本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種柔性O(shè)LED顯示器及其制作方法。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器，也稱為有機電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、發(fā)光亮度高、工作溫度適應(yīng)范圍廣、體積輕薄、響應(yīng)速度快，而且易于實現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、易于實現(xiàn)和集成電路驅(qū)動器相匹配、易于實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點，因而具有廣闊的應(yīng)用前景。

OLED按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

OLED通常包括：基板、設(shè)于基板上的陽極、設(shè)于陽極上的空穴注入層(Hole Inject Layer，HIL)、設(shè)于空穴注入層上的空穴傳輸層(Hole Transport Layer，HTL)、設(shè)于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設(shè)于發(fā)光層上的電子傳輸層(Electron Transport Layer，ETL)、設(shè)于電子傳輸層上的電子注入層(Electron Inject Layer，EIL)、及設(shè)于電子注入層上的陰極。OLED顯示器件的發(fā)光原理為半導(dǎo)體材料和有機發(fā)光材料在電場驅(qū)動下，通過載流子注入和復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光。具體的，OLED顯示器件通常采用氧化銦錫像素電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅(qū)動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。

相較于傳統(tǒng)的TFT-LCD技術(shù)，OLED最大的優(yōu)勢在于其可做成可折疊及可卷曲的產(chǎn)品。為了實現(xiàn)OLED顯示和照明的柔性化，首先，必須使用柔性可撓的塑料襯底作為基板；其次，相較于廣泛采用的玻璃蓋板封裝方式，對于柔性O(shè)LED而言，薄膜封裝(Thin Film Encapsulation，TFE)是最適合的方法之一。目前薄膜封裝采用最普遍的技術(shù)就是有機薄膜和無機薄膜交替沉積在柔性O(shè)LED表面，無機薄膜具有良好的水氧阻隔性，有機薄膜可以很好的吸收與分散層與層之間的應(yīng)力，避免致密的無機薄膜產(chǎn)生裂痕而降低對水氧的阻隔性。請參閱圖1，為現(xiàn)有的一種采用薄膜封裝技術(shù)的柔性O(shè)LED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖，包括柔性基板10、設(shè)于所述柔性基板10上的TFT陣列層20、設(shè)于所述TFT陣列層20上的OLED層30、及設(shè)于所述TFT陣列層20及OLED層30上覆蓋OLED層30的薄膜封裝層40，該OLED顯示器中，薄膜封裝層40平整地覆蓋在OLED層30上，與柔性基板10上的TFT陣列層20只在OLED層30所在的顯示區(qū)域(Active Area，AA)之外的位置接觸。由于OLED層30通常是利用真空沉積或者噴墨打印方式逐層堆疊而形成的，層與層之間是通過范德華力相互附著，為分子間作用力，附著力很弱。雖然薄膜封裝層40中的無機層與柔性基板10上的TFT陣列層20的附著力很強，但是接觸面積相對較小。當(dāng)柔性O(shè)LED顯示器在受到外力沖擊，或者多次的彎折或卷曲過程中，內(nèi)部很容易受到應(yīng)力不均，從而如圖2A所示在OLED層30中發(fā)生局部剝離(peeling)現(xiàn)象，甚至如圖2B所示出現(xiàn)整個柔性O(shè)LED顯示器的peeling問題，這極大地限制了柔性O(shè)LED顯示器的適用范圍和彎折方式。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種柔性O(shè)LED顯示器，封裝強度高，耐沖擊及耐彎折性能強，能夠?qū)崿F(xiàn)觸控感測功能。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種柔性O(shè)LED顯示器的制作方法，制得的柔性O(shè)LED顯示器的封裝強度高，耐沖擊及耐彎折性能強，能夠?qū)崿F(xiàn)觸控感測功能。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種柔性O(shè)LED顯示器，包括柔性基板、設(shè)于所述柔性基板上的TFT陣列層、設(shè)于所述TFT陣列層上的OLED層、設(shè)于所述TFT陣列層及OLED層上覆蓋所述OLED層的薄膜封裝層、設(shè)于所述TFT陣列層及薄膜封裝層上覆蓋所述薄膜封裝層的有機平坦層、及設(shè)于所述TFT陣列層及有機平坦層上覆蓋所述有機平坦層的觸控感測層。

