各個(gè)實(shí)施例通常涉及一種半導(dǎo)體器件以及一種形成該半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)：

通常，可以以半導(dǎo)體技術(shù)在襯底(也稱作晶片或載片)上和/或中處理半導(dǎo)體器件。襯底可以包括多個(gè)半導(dǎo)體器件(例如芯片)，在襯底的對應(yīng)區(qū)域中處理或者安裝多個(gè)半導(dǎo)體器件。為了制造這些半導(dǎo)體器件，形成某些層和層堆疊，例如電互聯(lián)、阻擋層和有源區(qū)域。

傳統(tǒng)地，某些層組合和/或材料組合要求相互擴(kuò)散分離，例如如果它們傾向于相互反應(yīng)。擴(kuò)散分離可以由阻擋層提供。然而，在處理期間，較高的溫度可以增大原子的活性和/或遷移率，從而阻擋層通常要求高完整性以防止在相應(yīng)層之間擴(kuò)散。在處理期間可能產(chǎn)生的阻擋層中的缺陷可以削弱阻擋層的完整性，并且可以允許穿過阻擋層相互擴(kuò)散。這可以使得層的功能(例如它們用于提供低電阻連接的能力)惡化，或者可以破壞半導(dǎo)體器件。借由示例的方式，在形成阻擋層期間，表面污染物可以在阻擋層中誘發(fā)孔洞，示意性地用作相互擴(kuò)散柵閘。此外，阻擋層地某一缺陷密度可以隨著層之間相互擴(kuò)散區(qū)域增大而降低阻擋層的可靠性。借由示例的方式，增大接觸焊盤與有源區(qū)域之間的界面區(qū)域可以導(dǎo)致所制造半導(dǎo)體器件故障率的增大。

在半導(dǎo)體器件的處理期間和/或在半導(dǎo)體器件的可靠性測試期間，可以對半導(dǎo)體器件施加高溫，例如大于約200℃，例如大于約400℃。這可以增大半導(dǎo)體器件中材料的擴(kuò)散活性，增大了在處理或測試期間破壞半導(dǎo)體器件的風(fēng)險(xiǎn)。

傳統(tǒng)地，可以通過增大阻擋層的數(shù)目，例如通過形成多層阻擋層而提高阻擋層的可靠性。多層阻擋層要求更高的努力，更多處理時(shí)間，以及額外的材料，這可以增大制造成本。

多層阻擋層的可靠性也可以隨著增大互相擴(kuò)散區(qū)域面積而降低。此外，由表面污染物引起的缺陷可以延伸穿過多層阻擋層的所有層，并且因此無法通過增大阻擋層數(shù)目而減少。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，一種器件可以包括：半導(dǎo)體區(qū)域；沉積在半導(dǎo)體區(qū)域之上的金屬化層；以及布置在金屬化層和半導(dǎo)體區(qū)域之間的自組阻擋層，其中自組阻擋層包括被配置用于與金屬化層自離析(self-segregating)的第一金屬。

附圖說明

在附圖中，遍及不同視圖，相同的附圖標(biāo)記通常涉及相同的部件。附圖無需按照比例，替代地通常強(qiáng)調(diào)的是示出本發(fā)明的原理。在以下說明書中，參照附圖描述本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，其中：

圖1A和圖1B以示意性剖視圖或側(cè)視圖分別示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件；

圖2A和圖2B以示意性剖視圖或側(cè)視圖分別示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件；

圖3A和圖3B以示意性剖視圖或側(cè)視圖分別示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件；

圖4A和圖4B分別示出了示意圖；

圖5A和圖5B分別示出了示意圖；

圖6A和圖6B分別示出了示意圖；

圖7A和圖7B分別示出了示意圖；

圖8A和圖8B分別示出了示意圖；

圖9A和圖9B分別示出了示意圖；

圖10A和圖10B分別示出了示意圖；

圖11示出了示意圖；

圖12以示意性剖視圖或側(cè)視圖示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件；

圖13以示意性剖視圖或側(cè)視圖示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件；

圖14以示意性剖視圖或側(cè)視圖示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件；

圖15以示意性流程圖示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法；

圖16以示意性流程圖示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法；

圖17A和圖17B以示意性剖視圖或側(cè)視圖分別示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件；以及

圖18A和圖18B以示意性剖視圖或側(cè)視圖分別示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件。

具體實(shí)施方式

以下詳細(xì)說明書涉及附圖，其借由示意的方式示出了其中可以實(shí)施本發(fā)明的具體細(xì)節(jié)和實(shí)施例。

詞語“示例性”在此用于意味著“用作示例、實(shí)例或說明”。在此描述為“示例性”的任何實(shí)施例或設(shè)計(jì)不必構(gòu)造為在其他實(shí)施例或設(shè)計(jì)之上的優(yōu)選或有利的。

相對于形成在側(cè)邊或表面“之上”的沉積材料而使用的詞語“在……之上”可以在此用于意味著沉積的材料可以“直接地”形成在所指的側(cè)邊或表面上，例如與其直接接觸。在此相對于形成在側(cè)邊或表面“之上”的沉積材料所使用的詞語“在……之上”可以在此用于意味著所沉積的材料可以“間接地”形成在所指側(cè)邊或表面上，其中一個(gè)或多個(gè)額外層設(shè)置在所指側(cè)邊或表面與所沉積材料之間。

相對于結(jié)構(gòu)(或襯底、晶片或載體)的“橫向”延伸或“橫向地”緊貼所使用的術(shù)語“橫向”可以在此用于意味著沿著襯底、晶片或載體表面的延伸或定位相互關(guān)系。這意味著襯底的表面(例如載體的表面，或晶片的表面)可以用作參考，通常稱作襯底的主處理表面(或載體或晶片的主處理表面)。此外，相對于結(jié)構(gòu)(或結(jié)構(gòu)元件)的“寬度”使用的術(shù)語“寬度”可以用于在此意味著結(jié)構(gòu)的橫向延伸。此外，相對于結(jié)構(gòu)(或結(jié)構(gòu)元件)的高度使用的術(shù)語“高度”可以在此用于意味著沿著垂直于襯底表面(例如垂直于襯底的主處理表面)的方向結(jié)構(gòu)的延伸。相對于層“厚度”所使用的術(shù)語“厚度”可以在此用于意味著垂直于其上沉積層的支座(材料)的表面的層的空間延伸。如果支座的表面平行于襯底的表面(例如平行于主處理表面)，沉積在支座上層的“厚度”可以與層的高度相同。此外，“垂直”結(jié)構(gòu)可以稱作沿垂直于橫向方向(例如垂直于襯底的主襯底表面)的方向延伸的結(jié)構(gòu)，并且“垂直”延伸可以稱作沿著垂直于橫向方向的延伸(例如垂直于襯底的主處理表面的延伸)。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括在半導(dǎo)體器件制造期間(換言之，在用于形成半導(dǎo)體器件的方法中)所形成的一個(gè)或多個(gè)集成電路結(jié)構(gòu)(也稱作半導(dǎo)體芯片，IC，芯片，或微芯片)?？梢栽谝r底的對應(yīng)區(qū)域(也稱作有源芯片區(qū)域)中的襯底之上和/或襯底之中利用各種半導(dǎo)體處理技術(shù)至少部分地處理集成電路結(jié)構(gòu)。集成電路結(jié)構(gòu)可以包括一個(gè)或更多(例如多個(gè))半導(dǎo)體電路元件。一個(gè)或更多(例如多個(gè))半導(dǎo)體電路元件可以被電互連并配置用于在完全已處理的集成電路結(jié)構(gòu)中(例如在功率電子器件中)在晶體管、電阻器、電容器中的至少一個(gè)處執(zhí)行操作。該操作例如是計(jì)算操作、開關(guān)操作、整流操作、或存儲(chǔ)操作的至少一個(gè)。在其他半導(dǎo)體器件制造中，在通過晶片劃片以從多個(gè)半導(dǎo)體器件提供多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體器件(也稱作半導(dǎo)體芯片)的半導(dǎo)體器件處理之后可以從襯底(也稱作晶片或載體)劃片分出多個(gè)半導(dǎo)體器件。此外，半導(dǎo)體器件制造的最終階段可以包括已劃片半導(dǎo)體器件的封裝(也稱作組裝，包裝或密封)，其中已劃片分出的半導(dǎo)體器件可以例如包入支撐材料(也稱作模塑材料或封裝材料)中以防止半導(dǎo)體器件的物理損傷和/或腐蝕。支撐材料包圍半導(dǎo)體器件(示意性地，形成封裝或模塑)并且可以可選地支持電接觸和/或引線框架以將半導(dǎo)體器件連接至外圍裝置，例如連接至電路板。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，在半導(dǎo)體器件制造期間，可以處理各種材料類型以形成以下項(xiàng)中至少一個(gè)：集成電路結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體電路元件、接觸焊盤、電互連，其可以是電絕緣材料、半導(dǎo)電材料(也稱作半導(dǎo)體材料)或?qū)щ姴牧?也稱作電導(dǎo)材料)。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，襯底(也稱作載體或晶片)可以包括各種類型的至少一個(gè)半導(dǎo)體材料或者由各種類型的至少一個(gè)半導(dǎo)體材料形成，至少一個(gè)半導(dǎo)體材料例如包括IV族半導(dǎo)體(例如硅(Si)或鍺(Ge))、III-V族半導(dǎo)體(例如砷化鎵)、或其他半導(dǎo)體類型。該其他半導(dǎo)體類型包括III族半導(dǎo)體、V族半導(dǎo)體或聚合物。在各個(gè)實(shí)施例中，襯底由(摻雜或未摻雜)硅制成，在備選實(shí)施例中，襯底是絕緣體上硅(SOI)晶片。作為備選例，任何其他合適的半導(dǎo)體材料可以用于襯底，例如半導(dǎo)體化合物材料諸如磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)，但是也可以是任何合適的三元半導(dǎo)體化合物材料或四元半導(dǎo)體化合物材料諸如砷化銦鎵(InGaAs)。

