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晶圓生長控制裝置和方法與流程

文檔序號(hào):11252614閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種晶圓生長控制裝置和方法,在反應(yīng)室內(nèi)的基座上設(shè)置同圓心的多個(gè)環(huán)形加熱絲,晶圓置于基座之上;晶圓外延生長過程中,加熱控制器從設(shè)置于反應(yīng)室之外的翹曲度測(cè)量儀接收其獲取的翹曲度信息,并基于翹曲度信息判斷晶圓發(fā)生超過設(shè)定閾值的翹曲情況時(shí),調(diào)節(jié)晶圓翹曲位置對(duì)應(yīng)設(shè)置的環(huán)形加熱絲的溫度升高或者降低,以達(dá)到使晶圓均勻受熱的技術(shù)效果,調(diào)整晶圓翹曲位置的翹曲度減小至設(shè)定閾值以內(nèi),解決現(xiàn)有晶圓的外延生長中受熱不均導(dǎo)致良品率低的問題。

技術(shù)研發(fā)人員:岳金順;張展;張國華;周德保;梁旭東
受保護(hù)的技術(shù)使用者:青島杰生電氣有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.04.21
技術(shù)公布日:2017.09.15
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