所述TFT陣列層包括設(shè)于所述柔性基板上的緩沖層、設(shè)于所述緩沖層上的有源層、設(shè)于所述有源層上的柵極絕緣層、設(shè)于所述柵極絕緣層上的柵極、設(shè)于所述有源層、柵極絕緣層及柵極上的層間介電層、設(shè)于所述層間介電層上的源極與漏極、設(shè)于所述源極、漏極及層間介電層上的平坦化層、設(shè)于所述平坦化層上的圖案化的像素電極、及設(shè)于所述像素電極及平坦化層上的像素定義層；

所述層間介電層上對應(yīng)所述有源層的兩端分別設(shè)有第一通孔、及第二通孔，所述源極、及漏極分別通過第一通孔、及第二通孔與有源層的兩端相連接；

所述平坦化層上對應(yīng)所述漏極設(shè)有第三通孔，所述像素電極通過所述第三通孔與漏極相連接；

所述像素定義層上對應(yīng)所述像素電極設(shè)有第四通孔；

所述OLED層設(shè)于所述像素定義層上，所述OLED層包括對應(yīng)所述像素電極設(shè)置的OLED像素圖案，所述OLED像素圖案通過所述第四通孔與對應(yīng)的像素電極相連接。

所述有源層的材料為非晶硅、低溫多晶硅、氧化物半導(dǎo)體、碳納米管、或石墨烯。

所述觸控感測層包括設(shè)于所述TFT陣列層及有機平坦層上覆蓋所述有機平坦層的第一絕緣層、設(shè)于所述TFT陣列層及第一絕緣層上覆蓋所述第一絕緣層的金屬層、及設(shè)于所述TFT陣列層及金屬層上覆蓋所述金屬層的第二絕緣層。

所述柔性基板的材料為聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚苯硫醚、及聚芳酯中的一種或多種的組合。

本發(fā)明還提供一種柔性O(shè)LED顯示器的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一柔性基板；

步驟2、在所述柔性基板上形成TFT陣列層，在所述TFT陣列層上形成OLED層；

步驟3、在所述TFT陣列層、及OLED層上形成覆蓋所述OLED層的薄膜封裝層；

步驟4、在所述TFT陣列層、及薄膜封裝層上形成覆蓋所述薄膜封裝層的有機平坦層；

步驟5、在所述TFT陣列層、及有機平坦層上形成覆蓋所述有機平坦層的觸控感測層。

所述步驟2具體包括：

步驟21、在所述柔性基板上形成緩沖層，在所述緩沖層上形成有源層，在所述有源層上依次形成柵極絕緣層及柵極；

步驟22、在所述有源層、柵極絕緣層、及柵極上形成層間介電層，并在所述層間介電層上對應(yīng)所述有源層的兩端分別形成第一通孔、及第二通孔；

步驟23、在所述層間介電層上形成源極與漏極，所述源極、及漏極分別通過第一通孔、及第二通孔與有源層的兩端相連接；

步驟24、在所述源極、漏極、及層間介電層上形成平坦化層，并在所述平坦化層上對應(yīng)所述漏極形成第三通孔；

步驟25、在所述平坦化層上形成圖案化的像素電極，所述像素電極通過所述第三通孔與漏極相連接；

步驟26、在所述像素電極、及平坦化層上形成像素定義層，并在所述像素定義層上對應(yīng)所述像素電極形成第四通孔；

步驟27、在所述像素定義層上形成OLED層，所述OLED層包括對應(yīng)所述像素電極設(shè)置的OLED像素圖案，所述OLED像素圖案通過所述第四通孔與對應(yīng)的像素電極相連接。

