本申請涉及LED設(shè)計(jì)應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種LED外延層生長方法。

背景技術(shù)：

目前LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)是一種固體照明設(shè)備，因體積小、耗電量低、使用壽命長、高亮度、環(huán)保、堅(jiān)固耐用等優(yōu)點(diǎn)受到廣大消費(fèi)者認(rèn)可，國內(nèi)生產(chǎn)LED的規(guī)模也在逐步擴(kuò)大。市場上對LED亮度和光效的需求與日俱增，如何生長更好的外延片日益受到重視，因?yàn)橥庋訉泳w質(zhì)量的提高，LED器件的性能可以得到提升，LED的發(fā)光效率、壽命、抗老化能力、抗靜電能力、穩(wěn)定性會隨著外延層晶體質(zhì)量的提升而提升。

傳統(tǒng)的LED結(jié)構(gòu)中N電極、P電極不對稱，電流從P電極導(dǎo)向N電極，電流選擇電阻值最低的路徑傳導(dǎo)，造成電流擁擠在靠近N電極的一側(cè)。傳統(tǒng)的LED結(jié)構(gòu)，電流在外延層中傳導(dǎo)是不均勻的，這就造成了LED內(nèi)部電流擁擠，發(fā)光層電流分散不均勻，發(fā)光區(qū)域不均勻，發(fā)光效率受到影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本申請?zhí)峁┝艘环NLED外延層生長方法，引入SiInN/InAlN超晶格電流擴(kuò)展層，使得電子從N電極傳播經(jīng)過N層后被電流擴(kuò)展層擴(kuò)展開來，然后傳導(dǎo)至發(fā)光層和空穴復(fù)合產(chǎn)生光子，通過電子的散播方法，發(fā)光層的電流分布相對變得均勻，發(fā)光效率有一定程度的提升，電流擁擠的情況得到改善，電壓得到一定下降，解決了現(xiàn)有技術(shù)發(fā)光層電流分散的問題。

為了解決上述技術(shù)問題，本申請有如下技術(shù)方案：

一種LED外延層生長方法，其特征在于，依次包括：處理襯底、生長低溫緩沖層GaN、生長不摻雜GaN層、生長摻雜Si的N型GaN層、生長發(fā)光層、生長P型AlGaN層、生長摻雜Mg的P型GaN層、降溫冷卻，

在所述生長摻雜Si的N型GaN層之后、所述生長發(fā)光層之前，還包括：生長SiInN/InAlN超晶格電流擴(kuò)展層，

所述生長SiInN/InAlN超晶格電流擴(kuò)展層，具體為：

保持反應(yīng)腔壓力300mbar-400mbar、保持溫度800℃-900℃，通入流量為30000sccm-60000sccm的NH₃、1000sccm-2000sccm的TMIn、100L/min-130L/min的N₂、1sccm-5sccm的SiH₄，生長厚度為1nm-5nm的SiInN層；

保持反應(yīng)腔壓力300mbar-400mbar、保持溫度800℃-900℃，通入流量為30000sccm-60000sccm的NH₃、100sccm-200sccm的TMAl、100L/min-130L/min的N₂、1000sccm-2000sccm的TMIn，生長厚度為5nm-10nm的SiAlN層；

周期性生長所述SiInN層和所述InAlN層，生長周期為10-20，

生長所述SiInN層和生長所述InAlN層的順序可互換。

優(yōu)選地，其中：

所述處理襯底為：在1000℃-1100℃的H₂氣氛下，通入100L/min-130L/min的H₂，保持反應(yīng)腔壓力100mbar-300mbar，處理藍(lán)寶石襯底8min-10min。

優(yōu)選地，其中：

所述生長低溫緩沖層為：

降低溫度至500℃-600℃，保持反應(yīng)腔壓力300mbar-600mbar，通入流量為10000sccm-20000sccm NH₃、50sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂，在藍(lán)寶石襯底上生長厚度為20nm-40nm的低溫緩沖層GaN。