半導(dǎo)體材料、層、區(qū)域等可以理解為具有適中的導(dǎo)電率，例如在從約10^-6S/m至約10⁶S/m的范圍中的導(dǎo)電率(在室溫和恒定電場方向、例如恒定電場下測得)。導(dǎo)電材料、層、區(qū)域等可以理解為具有高導(dǎo)電率，例如大于約10⁶S/m、例如大于約10⁷S/m的導(dǎo)電率(在室溫和恒定電場方向、例如恒定電場下測得)。電絕緣材料、層、區(qū)域等可以理解為低導(dǎo)電率，例如小于約10^-6S/m、例如小于約10^-10S/m的導(dǎo)電率(在室溫和恒定電場方向、例如恒定電場下測得)。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，金屬涉及化學(xué)元素(例如非金屬，過渡金屬，后過渡金屬，堿金屬或堿土金屬)，諸如鎢(W)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、鋅(Zn)、錫(Sn)、金(Au)、銀(Ag)、銥(Ir)、鉑(Pt)、銦(In)、鎘(Cd)、鉍(Bi)、釩(V)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、或鋯(Zr)。

金屬合金可以包括至少兩種金屬(例如兩種或多于兩種金屬，例如在金屬化合物的情形中)或至少一種金屬(例如一種或多于一種金屬)以及至少一種其他化學(xué)元素(例如非金屬或半金屬)。例如，金屬合金可以包括或者可以由至少一種金屬與至少一種非金屬(例如碳(C)或氮(N))形成，例如在鋼或氮化物的情形中。例如，金屬合金可以包括或者可以由多于一種金屬(例如兩種或更多金屬)形成，例如金與鋁的各種合成物，銅與鋁的各種合成物，銅和鋅的各種合成物(例如“黃銅”)，或者銅和錫的各種合成物(例如“青銅”)，例如包括各種金屬化合物。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件可以包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。半導(dǎo)體器件可以進(jìn)一步包括金屬化層，例如包括銅或者由銅形成。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，可以由自組阻擋層減小至少一個(gè)阻擋層中潛在的缺陷。示意性的，自組阻擋層可以提供密封缺陷，從而可以提高擴(kuò)散分離可靠性的能力。自組阻擋層可以替代于或者與傳統(tǒng)阻擋層結(jié)合使用。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，金屬化層可以包括自離析合成物或者由自離析合成物形成，例如包括一種或多于一種化學(xué)元素的合成物，例如一種或多種金屬。例如，可以通過將自離析合金元素(例如錳)加入金屬化層、例如銅金屬化層中而提高阻擋層在其下穩(wěn)定的溫度(分解溫度)。錳可以在更高溫度下從銅離析并且可以在銅金屬化層和半導(dǎo)體材料(例如Si)之間形成自組阻擋層。借由示例的方式，如果傳統(tǒng)的阻擋層包括缺陷，可以由錳減小或者甚至基本上消除銅擴(kuò)散至半導(dǎo)體材料中，并且需要遠(yuǎn)遠(yuǎn)更高的溫度以激活。示意性地，錳可以密封傳統(tǒng)阻擋層中的缺陷。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，可以增加半導(dǎo)體器件的壽命，并且可以減小或甚至基本上消除缺陷引起的半導(dǎo)體器件的退化(例如在傳統(tǒng)的阻擋層中)。

金屬化層例如接觸焊盤(例如包括銅)可以包括合金元素(也稱作自離析合金元素)，其配置用于例如通過溫度激活的自離析而擴(kuò)散至金屬化層的表面。備選地或額外地，合金元素與半導(dǎo)體材料(例如硅)反應(yīng)、例如形成半導(dǎo)體材料的二元金屬化合物(例如硅化物)的趨勢可以配置為低，例如最小。因此，可以由合金元素抑制在與半導(dǎo)體材料的界面處的反應(yīng)。為了減小合金元素與半導(dǎo)體材料反應(yīng)趨勢，合金元素的負(fù)電性可以小于宿主材料或半導(dǎo)體材料的至少一個(gè)的負(fù)電性。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，區(qū)域或材料(例如其中化學(xué)元素)的負(fù)電性可以理解為描述了區(qū)域或材料的原子朝向自身吸引電子(或電子密度)的趨勢的化學(xué)屬性。負(fù)電性可以由其(區(qū)域或材料的)原子數(shù)以及其價(jià)電子與帶電核的距離而影響。區(qū)域或材料的相關(guān)聯(lián)負(fù)電性越高，區(qū)域或材料的化學(xué)元素或化合物朝向其吸引越多電子。

離析可以理解為材料成分(例如自離析合金元素)在材料表面例如自由表面或內(nèi)表面處的富集。成分可以從材料中心區(qū)域遷移至材料的外圍區(qū)域。遷移可以由溫度、例如在室溫之上而激活。

自離析合金元素可以布置在宿主材料中(例如與其混合)以形成自離析合成物。自偏向合成物可以是亞穩(wěn)態(tài)合成物，例如在平衡溶解度之上和/或在可混溶間隙內(nèi)。例如，自離析合金元素可以可溶于宿主材料中直至平衡溶解度，其中自離析合成物可以包括大于平衡溶解度的自離析合金元素的濃度。

合金元素和宿主材料可以在以下至少一個(gè)方面相互不同：體晶體結(jié)構(gòu)(例如在從約室溫至約離析溫度的范圍中，例如至約400℃)，多于15％的原子半徑，多于15％的負(fù)電性。

此外，自離析合成物可以包括多于一個(gè)相、共晶、可混溶間隙的至少一個(gè)。

圖1A和圖1B以示意性剖視圖或側(cè)視圖示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中、根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件。

方法可以包括100a，在半導(dǎo)體區(qū)域102之上形成金屬化層104。金屬化層104可以包括自離析合成物102a、104h或者由自離析合成物102a、104h形成。物理氣相沉積(例如濺射)可以用于形成金屬化層104。

自離析合成物可以包括宿主材料與合金元素104a或者由宿主材料與合金元素104a(自離析合金元素104a)形成。合金元素104a可以包括第一金屬或者由第一金屬形成。備選地或額外地，宿主材料可以包括例如不同于第一金屬的第二金屬或者由第二金屬形成。

自離析合成物102a、104h可以化學(xué)計(jì)量地布置。備選地或額外地，自離析合成物102a、104h可以包括化學(xué)計(jì)量不同的交替子層或者由化學(xué)計(jì)量不同的交替子層形成(例如富含合金元素或富含宿主材料)。

在示意圖151a中，合金元素104a的濃度104c(例如原子濃度)示出為在激活離析之前在垂直位置105之上。金屬化層104中合金元素104a的濃度104c可以是在金屬化層104中基本上均勻(例如小于30％變化)、或大于半導(dǎo)體區(qū)域102中合金元素104a的濃度104c的至少一個(gè)。

金屬化層104可以物理地接觸半導(dǎo)體區(qū)域102，例如在界面110處。備選地或額外地，至少一個(gè)其他阻擋層可以形成在金屬化層104和半導(dǎo)體區(qū)域102之間(參見圖2A)。

