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隔離膜及其制備方法、電池及用電裝置與流程

文檔序號:39725860發(fā)布日期:2024-10-22 13:24閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種隔離膜,其特征在于,包括多層微孔膜,至少兩層相鄰設(shè)置的所述微孔膜之間設(shè)置有中間層,所述中間層包含鐵電體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離膜,其特征在于,所述鐵電體包括無機(jī)鐵電體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的隔離膜,其特征在于,所述無機(jī)鐵電體包括具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化物鐵電體。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的隔離膜,其特征在于,所述具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化物鐵電體包括鈦酸鋇、鈦酸鉛、鈦酸鉍和鈦酸鉍鈉中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的隔離膜,其特征在于,所述中間層還包含粘結(jié)劑;可選地,基于所述中間層的總質(zhì)量,所述粘結(jié)劑的含量為10wt%~20wt%。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的隔離膜,其特征在于,所述粘結(jié)劑包括聚丙烯酸酯、丙烯酸、羧甲基纖維素中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的隔離膜,其特征在于,所述中間層還包含無機(jī)填料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的隔離膜,其特征在于,所述無機(jī)填料包括α-氧化鋁、勃姆石、二氧化硅、氧化鈰、鎂鋁尖晶石、氧化鋯、二氧化鈦中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的隔離膜,其特征在于,基于所述中間層的總質(zhì)量,所述鐵電體的含量為60wt%~95wt%。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的隔離膜,其特征在于,所述鐵電體為顆粒狀,所述鐵電體的dv50為0.5μm~1μm;和/或,所述鐵電體的比表面積(0.1-10)m2/g;和/或,所述鐵電體為多孔結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的隔離膜,其特征在于,所述中間層的厚度為0.5μm~2.5μm。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)所述的隔離膜,其特征在于,所述中間層中所包含物料的dv50為0.3μm~0.8μm。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的隔離膜,其特征在于,所微孔膜的厚度為3μm~7μm;和/或,所微孔膜的孔隙率為30%~70%;和/或,所述微孔膜的孔徑為100nm~800nm;和/或,所述微孔膜的面密度為2g/m2~10g/m2。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至13任一項(xiàng)所述的隔離膜,其特征在于,所述隔離膜的透氣度為300s/100cc~500s/100cc;和/或,所述隔離膜的孔隙率為25%~65%;和/或,所述隔離膜的橫向拉伸強(qiáng)度大于1000kg/cm2;和/或,所述隔離膜的縱向拉伸強(qiáng)度大于1200kg/cm2。

15.根據(jù)權(quán)利要求1至14任一項(xiàng)所述的隔離膜,其特征在于,所述鐵電體的居里溫度大于100℃。

16.根據(jù)權(quán)利要求1至15任一項(xiàng)所述的隔離膜,其特征在于,基于所述隔離膜的總質(zhì)量,所述中間層的質(zhì)量百分比為30wt%~50wt%。

17.一種隔離膜的制備方法,其特征在于,包括:

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的隔離膜的制備方法,其特征在于,所述中間涂層還包括粘結(jié)劑;和/或,所述中間涂層中漿料的固含量為10wt%-70wt%;和/或,所述中間涂層中漿料的粘度為50mpa·s-300mpa·s;和/或,在干燥處理后,還包括對所述隔離膜進(jìn)行熱壓處理。

19.一種電池,其特征在于,包括正極極片、負(fù)極極片及隔離所述正極極片和所述負(fù)極極片的根據(jù)權(quán)利要求1至16任一項(xiàng)所述的隔離膜或根據(jù)權(quán)利要求17至18任一項(xiàng)所述的隔離膜的制備方法制備得到的隔離膜。

20.一種用電裝置,其特征在于,包括根據(jù)權(quán)利要求19所述的電池。


技術(shù)總結(jié)
本申請涉及電池技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種隔離膜及其制備方法、電池及用電裝置。隔離膜包括多層微孔膜,至少兩層相鄰設(shè)置的微孔膜之間設(shè)置有中間層,中間層包含鐵電體。本申請方案通過將隔離膜設(shè)置為包括多層微孔膜,并且在至少兩層相鄰設(shè)置的微孔膜之間包含鐵電體的中間層。由于鐵電體具有自發(fā)極化的內(nèi)建電場,相當(dāng)于在隔離膜的中間層上建立一個離子加速器,離子在通過隔離膜的中間層時會受到電場的作用加速,從而提升隔離膜的離子導(dǎo)電率。

技術(shù)研發(fā)人員:夏忠輝,王兆光,楊建瑞,王耀輝,孫成棟,歐陽楚英,黃思應(yīng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者:寧德時代新能源科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/10/21
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