本揭示實(shí)施例關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，且特別是關(guān)于導(dǎo)電層位于源極/漏極區(qū)上的半導(dǎo)體的制造方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)引進(jìn)了具有更高效能及更強(qiáng)大功能性的新一代集成電路(ic)，目前已經(jīng)采用了多層金屬布線結(jié)構(gòu)設(shè)置于下層電子裝置例如晶體管的上方。為了滿足更高速以及良好可靠性的需求，已經(jīng)開發(fā)了形成金屬線的先進(jìn)的方法及其結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本揭示實(shí)施例的一態(tài)樣，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包含：先形成一第一柵極結(jié)構(gòu)及一第二柵極結(jié)構(gòu)于一基板上，其中該第一柵極結(jié)構(gòu)包含一第一柵電極，一第一覆蓋絕緣層設(shè)置于該第一柵電極上，以及一第一側(cè)壁間隔物設(shè)置于該第一柵電極以及該第一覆蓋絕緣層的側(cè)表面上，該第二柵極結(jié)構(gòu)包含一第二柵電極，一第二覆蓋絕緣層設(shè)置于該第二柵電極上，以及一第二側(cè)壁間隔物設(shè)置于該第二柵電極以及該第二覆蓋絕緣層的側(cè)表面上；接著，形成一第一源極/漏極區(qū)于該第一柵極結(jié)構(gòu)以及該第二柵極結(jié)構(gòu)之間的一區(qū)域內(nèi)；形成一第一絕緣層于該第一源極/漏極區(qū)上以及該第一柵極結(jié)構(gòu)及該第二柵極結(jié)構(gòu)之間；形成該第一絕緣層后，使該第一及第二覆蓋絕緣層凹陷，以及使該第一及第二側(cè)壁間隔物凹陷，從而形成一第一隔間于該凹陷的第一覆蓋絕緣層及該凹陷的第一側(cè)壁間隔物上，以及一第二隔間于該凹陷的第二覆蓋絕緣層及該凹陷的第二側(cè)壁間隔物上；最后形成一第一保護(hù)層于該第一隔間中，及一第二保護(hù)層于該第二隔間中，其中該第一及第二保護(hù)層包含從以過渡金屬氮化物為基底的材料及非晶硅的組成中選擇至少一種。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合隨附附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，本揭示的詳細(xì)描述將能被充分地理解。應(yīng)注意，根據(jù)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)實(shí)務(wù)，各特征并非按比例繪制且僅用于圖示目的。事實(shí)上，出于論述清晰的目的，可任意增加或減小各特征的尺寸。

圖1a繪示了根據(jù)本揭示一實(shí)施例于各階段的制造半導(dǎo)體裝置的平面示意圖(俯視圖)；

圖1b繪示了圖1a的沿x1-x1線的剖面示意圖；

圖1c繪示了柵極結(jié)構(gòu)放大圖；

圖1d繪示了根據(jù)本揭示一實(shí)施例于各階段的制造半導(dǎo)體裝置的透視示意圖；

圖2至圖8繪示了對(duì)應(yīng)圖1a的沿x1-x1線的于各階段制造半導(dǎo)體裝置的剖面示意圖；

圖9至圖10繪示了根據(jù)本揭示另一實(shí)施例的剖面示意圖；

圖11至圖12繪示了根據(jù)本揭示另一實(shí)施例的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

應(yīng)理解，以下揭示內(nèi)容提供許多不同實(shí)施例或?qū)嵗?，以便?shí)施本揭示的不同特征。下文描述組件及排列的特定實(shí)施例或?qū)嵗院?jiǎn)化本揭示。當(dāng)然，此等實(shí)例僅為示例性且并不欲為限制性。舉例而言，元件的尺寸并不受限于所揭示的范圍或值，但可取決于制程條件及/或裝置的所欲特性。此外，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接觸形成第一特征及第二特征的實(shí)施例，且亦可包括可在第一特征與第二特征之間插入形成額外特征以使得第一特征及第二特征可不處于直接接觸的實(shí)施例。為了簡(jiǎn)明性及清晰性，可以不同尺度任意繪制各特征。