方法可以包括，在100b中，激活來自自離析合成物104a、104h的合金元素104a的離析，以在金屬化層104(例如宿主材料104h)和半導(dǎo)體區(qū)域102(例如半導(dǎo)體材料412)之間形成自組阻擋層106。激活離析可以包括激活合金元素104a沿金屬化層104和半導(dǎo)體區(qū)域102之間界面110的方向的遷移104m。備選地或額外地，激活離析可以包括減小金屬化層104中合金元素104a的濃度(例如空間平均的)。備選地或額外地，激活離析可以包括在金屬化層104(例如宿主材料104h)和半導(dǎo)體區(qū)域102(例如半導(dǎo)體材料412)之間富集合金元素104a。

在示意圖151b中，合金元素104a的濃度104c(例如原子濃度)在激活離析之后在垂直位置105之上示出。金屬化層104中合金元素104a的濃度104c可以是以下項(xiàng)中至少一個(gè)：大于半導(dǎo)體區(qū)域102中合金元素104a的濃度104c、或者大于金屬化層104中合金元素104a的濃度104c。

在激活離析之前的金屬化層104中(例如自離析合成物中)合金元素104a的濃度(第一濃度，例如空間平均的濃度)可以大于在激活離析之后金屬化層104中(例如自離析合成物中)合金元素104a的濃度(第二濃度，例如空間平均的濃度)。備選地或額外地，第一濃度或第二濃度中的至少一個(gè)可以小于自組阻擋層106中合金元素104a的濃度(第三濃度，例如空間平均的濃度)。

第一濃度(例如空間平均的濃度)可以在從約0.5原子百分比(at％)至約50at％范圍中，例如在從約1at％至約40at％范圍中，例如在從約2at％至約30at％范圍中，例如在從約5at％至約25at％范圍中，例如在從約5at％至約20at％范圍中，例如約10at％。

備選地或額外地，金屬化層104中自離析合成物中自離析合成物的濃度可以大于約70at％，例如大于約80at％，例如大于約90at％，例如大于約95at％，例如大于約99at％，例如約100at％。換言之，金屬化層104可以基本上由自離析合成物形成。

第二濃度(例如空間平均的)可以小于約50at％，例如小于約40at％，例如小于約30at％，例如小于約20at％，例如小于約10at％，例如小于約5at％，例如小于約2at％，例如小于約0.5at％，例如小于約0.1at％。

第三濃度(例如空間平均的)106可以大于約70at％，例如大于約80at％，例如大于約90at％，例如大于約95at％，例如大于約99at％，例如約100at％。換言之，自離析阻擋層106可以基本上由合金元素104a形成。

備選地或額外地，自組阻擋層106可以基本上由包括合金元素104a的化合物(也稱作阻擋層化合物)與半導(dǎo)體區(qū)域的半導(dǎo)體(也稱作半導(dǎo)體材料)形成。換言之，自組阻擋層106中至少一種阻擋層化合物(或者阻擋層化合物與合金元素104a的總和)的濃度可以大于約70at％，例如大于約80at％，例如大于約90at％，例如大于約95at％，例如大于約99at％，例如約100at％。例如，阻擋層化合物可以包括半導(dǎo)體材料的二元金屬化合物(例如硅化物)或者由其形成。

合金元素104a可以包括錳、鉭、鉻、鎢和/或鉬中的至少一種或者由錳、鉭、鉻、鎢和/或鉬中的至少一種形成。

金屬化層104的厚度104t(例如在激活離析之前或激活離析之后的至少一個(gè))可以大于自組阻擋層層106的厚度106t的約十倍，例如大于自組阻擋層106的厚度106t的約二十倍，例如大于自組阻擋層106的厚度106t的約三十倍，例如大于自組阻擋層106的厚度106t的約五十倍，例如大于自組阻擋層106的厚度106t的一百倍。

金屬化層104的厚度104t可以在激活離析期間可以減小。換言之，在激活離析之前金屬化層104的厚度104t可以大于激活離析之后金屬化層104的厚度104t。

自組阻擋層106的厚度106t在激活離析期間增大。

此外，自組阻擋層106的厚度106t可以在從約1納米(nm)至約50nm的范圍中，例如在從約1nm至約20nm的范圍中，例如大于約2nm，例如大于約5nm，和/或小于約15nm，例如小于約10nm。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，金屬化層104的厚度104t可以在從約100nm至約1微米(μm)的范圍中，例如大于約200nm，例如大于約250nm，和/或小于約0.75μm，例如小于0.5μm。

備選地或額外地，激活離析可以包括在金屬化層104中形成指向半導(dǎo)體區(qū)域102方向的合金元素104a的濃度梯度。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，自組阻擋層106可以與金屬化層104或半導(dǎo)體區(qū)域102的至少一個(gè)物理接觸。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，可以配置合金元素104a或自組合成物104a、104h中的至少一個(gè)，從而來自金屬化層104(例如宿主材料104h)的合金元素104a的離析以比金屬化層104(例如宿主材料104h)與半導(dǎo)體區(qū)域102(例如半導(dǎo)體材料)反應(yīng)更低的溫度開始。換言之，激活來自金屬化層的合金元素的離析的溫度(也稱作離析溫度)可以小于激活金屬化層104(例如宿主材料104h)與半導(dǎo)體區(qū)域102(例如半導(dǎo)體材料)反應(yīng)的溫度(也稱作反應(yīng)溫度)。

備選地或額外地，可以配置合金元素104a或自組合成物104a、104h中的至少一個(gè)，從而自組阻擋層106的層形成速率(單位時(shí)間厚度106t)大于由金屬化層104(例如宿主材料104h)與半導(dǎo)體區(qū)域102(例如半導(dǎo)體材料)的反應(yīng)所驅(qū)動(dòng)的層形成速率。換言之，合金元素104a可以配置以比金屬化層104(例如宿主材料104h)與半導(dǎo)體區(qū)域102(例如半導(dǎo)體材料)的化學(xué)反應(yīng)更快地從金屬化層104(例如宿主材料104h)離析。

離析溫度可以小于約400℃，例如小于約350℃，例如小于約300℃，例如小于約250℃，例如小于約200℃，例如小于約190℃，例如小于約180℃，例如小于約170℃，例如小于約160℃，例如小于約150℃，備選地或額外地(和/或)，大于約室溫，例如大于約100℃。

方法可以包括，在100b中，加熱金屬化層104至比用于激活合金元素104a從金屬化層104(例如宿主材料104h)離析的離析溫度更大的溫度。

圖2A和圖2B以剖視圖或側(cè)視圖示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中、根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件。

方法可以包括，在200a中，在金屬化層104和半導(dǎo)體區(qū)域102之間形成至少一個(gè)其他阻擋層204(換言之，一個(gè)或多個(gè)其他阻擋層204)。金屬化層104可以形成在至少一個(gè)其他阻擋層204之上。

至少一個(gè)其他阻擋層204可以包括阻擋層堆疊或者由阻擋層堆疊形成。例如，可以使用物理氣相沉積(PVD)(例如濺射)或化學(xué)氣相沉積(CVD)中的至少一種形成至少一個(gè)其他阻擋層204。

至少一個(gè)其他阻擋層204可以包括鈦或鎢的至少一種或者由鈦或鎢的至少一種形成。

借由示例的方式，至少一個(gè)其他阻擋層204可以包括以下層中的至少一個(gè)或者由以下層中的至少一個(gè)形成：包括鈦和鎢或者由鈦和鎢(例如通過PVD)形成的第一阻擋層，包括鎢或由鎢(例如通過CVD)形成的第二阻擋層，以及包括鈦和鎢或由鈦和鎢(例如通過PVD)形成的第三阻擋層。借由示例的方式，第二阻擋層可以布置在第一和第三阻擋層之間。

如果至少一個(gè)其他阻擋層204包括一個(gè)或多個(gè)缺陷204d，至少一個(gè)其他阻擋層204的離析效率可以在一個(gè)或多個(gè)缺陷204d中減小。借由示例的方式，一個(gè)或多個(gè)缺陷204d可以包括一個(gè)或多個(gè)開口或者由一個(gè)或多個(gè)開口形成，至少一個(gè)金屬化層104(例如宿主材料104h)可以通過一個(gè)或多個(gè)開口物理地接觸半導(dǎo)體區(qū)域102，宿主材料104h通過其遷移、或者半導(dǎo)體材料412通過其遷移。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，方法可以包括，在200b，通過在一個(gè)或多個(gè)缺陷204d中或在一個(gè)或多個(gè)缺陷204d上中的至少一種從金屬化層104離析合金元素104a，密封(也稱作修復(fù))一個(gè)或多個(gè)缺陷204d。自組阻擋層106可以包括合金元素104a或阻擋層化合物的至少一個(gè)或者由合金元素104a或阻擋層化合物的至少一個(gè)形成。自組阻擋層106可以形成在一個(gè)或多個(gè)缺陷204d中和/或形成在一個(gè)或多個(gè)缺陷204d上。