所述有源層的材料為非晶硅、低溫多晶硅、氧化物半導(dǎo)體、碳納米管、或石墨烯。

所述步驟5具體包括：

步驟51、在所述TFT陣列層、及有機平坦層上形成覆蓋所述有機平坦層的第一絕緣層；

步驟52、在所述TFT陣列層、及第一絕緣層上形成覆蓋所述第一絕緣層的金屬層；

步驟53、在所述TFT陣列層及金屬層上形成覆蓋所述金屬層的第二絕緣層，形成包括第一絕緣層、金屬層、及第二絕緣層的觸控感測層。

所述柔性基板的材料為聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚苯硫醚、及聚芳酯中的一種或多種的組合。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種柔性O(shè)LED顯示器，通過在薄膜封裝層及TFT陣列層上設(shè)置覆蓋薄膜封裝層的有機平坦層，并在有機平坦層及TFT陣列層上設(shè)置覆蓋有機平坦層的觸控感測層，使該柔性O(shè)LED顯示器具有觸控感測功能，同時有機平坦層、觸控感測層與薄膜封裝層共同作為封裝結(jié)構(gòu)對OLED層進行封裝，增加封裝結(jié)構(gòu)與TFT陣列層之間的附著力，增強柔性O(shè)LED顯示器的封裝強度，并有效地緩解了柔性O(shè)LED顯示器在折疊和卷曲時產(chǎn)生的應(yīng)力，大大提升了柔性O(shè)LED顯示器的耐沖擊和耐彎折性能，防止柔性O(shè)LED顯示器在OLED層發(fā)生剝離，提升產(chǎn)品的穩(wěn)定性。本發(fā)明提供的一種柔性O(shè)LED顯示器的制作方法，制得的柔性O(shè)LED顯示器耐沖擊及耐彎折性能強，封裝強度高，能夠?qū)崿F(xiàn)觸控感測功能。

附圖說明

為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為一種現(xiàn)有的采用薄膜封裝技術(shù)的柔性O(shè)LED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2A為圖1所示的柔性O(shè)LED顯示器在OLED層中發(fā)生局部剝離的示意圖；

圖2B為圖1所示的柔性O(shè)LED顯示器整體發(fā)生剝離的示意圖；

圖3為本發(fā)明的柔性O(shè)LED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明的柔性O(shè)LED顯示器的制作方法的流程圖；

圖5-6為本發(fā)明的柔性O(shè)LED顯示器的制作方法的步驟2的示意圖，且圖6為本發(fā)明的柔性O(shè)LED顯示器的TFT陣列層及OLED層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明的柔性O(shè)LED顯示器的制作方法的步驟3的示意圖；

圖8為本發(fā)明的柔性O(shè)LED顯示器的制作方法的步驟4的示意圖；

圖9為本發(fā)明的柔性O(shè)LED顯示器的制作方法的步驟5的示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細(xì)描述。

請參閱圖3，本發(fā)明提供一種柔性O(shè)LED顯示器，包括柔性基板100、設(shè)于所述柔性基板100上的TFT陣列層200、設(shè)于所述TFT陣列層200上的OLED層300、設(shè)于所述TFT陣列層200及OLED層300上覆蓋所述OLED層300的薄膜封裝層400、設(shè)于所述TFT陣列層200及薄膜封裝層400上覆蓋所述薄膜封裝層400的有機平坦層500、及設(shè)于所述TFT陣列層200及有機平坦層500上覆蓋所述有機平坦層500的觸控感測層600。

需要說明的是，本發(fā)明的柔性O(shè)LED顯示器，先利用現(xiàn)有的薄膜封裝方法，在TFT陣列層200及OLED層300上設(shè)置覆蓋OLED層300的薄膜封裝層400，對OLED層300進行初步的封裝，并在TFT陣列層200及薄膜封裝層400上設(shè)置覆蓋薄膜封裝層400的有機平坦層500，接著在TFT陣列層200及有機平坦層500上設(shè)置覆蓋有機平坦層500的觸控感測層600，有機平坦層500及觸控感測層600對OLED層300進行進一步的封裝，使本發(fā)明的柔性O(shè)LED顯示器具有包括薄膜封裝層400、有機平坦層500、及觸控感測層600的多層封裝結(jié)構(gòu)，多層封裝結(jié)構(gòu)與TFT陣列層200之間的接觸面積增大，有效地提升了多層封裝結(jié)構(gòu)與TFT陣列層200之間的附著力，與現(xiàn)有技術(shù)相比，顯著地提升了柔性O(shè)LED顯示器的封裝強度，大大提升了柔性O(shè)LED顯示器的耐沖擊和耐彎折性能，防止柔性O(shè)LED顯示器在OLED層300發(fā)生剝離，提升產(chǎn)品的穩(wěn)定性；同時，由于有機平坦層500采用有機材料制作，能有效地釋放柔性O(shè)LED顯示器在折疊和卷曲時產(chǎn)生的應(yīng)力，進一步地提升了柔性O(shè)LED顯示器的耐沖擊和耐彎折性能，防止柔性O(shè)LED顯示器在OLED層300發(fā)生剝離，提升產(chǎn)品的穩(wěn)定性；另外，由于觸控感測層600的設(shè)置，使本發(fā)明的柔性O(shè)LED顯示器具有觸控感測功能，擴大了產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。