另外，為了便于描述，本文可使用空間相對(duì)性術(shù)語(諸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及類似者)來描述諸圖中所圖示的一元件或特征與另一元件(或多個(gè)元件)或特征(或多個(gè)特征)的關(guān)系。除了諸圖所描繪的定向外，空間相對(duì)性術(shù)語意欲包含使用或操作中裝置的不同定向。設(shè)備可經(jīng)其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或處于其他定向上)且因此可同樣解讀本文所使用的空間相對(duì)性描述詞。另外，術(shù)語“由……制成”可意謂“包含”或“由……組成”中任一者。

圖1a及圖1b顯示了根據(jù)本揭示的一實(shí)施例，其于半導(dǎo)體裝置的制造程序中的一階段示意圖。圖1a繪示一平面(上視)圖，而圖1b繪示圖1a中沿線x1-x1的剖面圖。

圖1a及圖1b顯示了在形成金屬柵極結(jié)構(gòu)后的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。在圖1a及圖1b中，金屬柵極結(jié)構(gòu)10形成于通道層5之上，例如為鰭結(jié)構(gòu)的一部分，并且于金屬柵極結(jié)構(gòu)10上形成一覆蓋絕緣層20。在一些實(shí)施例中，金屬柵極結(jié)構(gòu)10的厚度范圍介于15納米至50納米。在一些實(shí)施例中，覆蓋絕緣層20的厚度范圍介于10納米至30納米，且在其他實(shí)施例中，其厚度范圍介于15納米至20納米。側(cè)壁間隔層30設(shè)置在金屬柵極結(jié)構(gòu)10與覆蓋絕緣層20的側(cè)壁上。在一些實(shí)施例中，位于底部的側(cè)壁間隔層30的薄膜厚度范圍介于3納米至15納米，且在其他實(shí)施例中，其厚度范圍介于4納米至10納米。金屬柵極結(jié)構(gòu)10、覆蓋絕緣層20以及側(cè)壁間隔層30的組合可以統(tǒng)稱為柵極結(jié)構(gòu)。此外，在鄰近柵極結(jié)構(gòu)形成源極/漏極區(qū)50，并且于柵極結(jié)構(gòu)之間的間隙填充第一層間介電層(interlayerdielectric，ild)40。

圖1c是柵極結(jié)構(gòu)的放大圖。金屬柵極結(jié)構(gòu)10包含一層或多層16的金屬材料，例如al，cu，w，ti，ta，tin，tial，tialc，tialn，tan，nisi，cosi或其他導(dǎo)電材料。設(shè)置在通道層5與金屬柵極之間的柵極介電層12包含一層或多層金屬氧化物，例如高k金屬氧化物。用于高k介電質(zhì)的金屬氧化物示例性的包含li，be，mg，ca，sr，sc，y，zr，hf，al，la，ce，pr，nd，sm，eu，gd，tb，dy，ho，er，tm，yb，lu，以及/或其混和的氧化物。

在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)功函數(shù)調(diào)整層14介于柵極介電層12以及金屬材料16之間。功函數(shù)調(diào)整層14由導(dǎo)電材料制成，例如單層的tin，tan，taalc，tic，tac，co，al，tial，hfti，tisi，tasi或tialc，或者上述材料中的兩種或更多種的多層。對(duì)于n型通道場(chǎng)效晶體管(n-channelfet)，使用tan，taalc，tin，tic，co，tial，hfti，tisi和tasi中的一種或多種作為功函數(shù)調(diào)整層，對(duì)于p型通道場(chǎng)效晶體管(p-channelfet)，使用tialc，al，tial，tan，taalc，tin，tic和co中的一種或多種作為功函數(shù)調(diào)整層。

覆蓋絕緣層20包含一個(gè)或多個(gè)絕緣材料層，例如包含以氮化硅為基礎(chǔ)的sin，sicn和siocn材料。側(cè)壁間隔層30與覆蓋絕緣層20是由不同的材料制成，且側(cè)壁間隔層包含一個(gè)或多層材料層，例如包含以氮化硅為基礎(chǔ)的sin，sion，sicn和siocn材料。第一ild層40包含一層或多層的絕緣材料，例如以氧化硅為基礎(chǔ)的材料，例如氧化硅(sio2)以及sion。

