求對(duì)基板上的膜高溫煅燒(約500℃)的形成透明導(dǎo)電性氧化物膜的化學(xué)方法相反。通過(guò)避免在透明導(dǎo)電性氧化物膜沉積于基板上之后通常需要的高溫煅燒步驟，在本公開(kāi)中可以使用更廣泛的材料作為基板。例如，除了玻璃之外，也可以采用諸如硅、聚合物或復(fù)合物等其它透明材料。另外，由于無(wú)需高溫煅燒步驟，因收縮所致的裂痕也可以被最小化或避免。

如上所述，量子點(diǎn)可以使用噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷/涂布、凹版印刷/涂布、刻花輥印刷/涂布、逗號(hào)棒印刷/涂布、微輥印刷/涂布、納米壓印印刷、旋涂、狹縫式模頭涂布、刮片涂布、棒涂、接觸式涂布、浸涂、非接觸式涂布或它們的組合來(lái)沉積，但也可以考慮其它沉積技術(shù)。這可以提供替代已知的CVD、PVD或化學(xué)合成技術(shù)的低成本大規(guī)模制備。

另外，如關(guān)于第一方面已說(shuō)明，本文公開(kāi)的方法提供了能夠以許多不同方式利用、用于許多不同工業(yè)、產(chǎn)生許多不同結(jié)果的靈活方法。因此，此處不會(huì)對(duì)這種靈活性再次詳細(xì)概括，但應(yīng)該理解的是，關(guān)于第一方面所提供的評(píng)述也同樣地與本第二方面以及本文公開(kāi)的其它方面相關(guān)。在這方面，第二方面的方法可以如第一方面所限定。

本文還公開(kāi)了包括如第二方面所限定的透明導(dǎo)電性氧化物膜的基板。所述透明導(dǎo)電性氧化物膜可以由根據(jù)第一方面的方法制備的氧化物量子點(diǎn)形成。在這方面，透明導(dǎo)電性氧化物膜(即，氧化物量子點(diǎn))可形成基板上的電路。透明導(dǎo)電性氧化物膜(即，氧化物量子點(diǎn))可通過(guò)電連接體與電源連接，從而形成電路。當(dāng)施加電流時(shí)，透明導(dǎo)電性氧化物膜(即，氧化物量子點(diǎn))可以導(dǎo)電，這可引起基板局部受熱。

在某些形式中，基板可以是透明的。透明導(dǎo)電性氧化物膜與透明基板的使用使得本公開(kāi)能夠用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用中。例如，基板可以用作防風(fēng)屏、擋風(fēng)玻璃、窗或玻璃屏。玻璃屏也可以用于鏡面的制造。本文公開(kāi)的方法允許具有透明導(dǎo)電性氧化物膜的基板具有比利用已知CVD、PVD和化學(xué)合成技術(shù)可獲取的大得多的尺寸。在對(duì)基板尺寸沒(méi)有限制且可以利用低成本沉積方法的情況下，用于各種應(yīng)用的大規(guī)模生產(chǎn)變得商業(yè)上可行。

利用低成本沉積方法在大規(guī)?；迳闲纬赏该鲗?dǎo)電性氧化物膜的能力還能提供目前用于例如汽車工業(yè)中的非透明導(dǎo)電膜的替代物。不同于非透明導(dǎo)電膜，本文公開(kāi)的透明導(dǎo)電性氧化物膜可以在不阻礙駕駛者視線的情況下沉積于大面積的基板表面(例如，交通工具的大部分前窗、后窗或側(cè)窗)上。

例如，透明導(dǎo)電性氧化物膜可以用于加熱基板以用于使基板防霧或防霜(即，避免在基板上形成霧或霜)或?qū)?即，已起霧或起霜的基板)除霧或除霜。在這方面，透明導(dǎo)電性氧化物膜(即，氧化物量子點(diǎn))可通過(guò)電連接體與電源連接，從而形成電路。當(dāng)施加電流時(shí)，透明導(dǎo)電性氧化物膜(即，氧化物量子點(diǎn))可以導(dǎo)電，以徽標(biāo)或信息的形狀/圖案引起基板局部受熱并清除凝結(jié)物霧或霜。透明導(dǎo)電性氧化物膜可以允許在更大表面積的基板上沉積膜，因?yàn)樾枰_保仍可以從例如窗、擋風(fēng)玻璃看出去的安全顧慮不再成其為問(wèn)題。

