本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，具體地，涉及陣列基板、顯示裝置以及制備陣列基板的方法。

背景技術(shù)：

低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)由于具有較高的電子遷移率，近年來(lái)受到了廣泛的關(guān)注。低溫多晶硅技術(shù)是多晶硅技術(shù)的一個(gè)分支，其在元件小型化、提高面板開(kāi)口率、提升畫面品質(zhì)與清晰度上具有顯著的優(yōu)勢(shì)。與傳統(tǒng)的非晶硅材料形成的薄膜晶體管液晶顯示器(tft-lcd)相比，低溫多晶硅材料在制備薄膜晶體管時(shí)可以具有更快的反應(yīng)速度，從而有利于提高薄膜晶體管對(duì)于液晶分子的控制能力，并可以縮小薄膜電路的尺寸。因此，一方面可以使得形成的薄膜晶體管小型化，另一方面也可以降低薄膜電路的功耗。并且，較小的薄膜電路有利于提高液晶顯示器的開(kāi)口率，因此在背光模塊輸出功率不變的前提下，可以獲得更好的顯示亮度以及更好的色彩輸出。

然而，目前基于低溫多晶硅的陣列基板、制備方法以及顯示裝置仍有待改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是基于發(fā)明人對(duì)以下事實(shí)的發(fā)現(xiàn)和認(rèn)識(shí)而作出的：

目前，基于低溫多晶硅的顯示裝置，普遍存在陣列基板上的薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)比不夠理想、生產(chǎn)工藝較為復(fù)雜等問(wèn)題。發(fā)明人經(jīng)過(guò)深入研究以及大量實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，這主要是由于低溫多晶硅對(duì)光照較為敏感，在背光照射下，會(huì)產(chǎn)生光生漏電流。且一般而言，低溫多晶硅的光生漏電流為非晶硅的十至百倍。因此，如無(wú)法有效控制光生漏電流，則陣列基板無(wú)法有效控制液晶分子的偏轉(zhuǎn)，進(jìn)而影響顯示。其中，光照以及溫度，均會(huì)引發(fā)低溫多晶硅生成光生漏電流。目前，抑制漏電流的方法主要有以下三種：第一，通過(guò)降低熱載流子效應(yīng)，抑制光生漏電流；第二，制備遮光結(jié)構(gòu)，通過(guò)避免背光照射到有源層的低溫多晶硅材料，抑制光生漏電流的產(chǎn)生；第三，使用雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)，控制光生漏電流。然而，發(fā)明人經(jīng)過(guò)實(shí)測(cè)發(fā)現(xiàn)，光照對(duì)漏電流的影響，遠(yuǎn)比溫度的影響嚴(yán)重。10000nit的光照足以使漏電流升高1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，單純依靠降低熱載流子效應(yīng)，難以真正實(shí)現(xiàn)光生漏電流的抑制。而雙柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的設(shè)計(jì)，無(wú)疑將使得陣列基板的制備復(fù)雜化，因此，目前采用低溫多晶硅材料的顯示裝置，多通過(guò)設(shè)置遮光結(jié)構(gòu)抑制光生漏電流。然而，發(fā)明人經(jīng)過(guò)深入研究以及大量實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，在目前的產(chǎn)品中，普遍采用金屬材料形成遮光結(jié)構(gòu)。并且，上述遮光結(jié)構(gòu)僅能夠應(yīng)用于顯示區(qū)，而無(wú)法應(yīng)用在陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)域和多路復(fù)用區(qū)域。發(fā)明人經(jīng)過(guò)深入研究發(fā)現(xiàn)，這主要是由于金屬材料形成的遮光結(jié)構(gòu)容易形成電荷累積，因此無(wú)法應(yīng)用于陣列基板行驅(qū)動(dòng)和多路復(fù)用區(qū)域。并且，引入金屬材料遮光結(jié)構(gòu)，也使得低溫多晶硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備工藝復(fù)雜化。