側(cè)壁間隔層30、覆蓋絕緣層20以及第一ild層40彼此的材料皆不相同，使得這些層可以選擇性地被蝕刻。在一些實(shí)施例中，側(cè)壁間隔層30是由siocn，sicn或sion所制成，覆蓋絕緣層20是由sin所制成，以及第一ild層40是由所sio2制成。

在一些實(shí)施例中，是采用柵極置換流程制造鰭式場(chǎng)效晶體管(finfieldeffecttransistors，finfets)。

圖1d顯示了finfet結(jié)構(gòu)的示例性透視圖。

首先，在一基板300上制造一鰭片結(jié)構(gòu)310。鰭片結(jié)構(gòu)310包含一底部區(qū)域與一頂部區(qū)域當(dāng)作通道區(qū)315。舉例來說，基板是一具有雜質(zhì)濃度范圍介于1×10¹⁵cm^-3至1×10¹⁸cm^-3的p型硅基板。在其他實(shí)施例中，基板是一具有雜質(zhì)濃度范圍介于1×10¹⁵cm^-3至1×10¹⁸cm^-3的n型硅基板。又或者，基板可以包含其他元素的半導(dǎo)體，例如鍺；半導(dǎo)體化合物包含第iv-iv族的半導(dǎo)體化合物例如sic及sige，第iii-v族的半導(dǎo)體化合物例如gaas，gap，gan，inp，inas，insb，gaasp，algan，alinas，algaas，gainas，gainp，以及/或gainasp；或其組合。在一實(shí)施例中，基板是絕緣層覆硅(silicon-on-insulator，soi)基板的硅層。

在形成鰭片結(jié)構(gòu)310后，在鰭片結(jié)構(gòu)310上形成隔離絕緣層320。隔離絕緣層320包含通過低壓化學(xué)氣相沉積(lowpressurechemicalvapordeposition，lpcvd)，等離子-cvd或可流動(dòng)cvd而形成一層或多層的絕緣材料，例如氧化硅，氮氧化硅或氮化硅。隔離絕緣層可以由一層或多層旋涂玻璃(spin-on-glass，sog)，sio，sion，siocn，和/或氟摻雜硅酸鹽玻璃(fluorine-dopedsilicateglass，fsg)而形成。

在鰭片結(jié)構(gòu)上形成隔離絕緣層320之后，執(zhí)行平坦化操作以移除隔離絕緣層320的一部分。平坦化操作可以包含化學(xué)機(jī)械拋光(chemicalmechanicalpolishing，cmp)和/或回蝕刻(etch-back)制程。接著，進(jìn)一步去除(凹陷)隔離絕緣層320，使得鰭片結(jié)構(gòu)的上部區(qū)域得以露出。

在暴露的鰭片結(jié)構(gòu)上方形成假性柵極結(jié)構(gòu)。假性柵極結(jié)構(gòu)包含由多晶硅制成的假性柵電極層以及假性柵極介電層。在假性柵電極層的側(cè)壁上形成包含一層或多層絕緣材料的側(cè)壁間隔層350。在形成假性柵極結(jié)構(gòu)之后，尚未被假性柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的鰭片結(jié)構(gòu)310凹陷在隔離絕緣層320上表面的下方。然后，通過使用外延生長法(epitaxialgrowthmethod)將源極/漏極區(qū)形成于凹陷的鰭片結(jié)構(gòu)上。源極/漏極區(qū)可以包含應(yīng)變材料以向通道區(qū)315施加應(yīng)力。

接著，在假性柵極結(jié)構(gòu)和源極/漏極區(qū)的上方形成層間介電層(ild)370。經(jīng)過平坦化操作之后，去除假性柵極結(jié)構(gòu)以便形成柵極間隔。然后，在柵極間隔中，形成包含金屬柵電極和柵極介電層，例如高k介電層的金屬柵極結(jié)構(gòu)330。此外，覆蓋絕緣層340形成于金屬柵極結(jié)構(gòu)330的上方，以獲得如圖1d所示的鰭式場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)。在圖1d中，金屬柵極結(jié)構(gòu)330，覆蓋絕緣層340，側(cè)壁330以極ild370的一部分被切割以顯示下層的結(jié)構(gòu)。