在另一個(gè)形式中，透明導(dǎo)電性氧化物膜可以充當(dāng)電磁頻率接收器(即，天線)。這可以提高對(duì)各種頻率電磁波的接受能力，取決于所要求的應(yīng)用，這可以改善無(wú)線電、電視或移動(dòng)電話(手機(jī))的接收等。例如，當(dāng)用作汽車窗上的膜時(shí)，該膜可以充當(dāng)天線以改善無(wú)線電和數(shù)字信息接受。

在另一個(gè)形式中，透明導(dǎo)電性氧化物膜可以充當(dāng)電極，例如用于觸摸屏和顯示器的電極。

在另一方面，本文還公開(kāi)了包括分散于溶劑中的氧化物量子點(diǎn)的組合物。在這方面，氧化物量子點(diǎn)是晶體。氧化物量子點(diǎn)可以認(rèn)為是高度結(jié)晶的。由于氧化物量子點(diǎn)高度結(jié)晶，所述組合物可以在無(wú)需后續(xù)煅燒的情況下在環(huán)境條件下應(yīng)用。氧化物量子點(diǎn)可以考慮為具有高結(jié)晶度的納米晶體。氧化物量子點(diǎn)也可以具有良好的電導(dǎo)率和良好透明度。特定溶劑的選擇可以使得氧化物能夠在更低(相對(duì)而言)的溫度分解，并且產(chǎn)生高度結(jié)晶的量子點(diǎn)。量子點(diǎn)的生長(zhǎng)也可受到控制/限制。由于量子點(diǎn)的粒徑小，可以實(shí)現(xiàn)緊密堆積和致密膜。因此，所述膜是高度透明且導(dǎo)電的。

在某些形式中，組合物還可以包含表面活性劑。表面活性劑可以添加到組合物以改善溶劑中氧化物量子點(diǎn)的分散性和穩(wěn)定性。據(jù)信表面活性劑能降低溶劑的表面張力并促進(jìn)液體-空氣界面(即，空氣-液體的表面界面)處的氧化物量子點(diǎn)的自組裝。

組合物可以用作透明導(dǎo)電性氧化物膜印刷中的油墨。例如，該油墨可以使用噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷/涂布、凹版印刷/涂布、刻花輥印刷/涂布、逗號(hào)棒印刷/涂布、微輥印刷/涂布、納米壓印印刷、噴霧印刷、旋涂、狹縫式模頭涂布、刮片涂布、棒涂、接觸式涂布、浸涂、非接觸式涂布或它們的組合物來(lái)應(yīng)用，但也可以考慮其他應(yīng)用技術(shù)。此類膜可以在環(huán)境條件下印刷，而無(wú)需后續(xù)高溫煅燒。此類膜可以具有良好的電導(dǎo)率，同時(shí)維持良好的透明度。

還公開(kāi)了包含透明導(dǎo)電性氧化物膜的基板。所述膜包含結(jié)晶的氧化物量子點(diǎn)。所述氧化物量子點(diǎn)可被視為高度結(jié)晶的。由于氧化物量子點(diǎn)高度結(jié)晶且高度自組裝，所述膜可以在無(wú)需后續(xù)高溫煅燒的情況下在環(huán)境條件下使用，同時(shí)仍實(shí)現(xiàn)良好的電導(dǎo)率。