優(yōu)選地，其中：

所述生長不摻雜GaN層為：

升高溫度到1000℃-1200℃，保持反應(yīng)腔壓力300mbar-600mbar，通入流量為30000sccm-40000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、持續(xù)生長2μm-4μm的不摻雜GaN層。

優(yōu)選地，其中：

所述生長摻雜Si的N型GaN層為：

保持反應(yīng)腔壓力、溫度不變，通入流量為30000sccm-60000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、20sccm-50sccm的SiH₄，持續(xù)生長3μm-4μm摻雜Si的N型GaN，Si摻雜濃度5E18atoms/cm³-1E19atoms/cm³；

保持反應(yīng)腔壓力、溫度不變，通入流量為30000sccm-60000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、2sccm-10sccm的SiH₄，持續(xù)生長200nm-400nm摻雜Si的N型GaN，Si摻雜濃度5E17atoms/cm³-1E18atoms/cm³。

優(yōu)選地，其中：

所述生長發(fā)光層為：

保持反應(yīng)腔壓力300mbar-400mbar、溫度700℃-750℃，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-40sccm的TMGa、1500sccm-2000sccm的TMIn、100L/min-130L/min的N₂，生長摻雜In的厚度為2.5nm-3.5nm的In_xGa_(1-x)N層，x＝0.20-0.25，發(fā)光波長450nm-455nm；

接著升高溫度至750℃-850℃，保持反應(yīng)腔壓力300mbar-400mbar，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的N₂，生長8nm-15nm的GaN層；

重復(fù)In_xGa_(1-x)N的生長，然后重復(fù)GaN的生長，交替生長In_xGa_(1-x)N/GaN發(fā)光層，控制周期數(shù)為7-15個(gè)。

優(yōu)選地，其中：

所述生長P型AlGaN層為：

保持反應(yīng)腔壓力200mbar-400mbar、溫度900℃-950℃，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、30sccm-60sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、100sccm-130sccm的TMAl、1000sccm-1300sccm的Cp₂Mg，持續(xù)生長50nm-100nm的P型AlGaN層，Al摻雜濃度1E20atoms/cm³-3E20atoms/cm³，Mg摻雜濃度1E19atoms/cm³-1E20atoms/cm³。

優(yōu)選地，其中：

所述生長摻雜Mg的P型GaN層為：

保持反應(yīng)腔壓力400mbar-900mbar、溫度950℃-1000℃，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、1000sccm-3000sccm的Cp₂Mg，持續(xù)生長50nm-100nm的摻Mg的P型GaN層，Mg摻雜濃度1E19atoms/cm³-1E20atoms/cm³。

優(yōu)選地，其中：

所述降溫冷卻為：

降溫至650℃-680℃，保溫20min-30min，接著關(guān)閉加熱系統(tǒng)、關(guān)閉給氣系統(tǒng)，隨爐冷卻。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請所述的方法，達(dá)到了如下效果：

本發(fā)明的LED外延層生長方法，與傳統(tǒng)方法相比，在生長摻雜Si的N型GaN層之后、生長發(fā)光層之前，引入生長SiInN/InAlN超晶格電流擴(kuò)展層。利用AlN材料的高能帶作用，電子在傳播過程中遇到AlN高能帶，傳輸受到能壘的阻擋，由于是大量擁擠的電子，AlN只能緩解電子縱向傳播，電子橫向傳輸?shù)玫綌U(kuò)展，InN材料作為勢阱有很低的能帶，具有很強(qiáng)的陷域作用，電子縱向傳播速率進(jìn)一步下降，InN材料厚度到達(dá)納米級將形成很強(qiáng)的二維電子氣，二維電子氣橫向傳播速率非常高，這就為電子橫向擴(kuò)展創(chuàng)造有利的條件，通過本專利發(fā)明的方法生長的LED，電流的分布變得均勻，發(fā)光效率有所增加，電流擁擠的情況得到改善，電壓得到下降。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本申請的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請，并不構(gòu)成對本申請的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明中LED外延層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為對比實(shí)施例中LED外延層的結(jié)構(gòu)示意圖；