可以如前所述，例如通過在離析溫度之上加熱金屬化層104而激活離析。

自組阻擋層106可以物理接觸金屬化層104、至少一個(gè)其他阻擋層160或半導(dǎo)體區(qū)域102中的至少一個(gè)。自組阻擋層106或至少一個(gè)其他阻擋層204中的至少一個(gè)可以從半導(dǎo)體區(qū)域102分離金屬化層104(例如宿主材料104h)。

圖3A和圖3B以示意性剖視圖或側(cè)視圖示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中、根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件。

半導(dǎo)體區(qū)域102可以是晶片、例如硅晶片的一部分。

方法可以包括，在300a和在300b中，清潔半導(dǎo)體區(qū)域102，例如通過化學(xué)濕法刻蝕。備選地或額外地，方法可以包括在300a和在300b中暴露半導(dǎo)體區(qū)域102的半導(dǎo)體材料412，例如通過從半導(dǎo)體區(qū)域102移除半導(dǎo)體材料的原生氧化物。借由示例的方式，暴露半導(dǎo)體材料可以包括等離子體刻蝕(例如在氬氣中)或?yàn)R射刻蝕(也稱作濺射-預(yù)清潔)的至少一個(gè)。

方法可以進(jìn)一步包括，在300a中，在半導(dǎo)體區(qū)域102(例如沒有合金元素104a)上形成金屬化層104，例如由銅形成，例如通過在半導(dǎo)體區(qū)域102上濺射銅。

方法可以進(jìn)一步包括，在300b中，在半導(dǎo)體區(qū)域102上形成金屬化層104，例如由銅-錳合金形成，例如通過在半導(dǎo)體區(qū)域102上濺射銅-錳合金。銅-錳合金中錳的濃度可以約為10at％。

方法可以包括，在300a和300b中，加熱半導(dǎo)體器件，例如用于進(jìn)一步處理。在加熱半導(dǎo)體器件期間，化學(xué)分析(例如次級離子質(zhì)譜法)可以揭示離析溫度或反應(yīng)溫度中的至少一個(gè)。備選地或額外地，電阻率測量可以揭示布置在金屬化層104和半導(dǎo)體區(qū)域102之間形成二元金屬化合物(例如硅化物)的形成，并且因此可以指示反應(yīng)溫度。

圖4A和圖4B分別示出了視圖400a，其示出了通過次級離子質(zhì)譜法對包括在金屬化層104和半導(dǎo)體區(qū)域102之間界面110(由在其針對定向的估計(jì)位置處的線條標(biāo)記)的區(qū)域的化學(xué)分析。視圖400a示出了強(qiáng)度參數(shù)402，其表示次級電子的計(jì)數(shù)，強(qiáng)度參數(shù)402指示隨著表示深度位置105的濺射時(shí)間參數(shù)404的濃度(例如原子濃度)。

方法可以包括在半導(dǎo)體區(qū)域12之上布置金屬化層104。金屬化層104可以包括宿主材料104h或者由宿主材料104h形成。半導(dǎo)體區(qū)域102可以包括半導(dǎo)體材料412或者由半導(dǎo)體材料412形成。金屬化層104和半導(dǎo)體區(qū)域102可以沒有任何相互擴(kuò)散，如由在界面110處濃度402的急劇降低所示。金屬化層104可以基本上不含半導(dǎo)體區(qū)域102的半導(dǎo)體材料412。半導(dǎo)體區(qū)域102可以基本上不含宿主材料104h。

方法可以包括在180℃加熱金屬化層104達(dá)45分鐘(如圖400b中所示)。如從比較結(jié)果可見，靠近界面110的宿主材料104h的濃度可以由于宿主材料104h和半導(dǎo)體材料412的溫度激活的互擴(kuò)散而增大。換言之，金屬化層104和半導(dǎo)體區(qū)域102可以部分地相互擴(kuò)散，由界面110處濃度402的變寬下降所示。

圖5A和圖5B分別示出了示意圖，類似于圖4A和圖4B。

如圖5A中視圖500a所示，方法可以包括在180℃加熱金屬化層104達(dá)90分鐘。如從比較結(jié)果可見，半導(dǎo)體材料412可以遷移至金屬化層104中，并且宿主材料104h可以遷移至半導(dǎo)體區(qū)域102中。線條502可以表示半導(dǎo)體材料412與宿主材料104h的反應(yīng)產(chǎn)物502(也稱作反應(yīng)化合物502)，例如半導(dǎo)體材料的二元金屬化合物(例如硅化銅)。這可以指示靠近界面110而開始的化學(xué)反應(yīng)。反應(yīng)化合物502的形成也可以指示靠近界面110的宿主材料104h濃度402的雙倍最大值。這指示由反應(yīng)化合物502的化學(xué)計(jì)量所限定的宿主材料104h的局部富集。

如圖5B中視圖500b中所示，方法可以包括在200℃加熱金屬化層104達(dá)30分鐘。如從比較結(jié)果可見，半導(dǎo)體材料412與宿主材料104h可以完全反應(yīng)以形成反應(yīng)化合物502(例如硅化銅)。這也可以由宿主材料104h與半導(dǎo)體材料412的均勻同質(zhì)分布所示，示意性地由反應(yīng)化合物502的化學(xué)計(jì)量所固定。

如圖4A和圖4B中所示，反應(yīng)溫度可以小于200℃，例如約180℃。

圖6A和圖6B分別示出了示意圖，類似于圖4A和圖4B。

如圖6A中視圖600a中所示，方法可以包括在半導(dǎo)體區(qū)域102之上布置金屬化層104。金屬化層104可以包括宿主材料104h和合金元素104a或者可以由宿主材料104h和合金元素104a形成，例如宿主材料104h和合金元素104a的均勻同質(zhì)自離析合成物。半導(dǎo)體區(qū)域102可以包括半導(dǎo)體材料412或者由半導(dǎo)體材料412形成。金屬化層104和半導(dǎo)體區(qū)域102可以沒有任何相互擴(kuò)散，如由界面110處濃度402的急劇下降所示。金屬化層104可以基本上不含半導(dǎo)體區(qū)域102的半導(dǎo)體材料412。半導(dǎo)體區(qū)域102可以基本上不含宿主材料104h。

如圖5B中視圖600b中所示，方法可以包括在200℃加熱金屬化層104達(dá)30分鐘，類似于500b。如從比較結(jié)果可見，靠近初始界面的宿主材料104h和合金元素104a的濃度可以比500b更穩(wěn)定。如由宿主材料104h和合金元素104a的濃度的偏離最大值所示，合金元素104a朝向半導(dǎo)體區(qū)域102遷移，例如是由于合金元素104a從宿主材料104h的溫度激活的離析所致。換言之，合金元素104a從金屬化層104離析。合金元素104a可以形成化學(xué)穩(wěn)定的夾層106(也稱作自組阻擋層106)。夾層106可以有效地分離宿主材料104h與半導(dǎo)體材料412，并且可以配置用于用作擴(kuò)散阻擋層。

自組阻擋層106和半導(dǎo)體區(qū)域102的界面可以基本上不含宿主材料104h。自組阻擋層106和金屬化層104的界面可以基本上不含半導(dǎo)體材料412。金屬化層104可以在激活離析之后基本上不含半導(dǎo)體區(qū)域102的半導(dǎo)體材料412。半導(dǎo)體區(qū)域102在激活離析之后可以基本上不含宿主材料104h。

圖7A和圖7B分別示出了示意圖，類似于圖4A和圖4B。

如圖7A中視圖700a中所示，方法可以包括在220℃加熱金屬化層104達(dá)90分鐘。如從比較結(jié)果可見，靠近初始界面110的宿主材料104h和合金元素104a的濃度可以比500b更穩(wěn)定。如由宿主材料104h和合金元素104a的最大濃度的偏離所示，合金元素104a朝向半導(dǎo)體區(qū)域102遷移，例如由于合金元素104a從宿主材料104h的溫度激活的離析所致。夾層106可以有效地從半導(dǎo)體材料412分離宿主材料104h并且可以配置用作擴(kuò)散阻擋層。

