1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：
多個半導(dǎo)體芯片，彼此分隔開，其中，間隔區(qū)形成在多個半導(dǎo)體芯片的相鄰的半導(dǎo)體芯片之間；
再分布層，設(shè)置在至少一個半導(dǎo)體芯片上，其中，再分布層包括電連接到至少一個半導(dǎo)體芯片的至少一條再分布線，
其中，再分布層包括具有再分布層的一部分和至少一條再分布線的設(shè)置在間隔區(qū)中的部分的互連件，
其中，互連件包括設(shè)置在間隔區(qū)中的至少一條再分布線上的有機(jī)層，其中，有機(jī)層比多個半導(dǎo)體芯片柔軟。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，每個半導(dǎo)體芯片包括具有電路層的有效表面和與有效表面相對的非有效表面，
其中，再分布層設(shè)置在有效表面上。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，再分布層覆蓋有效表面。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，每個半導(dǎo)體芯片包括電連接到電路層的鍵合焊盤，
其中，再分布層包括：
第一有機(jī)層，設(shè)置在有效表面上，并具有暴露鍵合焊盤的第一開口；
至少一條再分布線，通過第一開口電連接到鍵合焊盤；
第二有機(jī)層，設(shè)置在第一有機(jī)層上，并覆蓋至少一條再分布線。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，每個半導(dǎo)體芯片包括面向間隔區(qū)的側(cè)壁，
其中，互連件不設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁上。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
外部端子，設(shè)置在再分布層上并電連接到至少一條再分布線。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，至少一條再分布線將半導(dǎo)體芯片彼此電連接。
8.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：
至少兩個彼此沒有物理地結(jié)合的半導(dǎo)體芯片，每個半導(dǎo)體芯片具有電路層；
再分布層，設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的電路層上，再分布層電連接到電路層，
其中，再分布層包括：
再分布線，電連接到電路層；
圍繞再分布線的絕緣層，其中，絕緣層比半導(dǎo)體芯片柔軟，
其中，再分布層包括將至少兩個半導(dǎo)體芯片彼此連接的互連件。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，再分布層的絕緣層包括有機(jī)層。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，再分布層的絕緣層包括：
第一有機(jī)層，設(shè)置在電路層上；以及
第二有機(jī)層，設(shè)置在第一有機(jī)層上并覆蓋再分布線，
其中，互連件包括設(shè)置在第一有機(jī)層和第二有機(jī)層之間的金屬線，
其中，金屬線將半導(dǎo)體芯片彼此電連接。
11.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：
至少兩個半導(dǎo)體芯片，彼此分隔開，間隔區(qū)形成在至少兩個半導(dǎo)體芯片的每個之間；
再分布層，設(shè)置在每個半導(dǎo)體芯片上，
其中，每個半導(dǎo)體芯片包括：
包括電路層的頂表面和與頂表面相對的底表面；
鍵合焊盤，通過頂表面暴露并電連接到電路層，
其中，再分布層包括：
第一絕緣層，覆蓋半導(dǎo)體芯片的頂表面并具有暴露鍵合焊盤的第一開口；
至少一條再分布線，設(shè)置在第一絕緣層上并通過第一開口連接到鍵合焊盤；
第二絕緣層，設(shè)置在第一絕緣層上并覆蓋至少一條再分布線，其中，第一絕緣層和第二絕緣層包括比半導(dǎo)體芯片柔軟的有機(jī)層；以及
穿過間隔區(qū)的互連件，
其中，互連件包括將至少兩個半導(dǎo)體芯片彼此電連接的金屬線，其中，有機(jī)層圍繞金屬線，
其中，互連件在半導(dǎo)體芯片之間能夠自由地彎曲。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
連接到至少一條再分布線的球置焊盤；和
連接到球置焊盤的端子，
其中，第二絕緣層具有暴露至少一條再分布線的第二開口，
其中，球置焊盤通過第二開口連接到至少一條再分布線。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：
成型層，分別設(shè)置在每個半導(dǎo)體芯片的底表面上。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，有機(jī)層包括聚酰亞胺。
15.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括：
提供至少兩個半導(dǎo)體芯片，每個半導(dǎo)體芯片包括電路層和電連接到電路層的鍵合焊盤；
在半導(dǎo)體芯片上形成電連接到鍵合焊盤的再分布層，
其中，再分布層的形成包括：
在半導(dǎo)體芯片上形成具有暴露鍵合焊盤的第一開口的第一絕緣層；
在第一絕緣層上形成通過第一開口連接到鍵合焊盤的再分布線；
在第一絕緣層上形成覆蓋再分布線的第二絕緣層，
其中，半導(dǎo)體芯片彼此分隔開，間隔區(qū)設(shè)置在半導(dǎo)體芯片之間，
其中，第一絕緣層和第二絕緣層包括比半導(dǎo)體芯片柔軟的有機(jī)層，
其中，再分布層包括穿過間隔區(qū)的柔性互連件。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，柔性互連件包括：
將半導(dǎo)體芯片彼此電連接的金屬線和圍繞金屬線的有機(jī)層。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，半導(dǎo)體芯片的提供包括：
按照在支撐板上半導(dǎo)體芯片彼此分隔開并且間隔區(qū)置于半導(dǎo)體芯片之間的方式在支撐板上提供半導(dǎo)體芯片。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，支撐板具有在其上設(shè)置有半導(dǎo)體芯片的平坦的頂表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，支撐板包括填充間隔區(qū)的突起。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，柔性互連件沒有固定在半導(dǎo)體芯片的面向間隔區(qū)的側(cè)壁上。
21.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：
多個半導(dǎo)體芯片，彼此分隔開，其中，間隔區(qū)形成在多個半導(dǎo)體芯片中相鄰的半導(dǎo)體芯片之間，其中，每個半導(dǎo)體芯片包括面向間隔區(qū)的側(cè)壁；
再分布層，包括再分布線和圍繞再分布線的柔性絕緣層，
其中，再分布層形成將多個半導(dǎo)體芯片中相鄰的半導(dǎo)體芯片彼此連接的柔性互連件，其中，柔性互連件沒有設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁上，其中，柔性互連件比多個半導(dǎo)體芯片柔軟。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置，其中，再分布線設(shè)置在至少一個鍵合焊盤上。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，其中，至少一個鍵合焊盤設(shè)置在電路層上，所述電路層設(shè)置在多個半導(dǎo)體芯片中的每個的上端中。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置，其中，每個半導(dǎo)體芯片包括設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的至少一個表面上的成型層。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置，其中，成型層設(shè)置在每個半導(dǎo)體芯片的底表面上以及每個半導(dǎo)體芯片的背向間隔區(qū)的側(cè)表面上。