本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種微轉(zhuǎn)印方法。

背景技術(shù)：

微發(fā)光二極管(microled)是一種尺寸在幾微米到幾百微米之間的器件，由于其較普通led的尺寸要小很多，從而使得單一的led作為像素(pixel)用于顯示成為可能，microled顯示器便是一種以高密度的microled陣列作為顯示像素陣列來(lái)實(shí)現(xiàn)圖像顯示的顯示器，同大尺寸的戶(hù)外led顯示屏一樣，每一個(gè)像素可定址、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮，可以看成是戶(hù)外led顯示屏的縮小版，將像素點(diǎn)距離從毫米級(jí)降低至微米級(jí)，microled顯示器和有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode，oled)顯示器一樣屬于自發(fā)光顯示器，但microled顯示器相比于oled顯示器還具有材料穩(wěn)定性更好、壽命更長(zhǎng)、無(wú)影像烙印等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是oled顯示器的最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

由于晶格匹配的原因，microled器件必須先在藍(lán)寶石類(lèi)的供給基板上通過(guò)分子束外延的方法生長(zhǎng)出來(lái)，隨后通過(guò)激光剝離(laserlift-off，llo)技術(shù)將微發(fā)光二極管裸芯片(barechip)從供給基板上分離開(kāi)，然后通過(guò)微轉(zhuǎn)印(microtransferprint)技術(shù)將其轉(zhuǎn)移到已經(jīng)預(yù)先制備完成電路圖案的接受基板上，形成microled陣列，進(jìn)而做成microled顯示面板。其中，微轉(zhuǎn)印microled陣列的基本原理大致為：使用具有圖案化的傳送頭(transfer)，例如具有凸起結(jié)構(gòu)的聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，pdms)類(lèi)傳送頭，通過(guò)具有粘性的pdms傳送層(transferlayer)將microledbarechip從供給基板吸附起來(lái)，然后將pdms傳送頭與接受基板進(jìn)行對(duì)位，隨后將pdms傳送頭所吸附的microledbarechip貼附到接受基板預(yù)設(shè)的位置上，再將pdms傳送頭從接受基板上剝離，即可完成microledbarechip的轉(zhuǎn)移，形成microled陣列。

目前，來(lái)自愛(ài)爾蘭的x-celeprint、美國(guó)德州大學(xué)等都曾發(fā)表過(guò)有關(guān)microled顯示器的研究成果。蘋(píng)果公司于2014年正式收購(gòu)具有microled技術(shù)的luxvue后，引發(fā)業(yè)界開(kāi)始關(guān)注于microled的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，luxvue與x-celeprint所使用的微轉(zhuǎn)移技術(shù)差別較大，x-celeprint主要利用pdms等膜層結(jié)構(gòu)的吸附力進(jìn)行轉(zhuǎn)移動(dòng)作，而luxvue通過(guò)在傳送頭的凸起上通電，利用靜電力來(lái)吸附microled等器件。

不論采用何種方式進(jìn)行吸附的transfer，transfer的轉(zhuǎn)移良率和速度都是技術(shù)的關(guān)鍵點(diǎn)，在現(xiàn)有微轉(zhuǎn)印方法的transfer移動(dòng)過(guò)程中，transfer從提供零部件的襯底上吸附起例如led、集成電路芯片(ic)等微米尺寸的零部件時(shí)，其實(shí)際是克服地球重力和襯底的吸附力，而在移動(dòng)和轉(zhuǎn)移的過(guò)程中，也時(shí)刻受到地球重力影響；假設(shè)transfer移動(dòng)速度較快，則可能導(dǎo)致在移動(dòng)過(guò)程中microled等器件從transfer上脫落，而為了提高transfer過(guò)程中的穩(wěn)定性，則又可能犧牲transfer的速度繼而影響產(chǎn)能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種微轉(zhuǎn)印方法，可有效提高傳送頭的轉(zhuǎn)移良率和速率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種微轉(zhuǎn)印方法，包括如下步驟：

步驟s1、提供傳送頭、及載體基板，所述傳送頭具有數(shù)個(gè)拾取凸起，每一拾取凸起均具有吸附面，所述載體基板上設(shè)有數(shù)個(gè)微部件，將所述傳送頭放置于所述載體基板上，此時(shí)所述拾取凸起的吸附面朝向下方，使得所述拾取凸起的吸附面與載體基板上的微部件相接觸，即利用所述傳送頭的拾取凸起吸附載體基板上的微部件；