圖1d中的金屬柵極結(jié)構(gòu)330，覆蓋絕緣層340，側(cè)壁330，源極/漏極360以極ild370實(shí)質(zhì)上分別對(duì)應(yīng)至圖1a和圖1b中的金屬柵極結(jié)構(gòu)10，覆蓋絕緣層20，側(cè)壁間隔層30，源極/漏極區(qū)50以及第一層間介電層(ild)40。

圖2至圖10顯示出對(duì)應(yīng)于圖1a沿x1-x1線的示例性剖面圖。圖1a繪示了根據(jù)本揭示的一實(shí)施例于各階段依序制造半導(dǎo)體裝置的示意圖。應(yīng)當(dāng)理解的是，可以提供額外的操作于圖2至圖10之前，之間或之后，且部分如下描述的操作可以被該方法所附加的實(shí)施例進(jìn)行置換或刪除。操作/制程的順序是可以相互交換。

參照?qǐng)D2，通過使用干式和/或濕式蝕刻制程使覆蓋絕緣層20凹陷。由于構(gòu)成覆蓋絕緣層20所使用的材料與側(cè)壁間隔層30及第一ild層40不同，使得實(shí)質(zhì)上可以選擇性蝕刻覆蓋絕緣層20。在一些實(shí)施例中，從第一ild層40上表面量測(cè)的凹陷間隔25的深度d1在3納米至10納米的范圍內(nèi)，并且在其他實(shí)施例中深度d1在4納米至8納米的范圍內(nèi)。

參照?qǐng)D3，通過使用干式和/或濕式蝕刻制程使側(cè)壁間隔層30凹陷。由于構(gòu)成側(cè)壁間隔層30所使用的材料與覆蓋絕緣層20及第一ild層40不同，使得實(shí)質(zhì)上可以選擇性蝕刻側(cè)壁間隔層30。在一些實(shí)施例中，從第一ild層40上表面量測(cè)的深度d2在3納米至10納米的范圍內(nèi)，并且在其他實(shí)施例中深度d2在4納米至8納米的范圍內(nèi)。

深度d1實(shí)質(zhì)上與深度d2相同，并且如果不同，則差值在1納米以內(nèi)。應(yīng)當(dāng)注意的是，覆蓋絕緣層20可以在側(cè)壁間隔層30凹陷之后凹陷。

接著，如圖4所示，保護(hù)層70形成于凹陷間隔35內(nèi)。一層或多層的平坦層形成于如圖3的結(jié)構(gòu)上，并且執(zhí)行平坦化操作，例如回蝕刻(etch-back)制程和/或化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)制程。在平坦化操作之后，保護(hù)層70的厚度在一些實(shí)施例中從3納米至10納米的范圍內(nèi)，并且在其他實(shí)施例中從4納米至8納米的范圍內(nèi)。

保護(hù)層70是由相較于氧化硅基底材料具有高蝕刻電阻率的材料制成。在一些實(shí)施例中，使用過渡金屬氮化物基底材料，非晶硅或多晶硅作為保護(hù)層70。作為過渡金屬氮化物基底材料是使用alon，aln，tin或tan。此外，也可以使用鋁，鉭，鈦，鋯和鉿的氧化物作為保護(hù)層70。

參照?qǐng)D5，在形成保護(hù)層70之后，通過合適的蝕刻制程去除第一ild層40。

接著，參照?qǐng)D6，形成第二ild80于圖5的結(jié)構(gòu)上。第二ild80包含一個(gè)或多個(gè)絕緣材料層，其包含氧化硅基底材料，例如氧化硅(sio2)和sion或低k介電材料。