氧化物量子點(diǎn)可以分散在溶劑中而應(yīng)用于基板。氧化物量子點(diǎn)在分散于溶劑中之前可以是晶體。在這方面，氧化物量子點(diǎn)可以利用噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷/涂布、凹版印刷/涂布、刻花輥印刷/涂布、逗號(hào)棒印刷/涂布、微輥印刷/涂布、納米壓印印刷、噴霧印刷、旋涂、狹縫式模頭涂布、刮片涂布、棒涂、接觸式涂布、浸涂、非接觸式涂布或它們的組合來(lái)應(yīng)用，但也可以考慮其它應(yīng)用技術(shù)。

基板可以包括硅、玻璃、聚合物或復(fù)合物等?；逡部梢允峭该鞯?。

透明導(dǎo)電性氧化物膜(即，氧化物量子點(diǎn))可形成基板上的電路。透明導(dǎo)電性氧化物膜(即，氧化物量子點(diǎn))可通過(guò)電連接體與電源連接，從而形成電路。當(dāng)施加電流時(shí)，透明導(dǎo)電性氧化物膜(即，氧化物量子點(diǎn))可以導(dǎo)電，這可引起基板局部受熱。

氧化物量子點(diǎn)可以以特定構(gòu)造(例如，裝飾、形狀或圖案)沉積于基板上從而可以以該特定構(gòu)造形成膜。在這方面，所述膜可以以徽標(biāo)或信息或者電路的形狀形成。在這方面，膜(即，氧化物量子點(diǎn))可通過(guò)電連接體與電源連接，并在施加電流時(shí)，所述膜(即，氧化物量子點(diǎn))可以導(dǎo)電，以徽標(biāo)或信息的形狀/圖案引起基板局部受熱并清除凝結(jié)物霧或霜。

基板可以是防風(fēng)屏、鏡或窗等。如上所述，可以對(duì)膜施加電流從而清除形成于基板上的凝結(jié)物(霧或霜)。當(dāng)膜為徽標(biāo)、信息或電路的形狀時(shí)，該徽標(biāo)、信息或電路顯現(xiàn)在基板上。

雖然本文已公開(kāi)了某些應(yīng)用，其中一些應(yīng)用較另一些應(yīng)用更為詳細(xì)，但應(yīng)該理解，由于更大規(guī)模的生產(chǎn)能力、對(duì)基板尺寸幾乎沒(méi)有任何限制、低生產(chǎn)成本和利用該技術(shù)可用的基板種類(此前是不適合的)，也可以設(shè)想其它應(yīng)用。

附圖說(shuō)明

雖然“發(fā)明內(nèi)容”中所闡述的方法、基板及其應(yīng)用的范圍內(nèi)包括任何其它形式，但現(xiàn)在將僅通過(guò)實(shí)例并參考附圖對(duì)特定的實(shí)施方式進(jìn)行描述，在所述附圖中：

圖1顯示了量子點(diǎn)的生長(zhǎng)機(jī)制的實(shí)施方式的示意圖；

圖2顯示了根據(jù)第一實(shí)施方式制備的10重量％Sn摻雜的In₂O₃量子點(diǎn)的圖像；

圖3顯示了量子點(diǎn)的生長(zhǎng)機(jī)制的實(shí)施方式的示意圖；

圖4顯示了根據(jù)第二實(shí)施方式制備的10重量％Sn摻雜的In₂O₃量子點(diǎn)的圖像；

圖5顯示了在放大的液體-空氣界面處的量子點(diǎn)形成的示意圖；且

圖6顯示了10重量％Sn摻雜的In₂O₃量子點(diǎn)和裸玻璃基板的紫外-可見(jiàn)光譜。

具體實(shí)施方式

首先參考圖1，顯示了如本文所公開(kāi)的量子點(diǎn)的生長(zhǎng)機(jī)制的實(shí)施方式的一般示意圖。圖1所示的示意圖強(qiáng)調(diào)了將成核和生長(zhǎng)過(guò)程分離對(duì)控制所產(chǎn)生的氧化物量子點(diǎn)的尺寸、形態(tài)和分散性的能力的作用。