其中，1、基板，2、低溫緩沖層GaN，3、U型GaN層，4、N型GaN層，5、電流擴(kuò)展層，5.1、SiInN層，5.2、InAlN層，6、發(fā)光層，6.1、In_xGa₍1-x)N層，6.2、GaN層，7、P型AlGaN層，8、P型GaN層，9、ITO，10、SiO₂，11、P電極P pad，12、N電極N pad。

具體實(shí)施方式

如在說明書及權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解，制造商可能會用不同名詞來稱呼同一個(gè)組件。本說明書及權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準(zhǔn)則。如在通篇說明書及權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包含”為一開放式用語，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接收的誤差范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在一定誤差范圍內(nèi)解決所述技術(shù)問題，基本達(dá)到所述技術(shù)效果。說明書后續(xù)描述為實(shí)施本申請的較佳實(shí)施方式，然所述描述乃以說明本申請的一般原則為目的，并非用以限定本申請的范圍。本申請的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。

實(shí)施例1

本發(fā)明運(yùn)用MOCVD來生長高亮度GaN基LED外延片。采用高純H₂或高純N₂或高純H₂和高純N₂的混合氣體作為載氣，高純NH₃作為N源，金屬有機(jī)源三甲基鎵(TMGa)作為鎵源，三甲基銦(TMIn)作為銦源，N型摻雜劑為硅烷(SiH₄)，三甲基鋁(TMAl)作為鋁源，P型摻雜劑為二茂鎂(CP₂Mg)，襯底為(001)面藍(lán)寶石，反應(yīng)壓力在70mbar到900mbar之間。具體生長方式如下：

一種LED外延層生長方法，外延結(jié)構(gòu)參見圖1，依次包括：處理襯底、生長低溫緩沖層GaN、生長不摻雜GaN層、生長摻雜Si的N型GaN層、生長發(fā)光層、生長P型AlGaN層、生長摻雜Mg的P型GaN層、降溫冷卻，

在所述生長摻雜Si的N型GaN層之后、所述生長發(fā)光層之前，還包括：生長SiInN/InAlN超晶格電流擴(kuò)展層，

所述生長SiInN/SiAlN超晶格電流擴(kuò)展層，具體為：

保持反應(yīng)腔壓力300mbar-400mbar、保持溫度800℃-900℃，通入流量為30000sccm-60000sccm的NH₃、1000sccm-2000sccm的TMIn、100L/min-130L/min的N₂、1sccm-5sccm的SiH₄，生長厚度為1nm-5nm的SiInN層；

保持反應(yīng)腔壓力300mbar-400mbar、保持溫度800℃-900℃，通入流量為30000sccm-60000sccm的NH₃、100sccm-200sccm的TMAl、100L/min-130L/min的N₂、1000sccm-2000sccm的TMIn，生長厚度為5nm-10nm的InAlN層；

周期性生長所述SiInN層和所述InAlN層，生長周期為10-20，

生長所述SiInN層和生長所述InAlN層的順序可互換。

本申請LED外延層的生長中，采用SiInN/InAlN超晶格材料，利用AlN材料的高能帶作用，電子在傳播過程中遇到AlN高能帶，傳輸受到能壘的阻擋，由于是大量擁擠的電子，AlN只能緩解電子縱向傳播，電子橫向傳輸?shù)玫綌U(kuò)展，InN材料作為勢阱有很低的能帶，具有很強(qiáng)的陷域作用，電子縱向傳播速率進(jìn)一步下降，InN材料厚度到達(dá)納米級將形成很強(qiáng)的二維電子氣，二維電子氣橫向傳播速率非常高，這就為電子橫向擴(kuò)展創(chuàng)造有利的條件，通過本專利發(fā)明的方法生長的LED，電流的分布變得均勻，發(fā)光效率有所增加，電流擁擠的情況得到改善，電壓得到下降。