本發(fā)明旨在至少一定程度上緩解或解決上述提及問(wèn)題中至少一個(gè)。

有鑒于此，在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種陣列基板。該陣列基板包括：基板；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設(shè)置在所述基板上，所述薄膜晶體管包括：遮光層以及有源層，所述遮光層設(shè)置在所述基板上，所述有源層設(shè)置在所述遮光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，所述遮光層是由非晶硅形成的，所述陣列基板包括顯示區(qū)，且包括陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)以及多路復(fù)用區(qū)的至少之一，所述薄膜晶體管設(shè)置在所述顯示區(qū)，且所述薄膜晶體管設(shè)置在所述陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)以及所述多路復(fù)用區(qū)的至少之一中。由此，可以降低有源層在光照條件下產(chǎn)生光生漏電流，且不會(huì)產(chǎn)生電荷積累，進(jìn)一步地可以使顯示區(qū)、陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)以及多路復(fù)用區(qū)的光生漏電流均得到有效控制，從而可以提高該陣列基板的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述有源層是由多晶硅形成的。由此，可以進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述有源層覆蓋所述遮光層的部分表面，所述遮光層未被所述有源層覆蓋的表面的寬度為0.2-0.3微米。遮光層大于有源層，可以達(dá)到較好的遮光效果。

在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提出了一種顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該顯示裝置包括陣列基板，所述陣列基板是如前面所述的；彩膜基板，所述彩膜基板與所述陣列基板對(duì)盒設(shè)置。由此，可以降低陣列基板的光生漏電流，且不會(huì)產(chǎn)生電荷積累，從而可以提高該顯示裝置的性能。

在本發(fā)明的另一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種制備陣列基板的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括在基板上設(shè)置薄膜晶體管，設(shè)置所述薄膜晶體管包括：在所述基板上設(shè)置遮光層，所述遮光層是由非晶硅形成的；以及在所述遮光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)設(shè)置有源層，其中，所述陣列基板包括顯示區(qū)，且包括陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)以及多路復(fù)用區(qū)的至少之一，所述薄膜晶體管設(shè)置在所述顯示區(qū)，且所述薄膜晶體管設(shè)置在所述陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)以及所述多路復(fù)用區(qū)的至少之一中。由此，可以簡(jiǎn)便地獲得陣列基板，且可以使得光生漏電流得到有效控制，從而提高利用該方法制備的陣列基板的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括利用第一光刻處理，形成所述遮光層；以及利用第二光刻處理，形成所述有源層，其中，所述第一光刻處理以及所述第二光刻處理共用一個(gè)光刻掩膜。遮光層和有源層的制備共用一個(gè)掩膜，可以節(jié)省成本，簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述第一光刻處理的曝光量，為所述第二光刻處理的曝光量的70-90％。由此，可以獲得尺寸大于有源層的遮光層，從而達(dá)到較好的遮光效果。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括在所述基板上沉積形成非晶硅層；利用掩膜對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行第一光刻處理，以便形成所述遮光層；在所述遮光層以及所述基板上沉積第二非晶硅層，對(duì)所述第二非晶硅層進(jìn)行第二光刻處理；對(duì)經(jīng)過(guò)所述第二光刻處理的所述第二非晶硅層進(jìn)行激光退火處理，以便將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅，形成所述有源層，其中，所述第一光刻處理的曝光量，為所述第二光刻處理的曝光量的70-90％。由此，可以利用簡(jiǎn)單的生產(chǎn)工藝獲得陣列基板。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4顯示了現(xiàn)有的薄膜晶體管的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7顯示了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；以及

圖8顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制備陣列基板的流程示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