在圖1中，前體材料(例如，重量比為10∶90的SnCl₂和In(NO₃)₃)顯示為已被添加至第一液體，在該實(shí)施方式中，第一液體是去離子水的水相10。應(yīng)該注意，前體材料可以有所變化。例如，SnCl₄可以代替SnCl₂。在某些形式中，SnCl₄可能對(duì)所產(chǎn)生的氧化物量子點(diǎn)提供更多的形態(tài)控制且可能比SnCl₂更優(yōu)選。這部分地是因?yàn)镾n²⁺(SnCl₂)能被氧化為Sn⁴⁺(SnCl₄)，這使其比Sn⁴⁺更不穩(wěn)定。

水相10上添加了第二液體，在該實(shí)施方式中第二液體為有機(jī)液體12(甲苯)。有機(jī)液體12與水相10不混溶，從而形成包括水相和有機(jī)液體之間的液-液界面14的多相液體形式的液體復(fù)合物。氧化物量子點(diǎn)在液-液界面處的生長(zhǎng)因此能得到控制，從而提供對(duì)所產(chǎn)生的量子點(diǎn)的尺寸、結(jié)晶度、形態(tài)和分散性的控制的能力，如16、18、20、22、24、26和28所示。在這方面，液體復(fù)合物在200℃蒸壓48小時(shí)。

蒸壓器被冷卻至室溫，將多相液體的頂層移至離心管并用純乙醇洗滌。將這以過(guò)程再重復(fù)兩次，得到氧化物量子點(diǎn)粉末。圖2顯示了所產(chǎn)生的氧化物量子點(diǎn)粉末的TEM圖像。粉末分散在甲苯中，并超聲3分鐘。由此獲得量子點(diǎn)的穩(wěn)定、透明的膠體/懸浮溶液(溶膠)。

現(xiàn)參見(jiàn)圖3，顯示了本文所公開(kāi)的量子點(diǎn)的生長(zhǎng)機(jī)制的另一實(shí)施方式的一般示意圖。第一液體(水相100)其中添加有第二液體，在該實(shí)施方式中第二液體是有機(jī)液體102(乙醇)?？梢允褂闷渌袡C(jī)液體，且取決于前體材料、所形成的氧化物量子點(diǎn)等可以優(yōu)選特定的有機(jī)液體。例如，可以基于有機(jī)液體的介電常數(shù)來(lái)對(duì)其進(jìn)行選擇，這可以用于改變氧化物量子點(diǎn)的摻雜水平或尺寸。

在該實(shí)施方式中，有機(jī)液體102與水相100混溶。因此，與關(guān)于圖1所述的實(shí)施方式相反，在水相和有機(jī)液體之間不形成液-液界面。盡管如此，仍形成了包含水相和有機(jī)液體的液體復(fù)合物104。在這方面，液體復(fù)合物僅指兩種(水性和有機(jī))液體類型的組合或混合。為了控制氧化物量子點(diǎn)的生長(zhǎng)并提供控制所產(chǎn)生的量子點(diǎn)的尺寸、結(jié)晶度、形態(tài)和分散性的能力，還向液體復(fù)合物104添加了堿106和表面活性劑108。

液體復(fù)合物104在250℃蒸壓24小時(shí)。將蒸壓器冷卻至室溫并將液體復(fù)合物移至離心管并離心。粉末用純乙醇洗滌。將這過(guò)程再重復(fù)兩次，獲得氧化物量子點(diǎn)粉末。圖4顯示了所產(chǎn)生的氧化物量子點(diǎn)粉末的TEM圖像。由此獲得量子點(diǎn)的穩(wěn)定、透明的膠體/懸浮溶液(溶膠)。

為了制備用于沉積關(guān)于圖1或圖3所述的溶膠的玻璃基板，將玻璃基板清潔。應(yīng)該注意，可以使用包含例如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等聚合物的其它基板。圖5示意性示出了紫外處理基板對(duì)于溶膠的液體-空氣界面的影響。在圖5a中，示意性示出了未經(jīng)處理的基板和紫外處理的基板。對(duì)基板的紫外處理降低了基板的表面能，這導(dǎo)致溶膠在基板上鋪展開(kāi)。圖5b顯示了量子點(diǎn)被吸引至液體-空氣界面并以有序結(jié)構(gòu)進(jìn)行自組裝。

