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一種高電容率薄膜電容器用石墨烯鈦酸鋇聚酰亞胺復(fù)合膜材料及其制備方法與流程

文檔序號:11099514閱讀:844來源:國知局

本發(fā)明涉及電容器薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種高電容率薄膜電容器用石墨烯鈦酸鋇聚酰亞胺復(fù)合膜材料及其制備方法。



背景技術(shù):

隨著科技的發(fā)展,擁有高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料在無源器件、高儲能電容器、微波材料等領(lǐng)域中,特別是在薄膜電容器中有著廣泛的應(yīng)用。對于疊片式薄膜電容器而言,控制介電層的厚度、介電層膜的均勻性以及如何使介電層與導(dǎo)電層一體化制備是一技術(shù)難點(diǎn)。而高介電常數(shù)的無機(jī)/聚合物復(fù)合材料作為一種良好的高性能材料,不僅可以大面積制備,還可以避免單一無機(jī)介電材料的高溫?zé)Y(jié),因此在介電領(lǐng)域具有廣闊的發(fā)展前景。本文嘗試采用新型成膜方法,以高介電常數(shù)的無機(jī)/聚合物復(fù)合材料作為介電層,以石墨紙做導(dǎo)電層,研究復(fù)合薄膜一體化制備工藝,從而展望制備一體化復(fù)合薄膜電容器。實(shí)驗(yàn)中,先利用溶液混合法制備鈦酸鋇/聚酰胺酸混合液,再以石墨紙做電極且為復(fù)合薄膜的載體,利用提拉法得到單片石墨紙-鈦酸鋇/聚酰亞胺一體化復(fù)合薄膜。通過紅外(FT-IR)、熱失重(TGA)、X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)等測試手段考察復(fù)合薄膜的熱穩(wěn)定性以及微觀結(jié)構(gòu)。通過電化學(xué)阻抗譜(EIS)儀、LCR測試儀等考察復(fù)合薄膜的介電性能。主要內(nèi)容和結(jié)果如下:(1)利用兩步法制備聚酰亞胺,先通過二酸酐與二胺的縮合反應(yīng)制備了前驅(qū)體——聚酰胺酸,討論了制備過程中的注意事項(xiàng),對聚酰胺酸進(jìn)行的熱酰亞胺化反應(yīng),通過熱失重、紫外等測試手段對各溫度梯度薄膜進(jìn)行表征,研究討論了聚酰胺酸轉(zhuǎn)變?yōu)榫埘啺返霓D(zhuǎn)變過程。(2)采用溶液混合法制備了鈦酸鋇/聚酰胺酸混合液,以石墨紙為載體和電極材料,利用提拉法制備了鈦酸鋇/聚酰胺酸涂覆膜,再通過程序升溫?zé)崽幚頍狨啺坊蟮玫绞?鈦酸鋇/聚酰亞胺復(fù)合薄膜。利用紅外(FT-IR)、熱失重(TGA)、X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)等測試手段對復(fù)合薄膜進(jìn)行了表征。(3)采用電化學(xué)阻抗譜(EIS)儀、LCR測試儀等技術(shù)測試復(fù)合薄膜的介電性能。研究鈦酸鋇/聚酰亞胺復(fù)合薄膜的介電性能與頻率、介電性能與鈦酸鋇含量的關(guān)系,對比不同測試手段之間的差異。(4)研究了介電模型,并利用幾種常用的基本模型和經(jīng)驗(yàn)?zāi)P蛯︹佀徜^/聚酰亞胺復(fù)合膜的實(shí)測介電常數(shù)進(jìn)行分析,并利用線性擬合尋找適合本體系的模型。

《石墨紙鈦酸鋇聚酰亞胺一體化復(fù)合薄膜的制備與研究》一文得到的電容器薄膜材料的介電常數(shù)還需要提高,導(dǎo)電性能需要提高,還需要提高薄膜材料的蓄電性能。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明目的就是為了彌補(bǔ)已有技術(shù)的缺陷,提供一種高電容率薄膜電容器用石墨烯鈦酸鋇聚酰亞胺復(fù)合膜材料及其制備方法。

本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:

一種高電容率薄膜電容器用石墨烯鈦酸鋇聚酰亞胺復(fù)合膜材料,由下列重量份的原料制成:N,N-二甲基乙酰胺150-180、十八胺50-55、均苯四甲酸二酐50-55、鈦酸鋇100-110、石墨烯36-38、納米結(jié)晶纖維素23-25、丙酮100-105、硝酸亞鈰50-55、氧化銀50-55、硝酸適量、檸檬酸適量、去離子水適量、聚乙二醇1.3-1.6、水合氯化鈷2-2.5、尿素12-14、埃洛石納米管2.3-2.6。

所述高電容率薄膜電容器用石墨烯鈦酸鋇聚酰亞胺復(fù)合膜材料的制備方法,包括以下步驟:

(1)將納米結(jié)晶纖維素加入丙酮中,攪拌均勻,再加入石墨烯攪拌均勻,超聲分散8-10分鐘,涂覆在玻璃基板上,厚度為100-120μm,干燥,在500-550℃下處理55-60分鐘,取下薄膜,得到石墨烯薄膜;

