本發(fā)明涉及微帶鐵氧體環(huán)行器，特別是涉及一種表貼式微帶鐵氧體環(huán)行器。

背景技術(shù)：

隨著微波集成電路和微帶天線T/R組件的飛速發(fā)展，通信產(chǎn)品對微帶環(huán)行器有了更高的要求，如何使微帶環(huán)行器體積更小、重量更輕、集成化程度更高、生產(chǎn)成本更低、制作工序更簡便等諸多問題，便成了微帶環(huán)行器研究的熱點。

傳統(tǒng)的微帶鐵氧體環(huán)行器都為嵌入式(Drop-in)結(jié)構(gòu)，微帶鐵氧體環(huán)行器鑲嵌在PCB板上，“T”字型引腳從旋磁鐵氧體基板上表面伸出，然后通過手工焊接或者金絲鍵合將引腳與PCB板上的電路電連接。由于人工焊接效率低、不利于成本控制；金絲鍵合需要增加額外的設(shè)備和工藝，會增加系統(tǒng)集成的成本，所以，這種結(jié)構(gòu)的微帶鐵氧體環(huán)行器已經(jīng)不能適應(yīng)現(xiàn)代化集成技術(shù)的發(fā)展需求。

目前，SMT(Surface Mount Technology，表面貼裝技術(shù))是一種常用的集成技術(shù)，假如能夠?qū)⑵鋺?yīng)用到微帶鐵氧體環(huán)與PCB板組裝工序上，將會產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟效益。

因此有必要提供一種適合表面貼裝的微帶鐵氧體環(huán)行器。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種表貼式微帶鐵氧體環(huán)行器。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：一種表貼式微帶鐵氧體環(huán)行器，包括旋磁鐵氧體基板、設(shè)置在所述旋磁鐵氧體基板上表面的微帶電路及設(shè)置在所述微帶電路上的永磁體，所述旋磁鐵氧體基板設(shè)有貫穿上下表面的通孔或豁口，所述微帶電路的引腳通過所述通孔或所述豁口延伸到所述旋磁鐵氧體基板下表面并在所述旋磁鐵氧體基板的下表面形成貼片區(qū)，所述旋磁鐵氧體基板下表面還設(shè)有接地區(qū)，所述接地區(qū)與所述貼片區(qū)之間設(shè)有隔離帶。

本發(fā)明的有益效果在于：將微帶電路設(shè)置通孔或豁口從旋磁鐵氧體基板上表面延伸到旋磁鐵氧體基板下表面，使得微帶電路的引腳與接地區(qū)處于同一平面，從而讓微帶鐵氧體環(huán)行器和PCB板能夠使用SMT進(jìn)行組裝，大大提高了組裝效率、簡化了生產(chǎn)工序、降低了生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例一的環(huán)行器俯視圖；

圖2為本發(fā)明實施例一的環(huán)行器左視圖；

圖3為本發(fā)明實施例一的環(huán)行器仰視圖；

圖4為本發(fā)明實施例一環(huán)行器隱藏永磁體后的俯視圖；

標(biāo)號說明：

1、磁鐵氧體基板；

2、微帶電路；

21、引腳；

3、永磁體；

4、豁口；

5、貼片區(qū)；

6、接地區(qū)；

7、隔離帶。

具體實施方式

為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、所實現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實施方式并配合附圖予以說明。

本發(fā)明最關(guān)鍵的構(gòu)思在于：設(shè)置通孔或豁口將微帶電路從旋磁鐵氧體基板上表面延伸到旋磁鐵氧體基板下表面，使得微帶電路的引腳與接地區(qū)處于同一平面從而讓微帶鐵氧體環(huán)行器和PCB板能夠使用SMT進(jìn)行組裝。

請參照圖1至圖4，一種表貼式微帶鐵氧體環(huán)行器，包括旋磁鐵氧體基板、設(shè)置在所述旋磁鐵氧體基板上表面的微帶電路及設(shè)置在所述微帶電路上的永磁體，所述旋磁鐵氧體基板設(shè)有貫穿上下表面的通孔或豁口，所述微帶電路的引腳通過所述通孔或所述豁口延伸到所述旋磁鐵氧體基板下表面并在所述旋磁鐵氧體基板的下表面形成貼片區(qū)，所述旋磁鐵氧體基板下表面還設(shè)有接地區(qū)，所述接地區(qū)與所述貼片區(qū)之間設(shè)有隔離帶。

從上述描述可知，本發(fā)明的有益效果在于：將微帶電路設(shè)置通孔或豁口從旋磁鐵氧體基板上表面延伸到旋磁鐵氧體基板下表面，使得微帶電路的引腳與接地區(qū)處于同一平面，從而讓微帶鐵氧體環(huán)行器和PCB板能夠使用SMT進(jìn)行組裝，大大提高了組裝效率、降低了生產(chǎn)成本。