步驟s2、將傳送頭與載體基板上下翻轉(zhuǎn)，此時(shí)所述傳送頭位于所述載體基板的下方，所述拾取凸起的吸附面朝向上方，然后將傳送頭與載體基板分離，此時(shí)所述傳送頭承載著所述步驟s1中被拾取凸起吸附的微部件；

步驟s3、提供接受基板，將承載有微部件的傳送頭轉(zhuǎn)移到所述接受基板的上方，然后將傳送頭上下翻轉(zhuǎn)，此時(shí)所述傳送頭位于所述接受基板的上方，所述拾取凸起的吸附面朝向下方，將拾取凸起吸附的微部件置于接受基板上。

所述步驟s1中提供的傳送頭中，每一拾取凸起的吸附面上均設(shè)有擋墻。

每一拾取凸起上的擋墻均設(shè)于相應(yīng)吸附面的至少一側(cè)邊上。

所述步驟s2中，每一拾取凸起上吸附的微部件的高度均大于該拾取凸起上擋墻的高度。

所述傳送頭上的擋墻通過(guò)光刻制程制作形成。

所述微部件為微發(fā)光二極管。

所述微部件具有金屬電極，所述步驟s3中提供的接受基板為tft陣列基板。

所述步驟s3還包括將微部件的金屬電極與接受基板導(dǎo)通，并使得所述微部件固定于所述接受基板上。

所述微部件為微集成電路芯片。

所述傳送頭為pdms傳送頭，所述拾取凸起為pdms材料，所述步驟s1中通過(guò)拾取凸起的粘性吸附微部件。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供了一種微轉(zhuǎn)印方法，利用傳送頭的拾取凸起吸附載體基板上的微部件后，將傳送頭與載體基板上下翻轉(zhuǎn)，使所述傳送頭位于載體基板的下方；然后將傳送頭與載體基板分離，使傳送頭承載著被拾取凸起吸附的微部件；然后將承載有微部件的傳送頭轉(zhuǎn)移到接受基板的上方，再將傳送頭上下翻轉(zhuǎn)，將拾取凸起吸附的微部件置于接受基板上；本發(fā)明的微轉(zhuǎn)印方法，在傳送頭轉(zhuǎn)移微部件的過(guò)程中，微部件承載于傳送頭上，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，傳送頭對(duì)微部件的吸附不再需要克服重力的影響，繼而在保證傳送頭對(duì)微部件穩(wěn)定轉(zhuǎn)移的情況下，可以對(duì)傳送頭進(jìn)行快速移動(dòng)，有效提高了傳送頭的轉(zhuǎn)移良率和速率。

附圖說(shuō)明

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為本發(fā)明的微轉(zhuǎn)印方法的流程示意圖；

圖2-3為本發(fā)明的微轉(zhuǎn)印方法的步驟s1的示意圖；

圖4-6為本發(fā)明的微轉(zhuǎn)印方法的步驟s2的示意圖；

圖7-9為本發(fā)明的微轉(zhuǎn)印方法的步驟s3的示意圖；

圖10為本發(fā)明的微轉(zhuǎn)印方法中傳送頭上一拾取凸起的放大示意圖；

圖11為本發(fā)明的微轉(zhuǎn)印方法的步驟s3中傳送頭轉(zhuǎn)移微器件時(shí)對(duì)應(yīng)一拾取凸起處的示意圖；

圖12為本發(fā)明的微轉(zhuǎn)印方法中一拾取凸起上擋墻設(shè)于相應(yīng)吸附面的相對(duì)兩側(cè)邊上的示意圖；

圖13為本發(fā)明的微轉(zhuǎn)印方法中一拾取凸起上擋墻設(shè)于相應(yīng)吸附面的四周側(cè)邊上的示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明提供一種微轉(zhuǎn)印方法，包括如下步驟：

步驟s1、如圖2-3所示，提供傳送頭50、及載體基板10，所述傳送頭50具有數(shù)個(gè)拾取凸起51，每一拾取凸起51均具有吸附面511，所述載體基板10上設(shè)有數(shù)個(gè)微部件40，將所述傳送頭50放置于所述載體基板10上，此時(shí)所述拾取凸起51的吸附面511朝向下方，使得所述拾取凸起51的吸附面511與載體基板10上的微部件40相接觸，即利用所述傳送頭50的拾取凸起51吸附載體基板10上的微部件40。

步驟s2、如圖4-6所示，將傳送頭50與載體基板10上下翻轉(zhuǎn)，此時(shí)所述傳送頭50位于所述載體基板10的下方，所述拾取凸起51的吸附面511朝向上方，然后將傳送頭50與載體基板10分離，此時(shí)所述傳送頭50承載著所述步驟s1中被拾取凸起51吸附的微部件40。