一旦基板上的溶膠干燥，在包括透明導(dǎo)電性氧化物膜的基板和比較用裸玻璃基板上進(jìn)行吸收光譜分析。關(guān)于根據(jù)圖1制備的溶膠的吸收光譜的結(jié)果示于圖5中?？梢钥闯?，與裸玻璃基板相比，包括透明導(dǎo)電性氧化物膜的基板顯示出在可見(jiàn)波長(zhǎng)(380nm至750nm)的良好的光學(xué)透明度(即，低吸收)，以及在紫外波長(zhǎng)(400nm至100nm)提高的吸收。由于紫外輻射所引起的皮膚和其它損傷的普遍性，對(duì)這種有害輻射的額外吸收是受歡迎的，尤其是在其在汽車和建筑工業(yè)中的潛在應(yīng)用的背景下。

應(yīng)該注意，透明導(dǎo)電性氧化物膜的電阻可以通過(guò)增加膜的厚度或調(diào)節(jié)摻雜水平來(lái)減小。

實(shí)施例

現(xiàn)在將參考附圖描述所述方法、基板和基板應(yīng)用的非限制性實(shí)例。

實(shí)施例1. 10重量％Sn摻雜的In₂O₃的制備

將SnCl₂和In(NO₃)₃以10∶90重量比混合并溶解于去離子(DI)水中(得到的In³⁺的分子濃度為0.1M)。然后將混合溶液轉(zhuǎn)移至蒸壓器。向蒸壓器中的溶液中添加等量的甲苯，形成了多相液體，并將蒸壓器密封。將蒸壓器48小加熱200℃時(shí)。圖1中示出了液-液界面處的具有不同形態(tài)的氧化物量子點(diǎn)的生長(zhǎng)機(jī)制的示意圖。

反應(yīng)后，將蒸壓器冷卻至室溫。將溶液的頂層移至離心管并用純乙醇洗滌。將此過(guò)程再重復(fù)兩次，獲得量子點(diǎn)的粉末。所得的10重量％Sn摻雜的In₂O₃量子點(diǎn)的代表性TEM圖像如圖2所示。

將量子點(diǎn)的粉末分散于甲苯中，并超聲3分鐘。由此獲得量子點(diǎn)的穩(wěn)定透明的膠體/懸浮溶液(溶膠)。

實(shí)施例2.具有提高的分散性的10重量％Sn摻雜的In₂O₃的制備

重復(fù)進(jìn)行如實(shí)施例1中所述的10重量％Sn摻雜的In₂O₃的制備程序。在本實(shí)施例中，由于需要分散性提高的10重量％Sn摻雜的In₂O₃，向?qū)嵤├?中所獲的溶膠中添加1體積％至5體積％的油酸。

實(shí)施例1所得溶膠與本實(shí)施例中所得溶膠通過(guò)使光源通過(guò)二者照亮進(jìn)行比較。在實(shí)施例1所得溶膠中光比本實(shí)施例所得溶膠中更顯著地散射。這表明在實(shí)施例1所得溶膠中有比本實(shí)施例所得溶膠更多的量子點(diǎn)聚集(即，本實(shí)施例所得溶膠分散性改善)。據(jù)推測(cè)，這是表面活性劑覆蓋量子點(diǎn)表面、阻礙它們聚集的結(jié)果。

實(shí)施例3.玻璃基板上的膜的制備

將實(shí)施例2所獲溶膠滴涂或印刷于玻璃基板上。在這樣做之前，將玻璃基板清潔。在本實(shí)施例中，將玻璃基板(Asahi Glass，日本)首先用DI水洗滌，然后用乙醇洗滌，最后用丙酮洗滌。然后將玻璃基板置于紫外燈箱(波長(zhǎng)260nm，功率110W)中進(jìn)行10分鐘紫外處理，以確保玻璃基板的表面清潔。