100：基板；200：薄膜晶體管；210：遮光層；220：有源層；230：柵極；240：漏極區(qū)；250：源極區(qū)；300：顯示區(qū)；400：陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)；500：多路復(fù)用區(qū)；700：彩膜基板；800：液晶層；900：陣列基板；10：液晶分子；1000：顯示裝置。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明而不是要求本發(fā)明必須以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種陣列基板。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖1，該陣列基板900包括：基板100以及薄膜晶體管200。其中，薄膜晶體管200設(shè)置在基板100上，薄膜晶體管200包括：遮光層210以及有源層220，遮光層210設(shè)置在基板100上，有源層220設(shè)置在遮光層210遠(yuǎn)離基板100的一側(cè)，遮光層210是由非晶硅形成的。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，薄膜晶體管還可以具有諸如源極、漏極、柵極(圖中未示出)等結(jié)構(gòu)，以便實(shí)現(xiàn)該薄膜晶體管的使用功能。參考圖3，該陣列基板900包括顯示區(qū)300，且包括陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)(goa)400以及多路復(fù)用區(qū)(mux)500的至少之一。薄膜晶體管200(圖中未示出)設(shè)置在顯示區(qū)300中，且陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)400以及多路復(fù)用區(qū)500的至少之一中也設(shè)置有根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管200。由此，可以降低有源層在光照條件下產(chǎn)生光生漏電流，且不會(huì)產(chǎn)生電荷積累，進(jìn)一步地可以使顯示區(qū)、陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)以及多路復(fù)用區(qū)的光生漏電流均得到有效控制，從而可以提高該陣列基板的性能。

下面，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，對(duì)該陣列基板的各個(gè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明：

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，構(gòu)成有源層220的材料不受特別限制，只要能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜晶體管的使用功能即可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際使用的需求進(jìn)行設(shè)計(jì)。例如，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，有源層220可以是由多晶硅形成的。更具體地，可以采用低溫多晶硅形成有源層220。由此，可以利用低溫多晶硅材料的優(yōu)異性能，進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。