步驟s3、如圖7-9所示，提供接受基板20，將承載有微部件40的傳送頭50轉(zhuǎn)移到所述接受基板20的上方，然后將傳送頭50上下翻轉(zhuǎn)，此時(shí)所述傳送頭50位于所述接受基板20的上方，所述拾取凸起51的吸附面511朝向下方，將拾取凸起51吸附的微部件40置于接受基板20上。

本發(fā)明的微轉(zhuǎn)印方法，在傳送頭50轉(zhuǎn)移微部件40的過(guò)程中，微部件40承載于傳送頭50上，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，傳送頭50對(duì)微部件40的吸附不再需要克服重力的影響，繼而在步驟s3中，在保證傳送頭50對(duì)微部件40穩(wěn)定轉(zhuǎn)移的情況下，可以對(duì)傳送頭50進(jìn)行快速移動(dòng)，有效提高了傳送頭50的轉(zhuǎn)移良率和速率。

具體地，每一拾取凸起51的吸附面511的尺寸均大于其所吸附的微部件40的尺寸，如圖10所示，所述步驟s1中提供的傳送頭50中，每一拾取凸起51的吸附面511的邊緣上均設(shè)有擋墻512，從而在傳送頭50對(duì)微部件40轉(zhuǎn)移過(guò)程中，即使微部件40發(fā)生偶爾的晃動(dòng)，由于擋墻512的阻擋作用，微部件40也不會(huì)從拾取凸起51上脫落。

進(jìn)一步地，每一拾取凸起51上的擋墻512可設(shè)于相應(yīng)吸附面511四側(cè)邊中的某一邊上、某兩邊上、某三邊上、或是四周側(cè)邊上；例如，如圖12所示，每一拾取凸起51上的擋墻512設(shè)于相應(yīng)吸附面511的相對(duì)兩側(cè)邊上；又例如，如圖13所示，每一拾取凸起51上的擋墻512設(shè)于相應(yīng)吸附面511的四周側(cè)邊上，從而形成可包圍微部件40的結(jié)構(gòu)。

具體地，所述傳送頭50上的擋墻512通過(guò)光刻制程在傳送頭50成型過(guò)程中制作形成。

具體地，如圖11所示，所述步驟s2中，每一拾取凸起51上吸附的微部件40的高度均大于該拾取凸起51上擋墻512的高度；從而在所述步驟s3中，將傳送頭50上下翻轉(zhuǎn)后，擋墻512不會(huì)阻礙微部件40放置在接受基板20上，進(jìn)而避免影響微部件40與接受基板20的綁定(bonding)。

具體地，所述微部件40為微發(fā)光二極管，具有金屬電極41，所述步驟s3中提供的接受基板20為tft陣列基板。進(jìn)一步地，所述步驟s3還包括將微部件40的金屬電極41與接受基板20導(dǎo)通，并使得所述微部件40固定于所述接受基板20上，即將微部件40也即微發(fā)光二極管與接受基板20進(jìn)行綁定。

除此之外，所述微部件40也可以為其他微米尺寸或更小尺寸的器件，例如微集成電路芯片。

具體地，所述傳送頭50為pdms傳送頭，所述拾取凸起51為pdms材料，所述步驟s1中通過(guò)拾取凸起51的粘性吸附微部件40。除此之外，所述傳送頭50還可以為其他類(lèi)型的傳送頭，比如通過(guò)靜電力來(lái)進(jìn)行拾取的傳送頭。

綜上所述，本發(fā)明提供了一種微轉(zhuǎn)印方法，利用傳送頭的拾取凸起吸附載體基板上的微部件后，將傳送頭與載體基板上下翻轉(zhuǎn)，使所述傳送頭位于載體基板的下方；然后將傳送頭與載體基板分離，使傳送頭承載著被拾取凸起吸附的微部件；然后將承載有微部件的傳送頭轉(zhuǎn)移到接受基板的上方，再將傳送頭上下翻轉(zhuǎn)，將拾取凸起吸附的微部件置于接受基板上；本發(fā)明的微轉(zhuǎn)印方法，在傳送頭轉(zhuǎn)移微部件的過(guò)程中，微部件承載于傳送頭上，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，傳送頭對(duì)微部件的吸附不再需要克服重力的影響，繼而在保證傳送頭對(duì)微部件穩(wěn)定轉(zhuǎn)移的情況下，可以對(duì)傳送頭進(jìn)行快速移動(dòng)，有效提高了傳送頭的轉(zhuǎn)移良率和速率。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。