從實(shí)施例2所獲的溶膠中取50微升等分試樣，以用于滴涂或印刷在玻璃基板的表面上。一旦量子點(diǎn)被滴涂或印刷在玻璃基板上，將玻璃基板返回紫外燈箱進(jìn)行2小時(shí)紫外處理，以便使玻璃上的量子點(diǎn)干燥以形成均一致密的膜。圖5顯示了在放大的液體-空氣界面處的量子點(diǎn)形成的示意圖。圖5還示意性顯示了可認(rèn)為是在放大的液體-空氣界面處的量子點(diǎn)自組裝層的形成。

注意到不同于已知方法的是，無(wú)需另外的退火階段來(lái)使層/膜在玻璃基板的表面形成。據(jù)理解這是由于制備溶膠的方式。

實(shí)施例4.吸收性質(zhì)的測(cè)試

對(duì)兩個(gè)玻璃基板重復(fù)進(jìn)行如實(shí)施例3所述的玻璃基板清潔程序。將其中一個(gè)玻璃基板用如實(shí)施例3所述的10重量％Sn摻雜的In₂O₃溶膠膜進(jìn)行沉積，而將另一個(gè)玻璃基板保留為裸玻璃基板(即，沒(méi)有任何施加的涂層)。

圖6示出了在包括透明導(dǎo)電性氧化物膜的基板和裸玻璃基板上進(jìn)行的吸收光譜分析的結(jié)果。可以看出，與裸玻璃基板相比，包括透明導(dǎo)電性氧化物膜的基板顯示出在可見(jiàn)波長(zhǎng)(380nm至750nm)的良好的光學(xué)透明度(即，低吸收)，以及在紫外波長(zhǎng)(400nm至100nm)提高的吸收。

實(shí)施例5.電學(xué)性質(zhì)的測(cè)試

根據(jù)實(shí)施例3制備3個(gè)用10重量％Sn摻雜的In₂O₃涂布的玻璃基板樣品，不同在于制備3個(gè)具有不同膜厚度的樣品。在本實(shí)施例中，這通過(guò)改變施涂于玻璃基板的膜的層數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。一些樣品通過(guò)將每層直接沉積于前一層(在其仍是“濕”的時(shí))來(lái)制備。其它樣品通過(guò)在沉積下一層膜前將每層膜干燥而制備。發(fā)現(xiàn)以中間干燥階段制備的樣品得到了更均勻的層，但這更為耗時(shí)。

注意到，可以通過(guò)控制膜的厚度或摻雜水平來(lái)調(diào)節(jié)膜的電阻。例如，具有最厚的膜的樣品據(jù)觀察具有最小的電阻，而具有最薄的膜的樣品據(jù)觀察具有最大電阻。

實(shí)施例6.玻璃基板上的多個(gè)膜的制備

使用實(shí)施例2制備的10重量％Sn摻雜的In₂O₃來(lái)通過(guò)噴霧印刷在玻璃基板上形成多個(gè)分開(kāi)的電路(加熱器)。

重復(fù)進(jìn)行如實(shí)施例3所述的玻璃基板清潔程序。用量子點(diǎn)至少部分地填充噴墨印刷機(jī)盒，并將清潔的玻璃基板安置以進(jìn)行印刷。在玻璃基板上印刷兩條分開(kāi)的平行線，并將玻璃基板返回紫外燈箱進(jìn)行2小時(shí)紫外處理，以便使玻璃上的量子點(diǎn)干燥以形成均勻致密的第一和第二膜以便用作第一和第二分離電路(或加熱器)。

第一膜(電路或加熱器)線與電源通過(guò)安裝在玻璃的相對(duì)邊緣上的電連接器而與電源相連，而第二膜(電路或加熱器)線通過(guò)也安裝在玻璃的相對(duì)邊緣上的另外的電連接器與電源相連。