實(shí)施例2

以下提供本發(fā)明LED外延層生長方法的應(yīng)用實(shí)施例，其外延結(jié)構(gòu)參見圖1。運(yùn)用MOCVD來生長高亮度GaN基LED外延片。采用高純H₂或高純N₂或高純H₂和高純N₂的混合氣體作為載氣，高純NH₃作為N源，金屬有機(jī)源三甲基鎵(TMGa)作為鎵源，三甲基銦(TMIn)作為銦源，N型摻雜劑為硅烷(SiH₄)，三甲基鋁(TMAl)作為鋁源，P型摻雜劑為二茂鎂(CP₂Mg)，襯底為(0001)面藍(lán)寶石，反應(yīng)壓力在70mbar到900mbar之間。具體生長方式如下：

步驟101、處理襯底：

在1000℃-1100℃的H₂氣氛下，通入100L/min-130L/min的H₂，保持反應(yīng)腔壓力100mbar-300mbar，處理藍(lán)寶石襯底8min-10min。

步驟102、生長低溫緩沖層：

降低溫度至500℃-600℃，保持反應(yīng)腔壓力300mbar-600mbar，通入流量為10000sccm-20000sccm NH₃、50sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂，在藍(lán)寶石襯底上生長厚度為20nm-40nm的低溫緩沖層GaN。

步驟103、生長不摻雜GaN層：

升高溫度到1000℃-1200℃，保持反應(yīng)腔壓力300mbar-600mbar，通入流量為30000sccm-40000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、持續(xù)生長2μm-4μm的不摻雜GaN層。

步驟104、生長摻雜Si的N型GaN層：

保持反應(yīng)腔壓力、溫度不變，通入流量為30000sccm-60000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、20sccm-50sccm的SiH₄，持續(xù)生長3μm-4μm摻雜Si的N型GaN，Si摻雜濃度5E18atoms/cm³-1E19atoms/cm³；

保持反應(yīng)腔壓力、溫度不變，通入流量為30000sccm-60000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、2sccm-10sccm的SiH₄，持續(xù)生長200nm-400nm摻雜Si的N型GaN，Si摻雜濃度5E17atoms/cm³-1E18atoms/cm³。

本申請中，1E19代表10的19次方也就是1*10¹⁹，以此類推，atoms/cm³為摻雜濃度單位，下同。

步驟105、生長SiInN/InAlN超晶格電流擴(kuò)展層：

保持反應(yīng)腔壓力300mbar-400mbar、保持溫度800℃-900℃，通入流量為30000sccm-60000sccm的NH₃、1000sccm-2000sccm的TMIn、100L/min-130L/min的N₂、1sccm-5sccm的SiH₄，生長厚度為1nm-5nm的SiInN層；

保持反應(yīng)腔壓力300mbar-400mbar、保持溫度800℃-900℃，通入流量為30000sccm-60000sccm的NH₃、100sccm-200sccm的TMAl、100L/min-130L/min的N₂、1000sccm-2000sccm的TMIn，生長厚度為5nm-10nm的InAlN層；

周期性生長所述SiInN層和所述InAlN層，生長周期為10-20，

生長所述SiInN層和生長所述InAlN層的順序可互換。

步驟106、生長發(fā)光層：

保持反應(yīng)腔壓力300mbar-400mbar、溫度700℃-750℃，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-40sccm的TMGa、1500sccm-2000sccm的TMIn、100L/min-130L/min的N₂，生長摻雜In的厚度為2.5nm-3.5nm的In_xGa_(1-x)N層，x＝0.20-0.25，發(fā)光波長450nm-455nm；

接著升高溫度至750℃-850℃，保持反應(yīng)腔壓力300mbar-400mbar，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的N₂，生長8nm-15nm的GaN層；

重復(fù)In_xGa_(1-x)N的生長，然后重復(fù)GaN的生長，交替生長In_xGa_(1-x)N/GaN發(fā)光層，控制周期數(shù)為7-15個(gè)。