(2)按摩爾比鈰:銀=1:0.16-0.18稱取硝酸亞鈰、氧化銀,在氧化銀中加入硝酸至溶解,與硝酸亞鈰一起加入100-105重量份的去離子水中,得到溶液,再加入檸檬酸和聚己二醇,檸檬酸與金屬離子的摩爾比為1-1.2:1,攪拌溶解后,在85-87℃水浴中攪拌至變成凝膠,將石墨烯薄膜浸漬在凝膠中15-20分鐘,取出,在110-115℃下干燥,然后在500-520℃下處理2-2.2小時(shí),得到改性石墨烯膜;

(3)將水合氯化鈷、尿素加入去離子水中,攪拌至溶解得到溶液,氯化鈷濃度為0.04mol/L、尿素濃度為0.2mol/L,加入埃洛石納米管,攪拌均勻,放入干燥箱中,在94-97℃下反應(yīng)8-9小時(shí),粉碎過500-800目篩,得到粉末;

(4)將十八胺加入N,N-二甲基乙酰胺中,攪拌至十八胺完全溶解,再分批加入均苯四甲酸二酐,每次加入0.5-0.6g,攪拌至完全溶解,再攪拌4-4.3小時(shí),十八胺:均苯四甲酸二酐的摩爾比為1:1,得到固含量為15-20%的聚酰胺酸溶液,再加入其他剩余成分,得到混合液;

(5)將混合液與粉末混合均勻,使用浸漬提拉機(jī),將改性石墨烯膜以4cm/min的速度在混合液中浸漬、提拉、成膜、晾干,得到薄膜;

(6)將薄膜置于烤膠機(jī)上在60-62℃下加熱1-1.2小時(shí),在120-122℃下加熱1-1.2小時(shí),在180-183℃下加熱1-1.2小時(shí),在240-245℃下加熱1-1.2小時(shí),在270-275℃下加熱1-1.2小時(shí),冷卻至室溫,取出薄膜,即得。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:本發(fā)明使用石墨烯和納米結(jié)晶纖維素制成薄膜,高溫處理除去納米結(jié)晶纖維素,留下了微孔,再用硝酸亞鈰、氧化銀形成溶膠,對孔隙進(jìn)行填充,在孔隙中形成了納米級摻雜銀離子的氧化鈰顆粒,提高了石墨烯的密度和導(dǎo)電性,提高了電容器的電容率和蓄電性能;通過使用水合氯化鈷、尿素在薄膜中生成四氧化三鈷納米線,再使用埃洛石納米管進(jìn)行吸附分散,使得納米線分散均勻,使得電容器的比電容升高,增加充放電次數(shù),保持良好的蓄電性能。

具體實(shí)施方式

一種高電容率薄膜電容器用石墨烯鈦酸鋇聚酰亞胺復(fù)合膜材料,由下列重量份(公斤)的原料制成:N,N-二甲基乙酰胺150、十八胺50、均苯四甲酸二酐50、鈦酸鋇100、石墨烯36、納米結(jié)晶纖維素23、丙酮100、硝酸亞鈰50、氧化銀50、硝酸適量、檸檬酸適量、去離子水適量、聚乙二醇1.3、水合氯化鈷2、尿素12、埃洛石納米管2.3。

所述高電容率薄膜電容器用石墨烯鈦酸鋇聚酰亞胺復(fù)合膜材料的制備方法,包括以下步驟:

(1)將納米結(jié)晶纖維素加入丙酮中,攪拌均勻,再加入石墨烯攪拌均勻,超聲分散8分鐘,涂覆在玻璃基板上,厚度為100μm,干燥,在500℃下處理55分鐘,取下薄膜,得到石墨烯薄膜;

(2)按摩爾比鈰:銀=1:0.16稱取硝酸亞鈰、氧化銀,在氧化銀中加入硝酸至溶解,與硝酸亞鈰一起加入100重量份的去離子水中,得到溶液,再加入檸檬酸和聚己二醇,檸檬酸與金屬離子的摩爾比為1:1,攪拌溶解后,在85℃水浴中攪拌至變成凝膠,將石墨烯薄膜浸漬在凝膠中15分鐘,取出,在110℃下干燥,然后在500℃下處理2小時(shí),得到改性石墨烯膜;

(3)將水合氯化鈷、尿素加入去離子水中,攪拌至溶解得到溶液,氯化鈷濃度為0.04mol/L、尿素濃度為0.2mol/L,加入埃洛石納米管,攪拌均勻,放入干燥箱中,在94℃下反應(yīng)8小時(shí),粉碎過500目篩,得到粉末;

(4)將十八胺加入N,N-二甲基乙酰胺中,攪拌至十八胺完全溶解,再分批加入均苯四甲酸二酐,每次加入0.5g,攪拌至完全溶解,再攪拌4小時(shí),十八胺:均苯四甲酸二酐的摩爾比為1:1,得到固含量為15%的聚酰胺酸溶液,再加入其他剩余成分,得到混合液;

(5)將混合液與粉末混合均勻,使用浸漬提拉機(jī),將改性石墨烯膜以4cm/min的速度在混合液中浸漬、提拉、成膜、晾干,得到薄膜;

(6)將薄膜置于烤膠機(jī)上在60℃下加熱1小時(shí),在120℃下加熱1小時(shí),在180℃下加熱1小時(shí),在240℃下加熱1小時(shí),在270℃下加熱1小時(shí),冷卻至室溫,取出薄膜,即得。

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù):

該實(shí)施例薄膜的介電損耗為1.2%,介電常數(shù)為38,10%失重溫度為490℃、572℃。

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