在形成第二ild層80之后，通過使用微影制程及蝕刻制程形成接觸孔85，以暴露至少一個(gè)源極/漏極區(qū)50。如圖7所示，在蝕刻接觸孔期間，保護(hù)層70的一部分和側(cè)壁間隔層30的一部分也被蝕刻。然而，在蝕刻(氧化蝕刻)接觸孔期間由于保護(hù)層70相較于側(cè)壁間隔層具有較高的蝕刻電阻率，所以可以使側(cè)壁間隔層30被蝕刻掉一部分的量最小化。此外，由于保護(hù)層70，覆蓋絕緣層20在蝕刻接觸孔期間不會(huì)被蝕刻，因此，覆蓋絕緣層20的上端實(shí)質(zhì)上保持直角。由于覆蓋絕緣層20部會(huì)被蝕刻，因此可以避免金屬柵極20與源極/漏極接觸95(參照第9及10圖)之間發(fā)生短路。

形成接觸孔85之后，形成導(dǎo)電材料90于圖5的結(jié)構(gòu)上。如圖8所示，在圖7的結(jié)構(gòu)上形成一或多層的導(dǎo)電材料90，例如鎢，鈦，鈷，鉭，銅，鋁或鎳，或上述的硅化物，或其他合適的材料。繼續(xù)執(zhí)行如cmp制程的平坦化操作，以獲得如圖7的結(jié)構(gòu)。兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)之間由導(dǎo)電材料填充，從而形成與源極/漏極區(qū)50接觸的源極/漏極接觸95。

在此實(shí)施例中，保護(hù)層70不被移除并保留如圖9所示。在這種情形下，在cmp制程中保護(hù)層70具有拋光停止層的功能，并且由諸如alon或aln的絕緣材料制成。

這些源極/漏極接觸95接觸源極/漏極區(qū)50。應(yīng)注意的是，覆蓋絕緣層20的上表面，第二ild層80的上表面(頂部)和源極/漏極接觸95實(shí)質(zhì)上彼此齊平，亦即在同一平面上。

形成源極/漏極接觸95之后，在圖9的結(jié)構(gòu)上形成蝕刻停止層(etching-stoplayer，esl)105和第三ild層100。接著，執(zhí)行圖案化操作以形成通孔。通孔用一種或多種導(dǎo)電材料填充以形成通孔塞110、115，并且分別在通孔塞110、115上形成如圖10所示的第一金屬線120和第二金屬線120。第一和第二金屬線及通孔塞可以通過雙鑲嵌法形成。在一些實(shí)施例中，不形成esl105。

可以理解的是，如圖10所示的裝置更進(jìn)一步經(jīng)歷cmos制程以形成各種特征，例如互連金屬層，介電層，鈍化層等。

圖11及圖12繪示出根據(jù)本揭示的另一實(shí)施例的示例性剖面圖。

在上述的實(shí)施例中，保護(hù)層70保留在金屬柵極上方。在此實(shí)施例中，去除保護(hù)層70。

在形成如圖8所示的導(dǎo)電材料90后，參照?qǐng)D11，執(zhí)行平坦化操作以去除導(dǎo)電材料90和保護(hù)層70的上部。在這種情形下，覆蓋絕緣層20可以在cmp制程中當(dāng)作拋光停止層。

接著，類似于圖10，在形成源極/漏極接觸95之后，形成cesl105和第三ild層100，并執(zhí)行圖案化制程以形成通孔。通孔用一種或多種導(dǎo)電材料填充以形成通孔塞110、115，并且分別在通孔塞110及115上形成如圖12所示的第一金屬線120和第二金屬線125。

可以理解的是，如圖10所示的裝置更進(jìn)一步經(jīng)歷cmos制程以形成各種特征，例如互連金屬層，介電層，鈍化層等。

本文所描述的各實(shí)施例或?qū)嵗峁﹥?yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的若干優(yōu)勢(shì)。舉例而言，在本揭示實(shí)施例中，由于在金屬柵極，側(cè)壁間隔層和覆蓋絕緣層上形成保護(hù)層70，因此可避免在接觸孔蝕刻期間使得覆蓋絕緣層被蝕刻，從而防止金屬柵極和源極/漏極接觸。

應(yīng)將理解，并非所有優(yōu)勢(shì)皆需要在本文中論述，并非所有實(shí)施例或?qū)嵗员仨氂刑囟▋?yōu)勢(shì)，而其他實(shí)施例或?qū)嵗商峁┎煌瑑?yōu)勢(shì)。