步驟107、生長P型AlGaN層：

保持反應(yīng)腔壓力200mbar-400mbar、溫度900℃-950℃，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、30sccm-60sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、100sccm-130sccm的TMAl、1000sccm-1300sccm的Cp₂Mg，持續(xù)生長50nm-100nm的P型AlGaN層，Al摻雜濃度1E20atoms/cm³-3E20atoms/cm³，Mg摻雜濃度1E19atoms/cm³-1E20atoms/cm³。

步驟108、生長摻雜Mg的P型GaN層：

保持反應(yīng)腔壓力400mbar-900mbar、溫度950℃-1000℃，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、1000sccm-3000sccm的Cp₂Mg，持續(xù)生長50nm-100nm的摻Mg的P型GaN層，Mg摻雜濃度1E19atoms/cm³-1E20atoms/cm³。

步驟109、降溫冷卻：

降溫至650℃-680℃，保溫20min-30min，接著關(guān)閉加熱系統(tǒng)、關(guān)閉給氣系統(tǒng)，隨爐冷卻。

實(shí)施例3

以下提供一種常規(guī)LED外延生長方法作為本發(fā)明的對比實(shí)施例。

常規(guī)LED外延的生長方法為(外延層結(jié)構(gòu)參見圖2)：

1、在1000℃-1100℃的H₂氣氛下，通入100L/min-130L/min的H₂，保持反應(yīng)腔壓力100mbar-300mbar，處理藍(lán)寶石襯底8min-10min。

2、降低溫度至500℃-600℃，保持反應(yīng)腔壓力300mbar-600mbar，通入流量為10000sccm-20000sccm NH₃、50sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂，在藍(lán)寶石襯底上生長厚度為20nm-40nm的低溫緩沖層GaN。

3、升高溫度到1000℃-1200℃，保持反應(yīng)腔壓力300mbar-600mbar，通入流量為30000sccm-40000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、持續(xù)生長2μm-4μm的不摻雜GaN層。

4、保持反應(yīng)腔壓力、溫度不變，通入流量為30000sccm-60000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、20sccm-50sccm的SiH₄，持續(xù)生長3μm-4μm摻雜Si的N型GaN，Si摻雜濃度5E18atoms/cm³-1E19atoms/cm³。

5、保持反應(yīng)腔壓力、溫度不變，通入流量為30000sccm-60000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、2sccm-10sccm的SiH₄，持續(xù)生長200nm-400nm摻雜Si的N型GaN，Si摻雜濃度5E17atoms/cm³-1E18atoms/cm³。

6、保持反應(yīng)腔壓力300mbar-400mbar、溫度700℃-750℃，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-40sccm的TMGa、1500sccm-2000sccm的TMIn、100L/min-130L/min的N₂，生長摻雜In的厚度為2.5nm-3.5nm的In_xGa_(1-x)N層，x＝0.20-0.25，發(fā)光波長450nm-455nm；

接著升高溫度至750℃-850℃，保持反應(yīng)腔壓力300mbar-400mbar，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的N₂，生長8nm-15nm的GaN層；

重復(fù)In_xGa_(1-x)N的生長，然后重復(fù)GaN的生長，交替生長In_xGa_(1-x)N/GaN發(fā)光層，控制周期數(shù)為7-15個(gè)。

7、保持反應(yīng)腔壓力200mbar-400mbar、溫度900℃-950℃，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、30sccm-60sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、100sccm-130sccm的TMAl、1000sccm-1300sccm的Cp₂Mg，持續(xù)生長50nm-100nm的P型AlGaN層，Al摻雜濃度1E20atoms/cm³-3E20atoms/cm³，Mg摻雜濃度1E19atoms/cm³-1E20atoms/cm³。