自組阻擋層106和半導(dǎo)體區(qū)域102的界面可以基本上不含宿主材料104h?？梢园l(fā)生半導(dǎo)體材料少量擴(kuò)散至金屬化層104中。然而，金屬化層104中半導(dǎo)體材料412的濃度可以在由半導(dǎo)體材料412與金屬化層104所限定的可溶度范圍內(nèi)?？扇芏确秶梢园ㄗ畲笾担卜Q作可溶度限值。金屬化層104中半導(dǎo)體材料412的濃度可以小于宿主材料104h中半導(dǎo)體材料412的可溶度限值。因此，可以基本上不激活半導(dǎo)體材料412與宿主材料104h的反應(yīng)。

如圖7B中視圖700b中所示，方法可以包括在240℃加熱金屬化層104達(dá)30分鐘。如從比較結(jié)果可見，半導(dǎo)體材料412和宿主材料104h可以部分地反應(yīng)形成反應(yīng)化合物502，例如半導(dǎo)體材料的二元金屬化合物502(例如硅化銅)。這可以指示夾層106被分解。

如圖所示，自組阻擋層106的分解溫度可以大于反應(yīng)溫度，例如大20℃的最小值，例如大從約40℃至約60℃的范圍。

圖8A和圖8B分別示出了示意圖，類似于圖4A和圖4B。

如圖8A中視圖800a中所示，方法可以包括加熱金屬化層104以激活合金元素104a從宿主材料104h的離析。圖8A示出對于在200℃各種加熱時(shí)刻的合金元素104a的空間分布濃度402的比較。這指示了由自離析驅(qū)動(dòng)的自組阻擋層106的層形成速率(厚度隨時(shí)間的變化)。

線條802示出在加熱之前合金元素104a的空間分布的濃度402。線條804示出了在從約30分鐘至約75分鐘范圍中加熱各種時(shí)刻之后合金元素104a的空間分布的濃度402。如圖可見，在各個(gè)加熱時(shí)刻之間沒有顯著的改變。這指示以小于約30分鐘達(dá)到(自組阻擋層106的形成的)完全平衡。

如圖8B中視圖800b中所示，方法可以包括加熱金屬化層104以激活合金元素104a從宿主材料104h的離析。在圖8A中，對于在220℃的各個(gè)加熱時(shí)刻處示出了合金元素104a的空間分布濃度402的比較，其指示由自離析驅(qū)動(dòng)的自組阻擋層106的層形成速率(單位時(shí)間厚度)。

線條802示出在加熱之前合金元素104a的空間分布濃度402。線條806示出在從約15分鐘至約45分鐘范圍內(nèi)加熱各個(gè)時(shí)間之后合金元素104a的空間分布濃度402。如圖可見，在各個(gè)加熱時(shí)刻之間沒有顯著的改變。這指示以小于約15分鐘達(dá)到完全平衡。

如在500a和500b比較中可見，自組阻擋層106的層形成速率大于由半導(dǎo)體材料412和宿主材料104h的反應(yīng)產(chǎn)物的層形成速率。

此外，自組阻擋層106可以是時(shí)間穩(wěn)定的。自組阻擋層106的時(shí)間穩(wěn)定性(在某一溫度和/或在某一加熱時(shí)刻)可以大于在金屬化層104(例如宿主材料104h)與半導(dǎo)體區(qū)域102(例如半導(dǎo)體材料412)之間界面110的時(shí)間穩(wěn)定性。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，自組阻擋層106可以針對多于約15分鐘(例如在200℃或220℃)而言是時(shí)間穩(wěn)定的，例如針對多于約30分鐘(例如在200℃或220℃)，例如針對多于約45分鐘(例如在200℃或220℃)，例如針對多于約60分鐘(例如在200℃或220℃)，例如針對多于約75分鐘(例如在200℃或220℃)。

圖9A和圖9B分別示出了示意圖，類似于圖4A和圖4B。

如圖9A中視圖900a中所示，方法可以包括加熱金屬化層104以激活合金元素104a從宿主材料104h離析。在圖9A中，針對在200℃的各個(gè)加熱時(shí)間，示出了半導(dǎo)體材料412的空間分布濃度402的比較結(jié)果，其指示由溫度激活擴(kuò)散驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體材料412的擴(kuò)散速率(單位時(shí)間長度)。

線條902示出在加熱之前半導(dǎo)體材料412的空間分布濃度402。線條904示出在從約30分鐘至約75分鐘范圍中在200℃加熱各個(gè)時(shí)間之后半導(dǎo)體材料412的空間分布濃度402。如圖可見，半導(dǎo)體材料412輕微擴(kuò)散至金屬化層104中，但是隨著加熱時(shí)間增長，沒有顯著增加擴(kuò)散長度。這指示以30分鐘的最大值達(dá)到完全平衡。

如圖9B中視圖900b中所示，方法可以包括加熱金屬化層104以激活合金元素104a從宿主材料104h的離析。在圖9B中，針對在220℃的各個(gè)加熱時(shí)間，示出了半導(dǎo)體材料412的空間分布濃度402的比較結(jié)果，其指示由溫度激活擴(kuò)散所驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體材料412的擴(kuò)散速率(單位時(shí)間長度)。

線條902示出在加熱之前半導(dǎo)體材料412的空間分布濃度402。線條906示出在220℃在從約15分鐘至約45分鐘范圍中的各個(gè)時(shí)間加熱之后半導(dǎo)體材料412的空間分布濃度402。如圖所示，半導(dǎo)體材料412輕微擴(kuò)散至金屬化層104中，但是隨著加熱時(shí)間增長沒有顯著增加明顯的擴(kuò)散長度。這指示以15分鐘的最大值達(dá)到完全平衡。

如800a和800b比較結(jié)果所示，半導(dǎo)體材料的擴(kuò)散速率(例如擴(kuò)散至金屬化層104中和/或擴(kuò)展至半導(dǎo)體區(qū)域102外)可以小于合金元素104a的擴(kuò)散速率(例如擴(kuò)散至金屬化層104外和/或擴(kuò)散至半導(dǎo)體區(qū)域102中)。備選地或額外地，宿主材料104h的擴(kuò)散速率(例如擴(kuò)散至金屬化層104外和/或擴(kuò)散至半導(dǎo)體區(qū)域102中)可以小于合金元素104的擴(kuò)散速率(例如擴(kuò)散至金屬化層104外和/或擴(kuò)散至半導(dǎo)體區(qū)域102中)。

圖10A和圖10B分別示出了示意圖。圖1000a示出在錳阻擋層106、硅半導(dǎo)體材料412和銅金屬化層104的情形中在自組阻擋層106與金屬化層104之間的界面獲得的化學(xué)分析結(jié)果(例如能量色散X射線頻譜法)。圖1000a示出表示濃度的強(qiáng)度參數(shù)1002以及表示特定化學(xué)元素的能量參數(shù)1004。強(qiáng)峰值指示銅(Cu)、錳(Mn)和硅(Si)的存在。

圖10B示出了與溫度1012和銅中錳的濃度1014相關(guān)的相圖1000b。

根據(jù)該分析結(jié)果，靠近自組阻擋層106的化學(xué)組分1004可以估算為約62.5at％的錳以及37.5at％的硅。這可以指示硅化錳化合物(Mn₅Si₃)的形成以及錳-銅的γ相，參見圖1000b。

圖11示出了圖1100，示出了與金屬化層104被加熱所至溫度1104相關(guān)的電阻系數(shù)1102(單位μOhm·cm)。電阻系數(shù)1102的增大可以指示例如在半導(dǎo)體材料412與宿主材料104h或合金元素104a中的至少一個(gè)之間的反應(yīng)，例如形成二元金屬化合物，例如硅化物形成，以及因此可以指示反應(yīng)溫度。

線條1110表示第一濃度(在激活離析之前)(換言之，金屬化層104中的合金元素104a的濃度(例如空間平均的濃度))小于0.5at％，例如約0at％。線條1112表示約2at％的第一濃度。線條1115表示約5at％的第一濃度。線條1120表示約10at％的第一濃度。

如由線條1110所示，反應(yīng)溫度可以約180℃。與線條1112、1115、1120相同，大于約0.5at％的第一濃度可以抑制在宿主材料104h和半導(dǎo)體材料412之間的反應(yīng)，直至大于約225℃的溫度。

金屬化層104和半導(dǎo)體區(qū)域102之間的電阻系數(shù)1102可以小于約70μOhm·cm，例如小于約60μOhm·cm，例如小于約50μOhm·cm，例如小于約40μOhm·cm，例如小于約30μOhm·cm，例如在激活離析期間和/或之后、和/或在將金屬化層1104加熱至大于約200℃(例如大于約220℃)的溫度期間和/或之后。