根據(jù)本揭示的一態(tài)樣，制造半導(dǎo)體裝置的方法包括：形成一第一柵極結(jié)構(gòu)及一第二柵極結(jié)構(gòu)于一基板上，其中該第一柵極結(jié)構(gòu)包含一第一柵電極，一第一覆蓋絕緣層設(shè)置于該第一柵電極上，以及一第一側(cè)壁間隔物設(shè)置于該第一柵電極以及該第一覆蓋絕緣層的側(cè)表面上，該第二柵極結(jié)構(gòu)包含一第二柵電極，一第二覆蓋絕緣層設(shè)置于該第二柵電極上，以及一第二側(cè)壁間隔物設(shè)置于該第二柵電極以及該第二覆蓋絕緣層的側(cè)表面上；形成一第一源極/漏極區(qū)于該第一柵極結(jié)構(gòu)以及該第二柵極結(jié)構(gòu)之間的一區(qū)域內(nèi)；形成一第一絕緣層于該第一源極/漏極區(qū)上以及該第一柵極結(jié)構(gòu)及該第二柵極結(jié)構(gòu)之間；形成該第一絕緣層后，使該第一及第二覆蓋絕緣層凹陷，以及使該第一及第二側(cè)壁間隔物凹陷，從而形成一第一隔間于該凹陷的第一覆蓋絕緣層及該凹陷的第一側(cè)壁間隔物上，以及一第二隔間于該凹陷的第二覆蓋絕緣層及該凹陷的第二側(cè)壁間隔物上；形成一第一保護(hù)層于該第一隔間中，及一第二保護(hù)層于該第二隔間中，其中該第一及第二保護(hù)層包含從以過渡金屬氮化物為基底的材料及非晶硅的組成中選擇至少一種。

在一些實(shí)施例中，以過渡金屬氮化物為基底的材料為alon或aln。

在一些實(shí)施例中，非晶硅為摻雜硼的非晶硅。

在一些實(shí)施例中，第一和第二側(cè)壁間隔物的材料，第一和第二覆蓋絕緣層的材料以及第一絕緣層的材料皆不同。

在一些實(shí)施例中，第一側(cè)壁間隔物和第二側(cè)壁間隔物由siocn制成；第一覆蓋絕緣層和第二覆蓋絕緣層由sin制成；以及第一絕緣層由sio2制成。

在一些實(shí)施例中，于凹陷第一和第二側(cè)壁間隔物前執(zhí)行凹陷第一和第二覆蓋絕緣層。

在一些實(shí)施例中，于形成第一絕緣層之后及凹陷第和第二覆蓋絕緣層之前執(zhí)行第一和第二側(cè)壁間隔物的凹陷步驟。

在一些實(shí)施例中，于形成第一和第二保護(hù)層之后，進(jìn)一步還包含：在具有第一和第二保護(hù)層的第一和第二柵極結(jié)構(gòu)上方形成第二絕緣層；去除第二絕緣層的一部分和源極/漏極區(qū)上方的第一絕緣層的一部分，從而形成接觸孔；以及使用導(dǎo)電料填充接觸孔，從而形成與源極/漏極區(qū)接觸的接觸插栓。

在另一實(shí)施例中，當(dāng)形成接觸孔時(shí)，蝕刻第一保護(hù)層和第二保護(hù)層的一部分，但不蝕刻第一覆蓋絕緣層和第二覆蓋絕緣層。

在一些實(shí)施例中，在形成第一和第二保護(hù)層之后還包含：去除第一絕緣層；形成第二絕緣層以覆蓋具有第一和第二保護(hù)層的第一和第二柵極結(jié)構(gòu)；去除源極/漏極區(qū)上方的第二絕緣層的一部分，從而形成接觸孔；以及使用導(dǎo)電材料填充接觸孔，從而形成與源極/漏極區(qū)接觸的接觸插栓。