為了方便理解，下面首先對(duì)遮光層210的工作原理進(jìn)行簡(jiǎn)單說(shuō)明：如前所述，多晶硅經(jīng)過(guò)光照會(huì)產(chǎn)生光生載流子，從而形成光生漏電流，進(jìn)而影響陣列基板的性能。特別是采用低溫多晶硅形成有源層220時(shí)，有源層220在光照下的光生漏電流為非晶硅形成的有源層的十至百倍。而本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，在液晶顯示裝置中，背光模組產(chǎn)生的光需要穿透陣列基板，照射至液晶層并發(fā)生偏轉(zhuǎn)，最終由彩膜基板一側(cè)射出，以便來(lái)實(shí)現(xiàn)顯示裝置的使用功能。因此，陣列基板的有源層在使用過(guò)程中，必然會(huì)暴露在光照條件下。通過(guò)在基板100以及有源層220之間設(shè)置遮光層210，可以使得背光模組產(chǎn)生的背光，首先穿透基板100，照射至遮光層220上。由此，可以避免該陣列基板的有源層220在使用過(guò)程中暴露在背光環(huán)境中，從而緩解光生漏電流的產(chǎn)生。發(fā)明人經(jīng)過(guò)深入研究發(fā)現(xiàn)，與多晶硅相比，非晶硅對(duì)于光照的敏感程度大幅降低。也即是說(shuō)，在光照條件下，非晶硅材料不會(huì)產(chǎn)生光生載流子。并且，非晶硅材料對(duì)于可見(jiàn)光具有較好的吸收能力，因此可以用于形成根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的遮光層210。并且，與傳統(tǒng)的利用金屬材料制備的遮光層相比，采用非晶硅形成的遮光層可以采用與制備多晶硅形成的有源層220類似的工藝進(jìn)行制備，從而有利于簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程。此外，非晶硅形成的遮光層210不會(huì)造成電荷的累積，從而可以更加廣泛的應(yīng)用于陣列基板上，而不必?fù)?dān)心會(huì)影響薄膜晶體管的電學(xué)性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，遮光層210的具體尺寸以及形狀不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇。例如，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，參考圖2，遮光層210的尺寸可以適當(dāng)?shù)拇笥谟性磳?20的尺寸，以達(dá)到較好的遮光效果。如前所述，背光模組發(fā)出的背光首先照到遮光層210，因此當(dāng)遮光層210的尺寸大于有源層220的尺寸時(shí)，可以對(duì)背光進(jìn)行較為全面的遮擋，防止背光照射至有源層220而產(chǎn)生光生漏電流。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中，“遮光層210的尺寸大于有源層220的尺寸”，特指遮光層210的橫截面面積，大于有源層220的橫截面的面積。換句話說(shuō)，有源層220覆蓋遮光層210的部分表面，遮光層210與有源層220相接觸的一側(cè)，有部分表面未被有源層220覆蓋。也即是說(shuō)，有源層220靠近遮光層210一側(cè)的表面，全部被遮光層210覆蓋。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，未被有源層220覆蓋的遮光層210的表面的寬度(如圖中所示出的d)可以為0.2-0.3微米。由此，可以達(dá)到較好的遮光效果。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖3，該陣列基板900的陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)400以及多路復(fù)用區(qū)500的至少之一中也設(shè)置有根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管200。也即是說(shuō)，在陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)400以及多路復(fù)用區(qū)500的至少之一中，也設(shè)置有由非晶硅構(gòu)成的遮光層210。由此，可以使顯示區(qū)300、陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)400以及多路復(fù)用區(qū)500的漏電流均得到有效控制，進(jìn)一步提高該陣列基板900的性能。如前所述，由于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的遮光層210是由非晶硅材料形成的，因此，與金屬材料形成的遮光層相比，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的遮光層210不會(huì)產(chǎn)生電荷累積。具體地，參考圖4，目前采用低溫多晶硅形成有源層的陣列基板，通常采用頂柵型tft設(shè)計(jì)。也即是在有源層220(tft溝道區(qū))下形成金屬材料構(gòu)成的遮光層210。由于大面積金屬結(jié)構(gòu)會(huì)引起電荷的累積，因此，采用金屬材料形成遮光層210時(shí)，僅在與柵極230對(duì)應(yīng)的有源層220處設(shè)置遮光層210，控制遮光層210兩側(cè)均比溝道長(zhǎng)，從而實(shí)現(xiàn)遮光效果。也即是說(shuō)，采用金屬結(jié)構(gòu)形成的遮光層210，可以遮擋tft的輕摻雜漏工藝(ldd)的摻雜區(qū)域，但為了避免電荷累積，源極端250、漏極端240等位置的有源層220，并未進(jìn)行遮光處理。且大面積金屬放置于陣列基板行驅(qū)動(dòng)和多路復(fù)用區(qū)域，易引起電荷累積，因此，采用金屬形成的遮光層，只在顯示區(qū)的tft溝道下形成金屬遮光層，而未對(duì)陣列基板行驅(qū)動(dòng)和多路復(fù)用區(qū)域中的tft進(jìn)行任何處理。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖5，由于遮光層210由非晶硅形成，因此，大面積設(shè)置遮光層210不會(huì)造成電荷的累積，從而可以在有源層220的全部下表面設(shè)置遮光層210。由此可以顯著降低由光照產(chǎn)生的光生漏電流。并且，由于無(wú)需考慮電荷累積對(duì)tft電學(xué)性能的影響，因此，該結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于陣列基板的顯示區(qū)、陣列基板行驅(qū)動(dòng)和多路復(fù)用區(qū)域。由此，可以有效的控制光生漏電流，進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。

在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提出了一種顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖6，該顯示裝置1000包括前面所述的陣列基板900。由此，該顯示裝置具有前面所述的陣列基板的全部特征以及優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。總的來(lái)說(shuō)，該顯示裝置的陣列基板可防止光生漏電流的產(chǎn)生，且遮光層不會(huì)產(chǎn)生電荷積累，進(jìn)一步地其顯示區(qū)、陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)以及多路復(fù)用區(qū)的光生漏電流均可以得到有效控制，從而可以提高該顯示裝置的性能。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，參考圖7，該顯示裝置1000還包括彩膜基板700以及液晶層800。其中彩膜基板700與陣列基板900對(duì)盒設(shè)置，液晶層800封裝在彩膜基板700以及陣列基板900之間。液晶層中封裝有液晶分子10，由此，可以實(shí)現(xiàn)該顯示裝置的顯示功能。