金屬化層104和半導(dǎo)體區(qū)域102之間的電阻系數(shù)1102可以在離析激活期間基本上是恒定的(改變小于30％)。備選地或額外地，金屬化層104和半導(dǎo)體區(qū)域102之間的電阻系數(shù)1102可以在高達(dá)約200℃的最小溫度(例如約220℃的最小溫度)是基本上恒定的。

激活半導(dǎo)體材料412與宿主材料104h反應(yīng)的溫度可以小于激活半導(dǎo)體材料412與合金元素104a反應(yīng)的溫度。備選地或額外地，可以通過自組阻擋層106增大激活半導(dǎo)體材料412與宿主材料104h反應(yīng)的溫度，例如增加20℃的最小值，例如增加從約40℃至約60℃的范圍。

圖12以示意性剖視圖或側(cè)視圖在三項(xiàng)點(diǎn)1201處示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中、根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1200，其中至少一個(gè)其他阻擋層204、半導(dǎo)體區(qū)域102和金屬化層104相互接觸，其中圖1200a給出了詳細(xì)視圖而圖1200b給出了概覽圖。

半導(dǎo)體器件可以包括在金屬化層104和半導(dǎo)體區(qū)域102之間的中間氧化物層1202。中間氧化物層1202可以包括開口1202o，其中金屬化層104在開口1202o中延伸。

如果并未激活離析，則缺陷204d可以導(dǎo)致半導(dǎo)體器件1200的損傷。至少一個(gè)其他阻擋層204可以包括缺陷204d，其中反應(yīng)化合物502可以由宿主材料104h和半導(dǎo)體材料412形成。缺陷204d在至少一個(gè)其他阻擋層204與半導(dǎo)體區(qū)域102之間傳播而誘發(fā)進(jìn)一步損傷。

圖13以示意性剖視圖或側(cè)視圖示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中、根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1300，其中圖1200a給出詳細(xì)視圖，1300a給出微結(jié)構(gòu)視圖，以及圖1200b給出概覽圖。

如果激活了離析，則自組阻擋層106可以形成在金屬化層104和半導(dǎo)體區(qū)域102之間。這抑制了半導(dǎo)體器件1300的進(jìn)一步損傷。

圖14以示意性剖視圖或側(cè)視圖示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中、根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1400。

半導(dǎo)體區(qū)域102可以包括靠近金屬化層104的摻雜區(qū)域102d(摻雜半導(dǎo)體區(qū)域102d)。

自組阻擋層106也可以延伸在中間氧化物層1202和金屬化層104之間。

金屬化層104可以包括第一子層104b以及第二子層104t。第一子層104b包括自離析合成物或者由自離析合成物形成。第二子層104t包括宿主材料104h或者由宿主材料104h形成。示意性地，第一子層104b可以用作種子層。

圖15以示意性流程圖示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法1500。

方法可以包括：在1502中，在半導(dǎo)體區(qū)域之上形成金屬化層，其中金屬化層可以包括自離析合成物或者由自離析合成物形成。自離析合成物可以包括合金元素和宿主材料或者由合金元素和宿主材料形成。方法可以進(jìn)一步包括：在1504中，激活合金元素從自離析合成物的離析以在宿主材料和半導(dǎo)體區(qū)域之間形成自組阻擋層。

圖16以示意性流程圖示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法1600。

方法可以包括：在1602中，在阻擋層之上形成金屬化層，其中金屬化層可以包括合金元素或者由被配置用于從金屬化層自離析的合金元素形成。方法可以進(jìn)一步包括：在1604中，通過在缺陷中和/或之上從金屬化層離析合金元素而修復(fù)(換言之，密封)阻擋層中的缺陷。

圖17A以示意性剖視圖或側(cè)視圖示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1700a。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件1700a可以包括相互并聯(lián)電連接1904的多個(gè)半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c。

半導(dǎo)體器件1900a可以包括在半導(dǎo)體區(qū)域102的第一側(cè)102t上的第一金屬化層1922。多個(gè)半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c中的每一個(gè)半導(dǎo)體電路元件可以電連接1904至第一金屬化層1922。備選地或額外地，半導(dǎo)體器件1900a可以包括在半導(dǎo)體區(qū)域102的第二側(cè)102b上的第二金屬化層1822。多個(gè)半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c中的每個(gè)半導(dǎo)體電路元件可以電連接1904至第二金屬化層1822。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，多個(gè)半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c的每個(gè)半導(dǎo)體電路元件可以包括二極管結(jié)構(gòu)或晶體管結(jié)構(gòu)或者由二極管結(jié)構(gòu)或晶體管結(jié)構(gòu)(也稱作晶體管單元)形成。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，多個(gè)半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c可以是功率半導(dǎo)體電路元件1702的一部分，或者多個(gè)半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c可以形成該功率半導(dǎo)體電路元件。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，多個(gè)半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c的每個(gè)半導(dǎo)體電路元件(例如功率半導(dǎo)體電路元件1702)可以包括垂直結(jié)構(gòu)或者由垂直結(jié)構(gòu)形成。垂直結(jié)構(gòu)可以理解為提供了從半導(dǎo)體區(qū)域102的第一側(cè)至半導(dǎo)體區(qū)域102的第二側(cè)102b的電流，或者反之亦然。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，多個(gè)半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c的每個(gè)半導(dǎo)體電路元件(例如功率半導(dǎo)體電路元件1702)可以包括至少一個(gè)柵極接觸焊盤。至少一個(gè)柵極接觸焊盤可以由第一金屬化層1922提供(或者由其所形成)。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，第一自組阻擋層106a可以形成在第一金屬化層1922和半導(dǎo)體區(qū)域102之間。備選地或額外地，第二自組阻擋層106b可以形成在第二金屬化層1822和半導(dǎo)體區(qū)域102之間。

圖17B以示意性剖視圖或側(cè)視圖示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中、根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1700b。

半導(dǎo)體器件1700b可以包括至少一個(gè)半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c(例如功率半導(dǎo)體電路元件1702)，其形成在半導(dǎo)體區(qū)域之上和/或之中。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件1700a可以包括至少一個(gè)第一接觸焊盤1706(例如至少一個(gè)集電極接觸焊盤1706)。至少一個(gè)第一接觸焊盤1706可以電連接至該至少一個(gè)半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c、1702。至少一個(gè)第一接觸焊盤1706可以通過結(jié)構(gòu)化第二金屬化層1822而形成。

備選地或額外地，半導(dǎo)體器件1700a可以包括至少一個(gè)第二接觸焊盤1708(例如源極/漏極接觸焊盤1706)，形成在至該至少一個(gè)半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c、1702的電接觸1710中。至少一個(gè)第二接觸焊盤1708可選地可以包括柵極接觸焊盤，例如，其可以形成為與半導(dǎo)體區(qū)域102電絕緣。至少一個(gè)第二接觸焊盤1708可以通過結(jié)構(gòu)化第一金屬化層1922而形成。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c、1702可以包括絕緣柵雙極晶體管或由絕緣柵雙極晶體管形成。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，第一自組阻擋層106a可以形成在至少一個(gè)第二接觸焊盤1708與半導(dǎo)體區(qū)域102之間。備選地或額外地，第二自組阻擋層106b可以形成在至少一個(gè)第一接觸焊盤1706和半導(dǎo)體區(qū)域102之間。

圖18A以示意性剖視圖或側(cè)視圖示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1800a，例如半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c，例如功率半導(dǎo)體電路元件1702。

半導(dǎo)體器件1800a可以包括形成在襯底的第二側(cè)102b上的摻雜半導(dǎo)體區(qū)域108l(摻雜集電極區(qū)域108l)。摻雜集電極區(qū)域108l可以包括第一摻雜類型或者由第一摻雜類型形成。

半導(dǎo)體器件1800a可以進(jìn)一步包括形式為集電極接觸焊盤1706(例如漏極接觸焊盤)的第一接觸焊盤1706。第一接觸焊盤1706可以電接觸摻雜集電極區(qū)域108l。第一接觸焊盤1706可以包括金屬化層或者由金屬化層形成。