8、保持反應(yīng)腔壓力400mbar-900mbar、溫度950℃-1000℃，通入流量為50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂、1000sccm-3000sccm的Cp₂Mg，持續(xù)生長50nm-100nm的摻Mg的P型GaN層，Mg摻雜濃度1E19atoms/cm³-1E20atoms/cm³。

9、降溫至650℃-680℃，保溫20min-30min，接著關(guān)閉加熱系統(tǒng)、關(guān)閉給氣系統(tǒng)，隨爐冷卻。

在同一機(jī)臺上，根據(jù)常規(guī)的LED的生長方法(對比實(shí)施例的方法)制備樣品1，根據(jù)本專利描述的方法制備樣品2；樣品1和樣品2外延生長方法參數(shù)不同點(diǎn)在于本發(fā)明在生長摻雜Si的N型GaN層后引入生長生長SiInN/InAlN超晶格電流擴(kuò)展層的步驟，即實(shí)施例2中的步驟105，生長其它外延層的生長條件完全一樣。

樣品1和樣品2在相同的前工藝條件下鍍ITO層約150nm，相同的條件下鍍Cr/Pt/Au電極約1500nm，相同的條件下鍍保護(hù)層SiO₂約100nm，然后在相同的條件下將樣品研磨切割成635μm*635μm(25mil*25mil)的芯片顆粒，然后樣品1和樣品2在相同位置各自挑選100顆晶粒，在相同的封裝工藝下，封裝成白光LED。然后采用積分球在驅(qū)動(dòng)電流350mA條件下測試樣品1和樣品2的光電性能。

表1為樣品1和樣品2生長參數(shù)對比表，表2為樣品1和樣品2的電性參數(shù)對比表。

表1生長參數(shù)的對比表

表2樣品1、2產(chǎn)品電性參數(shù)的比較

通過表2的數(shù)據(jù)對比可看出，樣品2與樣品1相比，亮度從130.15Lm/w提高到了146.55Lm/w，電壓從3.15V降低到3.04V，其他參數(shù)變化不大。因此可得出以下結(jié)論：

通過本專利提供的生長方法，LED光效提升，亮度明顯提高，LED電壓下降，其他各項(xiàng)LED電性參數(shù)變化不大。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)證明了本專利的方案能顯著提升LED產(chǎn)品光效的可行性。

通過以上各實(shí)施例可知，本申請存在的有益效果是：

本發(fā)明的LED外延層生長方法，與傳統(tǒng)方法相比，在生長摻雜Si的N型GaN層之后、生長發(fā)光層之前，引入生長SiInN/InAlN超晶格電流擴(kuò)展層。利用AlN材料的高能帶作用，電子在傳播過程中遇到AlN高能帶，傳輸受到能壘的阻擋，由于是大量擁擠的電子，AlN只能緩解電子縱向傳播，電子橫向傳輸?shù)玫綌U(kuò)展，InN材料作為勢阱有很低的能帶，具有很強(qiáng)的陷域作用，電子縱向傳播速率進(jìn)一步下降，InN材料厚度到達(dá)納米級將形成很強(qiáng)的二維電子氣，二維電子氣橫向傳播速率非常高，這就為電子橫向擴(kuò)展創(chuàng)造有利的條件，通過本專利發(fā)明的方法生長的LED，電流的分布變得均勻，發(fā)光效率有所增加，電流擁擠的情況得到改善，電壓得到下降。

本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本申請的實(shí)施例可提供為方法、裝置、或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本申請可采用完全硬件實(shí)施例、完全軟件實(shí)施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實(shí)施例的形式。而且，本申請可采用在一個(gè)或多個(gè)其中包含有計(jì)算機(jī)可用程序代碼的計(jì)算機(jī)可用存儲介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲器、CD-ROM、光學(xué)存儲器等)上實(shí)施的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。

上述說明示出并描述了本申請的若干優(yōu)選實(shí)施例，但如前所述，應(yīng)當(dāng)理解本申請并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識進(jìn)行改動(dòng)。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本申請的精神和范圍，則都應(yīng)在本申請所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。