在本發(fā)明的另一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種制備陣列基板的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法制備的陣列基板，可以為前面描述的陣列基板。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括在基板上設(shè)置薄膜晶體管，參考圖8，設(shè)置該薄膜晶體管可以具體包括以下步驟：

s100：在基板上設(shè)置遮光層

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，在基板上形成遮光層。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中形成的遮光層，可以具有與前面描述的陣列基板的遮光層相同的特征以及優(yōu)點(diǎn)。關(guān)于遮光層的材料、形狀等等，前面已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)的描述，在此不再贅述。例如，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，遮光層是由非晶硅形成的，由此可以使光生漏電流得到有效的控制。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，設(shè)置遮光層的具體方式不受特別限制。例如，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，可以首先在基板上沉積一層非晶硅，形成第一非晶硅層，然后利用掩膜對(duì)該第一非晶硅層進(jìn)行第一光刻處理，去除不需要設(shè)置遮光層處的第一非晶硅層，從而獲得根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的遮光層。

s200：在遮光層上形成有源層

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，在遮光層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)設(shè)置有源層。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中形成的有源層，可以具有與前面描述的陣列基板的有源層相同的特征以及優(yōu)點(diǎn)。關(guān)于有源層的材料前面已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)描述，在此不再贅述。例如，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，有源層可以是由多晶硅形成的，由此，可以進(jìn)一步提高陣列基板的性能。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，設(shè)置有源層的具體方式不受特別限制。例如，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，可以首先在前面制備的遮光層，以及未被遮光層覆蓋的基板上沉積一層第二非晶硅層，然后對(duì)第二非晶硅層進(jìn)行第二光刻處理，最后對(duì)經(jīng)過(guò)第二光刻處理的第二非晶硅層進(jìn)行激光退火處理，以便將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅，形成有源層。

根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，為了進(jìn)一步簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程，降低生產(chǎn)成本，上述第一光刻處理以及第二光刻處理可以采用同一個(gè)掩膜。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，遮光層的尺寸可以略大于有源層的尺寸。采用同一個(gè)掩膜進(jìn)行光刻處理，僅需要對(duì)兩次光刻處理的曝光量進(jìn)行調(diào)節(jié)，即可以獲得尺寸略大于有源層的遮光層。具體的，第一光刻處理的曝光量，可以為第二光刻處理的曝光量的70-90％。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，第一光刻處理的曝光量，可以比第二光刻處理的曝光量小15％。由于第一光刻處理的曝光量較小，因此，最終獲得的遮光層的尺寸，略大于掩膜的尺寸。也即是說(shuō)，第一光刻處理采用欠曝光處理，第一非晶硅層沒(méi)有刻蝕完全。在進(jìn)行第二光刻處理時(shí)，通過(guò)增大曝光量，使得第二非晶硅層嚴(yán)格按照掩膜的形狀進(jìn)行刻蝕，由此，可以使最終獲得的遮光層比有源層大。由此，可以利用簡(jiǎn)便的工藝便獲得尺寸大于有源層的遮光層，在達(dá)到較好遮光效果的同時(shí)還節(jié)省了成本。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該方法中，可以將制備的薄膜晶體管設(shè)置在該陣列基板的顯示區(qū)中，同時(shí)在陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)以及多路復(fù)用區(qū)的至少之一中也可以設(shè)置上述薄膜晶體管。由此，可以使顯示區(qū)、陣列基板行驅(qū)動(dòng)區(qū)以及多路復(fù)用區(qū)的漏電流均得到有效控制，從而可以進(jìn)一步提高該陣列基板的性能。

在本說(shuō)明書的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“另一個(gè)實(shí)施例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在本說(shuō)明書中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說(shuō)明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。