此外，半導(dǎo)體器件1800a可以包括第一摻雜區(qū)域2006(摻雜的第一半導(dǎo)體區(qū)域2006)。第一摻雜區(qū)域2006可以包括基極區(qū)域或者由基極區(qū)域形成。第一摻雜區(qū)域2006可以包括等于摻雜集電極區(qū)域108l的摻雜類型(例如具有該摻雜類型的摻雜劑)(換言之，摻雜集電極區(qū)域108l的摻雜劑)，例如第一摻雜類型。半導(dǎo)體器件1800a可以進(jìn)一步包括電接觸第一摻雜區(qū)域2006的第二接觸焊盤1708a。第二接觸焊盤1708a可以包括發(fā)射極接觸焊盤1708a(例如源極接觸焊盤1708a)或者由發(fā)射極接觸焊盤1708a(例如源極接觸焊盤1708a)形成。第二接觸焊盤1708a可以包括金屬化層或由金屬化層形成。

此外，半導(dǎo)體器件1800a可以包括形成在第一摻雜區(qū)域2006和摻雜集電極區(qū)域108l之間的第二摻雜區(qū)域2004(摻雜的第二半導(dǎo)體區(qū)域2004)。第二摻雜區(qū)域2004可以包括漂移區(qū)域或者由漂移區(qū)域形成。第二摻雜區(qū)域2004可以包括不同于摻雜集電極區(qū)域108l的摻雜類型(第二摻雜類型)，例如具有第二摻雜類型的摻雜劑。第二摻雜區(qū)域2004可以包括外延形成的層。

半導(dǎo)體器件1800a可以進(jìn)一步包括另一第二接觸焊盤1708b。另一第二接觸焊盤1708b可以形成為與第二摻雜區(qū)域2004電絕緣，例如由形成在另一第二接觸焊盤1708b和第二摻雜區(qū)域2004之間的電絕緣層而電絕緣。另一第二接觸焊盤1708b可以包括金屬化層或者由金屬化層形成。

此外，半導(dǎo)體器件1800a可以包括第三摻雜區(qū)域2008(摻雜的第三半導(dǎo)體區(qū)域2008)。第三摻雜區(qū)域2008可以包括發(fā)射極區(qū)域或者由發(fā)射極區(qū)域形成。第三摻雜區(qū)域2008可以包括不同于摻雜集電極區(qū)域108l的摻雜類型(例如具有其的摻雜劑)，例如第二摻雜類型。第三摻雜區(qū)域2008的摻雜劑濃度可以大于第二摻雜區(qū)域2004的摻雜劑濃度。

可選地，半導(dǎo)體器件1800a可以包括在第二摻雜區(qū)域2004和摻雜集電極區(qū)域108l之間的第四摻雜區(qū)域2002(摻雜的第四半導(dǎo)體區(qū)域2002)。第四摻雜區(qū)域2002可以包括場停止區(qū)域或者由場停止區(qū)域形成。第四摻雜區(qū)域2002可以包括具有不同于摻雜集電極區(qū)域108l的摻雜類型的摻雜劑。第四摻雜區(qū)域2002可以包括高于第二摻雜區(qū)域2004的摻雜劑濃度。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，第一摻雜類型可以是n-摻雜類型而第二摻雜類型可以是p-摻雜類型。備選地，第一摻雜類型可以是p-摻雜類型而第二摻雜類型可以是n-摻雜類型。

半導(dǎo)體器件1800a例如半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c可以包括晶體管結(jié)構(gòu)或由晶體管結(jié)構(gòu)形成，例如平面晶體管結(jié)構(gòu)(提供垂直電流)。晶體管結(jié)構(gòu)可以包括多個(gè)p-n結(jié)或者由多個(gè)p-n結(jié)形成(例如多于一個(gè))。p-n結(jié)可以由具有不同摻雜類型的兩個(gè)摻雜區(qū)域的界面形成，例如至少一個(gè)以下區(qū)域之間的界面：第一摻雜區(qū)域2006和第二摻雜區(qū)域2004；第一摻雜區(qū)域2006和第三摻雜區(qū)域2008；第二摻雜區(qū)域2004和摻雜集電極區(qū)域108l；第二摻雜區(qū)域2004和第四摻雜區(qū)域2002(如果存在的話)。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件1800a(例如半導(dǎo)體電路元件)可以包括絕緣柵雙極晶體管或者由絕緣柵雙極晶體管形成。

圖18B以示意性剖視圖或側(cè)視圖示出了在根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的方法中根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1800b，例如半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c。

半導(dǎo)體器件1800b可以包括形成在第二側(cè)102b上的摻雜集電極區(qū)域108l。摻雜集電極區(qū)域108l可以包括第一摻雜類型或者由第一摻雜類型形成。摻雜集電極區(qū)域108l可以包括第一結(jié)區(qū)域或者由第一結(jié)區(qū)域形成。

半導(dǎo)體器件1800b可以進(jìn)一步包括電接觸摻雜集電極區(qū)域108l的第一接觸焊盤1706。第一接觸焊盤1706可以包括電極接觸焊盤或者由電極接觸焊盤形成。第一接觸焊盤1706可以包括金屬化層或者由金屬化層形成。

此外，半導(dǎo)體器件1800b可以包括第一摻雜區(qū)域2006。第一摻雜區(qū)域2006可以包括第二結(jié)區(qū)域或者由第二結(jié)區(qū)域形成。第一摻雜區(qū)域2006可以包括具有不同于摻雜集電極區(qū)域108l的摻雜類型，例如第二摻雜類型的摻雜劑(換言之，摻雜集電極區(qū)域108l的摻雜劑)。半導(dǎo)體器件1800b可以進(jìn)一步包括電接觸第一摻雜區(qū)域2006的第二接觸焊盤1708。第二接觸焊盤1708可以包括電極接觸焊盤或由電極接觸焊盤形成。第二接觸焊盤1708可以包括金屬化層或者由金屬化層形成。

可選地，半導(dǎo)體器件1800b可以包括在第一摻雜區(qū)域2006和摻雜集電極區(qū)域108l之間的第二摻雜區(qū)域2002。第二摻雜區(qū)域2002可以包括場停止區(qū)域或者由形成。第二摻雜區(qū)域2002可以包括等于摻雜劑集電極區(qū)域108l的摻雜類型(例如具有其摻雜劑)。第二摻雜區(qū)域2002可以包括高于第一摻雜區(qū)域2006的摻雜劑濃度。

半導(dǎo)體器件1800b(例如半導(dǎo)體電路元件1702a、1702b、1702c，例如功率半導(dǎo)體電路元件1702)可以包括二極管結(jié)構(gòu)或者由二極管結(jié)構(gòu)形成，例如平面二極管結(jié)構(gòu)(提供垂直電流)。二極管結(jié)構(gòu)可以包括一個(gè)p-n結(jié)或者由一個(gè)p-n結(jié)形成，例如由具有不同摻雜類型的兩個(gè)摻雜區(qū)域的界面形成，例如在第一摻雜區(qū)域2006和摻雜集電極區(qū)域108l之間的界面、或者在第二摻雜區(qū)域2002(如果存在的話)和第一摻雜區(qū)域2006之間的界面。

可選地，摻雜集電極區(qū)域108l可以包括多個(gè)第一區(qū)段和多個(gè)第二區(qū)段，或者由多個(gè)第一區(qū)段和多個(gè)第二區(qū)段形成，多個(gè)第一區(qū)段包括第一摻雜類型，多個(gè)第二區(qū)段包括第二摻雜類型。多個(gè)第一區(qū)段的區(qū)段和多個(gè)第二區(qū)段的區(qū)段可以以交替順序布置。在該情形中，摻雜集電極區(qū)域108l可以是反向二極管結(jié)構(gòu)的一部分。