進(jìn)一步的，所述微帶電路通過光刻技術(shù)電鍍形成在所述旋磁鐵氧體基板上。

由上述描述可知，光刻技術(shù)電鍍形成的微帶電路穩(wěn)定性更好、更加耐用。

進(jìn)一步的，所述永磁體通過環(huán)氧樹脂膠合在所述微帶電路上。

由上述描述可知，環(huán)氧樹脂能使永磁體與微帶電路粘合更加牢固可靠。

進(jìn)一步的，所述永磁體的底部為絕緣處理層。

進(jìn)一步的，所述永磁體與所述微帶電路之間還設(shè)有絕緣層。

由上述描述可知，永磁體與微帶電路之間設(shè)置絕緣層或者永磁體底部進(jìn)行絕緣處理能夠避免永磁體對微帶電路產(chǎn)生影響，進(jìn)而影響環(huán)行器性能。

進(jìn)一步的，所述永磁體是圓柱形的稀土永磁體。

進(jìn)一步的，所述旋磁鐵氧體基板是采用鋰鈦鐵氧體制成的。

進(jìn)一步的，所述微帶電路的中心區(qū)域采用雙Y節(jié)圖形。

進(jìn)一步的，所述微帶電路設(shè)有三個引腳。

進(jìn)一步的，所述貼片區(qū)的形狀是矩形。

由上述描述可知，由于PCB板上的貼片區(qū)域大多是矩形的，將微帶電路的貼片區(qū)設(shè)置為矩形有利于提高環(huán)行器與PCB板電連接的可靠性。

實施例一

請參照圖1至圖4，本發(fā)明的實施例一為：如圖1所示，一種表貼式微帶鐵氧體環(huán)行器，包括旋磁鐵氧體基板1、設(shè)置在所述旋磁鐵氧體基板1上表面的微帶電路2及設(shè)置在所述微帶電路2上的永磁體3，所述旋磁鐵氧體基板1設(shè)有貫穿上下表面的豁口4(在其他實施例中可以設(shè)置為通孔)，請結(jié)合圖2和圖3，所述微帶電路2的引腳21通過所述豁口4延伸到所述旋磁鐵氧體基板1下表面并在所述旋磁鐵氧體基板1的下表面形成貼片區(qū)5，所述旋磁鐵氧體基板1下表面還設(shè)有接地區(qū)6，所述接地區(qū)6與所述貼片區(qū)5之間設(shè)有隔離帶7。具體到本實施例，旋磁鐵氧體基板1是介電常數(shù)為15,飽和磁矩Ms約為2200Gs的鋰鈦鐵氧體，旋磁鐵氧體基板1的整體尺寸約為6mm×6mm×3.5mm；所述貼片區(qū)5可以是矩形的,也可以是其他形狀的，以適應(yīng)PCB板貼片區(qū)域；所述微帶電路2設(shè)有三個引腳21，三個所述引腳21通過設(shè)置在旋磁鐵氧體基板1三個不同邊的豁口4延伸到旋磁鐵氧體基板1的下表面。

微帶電路2的尺寸可根據(jù)電磁仿真計算的結(jié)果給出，所述微帶電路2通過光刻技術(shù)電鍍形成在所述旋磁鐵氧體基板1上。如圖4所示，在本實施例中，所述微帶電路2中心區(qū)域的圖形采用雙Y節(jié)設(shè)計，微帶電路2外部是λ/4的外匹配電路，從而使得帶寬增大。

所述永磁體3通過環(huán)氧樹脂膠合在所述微帶電路2上，所述永磁體3是圓柱形的稀土永磁體，優(yōu)選釤鈷永磁體。永磁體3與微帶電路2膠合時，微帶電路2的中點應(yīng)當(dāng)在永磁體3的中心軸上。為了避免永磁體3對微帶電路2產(chǎn)生影響，永磁體3的底部還進(jìn)行絕緣處理，形成絕緣層。當(dāng)然，也可以在所述永磁體3與所述微帶電路2之間直接增加一絕緣層，該絕緣層分別與永磁體3、微帶電路2膠合。

綜上所述，本發(fā)明提供的表貼式微帶鐵氧體環(huán)行器能夠與PCB板進(jìn)行SMT組裝，大大提高了組裝效率、降低了生產(chǎn)成本；光刻技術(shù)電鍍形成的微帶電路穩(wěn)定性更好、更加耐用；永磁體與微帶電路粘合牢固可靠，不會影響環(huán)行器的性能；環(huán)行器與PCB板電連接的可靠性高。

以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等同變換，或直接或間接運用在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。