根據(jù)本揭示的另一態(tài)樣，制造半導(dǎo)體裝置的方法包括：形成第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)于基板上，第一柵極結(jié)構(gòu)還包含第一柵電極，設(shè)置于第一柵電極上的第一覆蓋絕緣層以及設(shè)置于第一柵電極和第一覆蓋絕緣層的兩側(cè)面上的第一側(cè)壁間隔層，第二柵極結(jié)構(gòu)包含第二柵電極，設(shè)置于第二柵電極上的第二覆蓋絕緣層以及設(shè)置于第二柵電極和第二覆蓋絕緣層的兩側(cè)面上的第二側(cè)壁間隔層；于第一柵極結(jié)構(gòu)與第二柵極結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域中形成第一源極/漏極區(qū)；在第一源極/漏極區(qū)上方及第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)之間形成第一絕緣層；于形成第一絕緣層之后，凹陷第一和第二覆蓋絕緣層；凹陷第一和第二側(cè)壁間隔層，從而在凹陷的第一覆蓋絕緣層和凹陷的第一側(cè)壁間隔層上方形成第一隔間，以及在凹陷的第二覆蓋絕緣層和第二側(cè)壁間隔層上方形成第二隔間；在第一隔間中形成第一保護(hù)層，在第二隔間中形成第二保護(hù)層；在具有第一和第二保護(hù)層的第一和第二柵極結(jié)構(gòu)上方形成第二絕緣層；在源極/漏極區(qū)上形成接觸孔，以暴露源極/漏極區(qū)；使用導(dǎo)電材料填充接觸孔，從而形成與源極/漏極區(qū)接觸的接觸插栓；以及去除第一保護(hù)層和第二保護(hù)層。

在一些實(shí)施例中，第一和第二保護(hù)層包含由過渡金屬氮化物基底材料和非晶硅所組成的群組中選擇至少一種。

在一些實(shí)施例中，以過渡金屬氮化物為基底的材料為alon或aln。

在一些實(shí)施例中，非晶硅為摻雜硼的非晶硅。

在一些實(shí)施例中，第一和第二側(cè)壁間隔物的材料，第一和第二覆蓋絕緣層的材料以及第一絕緣層的材料皆不同。

在一些實(shí)施例中，第一側(cè)壁間隔物和第二側(cè)壁間隔物由siocn制成；第一覆蓋絕緣層和第二覆蓋絕緣層由sin制成；以及第一絕緣層由sio2制成。

在一些實(shí)施例中，于凹陷第一和第二側(cè)壁間隔物前執(zhí)行凹陷第一和第二覆蓋絕緣層。

在一些實(shí)施例中，于形成第一絕緣層之后及凹陷第和第二覆蓋絕緣層之前執(zhí)行第一和第二側(cè)壁間隔物的凹陷步驟。

在一些實(shí)施例中，凹陷的第一和第二覆蓋絕緣層的上表面實(shí)質(zhì)上與凹陷的第一和第二側(cè)壁間隔物的上表面齊平。

根據(jù)本揭示又另一態(tài)樣，一種半導(dǎo)體裝置包含：第一柵極結(jié)構(gòu)，此第一柵極結(jié)構(gòu)包含第一柵電極，第一覆蓋絕緣層設(shè)置于第一柵電極上，及第一側(cè)壁間隔物設(shè)置于第一柵電極和第一覆蓋絕緣層的兩個(gè)側(cè)面上；以及第一保護(hù)層形成于第一覆蓋絕緣層和至少一個(gè)第一側(cè)壁間隔物上，其中第一保護(hù)層包含由alon，aln及非晶硅所組成的群組中選擇至少一種。

上文概述若干實(shí)施例或?qū)嵗奶卣鳎允故煜ご隧?xiàng)技術(shù)者可更好地理解本揭示的態(tài)樣。熟悉此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)了解，可輕易使用本揭示作為設(shè)計(jì)或修改其他制程及結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)，以便實(shí)施本文所介紹的實(shí)施例或?qū)嵗南嗤康募?或達(dá)成相同優(yōu)勢(shì)。熟悉此項(xiàng)技術(shù)者亦應(yīng)認(rèn)識(shí)到，此類等效結(jié)構(gòu)并未脫離本揭示的精神及范疇，且可在不脫離本揭示的精神及范疇的情況下產(chǎn)生本文的各種變化、替代及更改。