金屬化層可以包括功率金屬化層或者由功率金屬化層形成。

此外，在下文中將描述各個(gè)實(shí)施例。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件可以包括：半導(dǎo)體區(qū)域；布置在半導(dǎo)體區(qū)域之上的金屬化層；以及布置在金屬化層和半導(dǎo)體區(qū)域之間的自組阻擋層，其中自組阻擋層可以包括被配置用于從金屬化層自離析的第一金屬，或者由該第一金屬形成。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件可以包括：半導(dǎo)體區(qū)域；布置在半導(dǎo)體區(qū)域之上的金屬化層；以及布置在金屬化層和半導(dǎo)體區(qū)域之間的自組阻擋層，其中自組阻擋層可以包括被配置用于從金屬化層自離析的合金元素(例如第一金屬)或者由該合金元素(例如第一金屬)形成。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，自組阻擋層可以物理接觸金屬化層或半導(dǎo)體區(qū)域中的至少一個(gè)。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，激活合金元素(例如第一金屬)從金屬化層離析的溫度可以小于激活了半導(dǎo)體區(qū)域與金屬化層反應(yīng)的溫度。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，激活合金元素(例如第一金屬)從金屬化層離析的溫度(也稱作離析溫度)可以小于180℃。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，金屬化層中合金元素(例如第一金屬)的濃度可以在從約0.5at％至約50at％的范圍中。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，自組阻擋層可以基本上由合金元素(例如第一金屬)或者化合物而形成，該化合物包括合金元素(例如第一金屬)與半導(dǎo)體區(qū)域的半導(dǎo)體，或該化合物由合金元素(例如第一金屬)與半導(dǎo)體區(qū)域的半導(dǎo)體形成。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，激活半導(dǎo)體區(qū)域與合金元素(例如第一金屬)反應(yīng)的溫度可以大于激活半導(dǎo)體區(qū)域與金屬化層(例如與金屬化層的宿主材料)反應(yīng)的溫度。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，合金元素的負(fù)電性可以小于宿主材料或半導(dǎo)體材料的至少一個(gè)的負(fù)電性。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，合金元素(例如第一金屬)可以是錳、鉭、鉻、鎢、鉬中的至少一種。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，金屬化層的厚度可以大于自組阻擋層的厚度的十倍。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，金屬化層可以包括自離析合成物或由自離析合成物而形成，自離析合成物包括合金元素(例如第一金屬)。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，金屬化層中合金元素(例如第一金屬)的濃度(例如原子濃度)可以小于金屬化層中宿主材料(例如第二金屬)的濃度或者自組阻擋層中合金元素(例如第一金屬)的濃度中的至少一種。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，宿主材料(例如第二金屬)可以是銅。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，金屬化層可以基本上不含半導(dǎo)體區(qū)域的半導(dǎo)體。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體區(qū)域可以基本上不含金屬化層的材料，例如宿主材料或合金元素的至少一種。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，自組阻擋層和半導(dǎo)體區(qū)域的界面可以不含宿主材料(例如第二金屬)。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，金屬化層或自組阻擋層的至少一個(gè)的電阻系數(shù)可以小于70μOhm·cm(微歐姆厘米)。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，金屬化層和半導(dǎo)體區(qū)域之間的電阻系數(shù)可以小于70μOhm·cm。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，自組阻擋層的溫度穩(wěn)定性大于激活宿主材料與半導(dǎo)體區(qū)域(例如半導(dǎo)體材料)反應(yīng)的溫度，例如大上多于約10℃，例如大上多于約20℃，例如大上多于約30℃，例如大上多于約40℃，例如大上多于約50℃。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，激活合金元素從金屬化層(例如宿主材料)離析的溫度可以小于激活宿主材料與半導(dǎo)體區(qū)域(例如半導(dǎo)體材料)反應(yīng)的溫度，例如小上多于約10℃，例如小上多于約20℃，例如小上多于約30℃，例如小上多于約40℃，例如小上多于約50℃。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，合金元素(例如第一金屬)可以配置以比金屬化層與半導(dǎo)體區(qū)域化學(xué)反應(yīng)更快而從金屬化層離析。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，金屬化層可以包括功率金屬化層或者由形成。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件可以進(jìn)一步包括：形成在金屬化層中或之上的至少一個(gè)處的接觸焊盤。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，金屬化層可以包括第一子層與第二子層或者由第一子層與第二子層形成，其中第一子層布置在第二子層與自組阻擋層之間，其中第一子層和第二子層包括至少宿主材料并且在化學(xué)組分、厚度的至少一個(gè)方面相互不同。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，第一子層包括自離析化合物。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件可以進(jìn)一步包括：形成在半導(dǎo)體區(qū)域中或之上的至少一個(gè)處的電子功率半導(dǎo)體元件，其中電子功率半導(dǎo)體元件與金屬化層電耦合(例如電連接)。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件可以進(jìn)一步包括：在自組阻擋層和半導(dǎo)體區(qū)域之間的至少一個(gè)其他阻擋層，其中其他阻擋層可以包括一個(gè)或多個(gè)缺陷，自組阻擋層通過該缺陷接觸半導(dǎo)體區(qū)域。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件可以進(jìn)一步包括：形成在自組阻擋層和半導(dǎo)體區(qū)域之間的至少一個(gè)其他阻擋層，其中其他阻擋層可以包括鈦或鎢中的至少一種，或者由鈦或鎢中的至少一種形成。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，自組阻擋層的厚度可以在從約1nm至約20nm的范圍中。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，金屬化層的厚度可以在從約100nm至約1μm的范圍中。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，一種方法可以包括：在半導(dǎo)體區(qū)域之上形成金屬化層，其中金屬化層可以包括自離析合成物或者由自離析合成物而形成，該自離析合成物包括第一金屬和第二金屬；激活第一金屬從自離析合成物離析以在第二金屬和半導(dǎo)體區(qū)域之間形成自組阻擋層。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，一種方法可以包括：在半導(dǎo)體區(qū)域之上形成金屬化層，其中金屬化層可以包括自離析合成物或者由自離析合成物而形成，自離析合成物包括合金元素(例如第一金屬)和宿主材料(例如第二金屬)；激活合金元素(例如第一金屬)從自離析合成物離析以在宿主材料(例如第二金屬)和半導(dǎo)體區(qū)域之間形成自組阻擋層。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，自離析合成物中合金元素的濃度在從約0.5at％至約50at％的范圍中。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，激活合金元素(例如第一金屬)從金屬化層離析可以包括加熱金屬化層例如在離析溫度之上，或者由加熱金屬化層例如在離析溫度之上而形成。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，方法可以進(jìn)一步包括：在金屬化層和半導(dǎo)體區(qū)域之間形成至少一個(gè)其他阻擋層，其中其他阻擋層可以包括鈦或鎢的至少一種或者由鈦或鎢的至少一種形成。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，自組阻擋層形成在宿主材料(例如第二金屬)和至少一個(gè)其他阻擋層之間。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，金屬化層中合金元素(例如第一金屬)的濃度可以小于金屬化層中宿主材料(例如第二金屬)的濃度，例如在激活離析之前或之后中的至少一個(gè)。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，一種方法可以包括：在阻擋層之上形成金屬化層(例如至少一個(gè)其他阻擋層)；其中金屬化層可以包括被配置用于從金屬化層自離析的第一金屬，或者由被配置用于從金屬化層自離析的形成；以及通過在缺陷中/和或在缺陷之上從金屬化層離析第一金屬而修復(fù)阻擋層中缺陷。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，一種方法可以包括：在阻擋層(例如至少一個(gè)其他阻擋層)之上形成金屬化層；其中金屬化層可以包括被配置用于從金屬化層自離析的合金元素(例如第一金屬)或者由該合金元素(例如第一金屬)而形成；以及通過在缺陷中或之上的至少一個(gè)處從金屬化層離析合金元素(例如第一金屬)而修復(fù)阻擋層中缺陷。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，合金元素可以與金屬化層、缺陷、阻擋層的至少一個(gè)物理接觸。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，合金元素可以延伸至缺陷中。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，金屬化層可以被加熱至大于金屬化層中合金元素(例如第一金屬)的離析溫度的溫度。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，形成自組阻擋層可以包括改變金屬化層的化學(xué)成分，或者由改變金屬化層的化學(xué)成分而形成。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，通過從金屬化層或自離析合成物的至少一個(gè)離析合金元素(例如第一金屬)而改變金屬化層的化學(xué)成分。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，可以通過從金屬化層離析合金元素(例如第一金屬)而減小在金屬化層或自離析合成物的至少一個(gè)中合金元素(例如第一金屬)的濃度。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，自離析合成物、宿主材料或合金元素的至少一個(gè)可以是導(dǎo)電的。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，自離析合成物可以包括金屬合金或由金屬合金形成。金屬合金例如是自離析金屬合金，例如是自離析二元金屬合金。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，合金元素對半導(dǎo)體材料的化學(xué)反應(yīng)性可以小于宿主材料對半導(dǎo)體材料的化學(xué)反應(yīng)性。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，宿主材料、自離析化合物或合金元素的至少一個(gè)的電阻系數(shù)(例如比體電阻)可以小于半導(dǎo)體材料的電阻系數(shù)(例如比體電阻)。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，宿主材料或合金元素中的至少一個(gè)的電阻系數(shù)(例如比體電阻)可以小于約10μOhm·m，例如小于約5μOhm·m，例如小于約2μOhm·m。

盡管已經(jīng)參照具體實(shí)施例特別地示出并描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，可以在其中做出形式和細(xì)節(jié)上各種改變而并未脫離由所附權(quán)利要求限定的本申請的精神和范圍。本發(fā)明的范圍因此由所附權(quán)利要求指示并且因此有意設(shè)計(jì)以包括落入權(quán)利要求的含義和等價(jià)范圍內(nèi)的所有改變。