為了測(cè)試10重量％Sn摻雜的In₂O₃涂布的玻璃基板的除霧和除霜能力，對(duì)基板施以蒸汽，后者導(dǎo)致基板表面起霧(即，基板的溫度低于空氣的露點(diǎn))。然后對(duì)第一電連接器(即，與第一電路連接的電連接器)施加電流，然后約2秒之后，對(duì)第二電連接器(即，與第二電路連接的電連接器)施加電流。隨著電流通過(guò)第一導(dǎo)電膜(電路)，該膜受熱而導(dǎo)致凝結(jié)物蒸發(fā)。在大約對(duì)兩個(gè)電路(或加熱器)施加電流之間的延遲時(shí)長(zhǎng)中，玻璃基板的含有第一電路(或加熱器)的區(qū)域已變得清楚，而玻璃基板的包括第二電路(或加熱器)在內(nèi)的其余區(qū)域保持起霧。在對(duì)第二電路(或加熱器)施加電流后，第二電路(或加熱器)的區(qū)域也變得清楚(即，在第一電路(或加熱器)變得清楚約2秒之后)。

在進(jìn)行該實(shí)驗(yàn)時(shí)，確定了可以使用不同的(即，分開(kāi)的或孤立的)膜/電流來(lái)創(chuàng)建徽標(biāo)或信息，從而隨著凝結(jié)物霧或霜被清除時(shí)，該信息或徽標(biāo)顯現(xiàn)在基板上。除了通過(guò)向分開(kāi)的/孤立的膜/電路施加電流的時(shí)間延遲之外，這也可以通過(guò)采用具有不同電導(dǎo)率的透明導(dǎo)電層來(lái)實(shí)現(xiàn)。在這方面，可以對(duì)于不同電路采用具有不同厚度的相同材料，可以對(duì)不同電路采用不同材料(例如，具有不同電導(dǎo)率)，或它們的組合。

實(shí)施例7. 10重量％Sn摻雜的In₂O₃的制備

將SnCl₄·H₂O和In(NO₃)₃·xH₂O以10∶90的重量比混合(得到的In³⁺的分子濃度為0.1M)。在這方面，將0.13645g的In(NO₃)₃xH₂O和0.01628g的SnCl₄H₂O混合。在本實(shí)施例中，與實(shí)施例1不同的是，將前體材料(SnCl₄和In(NO₃)₃)獨(dú)立地與水混合。將乙醇和前體材料(處于水中)通過(guò)磁力攪拌混合以形成液體復(fù)合物。一旦粉末完全溶解于溶劑后，向液體復(fù)合物添加0.14350g氫氧化鈉(NaOH)。還向液體復(fù)合物添加了1g表面活性劑油酸。

向液體復(fù)合物添加額外的乙醇以使液體復(fù)合物達(dá)30mL。然后將液體復(fù)合物轉(zhuǎn)移至蒸壓器，并將蒸壓器密封。將蒸壓器在250℃加熱24小時(shí)。

反應(yīng)后，將蒸壓器冷卻至室溫。將液體復(fù)合物移至離心管，離心，并用純乙醇洗滌粉末。將該過(guò)程再重復(fù)兩次，獲得量子點(diǎn)的粉末。圖4示出了所得的10重量％Sn摻雜的In₂O₃量子點(diǎn)的代表性TEM圖像。

將量子點(diǎn)粉末分散于甲苯中。再添加10μl表面活性劑(油酸)并將溶液超聲3分鐘。由此獲得量子點(diǎn)的穩(wěn)定透明的膠體/懸浮溶液(溶膠)。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不背離本文公開(kāi)的方法、基板和基板應(yīng)用的主旨和范圍的情況下，可以進(jìn)行許多其他修改。

在所附權(quán)利要求和前文描述中，除了上下文由于表達(dá)語(yǔ)言或必要的隱義所要求以外，詞語(yǔ)“包含”或其變體如“包括”或“含有”以開(kāi)放性意義使用，即，是指在本文公開(kāi)的方法、基板和基板應(yīng)用的各種實(shí)施方式中存在所述的特征但不排除其它特征的存在或添加。