具體地，請參閱圖6，所述TFT陣列層200包括設(shè)于所述柔性基板100上的緩沖層210、設(shè)于所述緩沖層210上的有源層220、設(shè)于所述有源層220上的柵極絕緣層230、設(shè)于所述柵極絕緣層230上的柵極240、設(shè)于所述有源層220、柵極絕緣層230及柵極240上的層間介電層250、設(shè)于所述層間介電層250上的源極261與漏極262、設(shè)于所述源極261、漏極262及層間介電層250上的平坦化層270、設(shè)于所述平坦化層270上的圖案化的像素電極280、及設(shè)于所述像素電極280及平坦化層270上的像素定義層290；

所述層間介電層250上對應(yīng)所述有源層220的兩端分別設(shè)有第一通孔251、及第二通孔252，所述源極261、及漏極262分別通過第一通孔251、及第二通孔252與有源層220的兩端相連接；

所述平坦化層270上對應(yīng)所述漏極262設(shè)有第三通孔273，所述像素電極280通過所述第三通孔273與漏極262相連接；

所述像素定義層290上對應(yīng)所述像素電極280設(shè)有第四通孔294；

所述OLED層300設(shè)于所述像素定義層290上，所述OLED層300包括對應(yīng)所述像素電極280設(shè)置的OLED像素圖案310，所述OLED像素圖案310通過所述第四通孔294與對應(yīng)的像素電極280相連接。

具體地，所述有源層220的材料可采用非晶硅(a-Si)、低溫多晶硅(LTPS)、氧化物半導(dǎo)體(Oxide)、碳納米管(CNT)、石墨烯(Graphene)、或其他可應(yīng)用于TFT有源層制作的材料。

具體地，請參閱圖3，在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，所述觸控感測層600包括設(shè)于所述TFT陣列層200及有機平坦層500上覆蓋所述有機平坦層500的第一絕緣層610、設(shè)于所述TFT陣列層200及第一絕緣層610上覆蓋所述第一絕緣層610的金屬層620、及設(shè)于所述TFT陣列層200及金屬層620上覆蓋所述金屬層620的第二絕緣層630。

具體地，所述柔性基板100的材料為聚酰亞胺(PI)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚苯硫醚(PPS)、及聚芳酯(PAR)中的一種或多種的組合。具體地，根據(jù)產(chǎn)品的具體設(shè)計，所述柔性基板100可為透明基板，也可為不透明基板。

請參閱圖4，基于上述柔性O(shè)LED顯示器，本發(fā)明還提供一種柔性O(shè)LED顯示器的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一柔性基板100。

具體地，所述柔性基板100的材料為聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚苯硫醚、及聚芳酯中的一種或多種的組合。具體地，根據(jù)產(chǎn)品的具體設(shè)計，所述柔性基板100可為透明基板，也可為不透明基板。

步驟2、請參閱圖5及圖6，在所述柔性基板100上形成TFT陣列層200，在所述TFT陣列層200上形成OLED層300。

具體地，所述步驟2具體包括：

步驟21、在所述柔性基板100上形成緩沖層210，在所述緩沖層210上形成有源層220，在所述有源層220上依次形成柵極絕緣層230及柵極240。

步驟22、在所述有源層220、柵極絕緣層230、及柵極240上形成層間介電層250，并在所述層間介電層250上對應(yīng)所述有源層220的兩端分別形成第一通孔251、及第二通孔252。

步驟23、在所述層間介電層250上形成源極261與漏極262，所述源極261、及漏極262分別通過第一通孔251、及第二通孔252與有源層220的兩端相連接。

步驟24、在所述源極261、漏極262、及層間介電層250上形成平坦化層270，并在所述平坦化層270上對應(yīng)所述漏極262形成第三通孔273。

步驟25、在所述平坦化層270上形成圖案化的像素電極280，所述像素電極280通過所述第三通孔273與漏極262相連接。

步驟26、在所述像素電極280、及平坦化層270上形成像素定義層290，并在所述像素定義層290上對應(yīng)所述像素電極280形成第四通孔294。

步驟27、在所述像素定義層290上形成OLED層300，所述OLED層300包括對應(yīng)所述像素電極280設(shè)置的OLED像素圖案310，所述OLED像素圖案310通過所述第四通孔294與對應(yīng)的像素電極280相連接。

具體地，所述有源層220的材料可采用非晶硅、低溫多晶硅、氧化物半導(dǎo)體、碳納米管、石墨烯、或其他可應(yīng)用于TFT有源層制作的材料。

步驟3、請參閱圖7，在所述TFT陣列層200、及OLED層300上形成覆蓋所述OLED層300的薄膜封裝層400。

具體地，所述薄膜封裝層400采用現(xiàn)有的薄膜封裝技術(shù)制作。

步驟4、請參閱圖8，在所述TFT陣列層200、及薄膜封裝層400上形成覆蓋所述薄膜封裝層400的有機平坦層500。

步驟5、請參閱圖9，在所述TFT陣列層200、及有機平坦層500上形成覆蓋所述有機平坦層500的觸控感測層600。

具體地，所述步驟5具體包括：

步驟51、在所述TFT陣列層200、及有機平坦層500上形成覆蓋所述有機平坦層500的第一絕緣層610。

步驟52、在所述TFT陣列層200、及第一絕緣層610上形成覆蓋所述第一絕緣層610的金屬層620。

步驟53、在所述TFT陣列層200及金屬層620上形成覆蓋所述金屬層620的第二絕緣層630，形成包括第一絕緣層610、金屬層620、及第二絕緣層630的觸控感測層600。

本發(fā)明的OLED顯示器的制作方法，先利用現(xiàn)有的薄膜封裝方法，在TFT陣列層200及OLED層300上形成覆蓋OLED層300的薄膜封裝層400，對OLED層300進行初步的封裝，之后在TFT陣列層200及薄膜封裝層400上形成覆蓋薄膜封裝層400的有機平坦層500，接著在TFT陣列層200及有機平坦層500上形成覆蓋有機平坦層500的觸控感測層600，有機平坦層500及觸控感測層600對OLED層300進行進一步的封裝，使本發(fā)明的柔性O(shè)LED顯示器的制作方法制得的柔性O(shè)LED顯示器具有包括薄膜封裝層400、有機平坦層500、及觸控感測層600的多層封裝結(jié)構(gòu)，多層封裝結(jié)構(gòu)與TFT陣列層200之間的接觸面積增大，有效地提升了多層封裝結(jié)構(gòu)與TFT陣列層200之間的附著力，與現(xiàn)有技術(shù)相比，顯著地提升了柔性O(shè)LED顯示器的封裝強度，大大提升了柔性O(shè)LED顯示器的耐沖擊和耐彎折性能，防止柔性O(shè)LED顯示器在OLED層300發(fā)生剝離，提升產(chǎn)品的穩(wěn)定性；同時，由于有機平坦層500采用有機材料制作，能有效地釋放柔性O(shè)LED顯示器在折疊和卷曲時產(chǎn)生的應(yīng)力，進一步地提升了柔性O(shè)LED顯示器的耐沖擊和耐彎折性能，防止柔性O(shè)LED顯示器在OLED層300發(fā)生剝離，提升產(chǎn)品的穩(wěn)定性；另外，由于觸控感測層600的設(shè)置，使本發(fā)明制得的柔性O(shè)LED顯示器具有觸控感測功能，擴大了產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。

綜上所述，本發(fā)明的柔性O(shè)LED顯示器，通過在薄膜封裝層及TFT陣列層上設(shè)置覆蓋薄膜封裝層的有機平坦層，并在有機平坦層及TFT陣列層上設(shè)置覆蓋有機平坦層的觸控感測層，使該柔性O(shè)LED顯示器具有觸控感測功能，同時有機平坦層、觸控感測層與薄膜封裝層共同作為封裝結(jié)構(gòu)對OLED層進行封裝，增加封裝結(jié)構(gòu)與TFT陣列層之間的附著力，增強柔性O(shè)LED顯示器的封裝強度，并有效地緩解了柔性O(shè)LED顯示器在折疊和卷曲時產(chǎn)生的應(yīng)力，大大提升了柔性O(shè)LED顯示器的耐沖擊和耐彎折性能，防止柔性O(shè)LED顯示器在OLED層發(fā)生剝離，提升產(chǎn)品的穩(wěn)定性。本發(fā)明的柔性O(shè)LED顯示器的制作方法，制得的柔性O(shè)LED顯示器耐沖擊及耐彎折性能強，封裝強度高，能夠?qū)崿F(xiàn)觸控感測功能。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護范圍。